【課題】本発明は、Ｐｄ電極を備える半導体発光素子の製造方法に関し、剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極の半導体発光素子表面への付着に起因する歩留まり低下、パッド電極未形成部分の発生、ｐ型コンタクト層とパッド電極が接触する問題を簡素な方法で回避できる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】開口部を有する絶縁膜を半導体上に形成する工程と、該開口部および該絶縁膜上にＰｄ電極を形成する工程と、該絶縁膜上の該Ｐｄ電極に対し物理的な力を付加して、該開口部の該Ｐｄ電極を残したまま、該絶縁膜上の該Ｐｄ電極を剥離して除去する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上にｎ型層とｐ型層を順次積層してｐｎ接合型の発光部を含む積層構造体を形成することにより構成される、光取出し効率に優れたＧａＮ系ＬＥＤチップを提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤチップは、ｐ型層１２−２の上面に形成されたオーミック電極１３と、オーミック電極１３の周囲においてｐ型層１２−２の上面を覆う絶縁保護膜１４とを有している。積層構造体１２の側面１２ａはドライエッチングにより形成されており、その少なくとも一部は当該積層構造体の積層方向に直交する平面で切断したときにできる断面の形状が波状である凹凸面である．
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【課題】１チップで、平坦化され、高輝度、多色発光可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０上に配置された第１の半導体発光素子５０と、第１の半導体発光素子５０上に配置された第１のアノード電極３４と、半導体基板２０に形成された溝の内部に配置された基板１０と、基板１０上に配置された第２の半導体発光素子４０と、第２の半導体発光素子４０上に配置された第２のアノード電極１００と、第１のアノード電極３４および第２のアノード電極１００が配置された側と反対側の半導体基板２０上に配置されたカソード電極４００とを備えることを特徴とする半導体発光装置。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の機能および効率を向上させ、高効率および高電力で動作する特定の能力を有する層状ヘテロ構造を提供する。
【解決手段】 層状ヘテロ構造発光素子は、少なくとも、基板、ｎ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型酸化亜鉛系正孔注入層領域、およびオーミック接触層領域を含む。あるいは、素子はキャッピング層領域も含んでよく、または反射層領域および保護キャッピング層領域を含んでもよい。素子はオーミック接触層領域に隣接する１つ以上の埋め込み挿入層を含んでもよい。オーミック接触層領域は、酸化インジウムスズ、酸化ガリウムスズ、または酸化インジウムスズ材料といった材料からなり得る。ｎ型窒ガリウム系クラッド層領域と電気的に接触するｎ型電極パッドが形成される。ｐ型領域と電気的に接触するｐ型パッドが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一側面は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層とこれらの間に形成された活性層を備える発光構造物と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層とそれぞれ電気的に連結されたｎ型及びｐ型電極及び上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｎ型電極の間に形成され、Ｉｎを含む物質からなる第１層及び上記第１層上に形成され透明伝導性酸化物からなる第２層を備えるｎ型オーミックコンタクト層を含む窒化物半導体発光素子を提供する。これにより、高い投光性を有しながらも電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子を提供することが出来る。さらに、上記のような優れた光学的・電気的特性を表すための最適化した窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有する窒化物系結晶を再現良くエピタキシャル成長させることが可能な、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、III‐Ｖ族窒化物系半導体デバイス、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板のロットを提供する。
【解決手段】III‐Ｖ族窒化物系単結晶からなり、平坦な表面を有するIII‐Ｖ族窒化物系半導体基板であって、基板面内の任意の点における基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したベクトルが、基板面外の特定の点又は領域を向いている。例えば、ＧａＮ基板２１の基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したときにできるベクトルは、矢印２３で表わされているように、ＧａＮ基板２１の外部の収束中心領域２４に向かって収束するような分布となっている。 （もっと読む）

