【課題】ＬＬＯ法による成長用基板の除去の際に、発生ガスの放出を妨げず且つ半導体成長層におけるクラック等の発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】成長用基板の上に半導体成長層を形成する工程と、成長用基板に達する分割溝を形成して半導体成長層を複数の素子部に分割する工程と、複数の素子部の各々の側部に、成長用基板との界面から半導体成長層の成長方向に向かって広がる逆方向テーパの傾斜面を形成する工程と、逆方向テーパの傾斜面を露出しつつ側部の上に保護層を形成する工程と、複数の素子部に支持体を設ける工程と、成長用基板の裏面側から剥離用のレーザ光を照射して成長用基板を剥離する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】凹凸（第１半導体層凹凸１７ｒ）が設けられた第１主面１０ａを有する第１導電型の第１半導体層１０と、第１半導体層の第１主面とは反対の側に設けられた第２導電型の第２半導体層２０と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層３０と、第１半導体層の第１主面の側に設けられ、第１半導体層よりも不純物濃度が低く、凹凸を露出させる開口部を有する第３半導体層１５と、前記開口部を介して前記凹凸に接し、発光層から放出される発光光に対して反射性を有する第１電極４０と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、再結合及びリーク漏れ電流を抑制できる化合物半導体膜を用いた球状の化合物半導体セルを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の球状化合物半導体セルは、少なくとも表面が導電体である球状電極と、球状電極の表面に形成されたカルコパイライト構造の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に形成された緩衝層と、前記緩衝層の表面に形成された透明電極層を具備することを特徴とする。緩衝層を具備したセル構造とすることで、再結合またはリーク漏れ電流を抑制し光電変換効率が増加する球状化合物半導体セルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高い半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた第１メタル層と、第１メタル層上に設けられた、ｐ型窒化物半導体層、活性層、およびｎ型窒化物半導体層と、を有し、ｎ型窒化物半導体層の上面の一部の領域に設けられたｎ電極４４と、第１メタル層側におけるｐ型窒化物半導体層の下面の一部の領域に設けられたコンタクト電極と、ｐ型窒化物半導体層と第１メタル層との間に設けられた第２メタル層と、ｎ型窒化物半導体層の上面の外周領域、積層膜の側面、第２メタル層の上面におけるｐ型窒化物半導体層と接する領域以外の領域、および第１メタル層の上面における第２メタル層と接する領域以外の領域を覆う保護膜４０と、を備え、ｎ型電極が設けられた領域および前記保護膜によって覆われている領域を除く、ｎ型窒化物半導体層の上面に、凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】対向電極構造としつつも、光の取り出し面に対するボンディング構造が不要な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１の主面と第１の主面に対する反対側に設けられた第２の主面と側面と発光層とを有する半導体積層体と、第１の主面に設けられた第１の電極と、第１の電極上に設けられた第１の配線と、半導体積層体の側面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を介して半導体積層体の側面に設けられた第２の配線と、第２の主面における少なくとも外周部に設けられると共に、第２の主面よりも外側で第２の配線と接続された第２の電極と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】光電半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電半導体素子は、基板と、前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、広い波長領域に亘って高い反射率を有する分布ブラッグ反射器を有し、発光効率が向上した発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードチップは、前面及び裏面を有する基板と、基板の前面上部に位置し、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含む発光構造体と、基板の裏面上に位置し、発光構造体から出射された光を反射する分布ブラッグ反射器と、分布ブラッグ反射器の下部に位置する金属層と、を含む。また、分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の第１波長の光、緑色波長領域の第２波長の光、及び赤色波長領域の第３波長の光に対して、９０％以上の反射率を有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、一方主面２Ａに向かって光を発する光半導体層２と、一方主面２Ａとなす内角ｔ１が９０度未満の傾斜面４を有するとともに、光半導体層２の一方主面２Ａ上に列をなして配置された複数の光透過性の突起３と、を含み、複数の突起３を平面視したとき、それぞれの傾斜面４が、複数の突起３が配置された列の一方方向に向けて配置され、複数の突起３を列方向Ｇｅと垂直な方向から断面視したとき、その断面外郭線が一方主面２Ａの法線Ｈｂに対して非線対称形状である。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体素子の製造方法は、第１の基板１０の表面に、けがき線を入れることにより第１の溝１５を形成する工程と、第１の基板１０の第１の溝１５が形成された表面上に、第１の溝１５上に形成される第２の溝２５を有する窒化物半導体層２０を形成する工程と、窒化物半導体層２０上に電極を形成する工程と、を含み、第１の溝１５を形成する工程において、第１の溝１５を窒化物半導体素子チップの１個の１辺の長さの１以上の整数倍のピッチで形成し、窒化物半導体層２０を形成する工程において、少なくとも、バッファ層１１と、ｎ型窒化物半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型窒化物半導体層１４とをこの順に形成し、電極を形成する工程において、電極のパターンのピッチが第１の溝１５の間に収まるように電極を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置の製造方法では、基板と、基板に隣接する第１の面と、第１の面とは反対側の第２の面と、発光層とをそれぞれ有する複数の積層体と、第２の面に形成されたｐ側電極及びｎ側電極と、ｐ側電極及びｎ側電極の上に形成され、ｐ側電極に通じる第１の開口と、ｎ側電極に通じる第２の開口とを有する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、第１の開口を通じてｐ側電極と接続されたｐ側金属配線層と、ｐ側金属配線層に対して離間して絶縁膜上に設けられ、第２の開口を通じてｎ側電極と接続されたｎ側金属配線層と、を含むウェーハ状態の積層構造における第１の面側に蛍光体を含有する層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板上に形成する膜の表面が平坦になるまでの成長時間を短縮することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 コランダム構造のｃ面基板の表面に複数の凸部が形成されている。