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Fターム[5F044MM16]の内容

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Fターム[5F044MM16]に分類される特許

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【課題】加工装置や加工工数を増やしてコスト高を招くようなことなく、また信頼性を損なうことなく、放熱効率の良い半導体装置、半導体装置を用いたディスプレイ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する絶縁基材1の表面に導電パターン3を形成し、その導電パターンに接続して絶縁基材の表面に半導体7を搭載する半導体装置16において、半導体7のまわりを一部残して半導体を取り囲むように、絶縁基材にスリット5を形成して半導体保持部位30を設ける。ここで、スリット5は、例えば、外形が四角い半導体7の三辺を取り囲むように、コの字状に形成する。 (もっと読む)


【課題】対向する位置にバンプが形成されていない2個の半導体チップを回路基板上に実装する場合であっても、バンプと回路基板の電極パッドとの間の良好な接触状態を確保できる半導体チップの実装構造体を提供する。
【解決手段】2個の半導体チップ4aおよび4bが回路基板10を挟むように配置され、接着剤3により回路基板10に実装される。半導体チップ4aは、バンプ8a1〜8a4が回路基板10の上面USに設けられた電極パッド2aに圧接された状態で、回路基板10に接着剤3で接合されている。また半導体チップ4bは、バンプ8b1〜8b4が回路基板10の下面LSに設けられた電極パッド2bに圧接された状態で、回路基板10に接着剤3で接合されている。半導体チップ4bのフリーバンプ8b3と対向する回路基板10の裏側には、電極パッド2b3の変形を抑制する変形抑制部材15aが設けられている。 (もっと読む)


【課題】熱、湿度、外力の影響で寸法変化を起こしやすい可撓性フィルムにおいても、高精度な回路パターンを形成するとともに電子部品との高精度な接合をすることができる。
【解決手段】少なくとも補強板、剥離可能な有機物層、金属からなる回路パターン、可撓性フィルムを有することを特徴とする回路基板用部材であり、該回路基板用部材を用いた電子部品実装回路基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い放熱性を有するCOF用配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム1の片側の面に、搭載される半導体素子7の表面に設けられた電極パッドと接合するためのインナーリード11と、COFを搭載する外部基板の端子と接合するためのアウターリード12とを有する配線13が設けられたCOF用配線基板の、半導体チップ7が搭載される予定の領域14内で、インナーリード11が存在しない部分に、放熱板15が配置されている。 (もっと読む)


【課題】
層間接続部分の銅めっきを厚く突出させなくても十分な接続を得ることができるようなテープキャリアの製造方法を提供すること。
【解決手段】
両面に銅層を有し、銅層との接合に接着剤を用いないポリイミドフィルム1の片面あるいは両面の銅層3に、フォトエッチングによりビア開孔用パターンを形成し、該パターンをマスクとしてレーザーによりブラインドビア9を形成した後、配線パターンをフォトエッチングで形成し、さらに層間接続に対して不必要な部分をマスキングした後、該ブラインドビアに対して、ビア側面に導電化処理することなしにビア底面よりめっき14を析出させることにより、ビア内部をめっきで埋め、上面の銅層と電気的な接続をとるようにした両面配線テープキャリアを製造するに際し、めっき前に上面の銅層を化学研磨する。 (もっと読む)


【課題】外観上の不具合及び曲げる際の不具合の両方を改善できるようにしたテープキャリア及び半導体装置の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】製品領域を画定するカットライン51に沿って切断されることによって個々の製品に分割されるテープキャリア100であって、絶縁性のベースフィルム1と、IC素子を取り付けるための取付領域53からその外側へ延びるようにベースフィルム1上に設けられたリード3と、リード3を覆うようにベースフィルム1上に設けられたソルダーレジスト5と、を備え、ソルダーレジスト5は製品領域の内側から外側へはみ出している。 (もっと読む)


【課題】吸湿や加熱による配線パターンの寸法変化を抑制し、ICなどの半導体装置の実装時の不具合を低減できる半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム(3)上に外部接続端子部(6a,6b)を有する配線パターン(6)が形成された半導体装置用テープキャリア(1)において、前記配線パターン(6)が形成された前記絶縁性フィルム(3)面上にあって、前記配線パターン(6)の外周部に、前記配線パターン(6)と同一金属からなる変形防止用パターン(8A)が形成されている。 (もっと読む)


