本発明は、電気的な構成部材のためのろう付け可能な接合部であって、基板（SU）上に施されたパッド金属被覆（PM）、及び、ろう付けのための領域で前記パッド金属被覆上に施されたUBM金属被覆（UBM）を備えており、前記パッド金属被覆は、前記UBM金属被覆の下側でパターン形成されており、該パターン形成によって基板表面の一部分を露出させてあり、露出させてある前記一部分は前記UBM金属被覆と直接に接触している。
（もっと読む）

【課題】 半導体素子の狭ピッチ化に伴い、半導体素子と配線基板との間にアンダーフィル材を充填する間隙が狭くなった場合でも、フリップチップ接続によって確実に半導体素子を搭載できる配線基板およびこの配線基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 フリップチップ接続により半導体素子６０を搭載する配線基板１０において、半導体素子搭載領域に、前記半導体素子６０と電気的に接続される接続端子３０を備えた配線パターン２０が形成され、該配線パターン２０は、絶縁膜形成処理が施されて表面に絶縁膜１００が被覆されるとともに、前記接続端子３０が形成された部位については前記絶縁膜１００が除去されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 微小化されたバンプ（接合部材）を有するＩＣチップのような電子部品の基板への実装において、熱的な影響を除去しながら確実かつ高精度な実装を可能とする。
【解決手段】 部品保持部材にて保持された電子部品における複数の電極を、基板保持部材にて保持された基板における複数の電極に接合部材を介在させて当接させて、上記電子部品を上記基板に実装する電子部品の実装において、上記それぞれの接合部材の加熱及び冷却の際に、部品保持部材及び基板保持部材の伸び又は縮みに伴って生じる当該部品保持部材と基板保持部材との間の距離の変位量のデータを実装準備工程にて取得し、当該データに基づいて、当該変位量を除去するように上記基板保持部材に対する上記部品保持部材の相対的な位置制御を行い、上記電子部品を上記基板に実装する。 （もっと読む）

スタッドバンプ付き半導体チップの形成方法が開示されている。かかる方法は、キャピラリー２２の孔を挿通する被覆ワイヤー２１の先端にボールを形成することを含み、かかる被覆ワイヤーは芯材１９と耐酸化被覆材１８とを有している。形成されたボールを半導体チップ１上の導電性領域２に圧着する。被覆ワイヤーを切断することにより（図７）、導電性領域上に導電性スタッドバンプを残置する。かかる導電性スタッドバンプは内部導電部１９と外部の耐酸化層１８とを有する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、ＬＳＩが表面実装されるのに好適なプリント基板に関し、パッドの外形寸法を維持したまま高速伝送特性の改善を図る。
【解決手段】導体パターンからなる接続用パッドが形成されたプリント基板であって、そのパッドが、そのパッドを形成している導体パターンの面積がそのパッドの外形サイズから求められる面積よりも小面積である導体パターンからなるものである。 （もっと読む）

