ＣＯＦキャリアテープ、ＣＯＦキャリアテープの製造方法、およびＣＯＦ型半導体装置の製造方法
【課題】長尺な絶縁フィルムテープ上に配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープにあって、配線パターンの間隔をなくすか減少するかして、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図る。
【解決手段】長尺な絶縁フィルムテープ１上に、配線パターン３が、長さ方向に繰り返し形成されており、半導体チップ搭載後に、搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれる。そのようなＣＯＦキャリアテープ１２において、打ち抜き時に同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されたとき、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターン４が、所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されている。
【解決手段】長尺な絶縁フィルムテープ１上に、配線パターン３が、長さ方向に繰り返し形成されており、半導体チップ搭載後に、搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれる。そのようなＣＯＦキャリアテープ１２において、打ち抜き時に同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されたとき、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターン４が、所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、可撓性を有する長尺な絶縁フィルムテープの表面に、プリント配線技術によって、配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されているＣＯＦキャリアテープ、およびその製造方法に関する。ならびに、その配線パターンに接続し、好ましくはフリップチップ実装することにより、絶縁フィルムテープ上に半導体チップを搭載して半導体装置を製造するＣＯＦ型半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、電子機器の軽薄短小化、高機能化、高密度化がますます進んでいる。例えば、液晶パネルについても、大型化、高精細化、高コントラスト化が進み、それにともない液晶ドライバの多ピン化、ファインピッチ化が進んでいる。このような背景の下、例えば液晶ドライバなどの実装方式として、狭く複雑な空間に実装するのに有利なＣＯＦ（chip on film）キャリアテープに半導体チップを搭載した、ＣＯＦ型半導体装置を用いた実装方式が多く採用されている。
【０００３】
図９（Ａ）ないし（Ｅ）には、従来のＣＯＦキャリアテープの製造工程を示す。
この製造工程では、図９（Ａ）に示すように、絶縁フィルムテープ２１１の表面に導電体層２１２を設けた導体積層フィルム２１５を用意し、図９（Ｂ）に示すように両縁に沿ってスプロケットホール２１４を金型などを用いて打ち抜き形成する。
【０００４】
ＣＯＦキャリアテープに設けられるスプロケットホールの大きさおよび位置は、ＪＥＩＴＡ（社団法人電子情報技術産業協会）規格（旧、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業）規格）によって、ＣＯＦキャリアテープの各規格テープ幅に応じて、図１０および次の表１のように規定されていて、これらの値に基づき製造されている。
【０００５】
【表１】
【０００６】
次いで、図９（Ｃ）に示すように、スプロケットホール２１４を用いて搬送するとともに、導電体層２１２の表面にフォトレジストを塗布して乾燥させることによりフォトレジスト膜２１９を形成した後、スプロケットホール２１４で位置決めし、フォトマスク２２０を用いて紫外光線２１８により露光を行う。次に、図９（Ｄ）に示すように、スプロケットホール２１４を用いて搬送するとともに、現像を行ってエッチングレジスト２２１を形成する。
【０００７】
その後、図９（Ｅ）に示すように、スプロケットホール２１４を用いて搬送するとともにエッチングを行い、さらにエッチングレジスト２２１を除去して、絶縁フィルムテープ２１１の表面に、半導体接続端子部２１６と外部接続端子部２１７を有する同一の配線パターン２１３を、長さ方向に繰り返し設けたＣＯＦキャリアテープ２２２を形成する。
【０００８】
図１１には、このようにして形成したＣＯＦキャリアテープ２２２の平面を示す。
