【課題】固体装置と半導体チップとの間の電気抵抗を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と半導体チップ３とを備えている。配線基板２は、金属からなる接続パッド１０が突出して形成された接続面２ａを有しており、半導体チップ３は、金属からなる突起電極１３が突出して形成された機能面３ａを有している。半導体チップ３は、機能面３ａを接続面２ａに対向させて、機能面３ａと接続面２ａとの間に所定間隔Ｄ３を保持して接合されている。接続パッド１０と突起電極１３とは、接続パッド１０および突起電極１３より固相線温度が低い低融点金属を含む接続部材１５により接続されている。機能面３ａと接続面２ａとの対向方向において、接続パッド１０の高さＤ１と突起電極１３の高さＤ２との和は、所定間隔Ｄ３の２分の１以上である。 （もっと読む）

【課題】実装の高密度化、部品の小型化及び部品の配置間隔の狭ピッチ化等に対しても、十分な接合強度をもって対応でき、しかも部品間接合の熱的信頼性を向上させ得る封止材料、はんだ付け用フラックス及びはんだペーストを提供する。
【解決手段】封止材料は、接着性樹脂と、硬化剤と、無機粉末または有機粉末の少なくとも一種とを含有する。この封止材料を用いて、電子部品、半導体チップまたは電子回路モジュールを、部品搭載基板、チップ搭載基板またはマザー基板に接合する。同様のはんだ付けフラックス及びはんだペーストが提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板をヘッダなどにＳｎ系Ｐｂフリー半田を用いて半田接合する際に、充分な接合寿命を保証できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 まず、半導体基板１の形成面Ｓに形成された図示しない自然酸化膜を除去するために、半導体基板１の形成面Ｓの逆スパッタリングを行う。次に、半導体基板１の形成面ＳにスパッタリングによってＡｌ層２、Ｔｉ層３、Ｎｉ層４を形成する。さらに、Ｎｉ層４上にスパッタリングによって例えば厚さ３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の図示しないＡｕなどからなる保護膜を形成する。その後、窒素雰囲気の石英管熱処理炉にて熱処理を行うことによってＴｉ層３とＮｉ層４との界面に半田バリア層としてのＴｉ−Ｎｉ層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 BGAパッケージのパッドの径に対するプリント配線板のパッドの径の最適化を図り、プリント配線板に曲げストレスが印加された時のはんだ接合の信頼性を確保することができるBGAパッケージの実装構造を提供する。
【解決手段】 電子部品と、その端子となるはんだボール６を取り付ける取付けパッド５とを有するＢＧＡパッケージ１０を、プリント配線板７に設けたパッド８に上記はんだボール６を接合して実装するＢＧＡパッケージの実装構造において、上記プリント配線板７への曲げストレスの印加時に、上記ＢＧＡパッケージ１０側及びプリント配線板７側のパッド５、８にそれぞれ発生する相当応力の差が所定の範囲となるように、上記ＢＧＡパッケージ側パッド５の径に対するプリント配線板側のパッド８の径を設定した構成とする。 （もっと読む）

【課題】突起電極が十分な強度を有すると共に、生産性に優れた半導体チップ、並びにこのチップを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置２は、半導体基板１０の表面にアルミニウム（Ａｌ）を含む配線層１１を有すると共に、この配線層１１の表面に金（Ａｕ）またはＡｌを含む外部引出電極１２を有する半導体チップ１が複数積層された構造を備えている。このＡｌを含む外部引出電極１２を有する半導体チップ１は、Ａｌを含む外部引出電極１２の表面にＡｕを含む突起電極１５をさらに有している。ＡｕまたはＡｌを含む外部引出電極１２は、配線層１１に直接に接合され、突起電極１５は、他の半導体チップ１のＡｕを含む外部引出電極１２に対して超音波圧着により接続されている。 （もっと読む）

【課題】 放熱特性を確保しながら、実装信頼性を向上できる半導体素子用の電気回路基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１上に、半導体素子６のリード端子に応じて設けられた信号端子２を設ける。絶縁基板１上に、半導体素子６の放熱部８に面する位置に、はんだ付着が可能な複数のはんだ付着部３を設ける。各はんだ付着部３間に、はんだ非付着部５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、接合不良を評価できるようにする。
【解決手段】 半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１ａ，２１ｂの当接部位の少なくとも一部分に、前記電極１５，１６を形成しない開口窓３０を形成し、前記電極１５，１６と金バンプ電極２１ａ，２１ｂとの接合部を確認可能とする。そして、前記開口窓３０には、金よりも拡散速度が遅い材料で、金属薄膜３２を形成しておく。したがって、完全に接合すると、金属薄膜３２の材料がバンプ電極２１ａ，２１ｂ中に熱拡散し、開口窓３０は金色に見える。 （もっと読む）

