【課題】電圧が印加されて圧電素子が伸縮することにより、導線と電極との接合部分に負荷が加わり、導線が破損することを防ぐ振動装置及び光スキャナを提供する。
【解決手段】電圧が印加されて伸縮する圧電素子と、前記圧電素子に設けられる第１電極と、前記圧電素子と別体に設けられ、電源からの電圧が印加される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する導線と、を備える振動装置であって、前記導線と前記第１電極との接続部分である第１接続部分と、前記導線と前記第２電極との接続部分である第２接続部分との少なくとも一方に設けられ、前記導線の太さが、前記接続部分に向けて太くなるネック部と、前記圧電素子による伸縮に伴って変位する前記ネック部の境界に設けられる補強材とを備える振動装置。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのサイズを大きくしつつ、半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体装置は、切り欠き部３ａを有し且つ表面の上に第１のめっき層２ａが形成されたダイパッド３と、ダイパッド３の切り欠き部３ａから離間して設けられ、表面の上に第１のめっき層２ｂが形成された第１のボンディング部４と、第２のボンディング部５と、第１のボンディング部４から延びる第１のリード７と、半導体チップ９と、第１の接続部材１０と、第１の接続部材１０と異なる材料からなる第２の接続部材１１と、樹脂封止１２とを備えている。第１のボンディング部４は、ダイパッド３の切り欠き部３ａを含む領域よりも外側の領域に配置されている。半導体チップ９は、ダイパッド３の切り欠き部３ａからはみ出すように搭載されている。 （もっと読む）

【課題】入力回路ブロックの入力配線と出力回路ブロックの出力配線を短くする。
【解決手段】半導体集積回路装置３０において、入力回路ブロック３２用の外部接続用電極Ｐ２及びＰ３は、入力回路ブロック３２と出力回路ブロック３３との間に複数配置されており、出力回路ブロック３３用の外部接続用電極Ｐ１及びＰ４は、出力回路ブロック３３とリード電極３４及び３５との間に複数配置されており、金属細線Ｗｂ１及びＷｂ２を介して外部接続用電極Ｐ１及びＰ２に接続されるリード電極３４と、金属細線Ｗｂ３及びＷｂ４を介して外部接続用電極Ｐ３及びＰ４に接続されるリード電極３５は、いずれも、入力回路ブロック３２、外部接続用電極Ｐ２及びＰ３、出力回路ブロック３３、外部接続用電極Ｐ１及びＰ４、リード電極３４及び３５の順に配置された方向と平行する方向に複数配置されている。 （もっと読む）

【課題】 注入された樹脂によるワイヤ流れやワイヤショートを防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップ１０９を配線基板１００上に搭載し、配線基板１００と半導体チップ１０９とを、第１のワイヤ群１２０と、前記第１のワイヤ群よりもワイヤ長が短い第２のワイヤ群１１８とを張設して接続し、第１のワイヤ群１２０から第２のワイヤ群１１８に向けて封止樹脂３０７を注入して半導体チップ１０９、第１のワイヤ群１２０、第２のワイヤ群１１８を覆う封止体４０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のコストの低減化を図る。
【解決手段】半導体チップ３の電極パッド３ｃとこれに対応するインナリード２ａとが複数のボンディングワイヤ６によって電気的に接続された半導体パッケージにおいて、センシングワイヤＡ，Ｂ（第２ボンディングワイヤ６ｂ，第４ボンディングワイヤ６ｄ）を、同一のインナリード２ａに接続された他のボンディングワイヤ６（第１ボンディングワイヤ６ａ，第３ボンディングワイヤ６ｃ）より細くすることで、金ワイヤに掛かるコストを減らして前記半導体パッケージの原価低減を図る。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】多ピンのＢＧＡ９において、半導体チップ１と配線基板２とを電気的に接続する複数のワイヤ７が、短くかつ細くて内側に配置される複数の第１のワイヤ７ａと、第１のワイヤ７ａより長くかつ太い複数の第２のワイヤ７ｂとを有することで、樹脂モールディング時のレジンが細い第１のワイヤ７ａ間から流れ込むため、レジンによって空気が押し出されてボイドの形成を抑えることができ、多ピンのＢＧＡ９の信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ケース内に充填されたゲル状充填材の揺動によるボンディングワイヤの断線を防止し、耐振動強度を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ケース７内に半導体素子３とボンディングワイヤ６を保護するゲル状充填材８を充填した半導体装置において、半導体装置１に発生する振動方向Ｋとゲル状充填材８の短手方向Ｓを一致させるようにして前記ゲル状充填材８を前記ケース７内に充填すると共に、ゲル状充填材８の長手方向をボンディングワイヤ６の配索方向に一致させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極と配線部材を繋ぐ金属細線において、異径の金属細線を配置して、パワーモジュールの小型化を図るとともに、機械的信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１、このスイッチング素子１に形成された第一の電極４と第二の電極５、これら各電極と配線部材とを接続する金属細線、前記スイッチング素子１、配線部材、金属細線を収納する外装ケース７、及び前記外装ケース７に封入する封入樹脂１１を有する半導体装置であって、第一の金属細線６は第二の金属細線９よりも線径が大きく、かつ長くし、第一の金属細線６の近傍に略並行に第二の金属細線９を配線した。 （もっと読む）