図において、スプロケットホール２１４は、後に前記半導体接続端子部２１６に接続して半導体チップを搭載するとき、位置決めに用いられる。そのため、配線パターン２１３は、スプロケットホール２１４に対して、相対的に同じ位置関係になるように正確に位置決めして形成されている。
【０００９】
ところで、スプロケットホール２１４は、半導体チップを搭載するときの位置決めだけでなく、ＣＯＦキャリアテープ２２２の製造段階においても搬送や位置決めを行うために用いるものであり、搬送するためにはスプロケットの歯をスプロケットホールに嵌合させ、スプロケットを回転させて搬送を行っていた。また、位置決めには、位置決めピンをスプロケットホールに挿入して、機械的に強制して位置決めを行っていた。
【００１０】
ところが、ＣＯＦキャリアテープは、可撓性が必要なため、絶縁フィルムテープ２１１の厚さが１２．５〜５０μｍと薄い。このため、機械的な強度が弱く、スプロケットや位置決めピンを用いて搬送や位置決めを行った場合、スプロケットホール２１４にキズや変形が生じてしまい、位置精度が悪くなる問題があった。そこで、現在では、スプロケットホール２１４にキズや変形を生じないようにするために、搬送ローラを用いて搬送を行い、位置決めはスプロケットホール２１４を光学式認識装置で認識して後、位置を制御して位置決めを行う方法が広く用いられている。
【００１１】
ここで、図１１に基づき、スプロケットホール２１４と配線パターン２１３との相対位置関係について説明する。まず、スプロケットホール２１４のピッチをＰ（前記ＪＥＩＴＡ規格の表１によりＰ＝Pnom＝4.75ｍｍ）とし、単位配線パターン長をＡ１とする。このとき、単位配線パターン長Ａ１が、スプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍と僅かでも異なる状態の場合は、配線パターン２１３の形成には有効に使用されない不要領域２２３が発生する。図１１の場合は、Ａ１＝（Ｐ×２）+（α+β）になっており、Ａ１＞Ｐ×２の状態にある。このため、単位配線パターンピッチをＢ１とすると、Ｂ１＝Ｐ×３だけ必要になる。そして、配線パターン２１３には、有効に使用されない不要領域２２３の長さの不要領域長Ｓ１が発生する。
【００１２】
ところで、不要領域長Ｓ１の値は、単位配線パターン長Ａ１によって決定され、単位配線パターン長Ａ１が、スプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍と一致した場合、すなわちＡ１＝Ｐ×ｎの場合、不要領域長Ｓ１はＳ１＝０になり、不要領域２２３は発生しない。しかし、単位配線パターン長Ａ１が僅かでもスプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍と異なる場合、すなわちＡ１＞Ｐ×ｎまたはＡ１＜Ｐ×ｎの場合には、不要領域長Ｓ１は、Ｐ＞Ｓ１＞０の値の範囲で発生する。ここで、単位配線パターン長Ａ１が僅かにスプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍より小さかった場合には、僅かに小さい分のみが不要領域長Ｓ１となる。しかし、単位配線パターン長Ａ１が僅かでもスプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍より大きかった場合には、単位配線パターンピッチはさらにＰ×１だけ増やす必要があり、大きな不要領域長Ｓ１が発生してしまう。そのため、図１１に示す＋（α＋β）の値が小さいほど不要領域長Ｓ１の値は大きくなる。
【００１３】
このように、ＣＯＦキャリアテープ２２２の長さ方向に対して、不要領域２２３の不要領域長Ｓ１が発生した場合、その不要領域２２３の部分にも製造コストはかかっている。そのため、単位配線パターン長Ａ１に対する不要領域長Ｓ１の割合が大きくなるほど、ＣＯＦキャリアテープの製造コストが割高となる問題がある。
【００１４】
ここで、単位配線パターン長をＡ、必要とする単位配線パターンピッチをＢとして、Ｂに対するＡの割合を長さの有効率Ｃとすると、Ｃ＝（Ｂ÷Ａ）×１００（％）の関係式が成り立ち、この長さの有効率Ｃが悪くなるほど、ＣＯＦキャリアテープ２２２の製造コストが高くなる。ここで、単位配線パターン長Ａに対して、必要な単位配線パターンピッチＢと長さの有効率Ｃの関係を数値で表したものを表２に示す（表中のＰはスプロケットホールのピッチである）。
【００１５】
【表２】
【００１６】
この表から、単位配線パターン長Ａが単位配線パターンピッチＢと同じ場合は、長さの有効率が１００（％）になるが、単位配線パターン長Ａが単位配線パターンピッチＢと僅かでも異なる場合は、長さの有効率Ｃが１００（％）未満となる。そして、単位配線パターン長ＡがスプロケットホールのピッチＰの正数（ｎ）倍より大きくなる値が小さいほど長さの有効率は悪くなる。また、単位配線パターン長ＡがスプロケットホールのピッチＰ×１（Ｐ＝４．７５ｍｍ）よりも小さい場合は、単位配線パターン長Ａの値が小さくなるほど、長さの有効率は悪くなる。また、さらに単位配線パターンピッチＢをグループ分けした場合、単位配線パターンピッチＢの値が小さいグループほど、長さの有効率が悪くなる傾向になる。