この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。下地膜の上に、Ｇａ及びＮを含む発光構造が配置されている。下地膜のａ軸方向とのなす角度が１５°未満の方向を第１方向とし、それと直交する方向を第２方向とする。凸部は、第１方向及び第２方向に規則的に配列している。凸部の各々は、ｍ軸方向とのなす角度が１５°未満の第１の辺と、ａ軸方向とのなす角度が１５°未満の第２の辺とを有する。第１方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第１の辺は平行であり、第２方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第２の辺は平行である。対向する第２の辺のｍ軸方向の間隔は、対向する第１の辺のａ軸方向の間隔よりも広い。 （もっと読む）

【課題】本発明は従来の蛍光体を代替できる蛍光体物質を含み、高性能の白色発光素子を実現できる発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明は発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。
本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させることができると共に、寿命の低下を防止することが可能な発光モジュールおよび照明装置を提供する。
【解決手段】上下電極型の複数の固体発光素子１１と；固体発光素子の下電極をダイボンディングし、表面側が銀よりも反射率の低い材料で形成された電極層１２と；複数の固体発光素子および電極層を実装する表面の反射率が高くなるように形成された基板１３と；固体発光素子の上電極を電極層に接続するボンディングワイヤ１４と；基板に実装された固体発光素子およびボンディングワイヤを封止する封止部１５と；を具備し、電極層の面積を固体発光素子の発光面の２倍以下とした発光モジュール１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層とを含み、ｎ型クラッド層は複数の窒化物半導体層と、該複数の窒化物半導体層の間に配された少なくとも一つの中間層と、その内部にビアホールとを含み、該ビアホールに電極が備えられた発光素子。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光層から出力される光量のむらを抑制し、且つ、半導体発光素子における発光層の面積の減少を抑制する。
【解決手段】半導体発光素子１は、それぞれがｐ型半導体層１６０および発光層１５０を貫通して設けられ、それぞれがｎ型半導体層１４０と電気的に接続される複数のｎ側柱状導体部１８３と、発光層１５０からみてｐ型半導体層１６０の背面側で発光層１５０の面と対向して配置され、複数のｎ側柱状導体１８３と電気的に接続されるｎ側層状導体部１８４と、それぞれがｐ型半導体層１６０と電気的に接続される複数のｐ側柱状導体部１７３と、発光層１５０からみてｐ型半導体層１６０の背面側で発光層１５０と対向して配置され、複数のｐ側柱状導体部１７３と電気的に接続されるｐ側層状導体部１７４とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】装置への実装の自由度が高くかつ光の取り出し効率が高い微細な棒状構造発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１１上に、成長穴１２aを有する成長マスク１２を形成する工程と、成長マスク１２の成長穴１２aにより露出したサファイア基板１１の露出領域上に、ｎ型ＧaＮからなる棒状の半導体コアを形成する工程と、半導体コアの被覆部分を覆うようにｐ型ＧaＮからなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、その半導体層形成工程の後、半導体コアの露出部分を露出するように成長マスク１２をエッチングにより除去する成長マスク除去工程と、成長マスク除去工程の後に露出部分および被覆部分を含む半導体コアを、サファイア基板１１から切り離す切り離し工程を備える。上記成長マスク１２の成長穴１２aの内周側かつサファイア基板１１側に、サファイア基板１１側に向かって内径が小さくなるように絞り部１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 発光面積を大きく確保しつつ、実装基板に容易に実装可能な発光素子及びそれを用いた発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光素子は、第１導電型半導体層と、第１導電型半導体層に設けられた第２導電型半導体層と、第２導電型半導体層が部分的に除去された領域において第１導電型半導体層に設けられた第１電極と、第１電極と同一面となる側において第２導電型半導体層に設けられ薄膜部及び厚膜部を有する第２電極と、第１電極に接続され第２電極の薄膜部と絶縁部を介して部分的に対向した第第１導電部と、第２電極の厚膜部と接続された第２導電部と、を有し、第１導電部及び第２導電部と実装基板とが対向するように実装可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性、フレキシビリティに優れ、かつ極めて高いガスバリア性能と高い耐久性を達成できるガスバリアフィルム及び該ガスバリアフィルムを用いた有機光電変換素子を提供することにある。
【解決手段】基材上に珪素化合物を含有するガスバリア層を少なくとも１層有するガスバリアフィルムであって、前記ガスバリア層が珪素化合物溶液を塗布乾燥して形成された層を改質処理することにより形成され、改質処理により珪素酸化物を含む層へ改質された層の膜厚が１０〜１００ｎｍであり、かつ前記改質された層の表面の最大高低差Ｒｐｖが３０ｎｍ以下であることを特徴とするガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】メッキ未形成領域の発生を防止するとともに半導体発光素子製造の歩留と光取り出し効率を向上できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光素子の製造方法は、基板上に活性層を含む半導体膜を形成する工程と、半導体膜を半導体発光素子領域に区画する分割溝を形成する工程と、分割溝にレジスト材を充填して埋め込み保護部を形成する工程と、半導体膜および埋め込み保護部の表面を覆うメッキ開始用の金属膜を形成する工程と、金属膜上に金属メッキからなる金属支持体を形成する工程と、を含む。埋め込み保護部を形成する工程は、埋め込み保護部の表面が金属支持体側へ隆起した凸型の曲面を有するように充填されたレジスト材を成形する工程を含む。 （もっと読む）