【課題】 半田量を多くすること無く、回路基板とマザー基板間の間隔を確実に確保できる電子回路ユニットを提供する。
【解決手段】 本発明の電子回路ユニットは、回路基板１の下面において、半田盛り上がり部７に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁８が設けられため、半田盛り上がり部７が溶融されて、半田盛り上がり部７がマザー基板９に半田付けされる際、抑え壁８は、半田の横方向に広がりを抑止する作用をなして、回路基板１とマザー基板９との間の間隔を確実に確保できて、回路基板１の下面に設けられた電子部品５ｂがマザー基板９にぶつかることが無い上に、半田量の少ない半田盛り上がり部７によっても、回路基板１とマザー基板９との間の間隔を確実に確保できる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品における導電体の外部接続電極部は従来ニッケルおよび金めっき皮膜から形成されていた。しかし金皮膜のピンホールを介してニッケルが拡散し、金ワイヤボンディングの強度低下やはんだ接合においてニッケル腐食による界面破断を引き起こす要因のひとつであった。
【解決手段】 基材の表面に形成された導電体の電極形成部上に表面被覆層を備えた電極でかつ前記電極形成部の表面上にニッケルを主体とする金属膜よりなる下地層を形成し、該下地層の表面上に銀を主体とする表面被覆層を形成することで、金ワイヤボンディング性およびはんだ接合信頼性に優れた電子部品を提供できる。 （もっと読む）

【課題】加熱対象を限定されず、効率的な加熱が可能なアンダフィル装置におけるヒータユニット及びアンダフィル材の加熱方法を提供すること。
【解決手段】アンダフィリング処理において、熱カバー２１、固定レール５１、移動レール５２、ヒータボックス２３、加熱ゾーン室温保護シート６４により形成された加熱ゾーンＨＺに載置されたワークＷは、揺動機構８０により揺動されながら、干渉仕切板３２により調整された近赤外線のヒータ管３１の熱線が照射される。所定時間加熱されるとファン２５により加熱ゾーンＨＺ内が均一化される。このため、ワークＷはヒータと非接触で効率的かつ均一に加熱され、アンダフィル材は理想的に充填される。 （もっと読む）

【課題】薄型化、小型化ができ、かつ直方体形状の半導体装置を提供することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数個の半導体素子１を、実装基板３上にフェイスダウン姿勢で接合し、この半導体素子を接合した半導体素子搭載部周囲に、ダム部７を形成する。このダム部で囲まれた実装基板上に樹脂４を塗布し、半導体素子の裏面を周囲を取り囲む封止樹脂から露出するように樹脂封止する。そして、半導体素子の露出する裏面と封止樹脂を研磨する。その後、あるいは研磨した表面を保護用フィルムで被覆した後、隣接する半導体素子間の研磨した封止樹脂と実装基板、あるいはさらに保護用フィルムを切断して個片化し、ほぼ直方体形状の半導体装置を形成する。 （もっと読む）

半導体パッケージであって、実装部分及び延長部分を有するフレキシブルテープと、フレキシブルテープの実装部分に設けられた複数のアレイ状接続電極と、フレキシブルテープの実装部分に搭載された半導体チップを含んでいる。半導体パッケージは更に、フレキシブルテープの延長部分の先端に形成された高速信号用電極と、半導体チップと高速信号用電極を接続するフレキシブルテープに設けられた伝送線路を含んでいる。フレキシブルテープの実装部分にはスティフナが搭載されている。
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基板に対する熱的ストレスを抑制し、半田バンプを用いた電子部品の実装方法、取外し方法及びその装置を提供する。 半田バンプ１１４により基板３６に半田付けする電子部品（ベアチップ３２）の実装方法、取外し方法及びその装置であって、電子部品を移動させて半田バンプの基板に対する接触、又はツール（チャック部３８）の電子部品への接触を検知し、前記接触を原点に電子部品及び基板の加熱温度を上昇させ、該加熱温度を最大加熱温度ＨＴｍに到達させるとともに、前記温度上昇に合わせて電子部品を移動させ、最大加熱温度に到達した位置から電子部品を基板の実装高さに移動させる構成である。
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【課題】従来の製造方法においてアンダーフィル材料を注入することによる問題を是正することが可能な半導体パッケージ構造とその製造方法とを提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ２００は、基板２０６と、該基板上にフリップチップボンディングで配置された半導体素子２０４とを備える。半導体素子の底部表面の周辺に沿って延び、且つ半導体素子と基板との間に設けられ硬化した接着剤で形成接続構造体２１２を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 樹脂封止の信頼性の高い回路装置を提供する。
【解決手段】 絶縁樹脂膜２の一方の面に半導体チップ１を設け、絶縁樹脂膜２の他方の面に、半導体チップ１と電気的につながる導電層３を設ける。導電層３に、回路基板５と接続するための半田ボール（電極）４を設け、さらに導電層３と回路基板５との間に、電極４を埋め込むように絶縁樹脂層６を設け、回路装置１００ａを構成する。ここで、半導体チップ１の側面は、絶縁樹脂膜２で覆われている。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル材の先塗り工法を採用した際に、アンダーフィル材が配線基板に設けたフリップチップ実装用のパッド電極まで拡散しない手段を提供することを目的とする。
【解決手段】、配線基板７には、チップＩＣ用のパッド電極２が形成されている。そこで、アンダーフィル材がチップＩＣ用のパッド電極２の位置まで拡散しないように、チップＩＣ用のパッド電極２の配列の内側に沿ってアンダーフィル材を塗布する領域を囲むように溝８を形成する。溝８は、例えば、セラミック基板母材を個片の基板に分割する際に形成するブレイク溝のように、カッター、或いはレーザ加工により形成すれば良い。図１（ｂ）は、Ａ−Ａ’における断面図である。 （もっと読む）

