優れた光特性を有する白色LED装置の製造方法が提供される。この方法は、室温で主剤及び硬化剤を混合して、液状エポキシ樹脂調製し、70℃〜1000℃の温度において、1.3〜40.0hPa（１〜30トール）の圧力で、液状エポキシ樹脂を半硬化し、室温で半硬化した液状エポキシ樹脂に、燐光物質を添加し、混合して、燐光物質を有する母剤樹脂を製造し、LEDチップを含む被モールディング部材に、母剤樹脂を供給し、120℃以上の温度において、周囲圧で、母剤樹脂を完全に硬化する。
（もっと読む）

１つの発光ダイ・パッケージが開示される。ダイ・パッケージは、基板、反射板、及びレンズを含む。基板は、熱伝導性ではあるが電気的には絶縁性の材料から、又は熱伝導性であり且つ導電性の材料から作ることができる。基板が導電性材料から作られる実施形態では、基板は、導電性材料上に形成された電気的に絶縁性であるが熱伝導性の材料をさらに含む。基板は、取り付けパッドにおいて発光ダイオード（ＬＥＤ）に接続するための複数のトレースを有する。反射板は基板に結合され、取り付けパッドを略囲む。レンズは、取り付けパッドを略覆う。動作中にＬＥＤから生成される熱は、基板（底部ヒート・シンクとして働く）及び反射板（上部ヒート・シンクとして働く）の両方によってＬＥＤから逃される。反射板は、ＬＥＤからの光を所望の方向に向けるための反射面を含む。

（もっと読む）

【課題】放熱性と光取出し効率とが改善されると共に、メタルワイヤーの影が被照射面に生じにくい半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤベアチップ（半導体発光装置）２は、ｐ−ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸発光層１４、ｎ−ＧａＮ層１６からなる多層エピタキシャル構造６を有している。ｐ−ＧａＮ層１６にはｐ側電極１８が、ｎ−ＧａＮ層１６にはｎ側電極２０が形成されている。ｐ側電極１８側にあって、多層エピタキシャル構造６を支持すると共に、前記発光層１４からの熱を伝導するＡｕメッキ層４が設けられている。Ａｕメッキ層４は、ポリイミド部材１０を介して、電気的に２分割されている。分割された一方のＡｕメッキ層４Ａは、ｐ側電極１８と接続されアノード給電端子として構成されており、他方のＡｕメッキ層４Ｋは、配線２２を介して接続されカソード給電端子として構成されている。 （もっと読む）

発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と、該発光層部２４の少なくとも一方の主表面側に形成され、発光層部２４からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる厚さ４０μｍ以上の透明厚膜半導体層９０とを有する。透明厚膜半導体層９０は、側面部９０Ｓが化学エッチング面とされ、かつ、該透明厚膜半導体層９０のドーパント濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以上２×１０^１８／ｃｍ^３以下とされる。これにより、透明厚膜半導体層を有するとともに、その側面部からの光取り出し効率を飛躍的に高めることができる発光素子を提供する。
（もっと読む）

二価のユーロピウムでドープされているカチオンＭを有し、かつ基本式Ｍ_{（１−ｃ）}Ｓｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｄ_ｃ（式中、Ｍ＝Ｓｒ、又はＭ＝Ｓｒ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｂａ_ｙＣａ_ｘ、ｘ＋ｙ＜０．５）で示されるオキシニトリドシリケートの種類からなる蛍光体が使用され、その際、前記オキシニトリドシリケートは完全に又はほとんど、高温安定性の変態ＨＴからなる。
（もっと読む）

二価のユーロピウムでドープされているカチオンＭを有し、かつ基本式Ｍ_{（１−ｃ）}Ｓｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｄ_ｃ（式中、Ｍ＝Ｓｒ、又はＭ＝Ｓｒ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｂａ_ｙＣａ_ｘ、ｘ＋ｙ＜０．５）で示されるオキシニトリドシリケートの種類からなる蛍光体が使用され、その際、前記オキシニトリドシリケートは完全に又はほとんど、高温安定性の変態ＨＴからなる。
（もっと読む）

【課題】 放熱性に優れ、反りがほとんどない、信頼性に優れる発光ダイオード用のプリント配線板の提供。
【解決手段】 プリント配線板の表面に発光ダイオード素子を搭載・接続し、これを透明な樹脂で封止する発光ダイオード用プリント配線板において、上記プリント配線板が、少なくとも表層の樹脂組成物が白色で、内部にセラミック板を１層以上有する銅張積層板からなり、スルーホール或いはスリット部の少なくとも1箇所で、銅メッキ又は銅合金で形成される導体とセラミック板が接合された構造であることを特徴とする発光ダイオード用プリント配線板。
【効果】 放熱性に優れ、プリント配線板の反りがほとんどない、信頼性に優れる発光ダイオードが得られる。 （もっと読む）

半導体発光装置用の実装基板は、半導体発光装置をその内部に実装するように構成されたキャビティをその１つの面に有する固体金属ブロックを含む。キャビティに絶縁被覆を設け、キャビティの絶縁被覆上に、半導体発光装置に接続するように構成された離間した第１および第２の導電性トレースを設ける。実装基板は、半導体発光装置をその内部に実装するように構成されたキャビティをその１面に含む固体アルミニウムブロックを設けることによって製造してもよい。この固体アルミニウムブロックを酸化して、その上に酸化アルミニウム被覆を形成する。キャビティの酸化アルミニウム被覆上に、第１および第２の離間した電気トレースを製造する。

