【課題】ワークおよびワークに形成された配線に損傷を与えにくいアライメント方法およびアライメント機構を提供すること、また、ワークおよびワークに形成された配線にほとんど損傷を与えない描画方法および描画装置を提供すること。
【解決手段】（ａ）巻出しリール８４から巻取りリール８５に至る搬送経路に掛け渡されたテープ８０を、スプロケット７１，７２，７６により搬送し、ステージ５０に載置する。（ｂ）テープ８０を、クランプ７７，７８によって保持する。（ｃ）クランプ７７，７８を、互いの距離を縮める方向に移動させて、テープ８０に弛みを生じさせる。この状態で、可動ステージ１８を移動させて、テープ８０のアライメントを行う。（ｄ）液滴吐出ヘッド９０から機能液９をテープ８０に吐出し、乾燥させることにより、パターンを描画する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の半導体チップが実装される側とは反対側の面上に、シラザン化合物を含有する離型剤、シロキサン化合物、シラン化合物およびシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層が設けられている絶縁層と、この上に設けられた導電層を有するベースフィルムをパターニングすることにより形成された導体パターンとを有してなり、該絶縁層が、導電層の表面に塗布されたポリアミド前駆体の硬化体であり、該絶縁層の導体パターンが形成されていない面に離型層形成用塗布液を塗布し、１００〜２００℃の温度で１〜１２０分間加熱するか、前記導体層にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたものであることを特徴としている。
【効果】本発明によれば、ボンディングツールの先端の汚染を防止しつつ、絶縁層裏面から半導体チップを実装することができる。 （もっと読む）

【課題】接着剤層の特性による影響を受けずにポリイミドフィルムが本来有している高温安定性を発揮することができ、同時に、銅導体層の厚みを薄くかつ自由に調製することができる２層メッキ基板であって、屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性に優れる銅被覆ポリイミド基板を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接、金属シード層を形成し、さらにその上にめっき法によって銅導体層を積層してなる銅被覆ポリイミド基板において、前記ポリイミドフィルムは、ビフェニルテトラカルボン酸成分とフェニレンジアミン成分との重合により製造されるポリイミド樹脂から形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの複数の電極パッドに、タブテープを位置ずれなくボンディングすることができるボンディング装置およびボンディング方法、ボンディングツールを提供する。
【解決手段】複数の電極パッドを有するＩＣチップが搭載されるステージ部と、ＩＣチップの上に載置され、かつ、複数の電極パッドに対応する、複数の金属部材を、複数の電極パッドに接合するために、複数の金属部材に接触するボンディングツールと、ボンディングツールが取りつけられた加圧力発生手段を備えた加圧機構部とを具備し、加圧力発生手段は、複数の金属部材が複数の電極パッドに接合されるようにボンディングツールに所定の加圧力を付勢し、ボンディングツールは、加圧力の方向に延びる複数の凸部を有し、複数の凸部のピッチ間隔と、複数の電極パッドのピッチ間隔とが等しいボンディング装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低温での貼付が可能で、且つ充分な耐熱性を有し、リードピンへの剥離やリードピンの位置ずれが発生しない電子部品用接着テープを提供することを目的とする。本発明の電子部品用接着テープを例えばリードフレーム固定用テープ、ＴＡＢテープ、ダイアタッチテープ等に適用すれば、半導体装置を組み立てる際の作業性ならびに歩留りを向上させることが出来る。
【解決手段】 絶縁性フィルムの少なくとも一面に熱硬化型接着剤層を設けた接着テープであって、前記熱硬化型接着剤層の銅板に対する１６０℃加熱時における剪断接着強度が、引張速度２０ｍｍ／分で測定した際に２０Ｎ／ｃｍ^２以上で、かつ引張速度２０ｍｍ／分の剪断接着強度（ａ）と５０ｍｍ／分の剪断接着強度（ｂ）との比率（ａ／ｂ）が０．８〜１．０である電子部品用接着テープ。 （もっと読む）

【課題】長期高温耐性に優れた電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品ならびに電子機器を提供すること。
【解決手段】ａ）熱可塑性樹脂、ｂ）熱硬化性樹脂、ｃ）硬化剤、及びｄ）３官能性シロキサン単位を有するオルガノポリシロキサンを含有することを特徴とする電子機器用接着剤組成物、それを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品ならびに電子機器である。また、ａ）熱可塑性樹脂、ｂ）熱硬化性樹脂、ｃ）硬化剤、及びｅ）ｄ）の部分縮合物であるオルガノポリシロキサンを含有することを特徴とする電子機器用接着剤組成物、それを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品ならびに電子機器である。 （もっと読む）

【課題】機械的処理方法によって簡単にビアホールにおける半田の流れ性を向上させてランドに対する半田ボールの密着性を向上させたＢＧＡ用フィルムキャリアテープ製造方法、金型プレス装置およびＢＧＡ用フィルムキャリアテープを提供する。
