【課題】窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。
【解決手段】塩素がドーピングされた窒化物半導体基板上に、ｐ型層とｎ型層によって挟まれた活性層を有する多層構造からなる窒化物半導体層を積層したウエハーの基板側に、幅広の第１の割り溝を所望のチップ形状に形成する工程と、前記ウエハーの他方の面を構成する結晶成長側であって前記第１の割り溝を形成する位置に相対向する位置に幅狭の第２の割り溝もしくは欠け溝を所望のチップ形状で形成する工程と、窒化物半導体結晶で構成された領域を、前記第１の割り溝の方からチップ分割する工程とからなることを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用金属基複合材料基板、並びにそれを用いたＬＥＤ発光素子を提供すること。
【解決手段】下記の工程を順次経て製造される、ＬＥＤ発光素子。
（１）円板状又は平板状の単結晶成長基板の一主面上に、III−Ｖ族半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程。
（２）III−Ｖ族半導体結晶面に金属層を介して、請求項２又は３記載のＬＥＤ発光素子用金属基複合材料基板を接合し、裏面をレーザー照射、エッチング、研削のいずれかの方法により、単結晶成長基板を除去する工程。
（３）III−Ｖ族半導体結晶面の表面加工、電極形成を行った後、切断加工する工程 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に接合され、光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備えている。また、この発光素子の製造方法は、成長用基板１２上に、少なくとも光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面を有する半導体素子層を形成する工程と、光出射面とは反対側に支持基板を設置する工程と、支持基板に、半導体素子層を接合する工程と、成長用基板を除去する工程とを備えている （もっと読む）

【課題】 発光ピーク強度比の安定した２ピークの発光スペクトルを得ることが可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３との間に活性層１２を備える。活性層１２は、第１の井戸層１４と、井戸層の中で最も外側に設けられ、第１の井戸層１４を挟む第２の井戸層１５と、各井戸層間に設けられた障壁層１６、１７と、を有し、第２の井戸層１５は第１の井戸層１４を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなり、第１の井戸層１４及び第２の井戸層１５のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークを有する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動し発光輝度が高く、寿命が長い発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子は、一対の第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光部と、を備え、前記発光部は、第１伝導型の半導体の部分と第２伝導型の半導体の部分とを有する発光粒子が前記第１電極及び第２電極の間に配置されて構成されており、前記発光粒子は、粒子表面に露出した前記第１伝導型の半導体の一部が前記第１電極と接していると共に、粒子表面に露出した前記第２伝導型の半導体の一部が前記第２電極に接しており、前記第１電極は、前記発光粒子の前記第１伝導型の半導体と接する部分以外の部分が絶縁体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】電極を両側面に有する半導体素子を回路基板上に横倒しした状態実装する半導体装置の製造方法において、製造工程を簡略化する。
【解決手段】導電性基板の一方の側にｐ側電極と該ｐ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第１金属層とを備え、前記導電性基板の他方の側にｎ側電極と該ｎ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第２金属層とを備える半導体素子、を準備するステップと、第１パッド及び第２パッドを有する所定パターンが形成された実装基板上に、前記第１金属層が前記第１パッド上に位置するとともに、前記第２金属層が前記第２パッド上に位置するように、前記半導体素子を載置するステップと、前記実装基板上に載置した前記半導体素子の前記第１金属層と前記第１パッドとを固相接合し、前記第２金属層と前記第２パッドとを固相接合するステップと、を含む、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

電磁放射の発生に適している活性層を有する半導体積層体（１）と、第１の電気接続層（４）と、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディを開示する。本オプトエレクトロニクス半導体ボディは、前側（２）から電磁放射を出射するようにされている。半導体積層体（１）は、前側（２）から前側（２）と反対側の後側（３）の方向に、半導体積層体（１）を完全に貫通する少なくとも１つの開口（１１０）を有する。第１の電気接触層（４）は、半導体ボディの後側（３）に設けられており、第１の電気接触層（４）の部分領域（４０）は、後側（３）から開口（１１０）を通って（２）まで延在して、半導体積層体（１）の主面（１０）の第１の副領域（１１）を覆っている。前側主面（１０）の第２の副領域（１２）は、第１の電気接触層（４）で覆われていない。
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【課題】発光ダイオードを用いたディスプレイのコストを低減する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた電流供給線３３０および複数の画素電極３２と、複数の画素電極３２の各々の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオードと、複数の粒子状発光ダイオードを覆う対向電極とを備えている。電流供給線３３０と画素電極３２の間には、過電流により導通が絶たれるヒューズ部３３１を有している。この結晶性半導体の外周面は、複数の平坦な結晶格子面からなる。活性層は第１半導体の周囲の一部に形成されている。第２半導体は活性層の周囲を覆っている。第１半導体は対向電極と電気的に接続されている。第２半導体は、画素電極３２と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモンを確実に利用して改善された発光効率を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子では、基板上においてｎ型半導体を含む第１下部層、ｐ型半導体を含む第２下部層、活性層、およびｎ型半導体を含む上部層がこの順に積層されており、基板または第１下部層に接して第１のｎ型用電極が設けられており、上部層上に接して第２のｎ型用電極が設けられており、上部層は４０ｎｍ以下の厚さを有し、上部層に接する第２のｎ型用電極の界面は、活性層から生じた光によって表面プラズモンが励起され得る金属を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 発光効率の高い発光ダイオードを得ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 下地層２０と、下地層２０上に形成され、ＩｎＡｌＧａＮで形成された障壁層とＩｎＧａＮで形成された量子井戸層とが交互に積層された発光層３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高電圧下でも使用でき、動作の制御性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上方に設けられた半導体からなる発光部１５０と、基板１０１の上方に設けられ、発光部１５０から放射される光を受け、半導体からなる電気伝導層と、電気伝導層に接続された第１の電極１１０及び第２の電極１１１とを備えている。発光部１５０から放射された光を電気伝導層１０８が受光することにより、電気伝導層１０８を構成する第１の窒化物半導体層１０８と第２の窒化物半導体層１０９の界面を介して第１の電極と第２の電極との間を流れる電流が、オンまたはオフの状態をとる。 （もっと読む）

