【課題】高精度で高速に組み立てることができる、光取り出し効率が高い半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と第２半導体層と発光層とを有する積層構造体と、前記積層構造体の主面上の第１及び第２半導体層にそれぞれ接続された第１電極及び第２電極と、前記主面上において、第１及び第２電極により覆われていない第１及び第２半導体層の上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が積層されてなり、第１及び第２電極の少なくともいずれかの周縁に立設された突出部を有する誘電体積層膜と、を有する半導体発光素子と、第１及び第２電極の少なくともといずれかと接続される接続部材を有する実装部材と、を対向させ、突出部をガイドとして接続部材を第１及び第２電極の前記少なくともいずれかに接触させ接合することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生する熱を効率的に放散して温度上昇を防止し、特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ等の半導体素子を構成する半導体薄膜１０を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜２上に接合すると共に、半導体薄膜１０の電極と導電性の基板１とをｎ側接続パッド２４によって電気的に接続する構造にしている。そのため、半導体素子から発生する熱が効率的に基板１へ伝導し、半導体素子の温度上昇を防止することができる。しかも、温度上昇を防止することができるので、半導体素子の特性や寿命が劣化することを防止することができ、優れた動作特性を示すと共に、信頼性が高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】非極性基板または半極性基板を用いた発光素子において、発光端面の平坦性を向上させ、発光波長を緑色領域まで長波長化させる。
【解決手段】発光素子の基板となる、非極性ＡｌＩｎＧａＮ基板において、ＡｌＩｎＧａＮ混晶組成をＡｌ_（ｘ）Ｉｎ_（ｙ）Ｇａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１と表すとき、点（ｘ，ｙ）をＡ点（０．６８，０．３２）、Ｂ点（０．１９，０．１７）、Ｃ点（０．１６，０．５５）およびＤ点（０．３８，０．６２）を頂点とする四角形の領域内にする。 （もっと読む）

【課題】 半導体層から電極層が剥離し難い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子１は、第一導電型半導体層５と、第一導電型半導体層５上の第一の部分ｘに形成される第二導電型半導体層９と、第一導電型半導体層５上において、前記第一の部分ｘとは異なる第二の部分ｙに形成される第一電極層１１と、第二導電型半導体層９上に形成される第二電極層１５と、を備え、第二電極層１５は、第一材料層１５ａと、第一材料層１５ａ上に積層され、第一材料層１５ａとは組成の異なる第二材料層１５ｂとを有し、第一材料層１５ａは、間隙Ｒによって少なくとも部分的に分離された複数の領域１５ａｉで形成され、第二材料層１５ｂは、複数の領域１５ａｉ上に跨って形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装基板等とのバンプ接合時に面積の小さな電極側で接合不良やボイドが生じることのない発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ｎ側電極２０と、ｎ側電極２０と同じ側に形成されｎ側電極２０よりも面積が小さいｐ側電極１０と、ｐ側電極１０上に形成されるｐ側バンプ３０と、ｎ側電極２０上に形成されｐ側バンプ３０よりも上端の高さが高いｎ側バンプ４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】色のばらつきに対する安定性に優れ、経時的変化に対する色の安定性が確保された照明装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子３と、白色樹脂からなり、半導体発光素子３を収納する凹部３１ｂが上面３１ａに開口されてなり、半導体発光素子３からの光を出射させるリフレクタ３１と、リフレクタ３１の凹部３１ｂに充填されて半導体発光素子３を覆うように形成され、半導体発光素子３が発する光を吸収してより長波長の光を発する蛍光体及び透明樹脂からなる蛍光体含有樹脂層２とを備え、蛍光体の真密度が３ｇ／ｃｍ^３以上４．７ｇ／ｃｍ^３以下の範囲とされるとともに質量平均粒径が７μｍ以上１５μｍ以下の範囲とされ、蛍光体含有樹脂層２は、その上面２ｃが上面３１ａよりも凹んでおり、その凹み量ｄが上面３１ａから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定されている照明装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が優れた電界効果型の有機トランジスタを与えうる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。


〔式中、Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びＲ^Nは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基等を表す。〕 （もっと読む）

