【課題】半導体薄膜ＬＥＤを用いた高精細、高輝度かつ大面積表示装置の作製を可能にする。
【解決手段】下側電極共通配線３及び上側電極共通配線５の交差領域に平坦化絶縁膜６を形成して、典型的なラフネスを例えば５ｎｍ以下に平坦化し、この平坦化絶縁膜６上に半導体薄膜ＬＥＤ１０を分子間力を用いて三次元実装する。これにより、半導体薄膜ＬＥＤ１０における実装領域のサイズに依存せず、共通配線３，５の配線幅を広げることができる。平坦化絶縁膜６において、この上に実装する半導体薄膜ＬＥＤ１０が放射する発光波長に対して、透明性を有する材料を用いることにより、この平坦化絶縁膜６の直下に形成されている共通配線５を反射メタルとして機能させることができる。従って、高いＬＥＤ発光領域占有率を確保した上で、共通配線３，５の形成領域を最大限に確保して配線抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、接合の際の基板の割れを抑制でき、高電圧を印加して、高輝度で発光させることのできる発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層２を含む発光部３にヒートシンク基板５が接合された発光ダイオード１であって、ヒートシンク基板５は、第１の金属層２１と第２の金属層２２とが交互に積層されてなり、第１の金属層２１は、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、熱膨張係数が発光部３の材料と略等しい材料からなり、第２の金属層２２は、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である材料からなる発光ダイオード１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体薄膜を基板から効果的に分離できる発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施例に係る発光素子の製造方法は、酸化ガリウム層を形成するステップと、前記酸化ガリウム層上に第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を形成するステップと、前記第２導電型半導体層上に導電性基板を形成するステップと、前記酸化ガリウム層を分離させるステップと、前記第１導電型半導体層上に第１電極を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】電流注入効率を向上しつつ光取り出し効率を向上する半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１半導体層１と、第２半導体層２と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層３と、を有する積層構造体１ｓと、第１電極７、第２電極４ｏ、第３電極４ｓ及び第４電極４ｐと、を備えた半導体発光素子を提供する。第１電極は、第１半導体層に電気的に接続される。第２電極は、第２半導体層に対してオーミック接触を形成し、発光層からの発光光に対して透光性を有する。第３電極は、第２電極を貫通し、第２電極に電気的に接続され、第２半導体層に対してショットキー接触を形成する。第４電極は、第３電極の第２半導体層とは反対の側に形成され、積層構造体の積層方向からみたときに第３電極と同じ平面形状を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の裏面の平坦性を保ちながら、オーミック接触性、密着性や耐熱性に優れた基板裏面電極を有する、長寿命で信頼性の高い窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１面及び第２面を有する窒化物半導体基板と、前記第１面に設けられた素子構造と、前記第２面に設けられた電極と、を備える窒化物半導体素子であって、前記第２面には、底部に凹凸を有する溝部と、窒素極性の平坦部と、が設けられ、前記電極は、前記溝部を覆って設けられている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、第２半導体層と発光層とが選択的に除去されて第２半導体層の側の第１主面に第１半導体層の一部が露出した積層構造体と、第１主面上において第１及び第２半導体層とそれぞれ接続された第１電極及び反射性の第２電極と、前記第２電極の一部と前記第２半導体層との間に設けられ透光性を有する絶縁層と、を備え、前記第２電極と前記絶縁層とが重なる領域における前記第２電極の外側の縁端から前記絶縁層の内側の縁端までの距離は、前記第１主面の周辺部よりも中心部において短いことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光された光の反射または吸収を最少化し、最大発光面積を確保して発光効率を最大化すると同時に小さい面積の電極で均一な電流分散が可能な、信頼性が高く低コストで量産性に優れた高品質の半導体発光素子、その製造方法及びこれを用いた半導体発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光素子１００は第１導電型半導体層１１１、活性層１１２、第２導電型半導体層１１３、第２電極層１２０、第１絶縁層１３０、第１電極層１４０及び導電性基板１５０が順次積層されて形成されるが、第２電極層１２０は、第２導電型半導体層１１３との界面中の一部が露出された領域を含み、第１電極層１４０は、第１導電型半導体層１１１に電気的に接続され、第２導電型半導体層１１３及び活性層１１２とは電気的に絶縁され第１電極層１４０の一面から第１導電型半導体層１１１の少なくとも一部領域まで延長された一つまたはそれ以上のコンタクト孔を含む。 （もっと読む）

