【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第１領域１６０および帯状の第２領域１６２を有し、第１領域１６０は曲率を備える第１部分１６２を有し、第２領域１７０は曲率を備える第２部分１７２を有し、第１領域１６０と第２領域１７０とは、第１層の側面１３０に設けられる反射部１８０，１８４にて接続され、反射部１８０，１８４が設けられる側面１３０に対向し、出射面となる第１層の側面１３２において第１領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３０において第２領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子及び発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、発光層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。前記ｐ側電極は、前記ｐ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第１主面において、前記ｐ型半導体層の一部に接する。前記ｎ側電極は、前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接する。前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられている。 （もっと読む）

【課題】支持基板との接合を容易にすることが図られた半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、基板上方に、第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、第１半導体層上方に、第１導電型と反対の第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、第２半導体層及び第１半導体層をエッチングして、深さが基板に達し、基板の面内に複数の発光素子領域を画定する第１分離溝を形成する工程と、第２半導体層をエッチングして、深さが第１半導体層に達し、各々の発光素子領域の内部に複数の発光部分と電極配置部分とを画定する第２分離溝を形成する工程と、各々の発光部分の第２半導体層上に、第１電極を形成する工程と、第２分離溝の底に露出した第１半導体層上から、電極配置部分の第２半導体層上に延在した形状で、第２電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ケミカルリフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、成長基板上の一部に、リフトオフ層を介して、半導体層からなる素子領域を形成する素子領域形成工程と、ケミカルリフトオフ工程において除去されない材料で構成された犠牲部を、成長基板上の素子領域の周囲に形成する犠牲部形成工程と、成長基板及び半導体層を覆い、素子領域から離れた領域におけるその表面の高さが発光層表面よりも低くなるように、被覆層を形成する被覆工程と、半導体層上における被覆層と犠牲部表面における被覆層とを除去する窓形成工程と、被覆層表面及び半導体層表面に反射層を形成する反射層形成工程と、反射層上にめっきを施すことによって支持部を形成するめっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術における光の取り出し効率を改良する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の（ｎ型）半導体層１４０、発光層１５０及び第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の（ｐ型）半導体層１６０が積層された積層半導体層１００と、積層半導体層１００のｎ型半導体層１４０の表面に形成された第１の電極１８０と、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０の表面に形成された第２の電極１７０と、を備え、第２の電極１７０は、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０上に、ｐ型半導体層１６０側と反対側の膜面が凹凸形状を有するように形成された、又はｐ型半導体層１６０を覆わない不連続な部分を設けるように形成された、光に対して透過性且つ導電性の透明導電層１７１と、透明導電層１７１上に設けられ光に対して反射性を有する金属反射層１７２と、を有することを特徴とする半導体発光素子１０。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の水平方向における光強度分布形状を単峰化することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体発光素子１００であって、発光層からの第一の光を出射する第一の光出射面１３１ａおよび発光層からの光を反射する後端面１００ｂを両端とする第一の光導波路１２１と、発光層からの第二の光を出射する第二の光出射面１４１ａおよび後端面１００ｂを両端とする第二の光導波路１２２とを備え、第一の光導波路１２１と第二の光導波路１２２とは、後端面１００ｂで接続されており、第一の光出射面１３１ａと第二の光出射面１４１ａとは、第一の光の光軸と第二の光の光軸とが近づくように、互いに非平行である。 （もっと読む）

【課題】レーザー光で切削して半導体素子用ウェハをチップ化するときのデブリの飛散による汚染を防止する。
【解決手段】半導体積層部と、前記半導体積層部の第二の面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記半導体積層部の第一の面側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第一電極と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第二電極と、前記半導体積層部の前記第一の面側および前記半導体積層部における素子加工により露出した前記半導体積層部の表面を被覆する絶縁性保護膜と、を備える半導体素子用ウェハにおいて、前記絶縁性保護膜は、前記半導体素子用ウェハをチップ化するレーザー光が照射される切削領域上には形成されず、前記半導体積層部の表面の一部が露出していることを特徴とする半導体素子用ウェハである。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン（ＦＤ）実装に用いられる半導体チップを、より容易に製造できる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の一例である発光素子２０は、基板１０上に発光素子２０を形成する半導体素子形成工程と、発光素子２０の第１電極１７０上に第１突出電極２１０および第２電極１８０上に第２突出電極２２０を形成する突出電極形成工程と、基板１０の分割予定面内に脆弱領域３２１を形成する脆弱領域形成工程（図７（ａ））と、基板１０上に発光素子２０が形成されたウエハ３０を、脆弱領域３２１を起点として、発光チップ１に分割する分割工程（図７（ｂ）および（ｃ））とを含んで製造される。 （もっと読む）