【解決手段】絶縁性テープに形成した貫通孔の周縁部分を機械的に押え付けるとその応力を開放してもそのまま圧痕が斜めに残るという実験結果に着目し、絶縁性テープ２に穿孔用パンチ２７でビアホール４用の貫通孔２６を形成する機械的な金型プレス処理において、ランド５側とは反対側で貫通孔２６の周縁部分２６ａを押え付け用パンチ３５によって機械的に押え付けることで、貫通孔２６の周縁部分２６ａに表面に向けて内径が順次拡大する拡大形状部４ｂを圧痕として形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 薄肉化された銅−ポリイミドフィルム積層体を与えることが可能で半導体パッケ−ジ内部の水蒸気による破壊発生を低減することが容易である半導体パッケ−ジ内部絶縁用ポリイミドフィルム、及びこれらのポリイミドフィルムを用いた積層基板を提供する。
【解決手段】 減圧プラズム放電処理された表面を有し、下記の（１）〜（４）の条件
（１）厚みが２０〜６０μｍで、
（２）水蒸気透過係数が０．０５〜０．８ｇ／ｍｍ／ｍ^２・２４時間で、
（３）吸水率が２．０％以下で、
（４）引張弾性率が５０００ＭＰａ以上で、
を満足する半導体パッケ−ジ内部絶縁用ポリイミドフィルム。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部１４を有する配線基板１０を用意する工程と、集積回路２４が形成された半導体基板２２と、半導体基板２２の集積回路２４が形成された面（能動面２５）に形成された複数のバンプ電極２６と、半導体基板２２の能動面２５に形成された、ポリイミド樹脂からなる保護膜２８と、を有する半導体チップ２０を用意する工程と、Ａｒ及びＡｒよりも少量のＯ_２を含む混合ガス１００を用いてプラズマ処理を行って、保護膜２８の表面を改質するプラズマ処理工程と、プラズマ処理工程後に、配線基板１０に半導体チップ２０を搭載して、電気的接続部１４とバンプ電極２６とを対向させて電気的に接続する工程と、配線基板１０と半導体チップ２０との間に樹脂部３０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１及び第２の面１４，１６を有するベース基板１２と、複数の電気的接続部２２を有する、第１の面１４に形成された配線パターン２０と、第１の開口３２を有する、第１の面１４及び配線パターン２０を部分的に覆う第１のレジスト層３０と、第２の開口３６を有する、第２の面１６を部分的に覆う第２のレジスト層３４と、を含む配線基板１０を用意する工程と、複数の電極４２を有する半導体チップ４０を用意する工程と、加熱機構を備える、先端面５２が第２の開口３６よりも小さいボンディングツール５０によって半導体チップ４０を保持して加熱し、ボンディングツール５０を、先端面５２が第２の開口３６の内側のみとオーバーラップするように配置して、電気的接続部２２と電極４２とを対向させて電気的に接続するボンディング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】加熱による基部の変形を防止できるＩＣチップ保持体、及び、ＩＣチップの接合方法を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ保持体１０を、融点が２５５℃以上２６５℃以下であり、かつ、ガラス転移点が１１５℃以上１２５℃以下のポリエチレン系の合成樹脂材料であるポリエチレンナフタレートによってシート状に形成された基部１１と、前記基部１１に設けられ、導電性を有する導電部１２と、前記導電部１２に接合されたＩＣチップ１３とを備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＩＣあるいはＬＳＩ等の電子部品をフィルムキャリアテープ等に高温で金属共晶実装しても、フィルムキャリアテープが熱による寸法変化や変形を抑制し、金属配線とＩＣチップのバンプにずれが無く、金属配線がバンプに沈み込む量が低く、金属配線と絶縁層の密着性の良い、電子部品とフィルムキャリアテープの接続信頼性を向上しうるＣＯＦ用積層板及びこれを加工して得られるＣＯＦフィルムキャリアテープ、配線基板に電子部品が搭載された電子装置を提供する。
【解決手段】絶縁層10の片面又は両面に導体20を積層したＣＯＦ用積層板であって、絶縁層がポリイミド系樹脂の多層構造で、ガラス転移温度が350℃以上、且つ、300〜350℃の線熱膨張係数が70ppm／℃以下であるＣＯＦ用積層板及びこれを加工して得られるＣＯＦフィルムキャリアテープ。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ実装時に配線が樹脂中に沈み込んで断線することのない、耐ボンディング性に優れた金属層付き積層フィルム、およびこれを用いた配線基板、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】耐熱性絶縁フィルムの少なくとも片面に、ポリイミド系樹脂を含有する耐熱性樹脂層を介して金属層を積層してなる金属層付き積層フィルムであって、該耐熱性樹脂層が少なくとも金属層に接する側の耐熱性樹脂層（Ａ）と耐熱性絶縁フィルムに接する側の耐熱性樹脂層（Ｂ）を含む、２層以上の耐熱性樹脂層から構成されており、該耐熱性樹脂層（Ａ）の３００℃での弾性率が５０ＭＰａ以上であり、該耐熱性樹脂層（Ｂ）がシランカップリング剤を含有することを特徴とする金属層付き積層フィルムである。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線との接触を防止する