【課題】 半田バンプ付き半導体接合における、接合タクトの問題、フラックス使用による問題、熱硬化性樹脂の注入に関する問題、信頼性の低下問題を解決することを目的としている。
【解決手段】 少なくとも、熱硬化性樹脂７を予め基板２に供給する工程と、該熱硬化性樹脂７上に半田バンプ付き半導体１を供給する工程と、非接触の熱源９による局部加熱で前記半田バンプ付き半導体１を加熱して半田バンプ３を溶融させ基板２上の電極４と接合を行なう工程を有する半田バンプ付き半導体接合方法とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ＩＣチップの実装不良を低減する。
【解決手段】カメラモジュールは、フレキシブル基板、ＣＣＤカメラユニット、コネクタ、リジッド基板６を備える。リジッド基板６に、実装エリア６ａを形成する。実装エリア６ａに、接続層１１、絶縁層１２、カバーレイ層１３を形成する。接続層１１の第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄを、ＩＣチップ９の４側面に沿って形成する。第１,第３接続層１１ａ,１１ｃにそれぞれ７個のランド１５を、第２,第４接続層１１ｂ,１１ｄにそれぞれ８個のランド１５を形成する。これら複数のランド１５を、第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄ上においては互いに接続することなく、それぞれ独立して形成する。絶縁層１２は、第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄ及びカバーレイ層１３よりも突出して形成されている。絶縁層１２に、断面が円形状の凹部１６を所定のピッチで２５個形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、接合不良を評価できるようにする。
【解決手段】 半導体チップ１０側には、半導体層１２，１３とオーミックコンタクトされている電極１５，１６におけるバンプ電極２１の当接部位の少なくとも一部分が周囲とは電気的に切離されたテスト用電極２３を形成し、そのテスト用電極から引出しラインを引出し、引出し電極に接続するとともに、実装基板２０側には、前記引出し電極に対向するテスト用パッドを設け、該テスト用パッド上にテスト用バンプ電極を形成する。したがって、実装基板２０側のパッドとテスト用パッドとを経由して、実装基板２０に形成した回路パターン側から、電極１５，１６とバンプ電極２１との接合部を、非破壊で、電気的に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】接続媒体溜りの位置をコントロールすることができるとともに配線間隔が狭い場合であっても端子間隔を十分に確保することができ、また容易により端子を形成することができるフリップチップ実装半導体装置の製造方法及びフリップチップ実装半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装半導体装置１は、インターポーザ基板２上に、幅が一方から他方にかけて徐々に小さい複数の端子６と、端子６の少なくとも一方の端部にそれぞれ連設された配線７とを形成する工程と、端子６上にそれぞれ半田層を形成する工程と、半田層を溶融させて、端子６上に半田溜りを形成する工程と、半導体チップ３に設けられた複数の突起状電極を、半田溜りを介して端子６にそれぞれ電気的に接続するとともに固定する工程とを含む方法により形成される。 （もっと読む）

【課題】比較的に簡単に回路チップパッケージのみを取り外すことができる回路チップパッケージの取り外し方法を提供する。
【解決手段】取り外し治具２１はプリント回路基板１２上に搭載される。傾斜面３５、３６の前進は、プリント回路基板１２および回路チップパッケージ１３の間に配置される固体のはんだバンプ１４で受け止められる。プリント回路基板１２に熱が加えられる。はんだバンプ１４は溶融する。傾斜面３５、３６の前進の規制は取り払われる。はんだバンプ１４の溶融に応じて傾斜面３５、３６は前進する。プリント回路基板１２および回路チップパッケージ１３の間に傾斜面３５、３６は滑り込む。こうした取り外し方法によれば、はんだバンプ１４が完全に溶融した後に、回路チップパッケージ１３にはプリント回路基板１２の表面に垂直方向に持ち上げ力が加えられる。比較的に簡単に回路チップパッケージ１３のみが取り外されることができる。 （もっと読む）

