【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高い発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１において、シリコン基板１１上に金属膜１３及び発光層１７を設け、発光層１７上の一部に上部電極１８を設ける。また、シリコン基板１２の上層部分における上部電極１８の直下域を含む領域に、電流の通過を抑制する電流抑制層として、低濃度層１２を形成する。更に、金属膜１３に溝１６を形成し、上部電極１８の直下域を含み、低濃度層１２の直上域の一部に相当する円形の部分１３ａを、周囲の部分１３ｂから分離する。 （もっと読む）

【課題】活性層における光吸収を低減しつつ、光取り出し効率を改善可能な発光素子を提供する。
【解決手段】井戸層及び障壁層を有する多重量子井戸を含み、非発光領域と前記非発光領域の周囲に形成される発光領域とを有する活性層と、前記活性層の第１の主面の上に設けられた第１のクラッド層と、前記第１の主面に対して垂直な方向からみて中心が前記非発光領域の中心近傍となるように、前記第１のクラッド層の上に設けられたパッド電極と、前記第１の主面とは反対側の前記活性層の第２の主面の下に設けられた第２のクラッド層と、を備え、前記非発光領域における前記井戸層のバンドギャップは、前記発光領域における前記井戸層のバンドギャップよりも広く、かつ前記第１のクラッド層のバンドギャップよりも狭いことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】新しい電極構造を含む半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ある態様の半導体発光素子は、第１導電型半導体層と；前記第１導電型半導体層の第１部分の上に形成され、少なくとも１つの枝形状のパターンを有する第１電極と；前記第１電極をカバーする絶縁層と；及び前記絶縁層上に直接接触する第１部分と、前記第１導電型半導体層の第１部分とは異なる前記第１導電型半導体層の第２部分の上に第２部分とを備えた電極層と；を含む。 （もっと読む）

【課題】電磁と電気エネルギーとの間の変換を行うエネルギー変換装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】エネルギー変換装置は、熱エネルギービームで形成した第１のドープド領域と第２のドープド領域とをもつ広バンドギャップ半導体材料を備える。第１の例において、エネルギー変換装置は、発光装置として動作し、電力を受けて電磁放射を生じる。第２の例において、エネルギー変換装置は、光起電力装置として動作し、電磁放射を受けて電力を生じる。第３の例において、エネルギー変換装置は、絶縁材料を変換して形成する。光起電力装置を太陽熱液体加熱装置と組み合わせることにより、電磁放射を受けて電力および加熱液体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】波長４０５ｎｍ以下の窒化ガリウム系発光装置の発光出力を増大させる。
【解決手段】基板１０上にバッファ層１２，１４を形成する工程と、バッファ層１４上にｎ−コンタクト層１６を形成する工程と、ｎ−コンタクト層１６上にｎ−クラッド層１８を形成する工程と、ｎ−クラッド層１８上にｎ−ブロック層２０を形成する工程と、ｎ−ブロック層２０上に活性層２２を形成する工程と、活性層２２上にｐ−ブロック層２４を形成する工程と、ｐ−ブロック層２４上にｐ−クラッド層２６を形成する工程と、ｐ−クラッド層２６上にｐ−コンタクト層２６を形成する工程とを有し、ｎ−コンタクト層１６を形成する工程は、Ｓｉ層とｕ−Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層を交互に積層する工程からなる。 （もっと読む）

【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体材料からなる発光ダイオードに関する。
【解決手段】 本発明の態様は、第1伝導型の半導体材料からなる構造(1)及び電気的分極手段を有する発光ダイオードである。当該構造(1)は第1面(2)を有し、該第1面(2)の第1領域は前記第1伝導型とは反対の第2伝導型の半導体材料からなるパッド(5)と接触する。前記分極手段は、前記パッド(5)上に設けられた電気コンタクト(7)、当該構造(1)の第1面又は第2面上に設けられた電気コンタクト(8)、及び、前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層(4)によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲート(3)、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス封止後の駆動電圧上昇を抑制すること。
【解決手段】第１ｐ型コンタクト層１０６について、成長温度を７８０〜１０００℃の範囲、第１ｐ型コンタクト層１０６のＭｇ濃度を２×１０¹⁹〜８×１０¹⁹／ｃｍ³ の範囲で変化させた発光素子サンプルを作製する。そして、発光素子サンプルの成長温度を上昇させていったときに、ガラス封止による駆動電圧上昇が始まる温度を臨界成長温度、発光素子サンプルのＭｇ濃度を減じていった時に初期駆動電圧が上昇し始めるＭｇ濃度を臨界Ｍｇ濃度とする。次に、成長温度を臨界成長温度とし、Ｍｇ濃度が臨界Ｍｇ濃度となるように第１ｐ型コンタクト層１０６を形成した発光素子１を作製する。その後、発光素子１をセラミック基板２にフリップチップ実装し、６００℃でのホットプレス加工により発光素子１をガラス封止部３で封止する。 （もっと読む）