。
【解決手段】半導体チップ４に形成された突出電極５を配線パターン２上に接合させるこ
とにより、半導体チップ４が絶縁性基材１上にフェースダウン実装され、突出電極５は千
鳥配列されるとともに、半導体チップ４上で外側に配置された突出電極５ｂの接合部に隣
接する部分の配線パターン２ａを覆うように絶縁層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高寸法安定性と共に適度な弾性率を有するポリイミドフィルムを使用してなる折り曲げ性に優れたチップオンフィルムを提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム１の少なくとも片面に、ＩＣチップが搭載可能なように配線２を形成してなるチップオンフィルムであって、前記ポリイミドフィルム１が、ジアミン成分として３，４’−ジアミノジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を、主として用いてなるポリイミドフィルムであり、このポリイミドフィルム１の少なくとも片面に、接着剤を介してまたは介することなく前記配線２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化や高出力化に適用できるように、高温高湿環境下であっても、従来よりも端子間の絶縁抵抗が劣化しにくい半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体キャリア用フィルム１は、絶縁性を有するベースフィルム１０と、ベースフィルム１０の上に形成されたニッケル−クロム合金を主成分とするバリア層２と、バリア層２の上に形成された銅を含んだ導電物からなる配線層３とを有しており、バリア層２におけるクロム含有率が１５〜５０重量％である。また、配線層３に半導体素子が接合されることで、半導体装置が形成される。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさないテープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材を使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】テープ基板上に複数の半導体チップが搭載されたテープキャリア型半導体パッケージを介して駆動信号を受ける直視型薄型表示素子を用いた表示機器であって、該テープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材が３００℃でのカール度１０％以下のポリイミドフィルム、中でもベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】テープまたはフィルム基板を有する半導体装置の放熱性の向上を図る。
【解決手段】基材５ｃ上に形成された導電性の銅配線５ｄと、銅配線５ｄ上に形成されたソルダレジスト膜５ｅと、ソルダレジスト膜５ｅ上に形成された金属箔３とを含むテープ基板５と、銅配線５ｄ上にＡｕバンプ６を介して電気的に接続された半導体チップ２とを有したＴＣＰ１である。ソルダレジスト膜５ｅの厚さが基材５ｃより薄いことにより、半導体チップ２から発せられる熱を銅配線５ｄ及びソルダレジスト膜５ｅを介して金属箔３に伝えることができ、金属箔３から外部に放熱することができる。その結果、ＴＣＰ（半導体装置）１の放熱性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】 銅箔と基材との接着性に優れ、かつ絶縁信頼性、耐マイグレーション性に優れ、さらに高信頼のＣＯＦ、ＴＡＢ、ＦＰＣ、半導体パッケージ基板などの基材として実用に足る金属被覆ポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも片面に少なくともＣｕを主体とする金属層を含む二層以上の金属層が形成された金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを硫酸／過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のＩＲ−ＡＴＲ法から算出される表面金属指数Ａｓｍが０．００３以下であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ実装時に配線が樹脂中に沈み込んで断線することがなく、さらに、耐熱性樹脂層と金属箔および耐熱性絶縁フィルムとの接着力が高い金属層付き積層フィルムを提供すること。また、これを用いた配線基板、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】耐熱性絶縁フィルムの少なくとも片面に、ポリイミド系樹脂を含有する耐熱性樹脂層を介して金属層を有する金属層付き積層フィルムであって、該耐熱性樹脂層が、少なくとも金属層に接する側の耐熱性樹脂層（Ａ）と耐熱性絶縁フィルムに接する側の耐熱性樹脂層（Ｂ）を含む、２層以上の耐熱性樹脂層から構成されており、耐熱性樹脂層（Ａ）の３００℃における弾性率が５０ＭＰａ以上であり、かつ、耐熱性樹脂層（Ｂ）が側鎖に水酸基、アミノ基、カルボキシル基、シアノ基から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するポリイミド系樹脂を含有することを特徴とする金属層付き積層フィルム。 （もっと読む）