【課題】現行の接合条件を変更せずに、信頼性あるファインピッチILBを確立できるフレキシブル配線基材並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材11と、絶縁基材11の一方面に形成された銅を含む導電体層をパターニングした配線パターンと、配線パターンの端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層17とを具備し、配線パターンの端子部は、配線ベース層21上にスズめっき層26を施したものであり且つ各端子のピッチが20μmより大きく30μmより小さいフレキシブル配線基材において、端子部の配線ベース層21上のスズめっき層26は、スズめっき層26中に配線ベース層21の銅が拡散した拡散層26aと純スズ層26bとからなり、総厚が0.26μm〜0.5μmの範囲であり、純スズ層の厚さが0.08μm〜0.18μmであり且つ総厚をtとしたときの(0.53−0.846t)μmの値を超えない範囲にある。 (もっと読む)


【課題】高寸法安定性と共に適度な弾性率を有し、更に優れた易滑性と折り曲げ性を有する自動光学検査システム(AOI)に適応可能なチップオンフィルムを提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム1の少なくとも片面に、ICチップが搭載可能なように配線2を形成してなるチップオンフィルムであって、ポリイミドフィルム1が、ジアミン成分としてPPD及びODAを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物及びBPDAを用いて主として構成されてなるものであり、かつ、ポリイミドフィルム1中に、粒子径0.01〜1.5μmで平均粒子径0.05〜0.7μmであって、かつ、粒子径0.15〜0.60μmの粒子が全粒子中80体積%以上の割合を占める粒度分布を有する無機粒子が、フィルム樹脂重量当たり0.1〜0.9重量%の割合で分散・含有させたものである。 (もっと読む)


【課題】長尺な絶縁フィルムテープ上に配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されるCOFキャリアテープにあって、配線パターンの間隔をなくすか減少するかして、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図る。
【解決手段】長尺な絶縁フィルムテープ1上に、配線パターン3が、長さ方向に繰り返し形成されており、半導体チップ搭載後に、搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれる。そのようなCOFキャリアテープ12において、打ち抜き時に同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されたとき、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターン4が、所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されている。 (もっと読む)


【課題】配線パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ポリイミド等からなるフィルム1上に形成され、その表面がメッキ層で覆われているインナーリード2の接合位置にICチップ20のバンプ22を重ね合わせて接合する際に、インナーリード2の表面を覆うメッキ層5を接合時の熱で溶融し、溶融したメッキをインナーリード2の(フィルム1から剥がれた)先端部2aの剥離面へ回り込ませる。これにより、先端部2aの剥離面にもメッキ層が形成される。 (もっと読む)


【課題】銅の過剰溶解を効果的に回避しつつ、スズメッキ処理に係る製造コストの低減と製造効率の向上を図ることが可能な電子部品搭載用基材とその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品搭載用基材1において、リード本体20に複合メッキ層23を積層するとともに、これを部分的に覆うようにソルダーレジスト層30を形成する。複合メッキ層23を構成するスズ銅合金メッキ層21とスズメッキ層22を、一度のメッキ処理で形成された前駆スズメッキ層21Xを加熱処理することで形成する。これにより、ソルダーレジスト層30の形成後のメッキ処理を省略し、製造効率を向上させ、リード本体20の銅の過剰溶解を回避する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の歩留り及び品質を向上を図る。
【解決手段】ベースフィルム31の上に複数の配線32が形成され、半導体チップ20の電極22に対応して露出して配置された配線32の接続部36を有するテープ基板30における接続部36と、半導体チップ20の複数の電極22とを電気的に接続するインナリードボンディングを行う。この際に、テープ基板30を、複数の配線32それぞれにおける延在方向の接続部36から外側箇所が、テープ基板30の厚さ方向Hに対して、接続部36よりベースフィルム31側に曲げ加工された状態(曲げ加工部M)にしておく。これにより、インナリードボンディング後にテープ基板30と半導体チップ20が接触してしまう、所謂エリアショートを防止することができる。したがって、製品の歩留りを向上させることができると共に、製品の品質を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ搭載領域内から半導体チップ搭載領域外への気泡の排出効果を高めることができるフレキシブル基板と、このフレキシブル基板を備えた半導体装置とを提供する。
【解決手段】フレキシブル基板101は、半導体チップ搭載領域103を一表面に有する基材100と、その一表面上に形成された複数のインナーリード106と、この複数のインナーリード106のうちの2つに結線されたジャンパ配線111とを備えている。ジャンパ配線111の第1配線部121は半導体チップ搭載領域103を横断している。これにより、半導体チップ搭載領域103内から半導体チップ搭載領域103外への気泡の排出効果を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】
ボイドの発生を抑えることで信頼性を向上した電子装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】
電子装置1の製造方法において、樹脂材料からなるフィルム111上に導体パターン112が形成されてなる基体11の導体パターン112が形成された側の面に熱硬化接着剤13pを付着させる付着工程と、回路チップ12を、熱硬化接着剤13pを介して基体11に載せる搭載工程と、熱硬化接着剤13pを加熱する加熱装置2によって、基体11を回路チップ12側とフィルム111側との両側から挟む挟持工程と、回路チップ12が載せられた基体11に、フィルム111が広がる方向への張力を付与する張力付与工程と、加熱装置2によって熱硬化接着剤13pを加熱して硬化させることによって回路チップ12を導体パターン112に固定する加熱工程とを備えた。 (もっと読む)


