【課題】半導体結晶層の表面に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが可能なエピタキシャルウエハ及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。このＬＥＤウエハ１０Ａの表面１４Ａに、均一な膜厚のレジスト膜４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子をガラス材により一括して封止する場合に、ガラス材と搭載基板の剥離を抑制するとともに、各発光素子の特性をより均一に近づけることのできる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、搭載基板３の搭載面における搭載領域に複数の発光素子２を搭載する搭載工程と、金型９２を搭載基板３の搭載面と対向して配置し、搭載基板３と金型９２の間に少なくとも搭載領域が覆われるようにガラス材を配置するプレス準備工程と、搭載領域の外側にガラス材の流出を抑制する流出抑制部９２１を設けた状態で、加熱により軟化したガラス材を金型９２によりプレスして、各発光素子２をガラス材により一括して封止するプレス工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】可視光を用いた光通信システムにおいて、安定的かつ高速の光通信が実現可能な光通信装置、およびその光通信装置に用いられる光送信器を提供する。
【解決手段】光通信装置１は、光送信器２と、光ファイバ３と、光受信器４とを備える。光送信器２は、可視光を発する光源１１を含む。光源１１は、非極性面または半極性面を主面として有するＧａＮ基板と、ＧａＮ基板の主面上に形成された発光素子（ＬＥＤまたはＬＤ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】搭載基板及び無機材料の反りを抑制するとともに、製造コストを低減することができる光学装置の製造方法及び光学装置を提供する。
【解決手段】無機封止材料６の一面６ｂの少なくとも一部を軟化させ、発光素子２が搭載された複数の搭載基板３を無機封止材料６の軟化した部分に押し付けて、各搭載基板３の発光素子２を一括して封止するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を構成する積層半導体層を基板から容易に剥離できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、基板上に、基板の表面の一部が露出するように犠牲層を形成する犠牲層形成工程（Ｓ１０１）と、基板の露出した表面上および犠牲層上に積層半導体層を形成する積層半導体層形成工程（Ｓ１０２）と、積層半導体層側より、基板に到達するとともに、犠牲層の側面が露出するように溝を形成する溝形成工程（Ｓ１０３）と、犠牲層を除去する犠牲層除去工程（Ｓ１０４）と、ｎ電極およびｐ電極を形成する電極形成工程（Ｓ１０５）と、積層半導体層を基板から剥離する基板剥離工程（Ｓ１０６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が低く、かつ高い発光効率の窒化物半導体発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上に設けられた窒化物半導体発光層と、窒化物半導体発光層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に設けられた第１の反射層と、第１の反射層上に設けられた第２の反射層と、を含み、第１の反射層は、第１の導電性酸化物層と、第１の導電性酸化物層とは屈折率が異なる第２の導電性酸化物層と、を含み、第２の反射層は金属層である窒化物半導体発光ダイオード素子である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系半導体発光素子において成長用基板とその上に形成される電極とのオーミック接触を向上させるとともに、酸化亜鉛系半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させることができる製造方法及び当該製法によって製造される酸化亜鉛系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】組成がＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（0≦ｘ≦0.68）である基板の第１主面上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次形成する工程と、基板の第２主面に基板の内部に向かって伸長するマイクロクラックを形成する工程と、１００℃以上の温度で加熱処理を行う工程と、基板の第２主面上にＡｌ、Ｇａ合金又はＩｎ合金のいずれか１つからなる金属材料を堆積し、３００〜１０００℃の温度で加熱処理を施して電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光素子により発生される光の取り出し効率を向上させ、さらに、歩留まりも良好である窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、第一導伝型半導体層、発光層および第二導伝型半導体層が、この順番で形成され、さらに、前記第一導伝型半導体層上に第一電極が形成され、前記第二導伝型半導体層上に第二電極が形成されている窒化物半導体発光素子であって、前記第一電極および第二電極は、主とする発光波長に対して高反射率を有し、主とする光取り出し面は前記窒化物半導体発光素子の側面であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】深紫外光領域の発光特性が優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０（発光ダイオード）は、基板２０と、基板２０の上に結晶成長によって順に形成されたｎ型半導体層３０、発光層４０、ｐ型半導体層５０、ｎ型半導体層３０の上に設けられたｎ側電極６０およびｐ型半導体層５０の上に形成されたｐ側電極７０を備える。基板２０はＡｌＮ基板であり、基板面に垂直な方向に対してｃ軸が５°から１５°傾斜した微傾斜基板、または基板表面に垂直な方向に対してｃ軸が４０°から７０°傾いた半極性基板である。発光層４０は、ｎ−Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層（量子井戸層）とＡｌ_０．９Ｇａ_０．１Ｎ層（バリア層）とが交互に３層ずつ積層された多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させることができるとともに光出力の高出力化を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０と、当該ＬＥＤチップ１０が一表面側に実装された実装基板２０と、ＬＥＤチップ１０から放射された光によって励起されてＬＥＤチップ１０の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板２０の上記一表面側に配設された色変換部材７０とを備える。実装基板２０は、熱伝導性材料からなる伝熱板２１の一表面側に、ＬＥＤチップ１０の一対の電極１３，１３それぞれに電気的に接続される複数（２つ）のリードパターン２３，２３が形成されており、ＬＥＤチップ１０は、実装基板２０側の一面１１ａとは反対側の他面１１ｂの面積が上記一面１１ａの面積よりも大きな透明導電性基板１１の上記他面１１ｂ側に、窒化物半導体材料からなる島状のＬＥＤ薄膜部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層の歪みを低減可能なIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａでは、半導体領域１３の主面１３ａは無極性又は半極性を示す。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。第１導電型バッファ層１５の材料は半導体領域１３の材料と異なる。キャリアブロック層１９は第３の六方晶系III族窒化物半導体からなる。活性層１７は窒化ガリウム系半導体層２１ａを含む。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることができ、かつ高出力である新規な発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００は、第１利得領域１４０ａと第２利得領域１４０ｂとは、第１利得領域１４０ａの端面と、第２利得領域１４０ｂの端面とが第１の面１０５に設けられた第１の重なり面１６０で重なる第１のＶ型利得領域１４０を構成し、第３利得領域１４２ａと第４利得領域１４２ｂとは、第３利得領域１４２ａの端面と、第４利得領域１４２ｂの端面とが第２の面１０７に設けられた第２の重なり面１６２で重なる第２のＶ型利得領域１４２を構成し、第１のＶ型利得領域１４０に生じる光は、第２の面１０７側から出射され、第２のＶ型利得領域１４２に生じる光は、第１の面１０５側から出射される。 （もっと読む）