電子モジュールは、少なくとも１つの開口（３０４）を有する不導電性の基板（３０２）と、基板の開口内に装着されたダイ／担体アセンブリ（３０６）とを有する。アセンブリは、導電性の担体（４０８）およびその担体に装着された１つまたは複数の集積回路（ＩＣ）ダイ（４０２）を有する。本発明は、回路板（ＣＢ）およびＣＢに装着された少なくとも１つのそのような電子モジュールを備える電子システムとして実装することができる。
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【課題】 半導体装置の外形寸法を拡大せずに接続端子の数を増加させる。
【解決手段】 外縁に沿って接続用の電極が列状に配置されている半導体装置において、前記電極の列を複数形成し、前記複数列の内側に配置された列の電極の高さを、外側に配置された列の電極の高さよりも高くする。
この半導体装置を基板に実装した電子装置において、前記基板には基板表面に形成された配線と、前記基板表面に絶縁膜を介して形成された配線とがあり、前記基板表面に形成された配線に、前記内側に配置された電極を接続し、前記基板表面に形成された絶縁膜上に形成された配線に、前記外側に配置された電極を接続する。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能で、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、ベース基板１２と、第１の配線１６及びその隣に配置された第２の配線１８を含む複数の配線１４とを有する配線基板１０と、第１の配線１６と接触して電気的に接続されてなり、ベース基板１２と接触する先端面２５を有するバンプ２４を有する半導体チップ２０とを含む。配線１４のピッチＰは、０＜Ｐ＜３５μｍである。配線１４の上端面の幅Ｌｔは、０＜Ｌｔ＜１０μｍである。バンプ２４の先端面２５と第２の配線１８とのギャップＧは２μｍ以上である。幅Ｌｔと、ボンディング精度に起因する位置ずれ寸法Ｋと、バンプ２４の幅Ｂとは、Ｂ＞Ｌｔ＋Ｋの関係を有する。 （もっと読む）

【課題】高さ精度に優れた高いハンダバンプを形成するのに適した方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、電極２が設けられた基板１０の上に電極２を覆うようにレジスト層１２を形成する工程と、レジスト層１２において電極２に対応する位置に開口部１１を形成する工程と、開口部１１が形成されたレジスト層１２上に、フィルム４を圧着させる工程と、レジスト層１２の開口部１１に連通する開口部４０をフィルム４に形成する工程と、レジスト層１２の開口部１１とフィルム４の開口部４０とからなり且つ電極２が露出する凹部内にフラックスを塗布する工程と、凹部にハンダ粉末を充填する工程と、ハンダ粉末を溶融させた後に固化させることにより、凹部内の電極２上にハンダバンプ５Ａを設ける工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半田バンプの高さのバラツキを最小限に抑制し、包含されるボイドを減少させて、ＩＣ等の半導体素子の実装用パッドへの実装歩留まりや、実装信頼性、耐ヒートサイクル性を向上させること。
【手段】 印刷用マスクの開口部をソルダーレジスト層の開口部よりも大きく形成し、印刷用マスクの開口部の中心とソルダーレジスト層の開口部の中心とを所定量だけずらして載置させ、または開口させると共に、これらの開口内のいずれかの位置に、ソルダーレジスト層の大きな露出部が生じるように開口させた状態で、半田ペーストを印刷用マスクの開口部から充填して、実装用パッド上に印刷し、その後、リフロー処理することによって、半田バンプを形成する。 （もっと読む）