【課題】それぞれのトランジスタに流れる電流の比率が所定の比率からずれることを防止することが可能なカレントミラー回路を含む半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】この半導体装置（１０）は、カレントミラー回路（１１，１２）を含む半導体素子（３０）と、前記カレントミラー回路（１１，１２）に形成された寄生抵抗（Ｒａ，Ｒｂ）と、ボンディングワイヤ（４０ａ〜４０ｄ）を含む導電体により前記カレントミラー回路（１１，１２）の一部と電気的に接続され、半導体装置（１０）の外部と信号の入出力を行う接続端子（２０ａ，２０ｂ）と、を有し、前記ボンディングワイヤ（４０ａ〜４０ｄ）の抵抗値（Ｒｃ〜Ｒｆ）は、前記寄生抵抗（Ｒａ，Ｒｂ）に起因する前記カレントミラー回路（１１，１２）の出力電流（Ｉｏ）のずれを補正する値に調整されていることを要件とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのボンディングパッドとリードフレームを金属リボンで接続する半導体装置において、金属リボンのボンディング時間を短縮する。
【解決手段】ウェッジツール１２の底面は、Ｖ溝１３によって第１分岐部１２Ａと第２分岐部１２Ｂとに２分割されている。シリコンチップ３のソースパッド７とリードフレームのソースポスト４ＰにＡｌリボン１０をボンディングするには、まず、ソースパッド７上のＡｌリボン１０にウェッジツール１２の第１分岐部１２Ａおよび第２分岐部１２Ｂを圧接して超音波振動を印加し、次いで、ソースポスト４Ｐ上のＡｌリボン１０に第１分岐部１２Ａを圧接して超音波振動を印加する。ここで、第１分岐部１２Ａの幅はソースポスト４Ｐの幅よりも狭いので、ソースポスト４Ｐの幅方向の端部表面にはＡｌリボン１０が接合されない。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに外力が加わったときにボンディングワイヤの変形などの異常検出を容易にしたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アイランド部３とリード部８とが連結部１１により一体に連結されてなるリードフレーム２００を用意し、アイランド部３に半導体素子１、２を搭載する工程と、半導体素子１とリード部８とをボンディングワイヤ９により電気的・機械的に接続する工程とを備える半導体装置の製造方法において、アイランド部３と連結部１１とを、ボンディングワイヤ９よりも機械的強度の低いダミーワイヤ１０を介して機械的に接続する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】表面が金メッキよりなるランドに対して、アルミワイヤと金ワイヤとが接続されてなる電子装置において、アルミワイヤ用ランドの金メッキ厚を変えることなく、金ワイヤ用ランドの金メッキ厚を厚くするのに適した構成を提供する。
【解決手段】１個の金ワイヤ用ランド１２を、複数個の領域に分割された分割部１２ａの集合体であってこれら複数個の分割部１２ａにまたがって１本の金ワイヤ３２が接続されているものとし、個々の分割部１２ａの面積を１個のアルミワイヤ用ランド１１の面積よりも小さいものとし、個々の分割部１２ａにおける金メッキ１０ｃを、アルミワイヤ用ランド１１における金メッキ１０ｃよりも厚いものとした。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で高集積化と高信頼性を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のリードを有する搭載基板の表面上に複数の第１パッドを有する第１半導体チップと、上記搭載基板又は上記第１半導体チップ上に、複数の第２及び第３パッドを有する第２半導体チップとを搭載する。上記複数のリードと上記複数の第１パッドとの対応するもの同士を第１ボンディングワイヤで接続する。上記複数の第２パッドと上記複数の第１パッドとの対応するもの同士を第２ボンディングワイヤで接続する。上記複数の第３パッドと上記複数のリードとの対応するもの同士を第３ボンディングワイヤで接続する。上記第１及び第２ボンディングワイヤは、上記第３ボンディングワイヤよりも太くされ、第１及び第２パッドは、上記第３パッドよりも大きな面積を持つ。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体チップを用いる半導体装置のボンディングワイヤどうしの接触をなくし、歩止まりを向上させる。
【解決手段】半導体チップ２の１主面上に形成された複数の電極３と前記半導体チップ２の周囲に配された導体部の内部電極４とを接続して互いに上下に配されるワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃの内、最下位のワイヤ５ａに剛性が最も小さいものを用い、上位のワイヤ５ｂ，５ｃに剛性がより大きいものを用いる。最下位のワイヤ５ａは剛性が最も小さいことから、ワイヤ高さを低くできる。それよりも上位のワイヤ５ｂ，５ｃの剛性が大きいと、ボンディング時にループ形状の制御が容易であるだけでなく、ボンディング後のループの変形が抑えられる。このため、ワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃどうしの接触を回避することが可能である。 （もっと読む）

