【解決手段】 本発明のプリント配線基板は、縁フィルムと、該絶縁フィルムの表面に形成された配線パターンと、該配線パターンのインナーリードおよびアウターリードからなる端子部分が露出するように形成されたソルダーレジスト層とを有するプリント配線基板であって、該ソルダーレジスト層が、インナーリード側ソルダーレジスト層と、アウターリード側ソルダーレジスト層とに区分けして形成されたおり、該インナーリード側ソルダーレジスト層が、難燃性を有すると共に該プリント配線基板に実装される電子部品の封止樹脂に対して高い親和性を有する樹脂組成物(１)から形成されており、該アウターリード側ソルダーレジスト層が、難燃性を有すると共に、上記樹脂組成物(1)から形成された
インナーリード側ソルダーレジスト層よりも軟質であり、かつ該電子部品の封止樹脂に対する親和性が低い樹脂組成物(2)により形成されてなることを特徴としている
【効果】 本発明によればPDP用として特に好適なプリント配線基板及び半導体装置が
得られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップが配線基板に電気的接続された半導体装置であって、分解が容易でリペアやリサイクルに有利で、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップ上に形成された電極および配線基板上に形成された電極を真空または電極と反応しないガスを封止した枠構造を用いて封止することによって、封止樹脂を用いることなく、これらの電極が酸素や水分からの攻撃により劣化することを防止し、さらに、半導体チップ上に形成された電極と配線基板上に形成された電極とを接触により電気的接続を達成することによって、分離可能性を向上させる。 （もっと読む）

複数の光感知素子パッケージが提供される。パッケージは基板の単位基板部分上に形成され、夫々が少なくとも一つの光感知半導体台を含む。基板は所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成され、夫々の単位基板部分には前面表面とその対向側の背面表面が提供される。夫々の光感知半導体台は背面表面に衝突し、それを通過する光を収容するために一つの単位基板部分の前面表面に対向する少なくとも一つの光感知領域を定義する。また、複数のレンズハウジングが基板上に提供され、それらのレンズハウジングは、一つの前記単位基板の前記光感知半導体台と光学的に整列されて配置される少なくとも一つのレンズ要素を含む。複数の光パッケージは単位基板部分を互いに分離するように基板をダイシングすることで形成される。 （もっと読む）

【課題】
接合不良の発生がなく、且つ接合強度も高い常温下におけるフリップチップ実装方法を提供することにある。
【解決手段】
第１工程（Ｉ）で半導体チップ１の電極２の表面にＡｕスタッドバンプ３を形成し、次の第２工程（II）で半導体チップ１をアニールし、第３工程（III)では半導体チップ１のＡｕスタッドバンプ３及び実装基板６に形成されたＡｕメッキ層７ａを表面に形成した薄膜の電極７に高周波プラズマを照射して夫々の表面を活性化する。そして最終の第４工程（IV）では、常温の雰囲気で実装基板６の電極７と半導体チップ１のＡｕスタッドバンプ３とを圧接して接合する。 （もっと読む）

【課題】 パッケージの小型化、薄型化を図るとともに半導体チップとリードとの電気抵抗を低減し、しかも製造工数を削減することが可能なリードレスパッケージ型半導体装置を提供する。
【解決手段】 平面配置された複数個の半導体チップＭＣ１，ＭＣ２の各一方の面に設けられた電極Ｄ１，Ｄ２に直接接続される共通外部電極ＴＤと、半導体チップＭＣ１，ＭＣ２の各他方の面に設けられた電極Ｇ１，Ｇ２にそれぞれ直接接続される個別外部電極ＴＧ１，ＴＧ２と、これら外部電極ＴＤとＴＧ１，ＴＧ２で挟まれる領域に充填されて複数の半導体チップＭＣ１，ＭＣ２を封止する封止樹脂Ｒとを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板などから取り出すことなく、個々の半導体チップを所望の基材に対して所定の位置となるように再配置することを可能とする半導体部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基材１１と、基材１１の一方の面１１ａに等間隔に配されたアンテナ１２、１２、・・・と、アンテナ１２、１２、・・・のそれぞれに電気的に接続された半導体チップ１３、１３、・・・と、を備えた半導体部品１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】封止部材およびプラスチック基板間の密着力が強い半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の配線が設けられた多層構造のプラスチック基板１と、はんだ材を用いて前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップ２と、該半導体チップを前記プラスチック基板に密着させる封止樹脂からなる封止部材８とを含んでなる半導体装置であって、前記プラスチック基板中に金属プレーン層９が設けられる。 （もっと読む）

