【課題】 バンプの高さのばらつきを小さくすることが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】 電解めっき時に電流を複数の導体配線３，３ａ〜３ｃに印加するための複数のめっき用配線５，５ａ〜５ｃが製品領域外Ｆに形成される配線基板１であって、各導体配線３，３ａ〜３ｃに、半導体チップと接続するためのバンプ６が電解めっきにより形成され、各めっき用配線５，５ａ〜５ｃの配線長を各導体配線３，３ａ〜３ｃの配線長に対応して設定することにより、各めっき用配線５，５ａ〜５ｃから各導体配線３，３ａ〜３ｃのバンプ６形成領域までの配線長を同程度にする。これにより、バンプ６形成時のめっき成長速度が均一化される。 （もっと読む）

【課題】厚膜回路基板において、絶縁性の基板上に銅導体ペーストの焼成により銅導体膜を形成する際、銅導体ぺ一ストは銅粉末にマンガンなどの粉末を分散させていたので、銅導体膜がポーラスな構造となり易かった。
【解決手段】混成集積回路装置は、絶縁性の基板１０と、基板上に形成され銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペースト２１Ａ及び２２Ａを焼成して成る銅導体膜２１及び２２とを含む厚膜回路基板２５と、銅導体膜上にはんだ３５及び３６によりはんだ付けされた電子部品３８とから成る。厚膜回路基板において、銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペーストを焼結して形成された銅導体膜２１及び２２は緻密な構造を持つ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と回路基板との間の接続部位におけるショートの防止。
【解決手段】端子電極２を有する半導体装置１００が、入出力端子電極８を有する回路基板９に実装され、端子電極２と入出力端子電極８とが対向配置されて電気接合層１３を介して電気接続されている。ＩＣ基板１の一面１ａに設けられた端子電極２と、一面１ａに設けられたパッシベーション４と、パッシベーション４を覆う保護膜５とを有する。端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。電気接合層１３は、その周囲が凹部４５によって囲まれることで周囲への流出が阻止される。
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【課題】 十分に信頼性の高い理想的な接合状態を得るのに最適な半田バンプを有する半導体部品の実装方法および実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半田バンプ２６ａを有する半導体部品２６および半田バンプ４２ａを有する基板４２を加熱し、半田バンプ２６ａ、４２ａの一端部を凹凸を有するステージに押圧して塑性変形させ、十分な面積の新生面を形成する。前記新生面にフラックス塗膜３２を転写して塗布する。半導体部品２６の半田バンプ26ａを基板４２の半田バンプ４２ａの上に載置して、半導体部品２６を基板４２に搭載する。半導体部品２６および基板４２を加熱して半田バンプ２６ａ、４２ａを溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】 常温接合の接合強度を向上させた実装方法を提供する。
【解決手段】 常温環境において、基板面に対して垂直方向の荷重Ｆ１をシリコンチップ１に印加するとともに、基板面に対して水平方向の荷重Ｆ２をシリコンチップ１の一端側から印加することで、金スタッドバンプ部３と導電部５との接合面には基板面に対して垂直方向の荷重と水平方向の荷重とが印加され、金スタッドバンプ３は導電部５に対して水平方向に変位しながら導電部５に接合（Ａｕ／Ａｕ接合）する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップと回路基板との間隙に充填する樹脂材料の浸入性を向上させ、ボイドの発生や樹脂材料の未充填現象を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 バンプ３が設けられた半導体チップ１を、バンプを介して回路基板４に接合した後に、樹脂塗布ノズル８により液状樹脂９を供給し、半導体チップと回路基板との間隙に液状樹脂を充填する半導体装置の製造方法において、樹脂塗布ノズルを振動させながら樹脂材料を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、コアを有さないインターポーザと、プリント基板各々が異なる膨張係数であっても、周囲の温度変化のストレスによる破壊及び破断を、従来例に比較して低減させられる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、該半導体素子を実装する線膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以上のインターポーザ１とを半田バンプ３により接続し、前記半導体素子及びインターポーザの間と、半田バンプの間隙とに充填樹脂５を充填して硬化させた半導体装置であって、前記充填樹脂のガラス転移点の温度が１００℃〜１２０℃であり、１２５℃における弾性率が０.