【課題】複数の金属によりリード端子の接続面を形成せずに、単一のリード端子に異なる材質の複数のリード部材を高い接続強度で接続する。
【解決手段】リード部材(7,8)は、電子部品(5)の第１の電極(15a)とリード端子(3a)の接続面(14)とを接続する金属ストラップ(7)と、電子部品(6)の第２の電極(16a)と金属ストラップ(7)の上面(7a)とを接続する金属細線(8)とを有する。リード端子(3a)の接続面(14)に金属ストラップ(7)を接続し、金属ストラップ(7)の上面(7a)に金属細線(8)を接続するため、リード端子(3a)の接続面(14)を金属ストラップ(7)との接続強度の高い金属により形成するだけで、リード端子(3a)に金属ストラップ(7)及び金属細線(8)を高い接続強度で接続できる。 （もっと読む）

本発明は、パッケージ化された半導体デバイスを提供する。接合ワイヤがアルミニウムバンプ接合部によりリードに接合される。半導体デバイスは、リードを有するリードフレームに取り付けられ、当該リードはニッケルメッキ部を有している。５０μｍ（２ミル）のような細いアルミニウムワイヤとリードとの間にバンプ接合部を形成するために、アルミニウムバンプがニッケルメッキ部に接合され、ワイヤがバンプに接合される。バンプはニッケルをドープされたアルミニウムであり、１５０μｍ（６ミル）の直径のワイヤのような大きな直径のワイヤから形成される。
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バッテリ保護回路に使用するのに適したマルチ・チップ・モジュール。マルチ・チップ・モジュールは、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタ、第２のパワー・トランジスタ、集積回路チップを第１のパワー・トランジスタに電気的に接続する第１の接続構造、集積回路チップを第２のパワー・トランジスタに電気的に接続する第２の接続構造と、第１のリード、第２のリード、第３のリードおよび第４のリードを含むリードフレーム構造とを含み、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタおよび第２のパワー・トランジスタがリードフレーム構造に搭載されている。モールディング材料は、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタ、第２のパワー・トランジスタ、第１の接続構造および第２の接続構造の少なくとも一部分を覆う。
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【課題】ワイヤ細線の共振現象による折損を抑え、信頼性の高い弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子の素子電極パッドと基板の接続用導体パターンの接続において、複数のワイヤ細線を介して接続を行う。また、複数のワイヤ細線は、互いに長さ、線径、材質を異ならせることで、機械的な固有振動数を相違させる。 （もっと読む）

密接配置したボンディング・ワイヤを種々の異なるパッケージング用途に用いると、電気的性能の向上を図ることができる。一実施形態では、ワイヤ群内にある２本の隣接するボンディング・ワイヤが密接配置されているのは、２本の隣接するワイヤのうちの短い方の長さの少なくとも５０パーセントで、これら２本の隣接するワイヤ間において分離距離Ｄが満たされる場合である。一実施形態では、分離距離Ｄは、２本の隣接するワイヤのうちの直径が大きい方のワイヤの直径の多くとも２倍である。別の実施形態では、分離距離Ｄは、２本の隣接するワイヤ間のワイヤ間ピッチの多くとも３倍である。各ワイヤ群は、２本以上の密接配置ワイヤを含むことができる。密接配置ボンディング・ワイヤのワイヤ群を用いると、例えば、電力−信号−接地の三重組、信号−接地対、信号−電力対、あるいは差動信号対または三重組を形成することができる。
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