【課題】従来の電子部品等の接合方法には、半田溶融温度以上に加熱するリフロー工程が用いられており、耐熱性が低い部品の接合に適用することができない。
【解決手段】本発明は、半田バンプ７がＭＥＭＳ基板５の電極６表面に予め形成され、半田バンプ７表面及び回路基板９に配置した電極６，１０表面に付着した酸化膜８ａ，８ｂをＡｒガス雰囲気中のプラズマ１４によるドライエッチングにより除去し、次いで半田融点以下の融解温度を有するフッ素系不活性液体１８によって接合面を被覆し、接合面を互いに位置あわせし、接合面を接触させた後、荷重をかけつつ不活性液体１８以上且つ半田融点以下の温度で加熱して固相拡散接合させる電子部品の実装方法及びその実装装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は実装密度を向上させるためリードの一部のみをパッケージの壁面に露出させた構成の半導体装置の実装構造に関し、半導体装置と実装基板との熱線膨張率差により発生する応力を緩和することにより、実装性及び信頼性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】リード１４の一端側が半導体チップ１１と電気的に接続されると共に他端側がパッケージ１７の壁面に露出して外部端子１６を形成し、かつ外部端子１６を除く他の部分はパッケージ１７に封止された構成の半導体装置１０Ｃをはんだ２０（軟質接合材）を用いて実装基板１８Ａに実装する半導体装置の実装構造であって、前記実装基板１８Ａに半導体装置１０Ｃを実装基板表面に対し離間した状態で支持するスペーサ部２１を形成し、半導体装置１０Ｃと実装基板１８Ａとの間に形成された離間部分にはんだ２０が配設される構造とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に直接半田バンプを形成し回路基板上に実装するフリップチップ実装の半導体チップの回路基板への実装不具合を低減することのできる半導体チップを提供する。
【解決手段】 半導体チップは、複数の半導体素子を形成したシリコン基板と、前記シリコン基板上方に形成され、前記半導体素子と電気的に接続された複数のパッド部と、前記パッド部上に開口を有する第１の絶縁膜と、前記パッド部と電気的に接続して前記第１の絶縁膜上に形成される第１の配線層と、前記第１の配線層の接続部上に開口を有し、前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、前記第１の配線層を介して前記パッド部と電気的に接続して、前記第２の絶縁層の開口上に形成される電気特性用半田バンプと、前記パッド部と電気的に接続せずに前記第２の絶縁層の開口上に形成される自己補正用ダミー半田バンプとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ等の基板に対して、ＢＧＡ等のバンプ付き半導体素子を、半田リフロー実装する場合に、半田材料の塗布不良が少なくなって、バンプ付き半導体素子の実装位置がずれることが少ない回路基板、バンプ付き半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】バンプ付き半導体素子を実装するための複数のパッドと、当該複数のパッドから引き出された複数の配線を含む回路基板、バンプ付き半導体素子の実装構造、及び電気光学装置、並びに電子機器において、回路基板が、複数のパッド４１３ａの縦方向のピッチと横方向のピッチとが異なる領域４３５を有し、複数の配線は、複数のパッドの縦方向または横方向のいずれかピッチが広い側から引き出されており、前記複数のパッドの縦方向のピッチと横方向のピッチとが異なる領域が、前記半導体素子の底面４３３の中央付近または周辺付近に対向する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、低背化が可能で、かつ、生産性にも優れた小型の水晶発振器、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
絶縁性基体６の表主面に凹形状の第１の空間部１５が設けられ、第１の空間部１５内の絶縁性基体６の表主面上には発振回路が組み込まれた略矩形状の集積回路素子７、及び電子部品素子が搭載されており、絶縁性基体６の第１の空間部１５上面には集積回路素子７、及び該電子部品素子と電気的に接続する水晶振動素子５が収容される凹形状の第２の空間部１６が設けられ、第２の空間部１６の開口上縁部に蓋体４を載置して気密封止して成る水晶発振器において、集積回路素子７の取り付けに用いられる第１のはんだバンプ１２と第１のバンプのよりも高い融点の第２のバンプ１７が交互に集積回路素子７の絶縁性基体６側の面の周辺に沿って配置されていることにより課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｕ−Ｓｎ系半田層と接合合金化層との間の接合の信頼性に優れ、剥離を生じにくくする素子構造を提供する。
【解決手段】 発光素子１の化合物半導体層１００の第二主表面に形成される第二電極１６が、化合物半導体層１００との接合抵抗を減ずるための接合合金化層３１と、該接合金属層を通電支持体５２に接続するための半田層３４とを備える。該半田層３４には、接合合金化層３１側に配置されるとともに、Ｓｎを主成分として接合合金化層３１よりも低融点のＳｎ系金属からなるＳｎ系半田層３４ｓと、該Ｓｎ系半田層３４ｓに対し接合合金化層３１とは反対側にこれと接して配置されるとともに、３０質量％以上９０質量％以下のＡｕと、１０質量％以上７０質量％以下のＳｎとを含有し、ＡｕとＳｎとの合計含有量が８０質量％以上であって、かつ融点がＳｎ系半田層３４ｓよりも高いＡｕ−Ｓｎ系半田層３４ｍとが形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 セラミックを使用した配線基板に半導体チップをフリップチップ実装するタイプの半導体装置において、半導体チップの側面にアンダーフィル樹脂のフィレットを十分に形成して、フリップチップ接合の接続信頼性を向上、安定させる。
【解決手段】 表層配線３を被覆するセラミック被覆層８を設けたセラミック配線基板１に半導体チップ６をフリップチップ実装し、セラミック配線基板１と半導体チップ６との間にアンダーフィル樹脂７を充填した半導体装置において、セラミック配線基板１のチップ実装領域４を露出させるセラミック被覆層８の開口部８ａを、半導体チップ６の外端よりも外側に内端が位置するように半導体チップ６の外形よりも大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】 バンプの破断を防止できるとともに、はんだ近傍領域におけるボイドの残留を抑制できる半導体装置の製造方法、及びその製造方法に使用する接着剤を提供する。
【解決手段】 はんだ２が形成されている領域近傍の回路基板３には、硬化速度が遅い第１接着剤８ａを塗布し、それ以外の領域の回路基板３には、硬化速度が速い第２接着剤８ｂを塗布する（ａ）。回路基板３と、電極４にバンプ５を設けた半導体素子６とを、電極１及び電極４が対向するように位置合わせした後、ボンディング用ヘッド７を用い、はんだ２を溶融させてバンプ５とはんだ２とを接合する（ｂ）。接合直後において、はんだ２が形成されている辺縁領域での第１接着剤８ａは未硬化の状態となり、中央領域の第２接着剤８ｂは硬化状態となる。接合体を恒温槽に収納して、はんだ２の融点より低い温度で後硬化処理を行って、第１接着剤８ａも硬化させて完全な硬化物を得る（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増や大型化を招くことなく、高い気密性で電子回路素子を封止し得る電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の主面の所定領域に電子回路素子が配設された第１の基板１０と、第１の基板における一方の主面に対向して配設された第２の基板１２と、第１の基板と第２の基板との間に、第１の基板における所定領域を囲んで配設された封止部２６，４０と、封止部の側面に配設された接着層４２とを有している。 （もっと読む）

