【課題】高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子、ウェーハ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と第２層と発光部と第１積層構造体と第２積層構造体とを備えた半導体発光素子が提供される。第１層は、ｎ形ＧａＮ及びｎ形ＡｌＧａＮの少なくともいずれかを含む。第２層は、ｐ形ＡｌＧａＮを含む。発光部は、第１層と第２層との間に設けられ、障壁層と井戸層とを含む。第１積層構造体は、第１層と発光部との間に設けられる。第１積層構造体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第２積層構造体は、第１層と第１積層構造体との間に設けられる。第２積層構造体は、ＧａＮを含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた２次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 （もっと読む）

【課題】同じ組み合わせのドナー性不純物及びアクセプタ性不純物であっても、光の波長域を変化させたり、波長域を拡げることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶ＳｉＣ材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー性不純物及びアクセプタ性不純物が添加された単結晶ＳｉＣからなり、ポーラス状態が連続的に変化するポーラス領域２４を含み、半導体発光部の光により励起されるとドナー・アクセプタ・ペア発光により可視光を発するＳｉＣ部２と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】高い特性を維持するとともに、コストを低減できるＡｌＧａＡｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する
【解決手段】本発明のＡｌＧａＡｓ基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）と、裏面１１ｂに形成されたＧａＡｓ基板１３とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。ＧａＡｓ基板１３は、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上２×１０¹⁸ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】 配光特性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、複数の半導体層が積層されてなる光半導体層11と、光半導体層11に電圧を印加し、光半導体層11を発光させる一対の電極12とを備え、一対の電極12は、光半導体層11で発光した光を反射する一方電極（第２電極）14を有しており、一方電極14は光半導体層11上に設けられた、光半導体層11を構成する最上層の半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層14ａと、第１透明電極層14ａ上に設けられた、第１透明電極層14ａよりも屈折率が大きい第２透明電極層14ｂと、第２透明電極層14ｂ上に設けられた、第２透明電極層14ｂを透過した光を光半導体層11の方向へ反射させる反射性電極層14ｃとを具備している。光半導体層11で発光した光を光半導体層11の厚み方向と垂直な方向へ良好に拡散させることができ、発光素子１の配光特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光面内での電流密度及び輝度のばらつきを低減した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、前記第２の金属ピラーと、第２の絶縁層と、を備えた。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記第１の電極は、前記第２の主面における前記発光層を有する領域に設けられた。前記第２の電極は、前記第２の主面に設けられ、平面視で前記第１の電極に挟まれている。 （もっと読む）

【課題】上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、ＧａＮ系ＬＥＤの提供。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードのコンタクト層１５の表面に、金属材料からなる上部電極Ｐ１２を部分的に形成するとともに、前記上部電極Ｐ１２が形成されていない部分に、前記上部電極Ｐ１２と接しないように、金属材料からなる反射膜Ｐ１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子のダイ（Ｄｉｅ）とワイヤーボンディング工程などを容易にすること。
【解決手段】本発明は、第１支持部材と、前記第１支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第１電極と、を含む発光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。また、基板１の他方の対角線上の角部近傍それぞれに、平面視が円状のボンディング電極７１、７１を形成してある。また、基板１の対向する辺縁近傍にｎ型半導体層２２、２１で構成される抵抗素子を形成してある。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、導電材と、を備えた。樹脂層は、第１の金属ピラーの側面と第２の金属ピラーの側面との間に設けられ、導電材は、樹脂層における第１の金属ピラーと第２の金属ピラーとの間の表面に設けられ、第１の金属ピラーと第２の金属ピラーとを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノ粒子は発光デバイスや太陽電池への応答が期待できるが、電極と粒子間のキャリア注入効率／輸送効率が悪いため、この種のデバイス動作の効率を上げることができなかった。
【解決手段】選択図の（Ｅ）に示すように、基板上に立設されたシリコンナノワイヤの周囲をシリコンナノ粒子で覆った新規な複合材料を提供することによって、シリコンナノ粒子との間のキャリア注入効率／輸送効率を向上させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】搭載基板に設けられた回路パターンの接続端子と外部雰囲気中のガスとの反応を抑制することのできる発光装置及びパッケージを提供する。
【解決手段】発光装置１は、ＬＥＤ素子２を搭載する回路パターン４を設けた無機材料からなる搭載基板３と、回路パターン４の外部接続電極４４と、外部接続電極４４の露出する面の外縁を覆うように設けられ、無機材料からなる保護膜５とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、信頼性が向上した発光素子を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によれば、発光素子は、伝導性を有する支持部材を含む電極と、電極の上面の周縁領域に金属物質を含むチャンネル層と、電極及びチャンネル層の上に形成され、第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む発光構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮよりなるｎ型層、ＡｌＧａＩｎＮよりなる活性層、およびｐ型層を有し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光を放射する、発光強度の大きい窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型層、活性層、およびｐ型層を有する窒素化合物半導体発光素子において、活性層が、ＡｌＧａＩｎＮよりなる、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の窒素化合物半導体層からなり、ｎ型層は、ＡｌＧａＮよりなるｎ型ＡｌＧａＮ層と、Ａｌを含まない５ｎｍ以上のＧａＮ保護層とを有してなり、保護層の上に活性層が形成されている。製造方法は、基板温度が１０００℃以上の高温でｎ型ＡｌＧａＮ層を成長し、その上にＡｌを含まない５ｎｍ以上のＧａＮ保護層を成長し、成長工程を中断して基板温度を低下させ、基板温度が１０００℃未満の低温で、保護層の上に活性層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。工程Ｓ１０５では、バイアス依存性から、基板主面の選択された傾斜角の各々において発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う。工程Ｓ１０６では、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を見積りに基づき判断して、半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する。半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 （もっと読む）

【課題】偏光特性に優れ、ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子における物理的強度を高めることのできる構造を提供する。
【解決手段】本発明の照明装置は、少なくとも第１および第２の窒化物系半導体発光素子を備えた照明装置であって、第１および第２の窒化物系半導体発光素子のそれぞれは半導体チップを備え、半導体チップは、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｘ≧０、ｙ≧
０、ｚ≧０）半導体から形成された窒化物系半導体積層構造４５を含み、窒化物系半導体積層構造２０は、界面がｍ面である活性層領域２４を含み、第１および第２の窒化物系半導体発光素子は、それぞれ活性層領域２４から偏光を出射し、第１および第２の窒化物系半導体発光素子が出射する偏光の波長をλ１およびλ２とし、第１および第２の窒化物系半導体発光素子の半導体チップ４５の厚さをｄ１およびｄ２としたとき、λ１＜λ２かつｄ１＜ｄ２の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の、光学系による外観認識率を向上させる。
【解決手段】発光部を含む半導体積層部と、半導体積層部の第１の主表面側を光取り出し面とし、半導体積層部の第２の主表面側に形成され、発光部で発生した光を第１の主表面側へと反射させる金属反射層と、半導体積層部と金属反射層との間の一部分に配置され、半導体積層部にオーミックコンタクト接合するオーミックコンタクト接合部と、光取り出し面に形成され、外部からの照射光の反射を防止する反射防止膜と、を備える。 （もっと読む）