【課題】 発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による発光素子は、基板と、前記基板の上部に順次形成されたＮ型半導体層、活性層及びＰ型半導体層と、を有する発光素子であって、Ｐ型半導体層、活性層及び少なくともＮ型半導体層の内部まで形成された少なくとも一つのトレンチと、同トレンチの側壁に形成された第１の絶縁層と、同第１の絶縁層の形成されたトレンチの内部を充填する導電層と、を備えている。本発明によれば均一な電流拡散特性が得られ、均一な発光特性が得られることから、発光効率を高めることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る発光装置は、高い駆動電圧、低い駆動電流で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第１の発光ダイオードアレイと、複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第２の発光ダイオードアレイと、前記第１の発光ダイオードアレイと前記第２の発光ダイオードアレイは、それぞれ、複数の発光ダイオード素子列に分割されて交互に並列に矩形状に配置される。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体複合装置を提供する。
【解決手段】半導体複合装置は、基板と、内部に一つだけ半導体素子を有する半導体薄膜であって、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状のＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３と、集積回路及び第１の端子領域を有し、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の集積回路薄膜１０４と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子上から基板の表面を経由して集積回路薄膜１０４の第１の端子領域上に至る領域に設けられ、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子と集積回路薄膜１０４の第１の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０５と、個別配線層１０５下の個別配線層のコンタクト領域以外の部分に設けられた層間絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。各電極を接続する配線１２、１３の一部は、ｐ側透明電極８と同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面上の凹凸をより均一に形成することができ、光取り出し効率の高い窒化物系化合物半導体ＬＥＤを安定的に量産できる製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル用基板上に少なくとも第１導電型半導体層と発光層と第２導電型半導体層とをこの順に結晶成長させてＧａを含有する窒化物半導体積層体を形成する工程と、上記窒化物半導体積層体の上記第２導電型半導体層側の表面に反射電極層を形成する工程と、上記エピタキシャル用基板を剥離する工程と、上記窒化物半導体積層体の上記エピタキシャル用基板を剥離した面をドライエッチングして上記窒化物半導体積層体に凹凸形状を作製する工程と、上記ドライエッチングした窒化物半導体積層体をＯ_２プラズマ処理あるいはＯ_３アッシング処理する工程と、を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体ＬＥＤの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ発光ダイオードの電流拡散の効果を増大させ、その発光効率を高める。
【解決手段】フリップチップ発光ダイオードは所定の結晶方向を持つ光透過性基板３０に、Ｎ型窒化物半導体層３１、活性層３２、Ｐ型窒化物半導体層３３を順次に形成する。Ｎ型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅を有するように露出してメサを形成し、前記複数のメサとメサとの間に位置している前記Ｎ型窒化物半導体層の複数の領域が所定幅を有するように露出して形成された溝を含む発光構造物４１とし、溝表面にわたって溝絶縁層３４を形成し、Ｐ型窒化物半導体層上部と溝表面に形成された絶縁層にわたってＰ型電極３８を形成し、前記発光構造物の複数のメサにＮ型電極３９を形成してなる。発光構造物に形成された複数の溝のそれぞれは、溝の底面と側面間の角度が９０゜以上１６５゜以下の範囲を有するように形成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面の平坦性が改善されることにより、光取り出し効率が改善された窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板上１０１に少なくともｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０３、およびｐ型窒化物半導体層１０４をこの順で成長させる窒化物半導体発光素子の製造方法において、ｐ側電極１０５を成長させる前のｐ型窒化物半導体層表面または該ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に、サーファクタント物質を接触させる工程を備える窒化物半導体発光素子の製造方法である。サーファクタント物質の表面エネルギーは、ｐ型窒化物半導体層および／またはｐ型電極の表面エネルギーよりも小さいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 フォトニック結晶構造を用いて外部量子効率を向上させるにあたって、凹凸の高さを低減して、結晶欠陥に起因する非発光準位の発生を抑制することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の半導体結晶層が積層されてなり、発光層１２を備える発光素子２と、発光素子２の一方の主面２１側に配置され、発光素子２を支持する支持基板３と、金属膜４とを備え、発光素子２の前記一方の主面部には、発光層１２からの光を他方の主面２２の側に反射するフォトニック結晶構造体２３が形成されており、発光素子２の一方の主面２１が、前記金属膜４によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数のＧａＮ系発光ダイオード素子を形成してなる発光装置であって、前記複数の発光素子が前記絶縁基板上に一体として形成され、直列に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。また、複数の発光ダイオード素子は、前記絶縁基板上にニ次元配置されていてもよい。また、複数の発光ダイオード素子は２つの組に分けられ、前記２つの組は２個の電極に互いに反対極性となるように並列接続されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】透光性を有する成長基板上に、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層の各層が積層されて成る半導体発光素子において、光取出し効率を向上する。
【解決手段】発光層１２からの光の取出し面１４とは反対側の面に反射膜を設けて光取出し効率を向上するにあたって、前記反射膜を、該反射膜が接するｐ型半導体層１３の屈折率より低い屈折率を有し、かつ３／４光学波長以上の厚みを有する透明層１５と、透明層１５上に積層され、高反射率を有する金属層１６とを備えて構成する。したがって、臨界角を超えて深い角度で入射した光が、高屈折率であるＧａＮと該反射膜との界面において、エバネッセント波と称される浸み出し光となっても、該透明層が３／４光学波長以上の厚みを有することで、殆どを界面へ戻すことができ、反射膜にあらゆる入射角で入射した光を効率良く取出すことができ、低消費電力化或いは高輝度化を図ることができる。 （もっと読む）

本発明は半導体発光素子に関する。本発明の半導体発光素子は第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の下に活性層と、前記活性層の下に第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層の下に第２電極層と、前記第２電極層の一側上に絶縁膜と、前記絶縁膜の上に前記第１導電型半導体層の一端に電気的に連結された第１電極を含む。
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【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にこの基板１１と異なる材料により凸部１２を形成し、この凸部１２の間の逆台形状の断面形状を有する凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を五角形状の断面形状となる状態に成長させ、または、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を横方向成長させる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）