【課題】開いたピット中に延びる能動層を有する発光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光デバイスは、複数の層を備える能動領域と、能動領域が配置されるピット開き領域とを含んでいる。ピット開き領域は、複数の層の能動領域がピット中に延びて入るのに十分な大きさまで複数のピットの開口の大きさを広げるように構成されている。能動領域は複数の量子井戸層を備えている。ピット開き領域は、超格子構造を備えている。ピットは、その対応する転位を取り囲むことがあり、複数の層はそれぞれの転位まで延びている。複数のピットのうちの少なくとも１つは、ピット開き層とピット開き層が形成された基板との間に配置された層で生じる。能動領域は、ＩＩＩ族窒化物をベースにした能動領域であってもよい。そのような発光デバイスの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体材料により形成されたｎ型導電性基板と、ｎ型導電性基板に、ｎ型導電層、発光層、ｐ型導電層、ｐ型半導体層上に設けられたｐ側電極と、ｐ型導電層とは反対側のｎ型導電性基板上に設けられたｎ側電極とを備えている。ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 （もっと読む）

【課題】高電流通電時の電流の集中や光の吸収や多重反射を防ぐ補助電極を形成することにより、光の透過率と発光出力と信頼性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層する工程と、前記ｐ型半導体層上に、絶縁層と、ｐ型パッド部及び前記ｐ型パッド部から伸びた線状のｐ型補助電極部を有する金属からなるｐ型電極層と、を形成する工程と、前記ｐ型半導体層及び前記ｐ型電極層を覆うように透光性電極を形成する工程と、前記透光性電極上の前記ｐ型電極層の前記ｐ型パッド部に重なる位置に、前記ｐ型ボンディングパッド電極を形成する工程と、を具備してなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】上記問題を解決し、従来に無い発光パターンを有し、エッチング加工性が改善された、ラージチップ型のＧａＮ系発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、積層体Ｓを形成し、該積層体Ｓには上面から凹部ｈを複数形成し、各凹部内にｎ型層を露出させる。該積層体Ｓの上面の残された領域にはｐ電極Ｐ２を設け、第ｐ電極を絶縁体層ｍで覆う。各凹部内に露出したｎ型層にはｎ電極Ｐ１を設け、記絶縁体層ｍを越えて凹部内同士を結ぶ導体層Ｐ３によって、ｎ電極同士を互いに接続し、発光部が網目状に広がったラージチップ型の窒化物半導体発光素子とする。積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ、発光効率の改善、発光強度の面内均一化、順方向電圧の低減および信頼性の向上を達成することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む半導体膜と、ｐ型半導体層の表面からｐ型半導体層、活性層およびｎ型半導体層の一部を除去することにより表出したｎ型半導体層の表出面に形成されたｎ電極と、ｐ型半導体層の表面に形成されたｐ電極と、を含む半導体発光素子において、ｎ型半導体層上またはｎ型半導体層内であってｐ電極の上方に設けられ且つｎ型半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率および光の取り出し効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニット、発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージならびに発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】発光素子１は、発光層４の発光波長に対して透明な基板２と、基板２上に積層されたｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層３上に積層された発光層４と、発光層４上に積層されたｐ型窒化物半導体層５と、ｐ型窒化物半導体層５上に積層され、発光層４の発光波長に対して透明な透明電極層６と、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなり、透明電極層６に接触した状態で透明電極層６上に積層され、透明電極層６を透過した光を反射させる反射電極層７とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光面での発光強度の均一化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光体と、第１電極層と、第２電極層と、パッド電極と、補助電極部と、を備える。発光体は、一方側に第１導電形の第１半導体層が設けられ、他方側に第２導電形の第２半導体層が設けられ、第１半導体層と第２半導体層との間に発光層が設けられる。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、金属層と、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に沿って前記金属層を貫通する複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。パッド電極は、第１電極層と導通する。補助電極部は、第１電極層と導通し、第１方向と直交する第２方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、上記ｐ型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、上記スパッタリング工程の前又は上記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１０上に、活性領域１２として、ｎ−ＧａＮベースの層１４およびｐ−ＧａＮベースの層１６と、ｐ−ＧａＮ層１６に堆積されかつ電気的に結合されたｐ電極１８と、ｐ電極１８上にボンディングパッド２０が形成され、ｐ電極１８はオーミックコンタクトを形成し、約２５Å未満の平均厚さおよび約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有する。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースの発光デバイス（ＬＥＤ）１は、ｐ型窒化物層１６と、ｐ型窒化物層の上の金属オーミックコンタクト１８を含むことができる。該金属オーミックコンタクトは、約２５Å未満の平均厚さ、および約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有することができる。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーションに関する評価が好適に実施されるＬＥＤの信頼性評価方法および評価用チップ、を提供する。
【解決手段】化合物半導体層が形成された絶縁性基板上のメイン領域に、ｐ型電極およびｎ型電極と、ｐ型電極およびｎ型電極から線状に延びるｐ側枝電極およびｎ側枝電極とを形成するステップと、絶縁性基板上のＴＥＧ領域に、ｐ側枝電極およびｎ側枝電極と同じ材料から形成されるパッド部４１、パッド部４２および配線部４６を形成するステップと、絶縁性基板を切断することにより、メイン領域からＬＥＤチップを得るとともに、ＴＥＧ領域から評価用チップ５１を得るステップと、パッド部４１およびパッド部４２を通じて配線部４６に通電することによって、ＬＥＤのエレクトロマイグレーションに対する評価を実施するステップとを備える。 （もっと読む）