【課題】発光チップを直列接続する電極を形成する際に内部に空洞が発生しない。
【解決手段】ｎ型化合物半導体層１６,活性層１７およびｐ型化合物半導体層１８が積層された薄型の発光チップ１３を、複数個、ｐ型化合物半導体層１８を接合面として、ウェハ１１上に、下面配線１２を介して接合する。そして、互いに隣接する発光チップ１３の一方のｎ型化合物半導体層１６と他方のｐ型化合物半導体層１８とを、上面配線１５,上下配線１４及び下面配線１２を介して、電気的に直列に接続する。その際に、上下配線１４を、隣接する発光チップ１３との間にあるｎ型化合物半導体層１６を含んで構成する。こうして、隣接する発光チップ１３を直列接続する上下配線１４を形成する場合に、金属を埋め込む深さを浅くして、内部に空洞が発生しないようにする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮ層の裏面（Ｎ原子面）上に低抵抗なオーミック電極を形成することが可能なオーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オーミック電極１６は、表面１３ａと、この表面１３ａと反対側の裏面１２ｂとを有し、表面１３ａが（０００１）面で、導電型がｎ型であるＡｌＧａＮ層１１の裏面１２ｂに形成されたオーミック電極１６において、オーミック電極１６において裏面１２ｂに接触している領域はＷを含むことを特徴としている。オーミック電極１６の製造方法は、裏面１２ｂに接触する領域にＷおよびＭｏの少なくとも一方を含むオーミック電極１６を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子を形成する半導体チップとサブマウントとが半田層により接合され、高い放熱効率および接触抵抗の増加を抑制した半導体発光素子を提供する
【解決手段】 半導体チップ（I）と電極層を有するサブマウント（II）とを基本の構成要素とする半導体発光素子（III）において、半導体チップのｐ電極とサブマウントの電極層とが金と錫とからなる合金などの半田を介して接合され、しかも、ｐ電極と半田層との間にニッケルやアルミニウムなどのバリア金属層を形成することで、接触抵抗の増加原因となる半田層中の金属拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と異なる材料からなる基板とこの上に成膜されたＩＩＩ族化合物半導体層を有し波長分布が小さい半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、反り量Ｈが−３０μｍ≦Ｈ＜０の範囲であり且つ直径Ｄと厚さｄを有する基板上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程を有し、基板の直径Ｄと厚さｄとが、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
０．７×１０^２≦（Ｄ／ｄ）≦１．５×１０^２ （１） （もっと読む）

【課題】半導体層を有する光半導体装置の全反射成分の抑制のための光取り出し面側を凹凸構造とするドライエッチング法は特別のエッチングマスクを必要とし、製造工程が複雑であった。
【解決手段】塩素系ガス及び酸素ガスの混合ガスをエッチャントとして第１のドライエッチングを行い、ｎ型AlGaInPクラッド層１１に擬似エッチングマスクＭを形成する。次いで、この擬似エッチングマスクＭを用い、塩素系ガスをエッチャントとして第２のドライエッチングを行い、凹凸構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】オーミック性および透過性が可及的に良いｐ電極を備えた半導体発光素子を提供することを可能にする。
【解決手段】基板２と、基板上に設けられたｎ型半導体層４と、ｎ型半導体層の第１の領域上に設けられ発光する活性層６と、活性層上に設けられたｐ型半導体層８と、ｐ型半導体層上に設けられ酸素含有率が４０原子％未満の第１の導電性酸化物層１０ａを有するｐ電極１０と、ｎ型半導体層の第２の領域上に設けられるｎ電極１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】新しい電極構造を含む半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ある態様の半導体発光素子は、第１導電型半導体層と；前記第１導電型半導体層の第１部分の上に形成され、少なくとも１つの枝形状のパターンを有する第１電極と；前記第１電極をカバーする絶縁層と；及び前記絶縁層上に直接接触する第１部分と、前記第１導電型半導体層の第１部分とは異なる前記第１導電型半導体層の第２部分の上に第２部分とを備えた電極層と；を含む。 （もっと読む）

