【課題】従来のＦＣ実装型ＬＥＤは、発光効率が高く、かつフリップチップ実装における位置決め及び実装のときの電気的接続の信頼性が高いＦＣ実装型ＬＥＤを実現することが困難であった。
【解決手段】透明基板１上に形成されたｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３上に形成されたｎ側電極４及びｐ側電極５とを有するＦＣ実装型ＬＥＤ１０において、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３上に、ｎ側電極４及びｐ側電極５の部分に貫通孔を有して形成された絶縁層６と、絶縁層６の上面に平行に形成された２個の略長方形の外部接続用電極７，８とを有し、この２個の外部接続用電極７，８が、貫通孔を通してｎ側電極４及びｐ側電極５に接続された構成を採用した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチングを行わずにメサ構造を形成して電流リークを低減することを可能にする。
【解決手段】エピタキシャル成長法によって、基板１１上にｎ型コンタクト層１２を形成する工程と、ｎ型コンタクト層１２上に、本体部１６が形成される領域上に開口部２２を設けた無機マスク２１を形成する工程と、エピタキシャル成長法によって、無機マスク２１の開口部２２内のｎ型コンタクト層１２上に、ｎ型層１３、活性層１４、ｐ型層１５を順に形成してメサ構造の本体部１６を形成する工程と、無機マスク２１を除去する工程と、ｎ型コンタクト層１２上および本体部１６表面に電極形成層２３を形成する工程と、電極形成層２３をパターニングして、ｎ型コンタクト層１２上にｎ電極１７を形成し、ｐ型層１５上にｐ電極１８を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 素子の発光能力を十分発揮可能な発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 サファイア基板の上面に緩衝層を介して積層されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に積層されたｐ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層に接続されたｎ電極と、該ｐ型窒化物半導体層に接続されたｐ電極とを備えた発光ダイオードであって、該ｎ電極は、該サファイア基板の下面から上面に貫通し、該緩衝層を介して該ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続される複数の貫通電極から構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量子ドットから構成される所望とする状態の人工分子が形成できるようにする。
【解決手段】第１半導体からなる各々離間して配置された複数の量子ドット１０１と、これら量子ドット１０１の間に配置された第２半導体からなる半導体層１０２とを少なくとも備える。また、第１半導体と第２半導体とはエネルギーギャップ（バンドギャップエネルギー）が異なり、各々の量子ドット１０１の間隔Ｌｂは、第１半導体中の励起子のボーア半径の０．５倍〜５倍の範囲とされている。また、よりよくは、この間隔が、第１半導体中の励起子のボーア半径の１倍〜５倍の範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】 素子の発光能力を十分発揮可能な発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 サファイア基板の上面に緩衝層を介して積層されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に積層されたｐ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層に接続されたｎ電極と、該ｐ型窒化物半導体層に接続されたｐ電極とを備えた発光ダイオードであって、該ｎ電極は、該サファイア基板の下面から上面に貫通し、該緩衝層を介して該ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続される貫通電極から構成され、該ｐ電極は、該サファイア基板の下面から上面に貫通し、更に該ｎ型窒化物半導体層を貫通して該ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続される貫通電極とから構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

薄膜ＬＥＤは、絶縁基板と、絶縁基板上の電極と、電極上のエピタキシャル構造とを備える。
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【課題】 素子の発光能力を十分発揮可能な発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 サファイア基板の上面に緩衝層を介して積層されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に積層されたｐ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層に接続されたｎ電極と、該ｐ型窒化物半導体層に接続されたｐ電極とを備えた発光ダイオードであって、該ｎ型窒化物半導体層は該サファイア基板の側壁の一部を覆うように該緩衝層上に積層されていて、該ｎ電極は該サファイア基板の側壁に積層された該ｎ型窒化物半導体層に配設され、該ｐ型窒化物半導体層は該ｎ型窒化物半導体層の側壁部を覆うように該ｎ型窒化物半導体層上に積層されていて、該ｐ電極は該ｎ型窒化物半導体層の該側壁部に積層された該ｐ型窒化物半導体層上に配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ化が容易で、歩留りが改善可能な発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体からなる発光層を有する積層体と、前記積層体に付設された第１の接合金属層と、基板と、前記基板に付設され、前記第１の接合金属層と接合界面において接合された第２の接合金属層と、を備え、前記第１の接合金属層の前記接合界面側における平面サイズと、前記第２の接合金属層の前記接合界面側における平面サイズと、のうちいずれかは、前記基板の平面サイズよりも小さいことを特徴とする発光素子及びその製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 発光素子が実装されている基板上の複雑な三次元形状に対応したガラス封止部を、周辺の部材へ与えるダメージが少ない状態で、簡易に量産性良く形成する。
