【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１伝導型の半導体層１０５と、発光層１０４と、第２伝導型の半導体層１０３とをこの順に含む半導体積層体１０６と、第１伝導型半導体層１０５上に、コンタクト層１０７とオーミック電極層１０８とが積層してなるコンタクト部１０９と、オーミック電極層１０８に接し、第１伝導型半導体層１０５と電気的に接続する第１電極１１３と、第２伝導型半導体層１０３に電気的に接続する第２電極１１２と、を有し、コンタクト部１０９には第１伝導型半導体層１０５が露出する複数の島状の開口部１１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製品寿命を良好に維持することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置１であって、基板２と、基板２上に設けられた発光素子３と、基板２上に設けられた、発光素子３を取り囲む多孔質材料からなる枠体４と、枠体４の内周面４ａから上面を経て枠体４の外周面４ｂにかけて連続して設けられた透光性の封止層５と、枠体４の下面であって内周面４ａと外周面４ｂの間に設けられた接合部材６と、枠体４の内部には、封止層５と接合部材６で囲まれる領域に閉じ込められるように設けられた空隙部７とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥を抑制した高効率の半導体発光素子及び半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、４４０ナノメートル以上のピーク波長の光を放出する発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層には、引っ張り歪が印加されている。前記第１半導体層における刃状転位密度は、５×１０^９／ｃｍ^２以下である。前記第１半導体層と前記発光層との間の格子不整合率は、０．１１パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、Ｚｎ、必要に応じてＭｇ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅが共ドープされたＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と（ｂ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜上に、Ｚｎ及びＭｇの少なくとも一方、Ｔｅ、及びＮを供給して、ＮがドープされたＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＴｅ（０≦ｙ≦１）単結晶膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光層と、電子ブロック層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む。前記電子ブロック層は、前記発光層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、前記発光層から前記ｐ形半導体層の方向に増加するアルミニウム組成比を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、下地層と、第１積層中間層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記下地層は、基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層を含む。前記第１積層中間層は、前記下地層の上に設けられた第１ＡｌＮ中間層と、前記第１ＡｌＮ中間層の上に設けられた第１ＡｌＧａＮ中間層と、前記第１ＡｌＧａＮ中間層の上に設けられた第１ＧａＮ中間層と、を含む。前記機能層は、前記第１積層中間層の上に設けられている。前記第１ＡｌＧａＮ中間層は、前記第１ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記第１ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう積層方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体素子においてｐ型層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系化合物半導体素子は、基板と、基板上方に形成され、ＮがドープされたＺｎＯ系化合物半導体層と、ＮがドープされたＺｎＯ系化合物半導体層上に形成され、ＮとＶＩ族元素とがコドープされたｐ型ＺｎＯ系化合物半導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第２の絶縁膜に被覆された第１領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第１の絶縁膜および第２の絶縁膜に被覆された第２領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第２領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの半導体発光素子に生じ得る欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成されたサファイア基板の表面に、表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿った第１方向に向かう第１溝部と、表面に沿うとともに第１方向と交差する第２方向に向かい且つ第１溝部の幅よりも幅が狭い第２溝部とを備える半導体層を形成し、半導体層が形成されたサファイア基板に対し、サファイア基板の裏面側からレーザ光を照射することで、サファイア基板の内部に、第１方向に向かうとともに第１溝部と重なる第１改質領域と、第２方向に向かうとともに第２溝部と重なる第２改質領域とを形成し、第１改質領域および第２改質領域が形成されたサファイア基板を、第１改質領域および第２改質領域を用いて分割し、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体１２０を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層１２３と、ｐ型導電層１２３の底面側に配置された活性層１２２と、ｐ型導電層１２３とで活性層１２２を挟むように配置されたｎ型導電層１２１とが含まれ、ｐ型導電層１２３の上面にはｐ側電極が設けられ、ｐ型導電層１２３側に一部露出したｎ型導電層１２１の表面にはｎ側電極が設けられる。該ｎ側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該ｎ側電極の該接続部とｎ型導電層１２１との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ＮとＴｅがコドーピングされたＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供することである。
【解決手段】
ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、少なくともＺｎ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅがコドーピングされたＺｎＯ系半導体膜を形成する工程と、（ｂ）ＺｎＯ系半導体膜にＯラジカルを照射して、ＺｎＯ系半導体膜の結晶性を向上させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、第１金属ピラーと、第２金属ピラーと、封止部と、を含む半導体発光素子が提供される。積層体は、第１部分及び第２部分を有する第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第２部分と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。積層体は、第１半導体層の側の第１主面と、２半導体層の側の第２主面と、を有する。第１、第２電極は、第２主面の側において、第１、第２半導体層のそれぞれの上に設けられる。反射層は、積層体の側面を覆い、絶縁性である。第１、第２金属ピラーは、第１、第２電極とそれぞれ接続され、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に延びる。封止部は、第１金属ピラー及び第２金属ピラーを封止する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の剥がれを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板２上に、ｎ型層３ａ、発光層３ｂ、およびｐ型層３ｃを有する光半導体層３を形成する第１工程と、ｎ型層上の露出領域Ｓｐ内に第１電極４を形成する第２工程と、ｐ型層上に、発光層で発光した光を反射する第１金属層５ａ、および第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層５ｂを順次積層して第２電極５を形成する第３工程と、第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６を形成する第４工程と、密着層を酸素雰囲気中で加熱して、密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた密着層、第２電極、ｐ型層および発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する第６工程と、第２電極と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜および密着層をエッチングして、第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤと保護ダイオードとが同一基板上に形成され、かつフリップチップ実装に適した構成をもつ発光素子を得る。
【解決手段】ＬＥＤ領域ＸにおいてはＬＥＤが形成され、保護ダイオード領域Ｙにおいては保護ダイオードが形成される。この際、ＬＥＤアノード電極５１ａと保護ダイオードカソード電極５２ｂ、ＬＥＤカソード電極５２ａと保護ダイオードアノード電極５１ｂとは、分離溝Ｚを挟んでそれぞれ対向する。ｐ側電極５１とｎ側電極５２の厚さが同等である場合には、ＬＥＤ領域ＸにおけるＬＥＤアノード電極５１ａ、ＬＥＤカソード電極５２ａ、保護ダイオード領域Ｙにおける保護ダイオードアノード電極５１ｂ、保護ダイオードカソード電極５２ｂの高さは同等となる。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａ_ｘ１Ａｌ_１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む。下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含む。井戸層のＩｎ組成比は障壁層よりも高い。複数の井戸層のそれぞれの厚さは、複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム等からなるクラッド層等の下地層上に、窒化ガリウムより格子定数が大きい窒化ガリウム・インジウムからなる発光層を設けるのに際し、発光層中へのインジウムの取り込みを促進させた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、接して配置され且つｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層とを備え、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度を、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりもｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と発光層との界面において低く、且つ、上記界面よりも発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高くする。 （もっと読む）