【課題】 ナノワイヤを用いた発光素子を有し、その側壁発光の基板への入射を簡易な構成により抑制することが可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１と、基板上に形成された絶縁膜２と、絶縁膜上に形成された第１導電型のＳｉＣ膜３と、ＳｉＣ膜上に形成された、第１導電型の半導体層５と、発光層６と、第２導電型の半導体層７とが順に積層されてなる複数の柱状結晶構造体８と、ＳｉＣ膜上に形成された第１導電型側電極１１と、複数の柱状結晶構造体の上に形成された第２導電型側電極９と、を有する発光素子１００と、を備え、絶縁膜２の屈折率がＳｉＣ膜３の屈折率と異なっており、絶縁膜２の厚さが、発光層６の発光波長を、絶縁膜２の屈折率の３倍以上かつ５倍以下の数値で割った厚さであり、ＳｉＣ膜３の厚さが、発光層６の発光波長を、ＳｉＣ膜３の屈折率の３倍以上かつ５倍以下の数値で割った厚さである。 （もっと読む）

【課題】発光領域が増加し、高輝度化を図り、貼り付け技術を用いて、歩留り良く形成可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０上に配置されたｎ型不純物をドープされたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２上に配置された活性層１４と、活性層１４上に配置され，ｐ型不純物をドープされたｐ型半導体層１６と、ｐ型半導体層１６上に配置された透明電極１８と、透明電極１８上に配置された反射積層膜２０と、反射積層膜２０上に配置された透明基板２４と、絶縁性基板１０の一部を除去して得られたｎ型半導体層１２面上に配置されたｎ側電極８と、透明基板２４および反射積層膜２０の一部を除去して得られた透明電極１８面上に配置されたｐ側電極２２とを備える半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】大電流駆動時の電気−光変換効率を向上することができるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、ｎ型コンタクト層と、複数のバリア層及び量子井戸層からなり最上部が量子井戸層である活性領域と、ブロッキング層と、ｐ型コンタクト層とがこの順に積層されている。あるいは、基板と、ｎ型コンタクト層と、複数のバリア層及び量子井戸層からなり最上部がバリア層である活性領域と、グレーデッドな組成を有するブロッキング層と、ｐ型コンタクト層とがこの順に積層されている。好ましくはブロッキング層の成長開始時における成長温度が活性領域成長温度に１００℃を加えた温度以下である。 （もっと読む）

本発明は半導体発光素子に関するものである。
本発明の半導体発光素子は３族-５族化合物半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下に互いに異なる媒質が交互に積層された反射膜と、前記反射膜の下に第２電極層を含む。
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どちらも装置の下側から接触可能な２つの電極（４２２、４２４）を有する、ワイヤボンディングのない半導体装置。この装置は、反対にドープされたエピタキシャル層（４０４、４０６）に電気的接続された２つの電極を有して製作され、それぞれの電極は、下側に接続ポイントがあるリードを有する。この構造により、パッケージ化段階で形成されなければならないワイヤボンディングまたは他のそのような結合機構の必要性なしで、外部の電圧／電流源を用いて装置にバイアスをかけることが可能になる。したがって、パッケージ化段階（例えば蛍光体層（４２６）またはカプセルの材料）で装置に伝統的に加えられる機構は、ウェーハ段階の製造プロセスに含まれ得る。さらに、下側電極は、仕上がった装置の一部分として成長基板を後に残す必要性をなくして装置へ主要な構造的支持をもたらすことができるほど十分に厚い。
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【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、集積型発光装置と、集積型発光装置に密着して付着している、発光波長において透明な材料からなる光取り出し材料とを有する。集積型発光装置は、発光波長に対して透明な基板と、基板上に形成された複数の発光ユニットを有する。発光ユニットは、化合物半導体薄膜結晶層と電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側である。電極は第１の光取り出し方向とは反対側に形成され、基板と第一導電型半導体層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられたバッファ層を有し、発光ユニット同士は、隣接する発光ユニットの間に設けられ、化合物半導体薄膜結晶層の表面からバッファ層の界面まで、またはバッファ層の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝により電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、集積型発光装置と、集積型発光装置に密着して付着している、発光波長において透明な材料からなる光取り出し材料とを有する。集積型発光装置は、発光波長に対して透明な基板と、基板上に形成された複数の発光ユニットを有する。発光ユニットは、化合物半導体薄膜結晶層と電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側である。電極は第１の光取り出し方向とは反対側に形成され、発光ユニット同士は、隣接する発光ユニットの間に設けられた発光ユニット間分離溝で電気的に分離されている。