１ＧＰａ以上であり、かつガラス転移点以下における線膨張係数α1が３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板本体の表面に気泡の少ないハンダバンプを介して電子部品を確実且つ強固に実装し得るフリップチップ型の配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体２の表面に導体のパッド６を形成する工程と、パッド６の上に該パッド６を構成する導体の融点よりも低融点の合金粉末を含む導電性ペースト８を形成する工程と、導電性ペースト８を加熱してハンダバンプ９に形成するリフロー工程と、を含み、係るリフロー工程は、パッド６と導電性ペースト８とを、０．５ｄｅｇ℃／秒以下の昇温速度により昇温し且つ低融点合金の融点±１０℃の温度帯で予熱する予熱ステップＳ１，Ｓ２と、かかる予熱ステップの後に、上記導電性ペースト８を溶融させるべく、上記低融点合金の融点よりも１０℃乃至３０℃高い温度に加熱することにより、上記導電性ペースト８をハンダバンプ９に形成する加熱ステップＳ３，Ｓ４と、を有する、配線基板１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 チップ間を樹脂封止することができる補強バンプ構造を備え、信頼性の高い半導体チップを提供する。
【解決手段】 子チップ１０１および親チップにおいては、子バンプ１０２が設けられた領域と子チップ１０１の周縁部との間に封止樹脂１０４の流路を設けることにより、封止樹脂の流入速度をほぼ均一にすることができる。このため、封止樹脂１０４内におけるボイドの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 超音波振動を半導体チップに印加して半導体チップと基板とを接合する半導体チップの接合方法および接合装置において、低コストかつ短時間で有効なレベリング行って、半導体チップと基板との接合性を高めることが可能な、半導体チップの接合方法および接合装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップ６のバンプ６ａと基板４のパッド４ａとを位置決めして当接させる位置決め工程と、第一所定周波数の超音波振動を半導体チップ６に印加することで、半導体チップ６のバンプ６ａと基板４のパッド４ａとを擦り合わせて、バンプ６ａの形状をレベリングするレベリング工程と、前記第一所定周波数とは異なる第二所定周波数の超音波振動を、半導体チップ６に印加することで、半導体チップ６および基板４のバンプ６ａとパッド４ａとを接合する接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実装基板と半導体チップとの隙間にボイドが発生しないようにアンダーフィル樹脂を充填する。
【解決手段】 研磨機を用いて実装基板１６上に形成されたソルダレジスト２０の表面２０ａを研磨して表面凹凸部分を除去する。そのため、ソルダレジスト２０の表面２０ａは、見かけ上平坦化されており、アンダーフィル樹脂２２が流れやすくなり、アンダーフィル樹脂２２の充填速度が表面凹凸部分によって変化することが防止される。研磨されたソルダレジスト２０の表面２０ａには、例えば、微細な複数の溝からなる直線状の研磨痕４４が形成される。この微細な研磨痕４４は、アンダーフィル樹脂２２を充填する際にアンダーフィル樹脂２２の流れ方向を規制することによりボイドの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板と電子部品とに挟まれた空間に絶縁接着剤を抽入し、基板と電子部品との固定を強化する電子部品固定構造および電子部品製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１とＢＧＡ２とに挟まれた空間３に接着剤４が充填され、基板１とＢＧＡ２とを電気的に接続するバンプ電極３Ｂ、ハンダボール３Ａの固定状態を強化する電子部品固定構造において、空間３に面する基板１または空間３に面するＢＧＡ２０に接着剤４を抽入する貫通孔１Ａ，２Ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】 大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができ、導体パターンを高密度に形成しても、断線を防止することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板に半導体素子が搭載された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 接続端子４を一体的に有する導体パターン３を備える配線回路基板１において、接続端子４には、接続側の表面に、接続端子４の幅方向の中央部において、その長手方向にわたって凸部５を設ける。接続端子４とバンプ１４とは、圧着（熱圧着）により、凸部５をバンプ１４に減り込ませて接続する。この接続では、接続端子４の基部６がバンプ１４に減り込まなくても、凸部５のバンプ１４に対する減り込みにより、これらを接続することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高速伝送、多層化対応を図り、半導体チップ設計の制約を減らす。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも２つの積層された半導体チップ１，２と、半導体チップ１，２同士を電気的に接続する接続構造とを有している。接続構造は、第１の半導体チップ１に設けられた第１の電極１１と、第２の半導体チップ２に設けられた第２の電極２１と、第１、第２の半導体チップ１，２の間に挟まれた接合ボード５とを有している。接合ボード５は、第１の電極１１と対向する第１の接続電極５２と、第２の電極２と対向する第２の接続電極５３と、接合ボード５を貫通するスルーホール５４と、スルーホール５４と第１、第２の接続電極５２、５３とを電気的に接続する配線５５，５６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】表面実装型の電子部品とそれを実装する基板上に設けられた配線電極とをＳｎ−Ｚｎ系鉛フリー半田材で接合する半導体装置において、半田材による接合品質を向上させる。