【課題】
ボイドの発生を抑えることで信頼性を向上した電子装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】
電子装置1の製造方法において、樹脂材料からなるフィルム111上にアンテナパターン112が形成されてなる基体11のこのアンテナパターン112が形成された側の面に熱硬化接着剤13を付着させる付着工程と、アンテナパターン112に接続する回路チップ12を、熱硬化接着剤13を介して基体に載せる搭載工程と、基体11の回路チップ12側に当接する押さえ部21と、基体のフィルム111側に当接して基体を支持する支持部22とを有する加熱装置2によって、基体を回路チップ側とフィルム側との両側から挟むとともに、支持部22にフィルムを密着させる密着工程と、加熱部21によって熱硬化接着剤13を加熱して硬化させることによって回路チップ12をアンテナパターン112に固定する加熱工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 上面が平坦であり、幅が配線の幅方向やバンプ間ピッチ方向に広がることなく、高さが均一なバンプを備えて、半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用TABテープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅箔11のような導体箔または導体板をエッチング法によってパターン加工して配線2のパターンを形成すると共にバンプ5のパターンも形成し、かつ配線2のパターン14にハーフエッチングを施すことで、その配線2の厚さをバンプ5の厚さよりも薄くし、相対的にバンプ5の厚さが配線2の厚さよりも厚くなるようにする。 (もっと読む)


【課題】
ボイドの発生を抑えることで信頼性を向上した電子装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】
電子装置1の製造方法において、樹脂材料からなるフィルム111上に導体パターン1112を形成することによって基体11を形成するパターン形成工程と、フィルム111上の、回路チップが搭載される搭載領域11cおよび裏側の背後領域11dの一方に、フィルム111の伸縮を抑える補強層14を形成する補強工程と、熱硬化接着剤13pを付着させる付着工程と、回路チップ12を載せる搭載工程と、熱硬化接着剤を加熱する加熱装置2によって回路チップ12が載せられた基体11を回路チップ12側と基体11側との両側から挟む挟持工程と、加熱装置2によって上記熱硬化接着剤を加熱して硬化させることによって回路チップ12を導体パターン112に固定する加熱工程とを備えた。 (もっと読む)


【課題】ファインピッチ化や高出力化に適用できるように、高温高湿環境下であっても、従来よりも端子間の絶縁抵抗が劣化しにくい半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体キャリア用フィルム1は、絶縁性を有するベースフィルム10と、ベースフィルム10の上に形成されたニッケル−クロム合金を主成分とするバリア層2と、バリア層2の上に形成された銅を含んだ導電物からなる配線層3とを有しており、バリア層2におけるクロム含有率が15〜50重量%である。また、配線層3に半導体素子が接合されることで、半導体装置が形成される。 (もっと読む)


【課題】高光透過率を有する絶縁層を備え、密着強度や耐マイグレーション性に優れ、チップオンフィルム(以下、COFと称す)に好適なフレキシブルプリント配線板を実現できる電解銅箔を提供する。
【解決手段】本発明は、導体層と、該導体層が積層された絶縁層とを有し、該導体層をエッチングして回路形成されたチップオンフィルム(以下、COFと称す)用フレキシブルプリント配線板における導体層用の電解銅箔において、前記電解銅箔は、絶縁層に接着される接着面が、表面粗度Rz0.05〜1.5μmであるとともに、入射角60°における鏡面光沢度が250以上であり、前記導体層である電解銅箔をエッチングして回路形成した際のエッチング領域における絶縁層の光透過率が50%以上となることを特徴とする電解銅箔に関する。 (もっと読む)


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