【課題】井戸層へのキャリアの注入効率が向上された窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】六方晶系窒化ガリウム系半導体からなる基板５と、基板５の主面Ｓ１に設けられたｎ型窒化ガリウム系半導体領域７と、このｎ型窒化ガリウム系半導体領域７上に設けられた単一量子井戸構造の発光層１１と、発光層１１上に設けられたｐ型窒化ガリウム系半導体領域１９とを備える。発光層１１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域７とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１９との間に設けられており、発光層１１は、井戸層１５とバリア層１３及びバリア層１７とを含み、井戸層１５は、ＩｎＧａＮであり、主面Ｓ１は、六方晶系窒化ガリウム系半導体のｃ軸方向に直交する面から６３度以上８０度以下または１００度以上１１７度以下の範囲内の傾斜角で傾斜した基準平面Ｓ５に沿って延びている。 （もっと読む）

【課題】金属反射層の構成材料の拡散を防止することが可能な電極を備えた半導体発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とがこの順序で積層されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６に接合された一方の電極１１１と、ｎ型半導体層１０４に接合された他方の電極１０８と、を具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１または他方の電極１０８のいずれか一方または両方が、第１の拡散防止層５１と金属反射層５２と第２の拡散防止層５３がこの順序で積層されてなる構造を有し、かつ、第１の拡散防止層５１がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれかの金属を含む酸化物からなる半導体発光素子１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の影響が抑制されていると共に、高い結晶品質を有するIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して有限の角度をなす主面１３ａを有するIII族窒化物半導体基板１３と、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層２８、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層２９を含む量子井戸構造の活性層１７とを備え、主面１３ａは、半極性を示し、活性層１７は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上８×１０^１７ｃｍ^−３以下の酸素濃度を有しており、複数のバリア層２９は、井戸層２８のIII族窒化物半導体基板側の下部界面２８Ｓｄと接する上部界面近傍領域２９ｕにおいて、酸素以外のｎ型不純物を１×１０^１７ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度で含む。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、テンプレート１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられる。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられる。活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】放射効率が高められたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子およびその種の半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が第１の主面及び第２の主面を有し、且つ、半導体素子の半導体基体が種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の積層体によって形成されており、生成される放射の少なくとも一部が前記第１の主面を通過して出力結合され、第２の主面上にリフレクタが被着されている。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を、基板基体及び中間層を有する接合基板上に被着し、基板基体の熱膨張係数はＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の熱膨張係数よりも大きく、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を中間層上に析出する。 （もっと読む）

【課題】表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。次に、第２ｐクラッド層６の表面に粗面Ｒを形成する。第２ｐクラッド層６の中央部を、ｐ電極８の輪郭に合わせたマスクパターンによるウェットエッチングで除去して、第１ｐクラッド層５を露出させる。最後に、第１ｐクラッド層５の露出した部分に、ｐ電極８を形成する。粗面Ｒが第２ｐクラッド層６の表面に形成されているので、エッチングの際の進行度合いをほぼ同じとすることができ、マスクパターンに忠実なエッチングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第３上面１０２ｃは、第１上面１０２ａに対して傾いた面であって、かつ第１上面と段差側面１０３を介して第１上面よりも上方に位置し、活性層１０６は、平面的に見て、第１上面側の第１側面１０５と、第１側面と平行な第２上面１０２ｂ側の第２側面１０７と、を有し、第１側面は、第２側面より上方に位置し、活性層の少なくとも一部は、利得領域１４０を構成し、利得領域は、第１側面側の端面１５０と、第２側面側の端面と、を有し、利得領域に生じる光の波長帯において、第２側面の反射率は、第１側面の反射率よりも高い。 （もっと読む）