【課題】電極の接合性に優れている半導体発光素子、その製造方法およびランプを提供する。
【解決手段】基板１０１と、積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面１０６ｃに形成された一方の電極１１１と、積層半導体層２０の一部が切り欠けられてなる半導体層露出面１０４ｃ上に形成された他方の電極１０８とを具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１が、底面に積層半導体層２０の上面１０６ｃの露出された穴部を有する透明電極１０９と、穴部の底面上および内壁上に形成された接合層１１０と、接合層１１０を覆うように形成されたボンディングパッド電極１２０とを備える半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取出効率を向上する。
【解決手段】発光層５を有するIII−Ｖ族化合物半導体層２１の第一の主表面上に表面電極１３が形成され、第二の主表面側には反射金属膜１０が形成され、反射金属膜１０を介して半導体層２１と支持基板１１とが接合され、反射金属膜１０の半導体層２１側の面の一部にオーミックコンタクト接合部９が表面電極１３の直下以外の領域に配置された半導体発光素子２０において、半導体発光素子２０は１辺が３２０μｍ以下であり、表面電極１３は多角または丸形状で外周の長さが２３５μｍ以上７００μｍ以下であり、オーミックコンタクト接合部９が半導体発光素子２０の外周側又は外周近傍に配置され、表面電極１３側からみたときに、オーミックコンタクト接合部９が表面電極１３を包囲し、且つ表面電極１３の外縁部の各位置から最も近いオーミックコンタクト接合部９までの距離Ｌが等しくなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】出射光を上方に出射させる発光装置において、簡易なプロセスで反射防止膜を形成することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００の製造方法は、第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８によって挟まれた活性層１０６を含み、活性層１０６内で生じる光を、活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂにおいて反射させて、上方に出射させる発光装置１００の製造方法であって、エピタキシャル成長法によって、基板１０２の上方に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、および反射防止膜１１８を順次形成する工程と、反射防止膜１１８をパターニングして、光の出射部を形成する工程と、活性層１０６をエッチングして、少なくとも活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂを上下方向に対して４５度傾斜させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図れる半導体発光素子およびその製造方法、発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の半導体発光素子１は、ｎ形ＧａＮ層２２およびｐ形ＧａＮ層２４を有するＬＥＤ薄膜部２と、ＬＥＤ薄膜部２の厚み方向の一面側に直接接合された六角錘状のｎ形ＺｎＯ基板（導電性を有するＺｎＯ基板）３とを備える。カソード電極４は、ｎ形ＧａＮ層２２におけるｐ形ＧａＮ層２４側とは反対側の表面側の平坦部２２ａ上でｎ形ＧａＮ層２２に対してオーミック接触となるように形成され、アノード電極５は、ｎ形ＺｎＯ基板３の下面３１側でｎ形ＺｎＯ基板３に対してオーミック接触となるように形成されている。ｎ形ＧａＮ層２２の上記表面においてカソード電極４が形成されていない領域には、ＬＥＤ薄膜部２で発生した光のうちｎ形ＧａＮ層２２の上記表面側に放射された光の進行方向を変える微細凹凸構造２２ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化ガリウム系半導体領域及び障壁層を形成する際に井戸層の劣化を低減可能な、窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１３を成長した後に、基板１１上に障壁層２１ａを成長する。障壁層２１ａは時刻ｔ１〜ｔ２の期間に成長温度ＴＢで形成される。成長温度ＴＢ（＝Ｔ２）は摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲である。時刻ｔ２で障壁層２１ａの成長が終了する。障壁層２１ａを成長した後に、成長中断を行うことなく基板１１上に井戸層２３ａを成長する。井戸層２３ａは、時刻ｔ２〜ｔ３の期間に成長温度ＴＷ（＝Ｔ２）で形成される。成長温度ＴＷは成長温度ＴＢと同じであり、また摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲であることができる。井戸層２３ａのインジウム組成は０．１５以上である。次いで、成長中断を行うことなく井戸層及び障壁層の成長を繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）