【解決手段】複数の電子デバイスを製造する方法が提供される。デバイスウエハ上に形成された複数の集積回路上の複数の第１の導電性端子のそれぞれが、キャリアウエハ上の複数の第２の導電性端子のそれぞれと連結して、コンビネーションウエハアセンブリを形成する。コンビネーションウエハアセンブリは、分離した電子アセンブリを形成する複数の集積回路の間において、複数の集積回路の間でシンギュレートされる。電子アセンブリはそれぞれ、デバイスウエハの分離した部分からの個別のダイ、およびキャリアウエハの分離した部分からのキャリアウエハを有する。複数の電子アセンブリを製造するプロセスは、ウエハレベルで、すなわち、シンギュレーションの前に、複数のダイがキャリアウエハに連結され、単純化され、コストが低減される。また、コンビネーションウエハアセンブリは、アンダーフィル材料の導入、ウエハレベルでの硬化、および分離した支持ウエハを必要とせずにウエハレベルでのデバイスウエハの薄層化を可能とする。デバイスウエハとキャリアウエハとの間の位置合わせは、デバイスウエハとキャリアウエハのそれぞれの中の第１の導電体と第２の導電体を通る電流を伝導することにより試験される。
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【課題】 基板のソルダーボールの形成方法及び基板を提供する。
【解決手段】 基板の導電性パッドにエッチングを進めるが、導電性パッドの厚さの５０％よりは大きく、１００％よりは小さい深さで導電性パッドをエッチングし、エッチングが進められた導電性パッドにソルダーボールを形成することを特徴とする基板のソルダーボールの形成方法である。また、導電性パッドは、銅でありうる。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して半導体チップと実装基板または半導体チップ同士を接続する際、ボンディング工程中にバンプの接触状態および接合状態を検査可能な半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関するものである。
【解決手段】複数のバンプ１１が設けられた半導体チップ１０と複数のバンプ２１が設けられた半導体チップ２０とを、バンプ１１，２１側を対向させて半導体チップ１０と半導体チップ２０とを離間した状態で対向配置した後、半導体チップ１０に向けて半導体チップ２０を押圧することで、対向するバンプ１１，２１を接触させる第１工程と、バンプ１１，２１を接合する第２工程とを有し、全ての工程について半導体チップ２０に係る荷重をモニタリングすることで、バンプ１１，２１の接触状態および接合状態を検査することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 超音波併用熱圧着にて安定した良好な接合を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ウェハの裏面を研削した後、ウエットエッチングを行って、チップを超音波を用いた被接合体へ接合するときに超音波の振動方向に沿った表面粗さがチップ間で実質的に同一となるようにした後、超音波併用熱圧着を行ってリードフレームにチップを金ボールバンプを介して接合する。 （もっと読む）

はんだ球、はんだボール、はんだ粉末、はんだプリフォーム、はんだの何らかの他の適切な材料もしくは形状またはそれらの組合せなどの、通常のはんだ構成要素および被覆組成物を含むはんだ材料が、製造されており、本明細書に記述される。本明細書で記載されるはんだ構成要素および／または材料は、ａ）はんだ構成要素を用意すること、ｂ）被覆前駆体材料を用意すること、ｃ）溶媒を用意すること、ｄ）被覆前駆体材料が実質的に溶媒和されるように、被覆前駆体材料および溶媒をブレンドして被覆組成物を形成すること、およびｅ）はんだ構成要素に対して被覆組成物を塗布しまたは組合せること、によって製造できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立てにおいてフリップチップ接続の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５において複数のフリップチップ用端子５ｅの列の端部にダミー端子５ｄが設けられていることにより、フラックスや半田の流れをダミー端子５ｄによって抑制して複数のフリップチップ用端子５ｅ上に半田層４を形成することができ、これにより、フリップチップ用端子５ｅに近接して設けられたワイヤ接続用端子５ｆに半田を付着させることなく、各フリップチップ用端子５ｅ上に形成する半田層４の厚さを十分に確保することができ、その結果、フリップチップ接続の信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