【課題】高輝度、大電流対応の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、第１半導体層の上方の一部の領域に設けられ、外部からの電流を半導体積層構造１０に供給する電流供給部１１６ａと、電流供給部１１６ａに隣接して設けられ、活性層１０５が発する光を反射する光反射部１１６ｂとを有する細線電極１１６と、細線電極１１６に電気的に接続して設けられ、光を透過する絶縁性の透過層１４２を介して第１半導体層の上方に設けられる表面中心電極部１１０とを備える。 （もっと読む）

【目的】
素子分離する際に半導体素子に欠陥が導入されることを阻止し、素子特性及び量産性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供する。特に、発光効率及び素子寿命に優れるとともに、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる基板と素子動作層との間に基板とは異なる結晶組成の欠陥阻止層を形成するステップと、当該素子動作層が形成された基板の素子動作層側表面から欠陥阻止層を超える深さまで除去された素子区画溝を形成するステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率が向上して欠陥が少なく、発光量が増加した発光素子の製造方法、発光装置の製造方法、発光素子、及び発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板１００上にバッファ層１０８を形成し、バッファ層１０８上に光結晶パターン１０６（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）とパッドパターン１０７を形成し、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、各々金属物質を含み互いに物理的に接続され、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が形成されたバッファ層１０８上に順次に積層された第１導電型の第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電型の第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成し、第１導電パターン１１２と電気的に接続された第１電極１４０と、第２導電パターン１１６と電気的に接続された第２電極１５０を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造歩留りの高い発光素子発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられ、活性層１０５が発する光を反射する反射層１３２と、反射層１３２の半導体積層構造１０側の反対側に金属接合層を介して半導体積層構造１０を支持し、シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）のいずれかから形成される支持基板２０と、支持基板２０の金属接合層の反対側に金（Ａｕ）を有して設けられ、金と支持基板２０とが合金化することによりＡｕの硬度より高い硬度を有する裏面電極２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極形成時に２つの金属層を混合させるための熱処理を行うことなく良好なオーミック接触を得ることが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１１と、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面上に形成され、約６ｎｍの厚みを有するＡｌからなるＡｌ層３１と、Ａｌ層３１のｎ型ＧａＮ基板１１とは反対側の表面上を覆うとともに約３ｎｍの厚みを有するＨｆからなるＨｆ層３２とを含むｎ側電極２９とを備える。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体素子にＧａ極性のＣ面以外の面に負電極を形成。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、Ｒ面を主面とするサファイア基板１０の上にｎコンタクト層１１、静電耐圧改善層１１０、アンドープのＩｎ_0.1Ｇａ_0.9ＮとアンドープのＧａＮとシリコンドープのＧａＮを１組として１０組積層したｎクラッド層１２、Ｉｎ_0.25Ｇａ_0.75Ｎから成る井戸層と、ＧａＮから成るバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層１３、ｐ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎとｐ型Ｉｎ_0.08Ｇａ_0.92Ｎの多重層から成るｐクラッド層１４、マグネシウム濃度の異なる２層のｐ型ＧａＮの積層構造から成る膜厚約８０ｎｍのｐコンタクト層１５が形成されている。厚さ方向がａ軸であるｎコンタクト層１１に、段差の側面１１ｓがＣ面となるストライプ状の段差をエッチングにより形成し、この面で負電極３０とのオーミック性を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生する熱を効率的に放散して温度上昇を防止し、特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ等の半導体素子を構成する半導体薄膜１０を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜２上に接合すると共に、半導体薄膜１０の電極と導電性の基板１とをｎ側接続パッド２４によって電気的に接続する構造にしている。そのため、半導体素子から発生する熱が効率的に基板１へ伝導し、半導体素子の温度上昇を防止することができる。しかも、温度上昇を防止することができるので、半導体素子の特性や寿命が劣化することを防止することができ、優れた動作特性を示すと共に、信頼性が高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】非極性基板または半極性基板を用いた発光素子において、発光端面の平坦性を向上させ、発光波長を緑色領域まで長波長化させる。
【解決手段】発光素子の基板となる、非極性ＡｌＩｎＧａＮ基板において、ＡｌＩｎＧａＮ混晶組成をＡｌ_（ｘ）Ｉｎ_（ｙ）Ｇａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１と表すとき、点（ｘ，ｙ）をＡ点（０．６８，０．３２）、Ｂ点（０．１９，０．１７）、Ｃ点（０．１６，０．５５）およびＤ点（０．３８，０．６２）を頂点とする四角形の領域内にする。 （もっと読む）