【課題】
微細かつ高精度のハンダ付けランドが形成された小型、高密度配線のセラミック配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明のセラミック配線基板の製造方法は、セラミックグリーンシート上に複数の配線パターン４を形成する工程と、複数の配線パターン４にまたがって、かつ、各配線パターン４の一端を覆うように、複数の配線パターンの各々の一部をランド２７として規定するライン状の絶縁パターン２８ｂを形成する工程と、複数の配線パターン４および絶縁パターン２８ｂを設けたセラミックグリーンシートを焼成する工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明の電極間接続構造体形成方法では、表面（１１０ａ）に第１電極部（１１１）を有する第１接続対象物（１１０）に対して、開口部（１３０ａ）を有する接着層（１３０）を、開口部（１３０ａ）から第１電極部（１１１）が露出し、かつ、表面（１１０ａ）の少なくとも一部を覆うように形成する工程と、第２電極部（１２１）を有する第２接続対象物（１２０）を、第１接続対象物（１１０）に対して、第１電極部（１１１）と第２電極部（１２１）が対向しつつ接着層（１３０）が第２接続対象物（１２０）に接するように配置する工程と、第１電極部（１１１）および第２電極部（１２１）が導体部（１４０）を介して電気的に接続されるとともに接着層（１３０）が硬化するように加熱処理を行う接続工程とが含まれている。
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【課題】 実装ツールにて電子部品を反りの無い状態で吸着でき、そのままの状態で基板に実装することで、電子部品の突起電極と基板電極を高い信頼性をもって接合することができる電子部品実装方法及び装置を提供する。
【解決手段】 複数の突起電極４を有する電子部品２の突起電極形成面２ａを移載ツール１１にて上方から保持する工程と、移載ツール１１を上下反転して移載位置に位置決めする工程と、移載位置で電子部品２を移載ツール１１から実装ツール１５に受け渡して実装ツール１５で吸着する工程と、実装ツール１５にて電子部品２を吸着した状態で電子部品２の突起電極４を基板３上に形成された基板電極３ａに接合する工程とを備えた電子部品実装方法であって、電子部品２を実装ツール１５に受け渡す工程において電子部品２の平面度を規制するフラット化工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品を電子部品搭載用基板上に載置後に、振動、衝撃等の外力による載置位置からのずれを制御するとともに、ロウ材による電子部品電極と搭載用電極の接続ずれを低減した高信頼性の電子部品搭載用基板、電子装置および電子部品搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品７と電気的に接続される搭載用電極３を有した絶縁基板５の主面に、電子部品の搭載領域よりも外方に、前記搭載用電極よりも厚みの厚い凸部２を形成してなる電子部品搭載用基板１をもちい、電子部品を４つの側面が凸部に沿って当接されるようにしてロウ材６を介して搭載する。 （もっと読む）

【課題】 バンプとランド部と間の剥がれが無く、生産性の良い半導体部品の実装構造、及びそれに使用される実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体部品の実装構造は、配線パターン３とランド部４が設けられた絶縁基板２を有する実装基板１と、ランド部４にバンプ７を介して実装基板１に実装された半導体部品５と、半導体部品５と絶縁基板２との間に介在したアンダーフィル８とを備え、バンプ７が位置するランド部４の端面４ａには、絶縁基板２側からランド部４の上面に向かって逆テーパー状となるようなアンダーカット部４ｃが設けられ、アンダーカット部４ｃにバンプを食い込ませたため、バンプ７のランド部４への結合は、強固となり、アンダーフィル８が膨張、収縮した際、バンプ７とランド部４間の剥がれの無いものが得られる。 （もっと読む）

電子部品搭載基板は以下のような方法によって製造される。まず、金属製の支持基板（１）の表面（１ａ）に、ビルドアップ絶縁層（２１ａ〜２１ｆ）およびビルドアップ配線パターン（２２ａ〜２２ｆ）を交互に形成する（ビルドアップ積層工程）。次に、前記支持基板（１）の裏面（１ｂ）から表面（１ａ）に至る貫通孔（１１）を形成して、最内層のビルドアップ絶縁層（２１ａ）の裏面（２１１ａ）を露出させる（孔形成工程）。さらに、前記支持基板（１）の前記貫通孔（１１）を介して前記最内層のビルドアップ絶縁層（２１ａ）の裏面（２１１ａ）に電子部品（３）を搭載する（実装工程）。
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【課題】 超音波振動を利用して半導体チップ等の電子部品を基板に搭載する際に、バンプと基板との接合部の接合信頼性を高めることができる超音波実装方法および超音波実装装置を提供する。
【解決手段】 電極端子が設けられた回路基板に、超音波振動を半導体チップに印加してフリップチップ接続により半導体チップを搭載する電子部品の超音波実装方法において、前記半導体チップに対して、チップ面に平行に超音波振動を作用させるとともに、チップ面に垂直に、前記超音波振動の振動サイクルと連動して荷重を作用させることにより半導体チップを実装する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを超音波振動を利用して回路基板にフリップチップ接続により搭載する際に、半導体チップの位置ずれを防止して正確に回路基板に搭載可能とする。
【解決手段】 電極端子２２が設けられた回路基板２０に、超音波振動を半導体チップ１０に印加してフリップチップ接続により半導体チップが搭載された電子部品の実装構造であって、半導体チップ１０に設けられたバンプ１２の中心位置と、回路基板２０に設けられた電極端子２２ｃ〜２２ｆの幅方向の中心位置とが、前記超音波振動の振動方向に平行となる方向に、相対的にあらかじめ偏位して設けられた半導体チップ１０および回路基板２０が、前記バンプ１２と電極端子２０ｃ〜２０ｆが相互に接合されて搭載されることを特徴とする。 （もっと読む）