【解決手段】一対の電極を有する発光素子１２と、発光素子が搭載される基板１１と、基板に設けられ、発光素子の電極に電気的に接続される基板電極と、発光素子を封止したガラス封止部１６ａと、を有する発光装置３０であって、ガラス封止部は、基板上で発光素子の周辺部に供給された粉体ガラスあるいはそれと他の材料との混合物からなる封止材料が融着されてなる。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に反射膜２を介して接合され、支持基板１側から光出射面１１に向かって先細り形状になるように傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備え、窒化物系半導体素子層９は、反射膜２の面上に形成され、窒化物系半導体素子層９の側面９ａは、反射膜２の窒化物系半導体素子層９が形成された面に達するまで傾斜している。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】発光素子表面を異方性エッチング液に浸漬して粗面化する際に、電極周辺のＧａＰ等のエッチングを防止することで、電極剥がれによる発光強度の低下を防止することができ、また安定した電極を歩留りよく製造することのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、光を取り出す第一主表面がＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのいずれかからなる発光素子基板に電極を形成する工程と、少なくとも該電極を覆う金属製保護膜を前記第一主表面に形成する工程と、該金属製保護膜形成後に、エッチングによって前記発光素子基板の表面を粗面化する粗面化工程と、該粗面化後に、前記金属製保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光出力を向上させられる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】
本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上させられる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板から平坦な剥離面を備えた高品質の回路・素子形成領域を得るための半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、半導体複合装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１０１の表面に、回路・素子形成領域１０２ａを含む分離島１１０を形成する第１の工程と、回路・素子形成領域の表面と分離島の側面の少なくとも一部とを被覆する被覆層２１０を形成する第２の工程とをさらに備え、被覆層が形成されたＳｉ（１１１）基板を（１１１）面に沿ってエッチングして、分離島の全部又は一部を剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明電極と接続電極との接合性および電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、発光層１５０を含み基板１１０上に積層される積層半導体層１００と、インジウム酸化物を含み積層半導体層１００上に積層される透明電極１７０と、弁作用金属の一種であるタンタルを含むとともに少なくとも透明電極１７０と接する側がタンタル窒化物層となるように透明電極１７０上に積層される第１の接合層１９０と、第１の接合層１９０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる接続電極の一例としての第１のボンディングパッド電極２００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。そして、コンタクト層１５は、上面と底面とを結ぶ側面がコンタクト層１５の上面から底面に向かうにつれて広がるように全周に亘って傾斜している。この電極７は、コンタクト層１５の上面から側面の上を介して基板３の上に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシングを容易に行うことができると共に、ダイシング時に切り出す発光セルの数を、容易に変更できるダイシング前の光デバイスや、そのようなダイシングを行った後の光デバイスを提供すること。
【解決手段】発光セル２７０を第１方向に直線上に４つ配置してなる発光セルアレイの隣同士の発光セル２７０を直列接続すると共に、その発光セルアレイの端部に位置する発光セル２７０の配線を、その発光セルアレイに上記第１方向に略垂直な方向に隣接する隣の発光セルアレイの第１方向の一端部の発光セル２７０の配線に直列接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光分布を向上させる。
【解決手段】第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の第１の主面において、前記第１の半導体層と接続された第１の電極と、前記半導体多層構造体の前記第１の主面において、前記第２の半導体層の上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極の上に選択的に設けられた第３の電極と、を備え、前記第２の電極は、前記第１の主面に対して垂直な方向からみて、前記第１の電極と前記第３の電極との間に設けられ、前記第１の電極と前記第３の電極とを結ぶ経路に向けて延在する切り欠きが形成された第１の領域と、前記第１の電極の周囲に設けられ、切り欠きが形成されない第２の領域と、前記第３の電極の周囲に設けられ、切り欠きが形成されない第３の領域と、を有することを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）