（もっと読む）

固体デバイスから放射するように固体デバイスに電力を供給する構成および配置をとる電源と結合可能な固体デバイスを含む発光アセンブリである。一連の希土類ドープケイ素および／または炭化ケイ素ナノ結晶は、単一層内で、または個別の層内で組み合わされ、必要な赤色、緑色、および青色（ＲＧＢ）を発生し、白色光を形成する。

（もっと読む）

【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）

本発明は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関し、これらの半導体チップはそれぞれ少なくとも１つの半導体層を備えた複数の構造素子をそれぞれ有する。この方法においては基板ならびに成長表面を有するチップ結合体ベースが提供される。閉塞していないマスク材料層を、形状および／または開口面が異なる静的で分散的な複数の窓を有するように成長表面上に形成し、ここでマスク材料は後続のステップにおいて成長すべき半導体層の半導体材料がこのマスク材料上では実質的に成長しない、または成長表面に比べて実質的に成長しにくい。続けて、半導体層が実質的に窓の内部に位置する成長表面の領域の上に析出される。さらなるステップではチップ複合体ベースが被着された材料と共に半導体チップに個別化される。さらに本発明は本方法に応じて製造されるオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。
（もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

実質的に透明な基板を有し、細長い形状を画定する縦横比を有する発光ダイオードチップが、高効率及び高輝度を提供する。形成方法及びその動作方法もまた開示される。
（もっと読む）

【課題】表面全体が均一に発光するＬＥＤを提供する。
【解決手段】
ＬＥＤチップ１と、透明の被覆体２と、接続ピン３とからなる表面全体が均一に発光するＬＥＤであり、透明の被覆体２の上部には凹陥部２１が設けられている。凹陥部２１の光学拡散特性を利用することによりＬＥＤの光線を屈折し、被覆体２の表面全体から均一に光線を放射させることができ、構造が簡単で、容易に製作でき、生産コストも安く、装飾効果も優れ、各種の灯具に幅広く応用できる。また、装飾効果を高めるために、被覆体２を有色材料とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高密度実装による装置の小型化、または、同一サイズでの照度の向上が実現できるＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層１３と、絶縁層１３の少なくとも一主面に設けられた配線パターン１４とを備え、絶縁層１３の前記一主面に複数の凹部が設けられている熱伝導配線基板１１を用いる。凹部の内面の少なくとも一部には、絶縁層１３よりも反射率の高い高反射膜１５が設けられている。ＬＥＤ素子１６は、熱伝導配線基板１１の凹部内に実装する。凹部には透明樹脂を充填することにより、レンズ部１７が設けられる。熱伝導配線基板１１には、凹部が設けられている面と対向する面に放熱板１２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 チップ型半導体発光装置において、発光素子の材料純度を上げることなく発光色の彩度を高くする。また、不点灯時でも発光色を簡単に認識できるようにする。
【解決手段】 表面に電極２，２’を形成した基板１上に半導体発光素子３を実装したチップ型半導体発光装置において、基板１の少なくとも半導体発光素子３を搭載した面側の表面を、半導体発光素子３の発光色と同じ色相で且つ半導体発光素子３よりも高い彩度の色に着色する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を安定保持できるとともに外郭の機械的強度も十分な樹脂封止構造を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体発光素子２とこれを駆動するＩＣ素子３とを低ガラス転移点の内皮樹脂５で被膜封止するとともに、内皮樹脂５周りを高ガラス転移点の外皮樹脂６で被膜封止し、内皮樹脂５の軟らかさを利用して半導体発光素子２及びＩＣ素子３の電極やボンディング位置を含めて密に封止し、外皮樹脂６の硬さによって機械的強度を保つ。また、内皮樹脂５と外皮樹脂６とを同じ組成材質のエポキシ樹脂とすることで、線膨張係数の差をなくし内皮及び外皮の樹脂５，６の界面の接合度を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成でかつ全方位出射特性を有する光源装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 全方位に対して出射する配光特性を有するＬＥＤ素子３，４を透光性基板２の上に設ける。透光性樹脂１０，１１でＬＥＤ素子３，４と透光性基板２とを一体的にモールドし、透光性モールド体を形成する。 （もっと読む）

基板５０上に密集して配置された半導体光源５２、例えばＬＥＤ、レーザダイオード、またはＶＣＳＥＬのマイクロアレイによって高強度光源４６が形成され、少なくとも５０ｍＷ／ｃｍ²の出力濃度の電力出力が実現する。半導体装置は通常、基板上の導電性パターンに対する接合処理によって接着され、マイクロプロセッサ制御電源によって駆動される。光学系要素５８をマイクロアレイを覆うように配置し、出力ビームの指向性、強度、及び／または、スペクトル純度を高めることができる。光モジュールは、例えば、蛍光発光、検査及び測定、光重合、イオン化、殺菌、屑除去及び他の光化学作用による処理に使用できる。 （もっと読む）