【解決手段】電子部品１における基板３との対向面上に、複数の電極端子２を設け、基板３の主面上における各電極端子２と対向する領域に、凹凸形状を有する複数の配線電極４を設けることにより、電子部品１を基板３上に実装後の接合部に生成する金属間化合物層を凹凸に形成させ、発生する応力を金属間化合物層以外に分散させる。 （もっと読む）

【課題】ダイと対応するデバイス・パッケージ又は基板との間のボンディング強度を高める。
【解決手段】金属面１２７を含む１つ以上のボンディング領域を有するダイ１１０と１つ以上のボンディング領域１２９を有するパッケージ１０２とを高強度でボンディングするために、少なくとも所定のボンディング領域上にボンディング材料１２８を設け、ダイの１つ以上のボンディング領域が、パッケージの１つ以上のボンディング領域と位置が合うように、ダイ及びパッケージを整列し、ダイとパッケージとの間に、ボンディング材料の１グラム累積当たり少なくとも２５０００Ｋｇの力を加える。これにより、ボンディング強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電極パッドにＵＢＭ膜を介してバンプを形成したベアチップを実装基板にフリップチップ接合した半導体装置について、その実装工程でＵＢＭ膜に生じたクラックを非破壊検査で検知する接合部検査方法を提供する。
【解決手段】ベアチップ１の裏面に配した電極パッド（Ａｌパッド）２に、ＴｉＷ等のバリアメタル８とＡｕメッキ層９を積層したＵＢＭ（Under Bump Metal）膜１０を介してバンプ３を形成し、フェイスダウンで実装基板４にフリップチップ接合した半導体装置について、その実装工程で加わる加圧，超音波振動などのストレス荷重によりＵＢＭ膜に生じたクラックを検知する手段として、ベアチップのＳｉ基板側から赤外線を照射して前記電極パッドの裏面を赤外線顕微鏡１３で観察し、その光学画像上で識別される電極パッドに生成した金属間化合物（クラックを通してバンプ側から電極パッドに拡散して生成したＡｕ／Ａｌ合金層）の像からＵＢＭ膜に発生したクラックの有無，およびその発生状況を検証する。 （もっと読む）

【課題】 エリアアレイ型電子部品を、電気的に接合される電子回路基板の接合位置に対して高精度に位置決め可能にする。
【解決手段】 電子回路基板１は、エリアアレイ型電子部品４の突起電極６に接続される複数個の電極ランド２を有し、最外周の少なくとも４隅に他の電極ランド２に比較して大きなアライメントランド２ａを設ける。一方、エリアアレイ型電子部品４は前記アライメントランド２ａに接合される低融点のはんだ材料からなるアライメント電極５を有し、それ以外の突起電極６を高融点のはんだ材料で構成する。リフローはんだ付け工程において、電子回路基板１とエリアアレイ型電子部品４間で、融点の差により、前記低融点のはんだ材料が先に溶融し、この優先溶融はんだ７の表面張力の作用により、エリアアレイ型電子部品４の接合位置決めが行われる。 （もっと読む）

【課題】 配線基板にバンプを形成し、接合する半導体チップのフラックス洗浄を不要とし、応力がかかっても部品側や配線基板側には影響が及び難い部品実装配線基板、および配線基板への部品の実装方法を提供すること。
【解決手段】 配線基板２１には、銅メッキ膜をエッチングした円錐台形状の銅核２６とそれを覆う球殻状の半田２７とからなるバンプを設ける。半導体チップ１１には、接合パッドとその周縁部に、銀の超微粒子が分散されたペーストによる導電性膜を形成し、耐食性付与のメッキ膜を形成して接合パッド１８とし、それを覆って一面にフラックス樹脂膜１９をペースト状として塗布する。半導体チップ１１を配線基板２１に位置合わせして加熱し、半田２７をリフローさせ、フラックス樹脂膜１９を垂れ下がらせ完全硬化させて実装する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、液状樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に回路面にはんだ電極を有する半導体チップを封止する半導体装置及び表示素子の製造方法において、良好なはんだ接続性と高信頼性を同時に満足する半導体装置及び表示素子を得ることである。
【解決手段】 常温で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂（Ａ）、１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基と少なくとも１個の芳香族カルボキシル基を有する硬化剤（Ｂ）、及びフェノール性水酸基を１分子あたり3個以上有する硬化剤（Ｃ）を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）