基板（３）と基板（３）の表面（８）に形成されている信号処理回路（４）とを有する集積回路であって、基板表面（８）に少なくとも一つの孔（１３）を有する保護層（１２）が設けられており、孔（１３）を介して第二のコンタクトパッド（１４）が第一のコンタクトパッド（９）に電気的及び機械的的に接続され、第二のコンタクトパッド（１４）の高さは少なくとも１５μｍであり、横方向に孔（１３）を越えてすべての側に突出し、リング状に閉じている重複領域（ｚ）により保護層上に置かれ、重複領域（ｚ）は重複部分（ｗ）の一定幅である２μｍと１５μｍとの間であり、そして、信号処理回路（４）の少なくとも一つの素子、そして、好ましくは、信号処理回路（４）の一つのキャパシタ（５）のみが第一のコンタクトパッド（９）と対向して設けられている。
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【課題】 配線基板上の電子部品が、接続信頼性に優れ且つ高密度実装化に適した構造で実装されている電子回路装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品１の実装面には、不図示の配線パターンが形成されるとともに外周縁部の接続用電極のそれぞれに半田ボール３が設けられている。これらの半田ボール３は、配線基板２上に設けられた対応する接続用電極と電気的に接続されている。電子部品１がモジュール化されたマルチチップモジュールなどである場合には、必要に応じてその表面側に複数の素子４が搭載される。電子部品１の実装面の所定位置には、例えばコンデンサなどの素子が適当な数だけ設けられており、このような素子がスペーサ部材５としての機能を兼ねる。半田ボール数の減少に伴って省スペース化を図ったり、あるいは空きスペースに半田ボールの高さ未満の厚みをもつ素子を搭載などして電子部品の高密度実装化を図ることもできる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップとＩＣチップに電気的に接続された電気回路を備えた電子装置において、その製造コストを低減できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＣチップ２と電気回路３とを備えた電子装置１の製造方法であって、導電性材料を含むシートを打ち抜き加工して、電気回路３を形成する工程と、ＩＣチップ２の端子部分と電気回路３の端子部分とが接するように、ＩＣチップ２を電気回路３上に配置する工程と、ＩＣチップ２が配置された電気回路３を絶縁シートで覆い、真空ラミネート処理で密封して、ＩＣチップ２の端子部分と電気回路３の端子部分を圧接し、ＩＣチップ２と電気回路３を絶縁保護する工程と、を含む電子装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】接合不良や絶縁特性の劣化を招くことなく高品質の半田接合部を得ることができる半田付方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半田バンプ７が形成された電子部品６を基板に搭載する電子部品搭載方法において、半田濡れ性の良好な金属粉１６を含んだフラックスの薄膜が形成されたフラックス転写ステージにバンプ７を押しつけ、バンプ７の下端部の表面に酸化膜７ａを突き破って金属粉１６を食い込ませておき、この状態のバンプ７を基板１２の電極１２ａに位置合わせして搭載する。これにより、加熱によりバンプ７が溶融した溶融半田を金属粉１６の表面を伝って濡れ拡がらせて電極１２ａに到達させることができ、したがって接合不良や絶縁特性の劣化を招くことなく高品質の半田接合部を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディング前後の位置ずれを自動的に補正し、高精度のフェースダウンボンディングを行うことができるボンディング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ボンディング装置は、半導体チップ８のバンプ形成面と、開口５１を有する回路基板５を撮影する上下二視野カメラ３と、基板搭載部１の下方に設置され、基板搭載部１上に搭載された回路基板５の開口５１を含む領域を撮影する下方カメラ４を含む。ボンディングヘッド２を移動させてボンディング処理を行った後、下方カメラ４によって、回路基板５にボンディングされた半導体チップ８の位置補正用パターンを撮影する。そして、位置補正用パターンの位置情報を用いて、ボンディング誤差を演算し、このボンディング誤差を用いて、ボンディング時のボンディングヘッド２の移動量を補正する。 （もっと読む）

【課題】電極又はリードの間隔の狭小化を防止することができる半導体装置及び電子機器を提供することにある。
【解決手段】半導体装置は、電極１２を有する半導体チップ１０と、リード２２が形成された基板２０と、電極１２とリード２２との接合部３０と、を有する。接合部３０は、共晶合金３２を含む。電極１２のリード２２に対する接合面と、リード２２の電極１２に対する接合面とは、異なる大きさを有するように形成されている。共晶合金３２を含む接合部３０の外形は、電極１２及びリード２２のうち接合面の大きい方の外形と同等又はそれより小さく形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】脆く延性に乏しい材質の半田バンプに対応した適正組成の補強樹脂によって樹脂封止された電子部品実装構造を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品の電極と樹脂基板の電極とを半田バンプによって接続するとともに、電子部品と樹脂基板との間に補強樹脂を充填して両者を接着する電子部品実装構造において、線膨張係数が１０ｐｐｍ〜３０ｐｐｍであり、且つ曲げ強さが１００Ｍｐａ以上ような物性を備えた樹脂材質を補強樹脂として採用する。これにより、補強樹脂の外縁部の高応力領域での電子部品と補強樹脂との口開きを防止するとともに補強樹脂の熱変位を抑制して、脆く延性に乏しい材質を用いた場合にあっても半田バンプの破断を有効に防止することができる。 （もっと読む）