【課題】 突起電極とランドの位置ずれを生じずかつその接続部に封止樹脂が空房を生じることなく充填されて電気的接続に高い信頼性を確保できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子１を回路基板２上にフリップチップ実装し、半導体素子１と回路基板２との間に封止樹脂７を充填して成る半導体装置において、半導体素子１の電極３に突起電極４を設け、回路基板２の突起電極４を接合するランド５に、突起電極４の先端部が挿入される凹孔８と凹孔８の内部空間を側方に開放する開放溝９を形成する断続環状突部などの位置規制突部６を設け、位置規制突部６にて突起電極４の位置ずれを防止し、開放溝９にて封止樹脂７が空房を生じることなく充填されるようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来例と比べて、半導体チップに形成された電極と、基板に形成された配線パターンとの位置合わせをより正しく行うことができるようにした半導体装置の製造方法及び、半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 ＩＣチップ５に形成されてなる複数のバンプ６と、ＦＰＣ基板1に形成されてなるインナーリード２とを電気的に接続して半導体装置を製造する方法であって、
バンプ累積寸法とリード累積寸法とが一致するように、ＩＣチップ５とＦＰＣ基板1とをそれぞれ加熱し、加熱されたＩＣチップ５のバンプ６が形成された面を、加熱されたＦＰＣ基板1のインナーリード２が形成された面に対向させて、バンプ６とインナーリード２とを位置合わせする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を実装したときの耐ヒートサイクル性に優れる。
【解決手段】 多層プリント配線板１０は、第１ソルダーレジスト層３１のみの場合に比べて第２ソルダーレジスト層３２の第２開口部３２ａの内側がソルダーダムとして機能するため、１０００個以上のはんだバンプ３４がピッチ７５μｍ〜１７５μｍという高密度で形成されているにもかかわらず、はんだバンプ３４を介して半導体素子５０を実装する際に溶融したはんだが周囲に流出しにくく、はんだバンプ３４の高さを高く維持することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の表面の配線層に錫めっき等の低い温度で溶融するめっき皮膜を用いて欠陥のない皮膜を形成しようとした場合に、電子部品を低融点ロウ材を介して接続する際の熱によって、配線層の銅成分が低融点ロウ材中に拡散し、強度劣化を引き起こす。
【解決手段】ガラスセラミックスから成る絶縁基体１に、電子部品３の電極が低融点ロウ材５を介して接続される、銅を主成分とした配線層２を形成して成る配線基板４であって、配線層２のうち前記電極が低融点ロウ材５を介して接続される領域の表面に、熱処理された銅錫合金層６および熱処理された銀または金と錫との合金層７が順次形成されている配線基板４である。低融点ロウ材５を配線層２に接続する際に、配線層２中の銅成分が低融点ロウ材５中に拡散することを効果的に防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 小型化と薄型化、コスト低減と信頼性の向上を図る。
【解決手段】 各入出力電極３２と各素子実装用ランド６との接続部位及び可動子封装空間部２１を構成する絶縁樹脂層３４の形成部位とを同一箇所に設ける。犠牲層３５を残した状態で機能素子体３をパッケージ基板２に実装した後に、犠牲層除去孔１１から可動子封装空間部２１に犠牲層除去剤を充填して犠牲層３５を除去し、犠牲層除去孔１１を封止材層１３によって封止する。 （もっと読む）

【課題】加熱対象を限定されず、効率的な加熱が可能なアンダフィル装置におけるヒータユニット及びアンダフィル材の加熱方法を提供すること。
【解決手段】アンダフィリング処理において、熱カバー２１、固定レール５１、移動レール５２、ヒータボックス２３、加熱ゾーン室温保護シート６４により形成された加熱ゾーンＨＺに載置されたワークＷは、揺動機構８０により揺動されながら、干渉仕切板３２により調整された近赤外線のヒータ管３１の熱線が照射される。所定時間加熱されるとファン２５により加熱ゾーンＨＺ内が均一化される。このため、ワークＷはヒータと非接触で効率的かつ均一に加熱され、アンダフィル材は理想的に充填される。 （もっと読む）