【課題】、基板と光学素子アレイを熱硬化接合部材によって比較的強固に結合するとともに、熱硬化接合部材が光学素子アレイの上面に到達することを抑制する。
【解決手段】特定方向に沿って配列された複数の光学素子が上面に配置された光学素子アレイと、複数の前記光学素子アレイが、前記特定方向に沿って隣接して配置された基板と、を備え、隣接する前記光学素子アレイ同士が、前記光学素子アレイの各端面の間隙に配された光硬化接合部材によって接合され、前記光学素子アレイと前記基板とが、前記光学素子アレイの下面と前記基板の上面との間隙に配された熱硬化接合部材によって接合されていることを特徴とする光学素子ヘッドを提供する。 （もっと読む）

【課題】所定のパターン形状を備えるｐ側電極を、ウエットエッチングにより高い精度で形成することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
光半導体素子１の製造方法は、成長基板２の上に窒化物系化合物からなるｎ型半導体層３ａを成長させ、該ｎ型半導体層３ａの上に窒化物系化合物からなるｐ型半導体層３ｃを成長させることにより、半導体層３を形成する工程と、ｐ型半導体層３ｃの上に、Ｓｎからなる下地層７を形成する工程と、下地層７の上に、酸化インジウムスズからなるｐ側電極層４ａを形成することにより、半導体層３と下地層７とｐ側電極層４ａとからなる積層構造体Ｌを形成する工程と、積層構造体Ｌを、還元雰囲気下でアニールする工程と、ｐ側電極層４ａをウエットエッチングすることにより、所定のパターン形状を備えるｐ側電極４を形成する工程と、積層構造体Ｌを、酸化雰囲気下でアニールする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの低価で且つ用意し易い基板上に高品質のｐｎ接合を形成することができ、ｐｎ接合を大面積化することができるマイクロヒーターアレイ及びｐｎ接合の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明による一実施の形態によるマイクロヒーターアレイは、基板上に互いに交差して設けられる、または互いに並設される第１及び第２マイクロヒーターを含む。また、一実施の形態によるｐｎ接合の形成方法は、上記マイクロヒーターアレイに電圧を印加し第１及び第２加熱部からの発熱を利用して第１及び第２加熱部の間にｐｎ接合を形成する。このようにマイクロヒーターを利用してｐｎ接合を形成する場合、ガラス基板上の大面積にわたって高品質のｐｎ接合を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の単結晶中に含まれる不純物元素の含有量を選択的に制御させることができる方法を提供する。
【解決手段】不純物としてＬｉを８７ｐｐｍ含有するＧａＮ単結晶（未処理）４と、ＧａＣｌ3を含むＫＣｌ溶液５とＧａ金属６とを、石英アンプル管１に真空封入して横型炉にセットし、石英ガラス反応管２を加熱し９００℃で２００時間保持した後、石英ガラス反応管２を取り出し、空気中で急冷する。石英アンプル管１の内部から固体状となった試料を取り出して１００℃の温水処理を間施し、次いで、塩酸を用いて酸処理を行い、内容物を溶解することにより溶液中にＧａＮ単結晶が沈殿して残る。これを蒸留水で洗浄し、乾燥することにより、処理前に比較して不純物元素であるＬｉ含有量の低いＧａＮ単結晶が得られる。逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層や活性層への最適な量のＺｎの拡散を実現できる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びそのエピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板（１）上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層（４）、活性層（６）及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層（９）と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（１１）と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層（１３）と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層（９）と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（１１）の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）（１０）が挿入されているものである。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と透明導電層との接触抵抗を小さくすることによって動作電圧が低い発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａと、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層２ｂと、上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域７を有する第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃと、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ上に形成された透明導電層４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】出力光の利用効率の高い半導体発光チップを提供する。
【解決手段】反射鏡４８を備えた点光源ＬＥＤチップ（半導体発光チップ）１０は、点光源ＬＥＤチップ１０の一面上に固着され、光透過面４２を底面に光学的に露出させる凹穴４６を有する支持層１４と、その凹穴４６の内周面に形成されて光透過面４２から出力される光のうちのその内周面に入射する光を反射する反射鏡４８とを、含むことから、光軸Ａに対して所定角度以上の斜めの光であっても反射鏡４８により反射されて利用可能とされる。たとえば光ファイバ１２の端面５６に入射させられて、出力光の利用効率の高い点光源ＬＥＤチップ１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板の上に半導体薄膜を形成した後分離して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、基板の再利用の効率を向上する。
【解決手段】ＧａＡｓを主成分とする基板（２０）と、該基板（２０）上に設けられたＧａＩｎＰを主成分とするエッチングストッパ層（１３）と、該エッチングストッパ層（１３）上に設けられたＡｌＡｓを主成分とする剥離層（１４）と、該剥離層（１４）上に設けられたＧａＡｓを主成分とする半導体薄膜（２０）とを有する積層体を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が容易で、且つ発光特性を損なわないＺｎＯ系の半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）を主成分とする半導体層２を備え、半導体層２に含まれる不純物としてのマンガン（Ｍｎ）の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）