基板と第一導電型半導体層の間には、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合し、１つの発光ユニットから発せられた光を他の光学ユニットに分布させる光学結合層を有する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を備える発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】 ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。開示された発光ダイオードは、ｐ型半導体層と透明電極層との間に介在されるトンネル層と、前記トンネル層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、前記開口部内に形成されるＤＢＲと、前記開口部内のＤＢＲを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な大面積の発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、メイン支持体上に配列された複数の発光装置を有する。複数の発光装置のうち少なくとも１つは、第一導電型クラッド層を含む第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型クラッド層を含む第二導電型半導体層をこの順序で有する化合物半導体薄膜結晶層と、第二導電型側電極と、並びに第一導電型側電極とを単位とする発光ユニットを複数有し、この複数の発光ユニット中の前記化合物半導体薄膜結晶層が、同一工程により形成された集積型発光装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性に優れるとともに、チップ化する際に分割を容易に行うことができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層２１と、発光層２２と、ｐ型半導体層２３とおよび複数の反射性ｐ型オーミック電極３０を形成する工程と、前記反射性ｐ型オーミック電極３０の上にへき開性基板６０を形成する工程と、光取り出し面２０ａを露出させる工程と、前記光取り出し面２０ａにｎ型オーミック電極１０を形成する工程と、前記へき開性基板６０のうち前記反射性ｐ型オーミック電極３０と対応する部分に凹部を設ける工程と、シード層７３を形成する工程と、前記シード層７３にメッキ層７０を形成する工程と、前記へき開性基板６０のうち凹部を区画する周辺部６３をへき開する工程と、を具備してなることを特徴とする発光ダイオード１００の製造方法により、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】発光された光の反射または吸収を最少化し、最大発光面積を確保して発光効率を最大化すると同時に小さい面積の電極で均一な電流分散が可能な、信頼性が高く低コストで量産性に優れた高品質の半導体発光素子、その製造方法及びこれを用いた半導体発光素子パッケージが提案される。
【解決手段】本発明による半導体発光素子は第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層、第２電極層、絶縁層、第１電極層及び導電性基板が順次積層されて形成されるが、第２電極層は、第２導電型半導体層との界面中の一部が露出された領域を含み、第１電極層は、第１導電型半導体層に電気的に接続され、第２導電型半導体層及び活性層とは電気的に絶縁され第１電極層の一面から第１導電型半導体層の少なくとも一部領域まで延長された一つまたはそれ以上のコンタクト孔を含む。 （もっと読む）

光電子デバイスは、２つの離隔された電極と、該２つの離隔された電極間に配置された、三元コア／シェル型ナノ結晶を含む少なくとも１つの層とを含んでいる。三元コア／シェル型ナノ結晶は、合金組成に勾配を有する三元半導体コアを有する。三元コア／シェル型ナノ結晶はまた、１分より長いオン時間によって特徴付けられる単一分子無ブリンキング挙動、又は１０ｎｓより短い放射ライフタイムを示す。
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【課題】ｐ型半導体層上に形成されたＴＣＯからなる透明電極と、該透明電極上の一部に形成されたボンディングパッドとを有するＧａＮ系ＬＥＤ素子における、ｐ電極に含まれるメタル膜の光吸収に起因する損失を低減し、更に、この損失の低減されたＧａＮ系ＬＥＤ素子を効率よく製造することのできる、ＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法を用いて第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程とを有する。第２のＴＣＯ膜の形成と同時に、ｎ型ＧａＮ系半導体層の表面に第３のＴＣＯ膜を形成する。第２のＴＣＯ膜とｐ型ＧａＮ系半導体層との界面上を含む領域に、第２のＴＣＯ膜に接するメタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装した発光装置の出力を改善し、照明用の白色発光装置の励起光源として好適に用い得る、発光出力に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）のＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装して発光装置を構成する。
（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。
ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。 （もっと読む）