【課題】防湿コーティング材の膨張・収縮の問題に鑑み、電極半田バンプの耐久性の向上を図る新規な技術を提案する。
【解決手段】半導体素子をインターポーザ２に実装したＢＧＡパッケージ１を基板１０に対して半田接合し、半導体素子と基板１０とを電気的に接続する構成とする、ＢＧＡパッケージ１を実装した基板１０の構造であって、前記インターポーザ２に複数配置されたランド６・６と、前記基板１０に複数配置されたランド１６・１６間は、電極半田バンプ７・７（電極７ａ・７ａ）によって電気的に接続され、前記電極半田バンプ７・７が配置されるエリアの外周には、隔壁形成用半田バンプ９・９により一連の隔壁２０が形成され、前記隔壁２０によって前記インターポーザ２と基板１０との間の隙間が塞がれる構成とし、前記隔壁２０の外周に防湿コーティング材５１が塗布される構成とする。 （もっと読む）

【課題】配線板の熱膨張率の差によって発生する半田ボールへの応力を緩和して、接続不良の発生しにくい信頼性の高いＢＧＡパッケージを提供する。
【解決手段】絶縁基板２の表面にマザーボードに対して接合するための半田ボール１７，１８をＢＧＡ状に有するＢＧＡパッケージにおいて、絶縁基板２に配置される半田ボールは、少なくとも最外周の半田ボール１７をコア部材の外周を半田材料で覆われた導電性樹脂ボールで形成し、半田ボールが配置される絶縁基板２を接続するマザーボードは、ＢＧＡ状に配置されるランド部と、該マザー基板の表面と裏面のパターンを電気的に接続するための導体回路のビアホールとを有し、マザーボードにＢＧＡ状に配置される最外周のランド部を内側のランド部より大きくすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を回路基板に固定する接着剤が半導体装置の周囲から食み出す量を規制する半導体装置及び半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置１の実装面に形成される保護膜８の周辺部に溝５又は角部の面取りを設ける。半導体装置１を回路基板１０に向けて加圧及び加熱して突起電極４を基板電極１１に接合するとき、半導体装置１と回路基板１０との間の間隙に供給された接着剤７は溶融して周囲に広がり、間隙の容積を上回る余剰接着剤７は溝５又は面取りによって確保された容積に収容されるので、半導体装置１の周囲から食み出す接着剤７の量は大幅に抑制される。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの狭ピッチ化に伴い金スタッドバンプの高さが減少しても、チップ−基板間へアンダーフィル樹脂を完全充填し、微小塵によるチップアクティブ面の損傷を防止できるフリップチップ接続方法を提供する。
【解決手段】 PO−SRmax-10≦Fmax≦PO-SRmaxかつPO-SRmax-15≦Fave≦PO-SRmax〔単位μｍ、Fmax：最大フィラー粒径、Fave：平均フィラー粒径、PO：チップパッド開口幅、SRmax：ソルダレジスト層最大厚さ〕を満たすフィラー粒子を含有するアンダーフィル樹脂を、基板上のフリップチップ接続予定位置に滴下して樹脂液丘とし、その上から半導体チップを押し付けて樹脂液丘を押し広げつつ、チップ−基板間に挟持したフィラー粒子をスペーサとしてチップ−基板間を所定間隔に保持し、アンダーフィル樹脂を硬化させ、チップスタッドバンプと基板はんだバンプを接合する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、通常サイズのスルーホールを用いつつ、端子間隔の狭いＢＧＡ等ＩＣパッケージをプリント基板に実装可能にすることを課題とする。
【解決手段】格子状に配列された複数の接続端子を持つＩＣパッケージを搭載するプリント基板であって、前記パッケージの接続端子を接続する複数のランドと、このプリント基板を貫通して前記ランドからこのプリント基板の反対側面まで導線を導くスルーホールと、前記スルーホールのうち前記ランドと同じ面側の周囲に設けたスルーホール上部ランドを有するとともに、周囲を複数のランドで囲まれた前記スルーホールを、前記スルーホール上部ランドと接続する同電位のランド寄りに偏心させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ等の基板に対して、ＢＧＡ等のバンプ付き半導体素子を、半田リフロー実装する場合に、半田材料の塗布不良が少なくなって、バンプ付き半導体素子の実装位置がずれることが少ない回路基板、バンプ付き半導体素子の実装方法、およびそのような回路基板を使用した電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】バンプ付き半導体素子を実装するための複数のパッド４１３ａと、当該複数のパッドの各々から引き出される複数の配線４１１を含む回路基板において、回路基板には複数のパッドが配置されたブロック４３５が複数配置されており、複数のブロックは、各々縦方向のパッドのピッチと、横方向のパッドのピッチとが異なってなり、複数のブロック間には間隙が形成されており、複数の配線は、ブロック内の複数のパッドの縦方向または横方向のいずれかピッチが広い側から引き出され、或いは複数の配線の少なくとも一部は間隙から引き出される。 （もっと読む）