【００１７】
これらのことから、上述したような従来のＣＯＦキャリアテープ２２２では、単位配線パターン長Ａの値によっては、長さの有効率Ｃが悪くなり、製造コストが高くなってしまう問題があった。
【００１８】
このように不要領域が発生するためにコスト高になる問題を解消すべく、例えば特許文献１に示されるように、配線パターンに突起部がある場合には、隣接して配置される配線パターンの突起部同士がお互いに隣接するように配置して、不要領域の面積を小さくする方法がある。例えば図１２に示すレイアウトで、配線パターン２１３が配置されると、不要領域１５２が生じる。
【００１９】
ところが、図１３に示すように、配線パターンの突起部同士が隣接するようにして、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが互いに１８０°回転した向きで配置されるようにする。このようにすると、複数の配線パターン１０１を異なる方向に向けてレイアウトすることにより、同一方向にレイアウトする従来の構成に比べて、テープキャリアの長さ方向に対してより多くの配線パターン１０１を搭載することができ、テープ面積の有効活用が図れる。
【００２０】
そして、図１２に示すような従来のレイアウトの構成では、不要領域１５２が生じ、所定の長さＬのテープキャリアにおいて配線パターンの取れる数は３個である。これに対し、図１３に示す構成では、不要領域１０３が生じているものの、その面積は上記不要領域１５２に比べ非常に小さく、同じく所定長さＬにおいて配線パターンの取れ数は４個となる。このようにして、長さの有効率を良くして、製造コストの安いテープキャリアが得られる。
【００２１】
また、別の特許文献２には、前記ＪＥＩＴＡ（社団法人電子情報技術産業協会）規格によって規定されているフィルムキャリアテープの幅の各規格テープ幅に対して形成する配線パターンの形成領域の幅寸法を大きくすることを可能にして、フィルムキャリアテープのコスト削減を図ることができる方法である。
【００２２】
具体的には、図１４（Ａ）ないし（Ｅ）に示すような製造工程により形成される。まず、図１４（Ａ）に示すように、絶縁フィルムテープ３１１上に導電体層３１２を形成した積層フィルムを用意し、絶縁フィルムテープ３１１の幅方向両側を搬送ローラで挟んで搬送位置決めした後、図１４（Ｂ）に示すように、配線パターン形成領域に亘ってフォトレジストを塗布してフォトレジスト材料塗布層３１９Ａを形成する。その後、搬送ローラで絶縁フィルムテープ３１１の位置決めを行った後、フォトマスク３２０Ａを介して露光・現像することで、図１４（Ｃ）に示すような配線パターン用レジストパターン３２１Ａおよびスプロケット用レジストパターン３２２を形成する。
【００２３】
次いで、配線パターン用レジストパターン３２１Ａおよびスプロケット用レジストパターン３２２をマスクパターンとして導電体層３１２をエッチング液で溶解して除去した後、配線パターン用レジストパターン３２１Ａおよびスプロケット用レジストパターン３２２をアルカリ溶液で溶解除去することにより、図１４（Ｄ）に示すように、配線パターン３１３およびスプロケット形成用位置決めマーク３２３を形成する。ここで、スプロケット形成用位置決めマーク３２３は、スプロケットホール３１４の開口に収まる十字状となるように形成されている。図１５には、その状態の平面を示す。
【００２４】
続いて、図１４（Ｅ）に示すように、例えばソルダーレジスト層３１８を形成する。その後、搬送ローラで絶縁フィルムテープ３１１の位置決めを行った後、例えば自動認識装置を用いてスプロケット形成用位置決めマーク３２３を認識し、パンチングなどによって絶縁フィルムテープ３１１およびスプロケットホール形成用位置決めマーク３２３を貫通してスプロケットホール３１４を形成することにより、フィルムキャリアテープ３１０Ａが完成する。このような方法によりスプロケットホール３１４の列間の幅寸法による制限をなくして絶縁フィルムテープ３１１のパターン形成領域の幅寸法を大きくすることができるため、フィルムキャリアテープの製造コストを削減することができる。
【００２５】
【特許文献１】特許第３５５８９２１号公報
【特許文献２】特許第３７５０１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
ところが、前記特許文献１の方法による、図１３に示すような従来のテープキャリアでは、配線パターンの突起部同士が隣接するようにして、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが互いに１８０°回転した向きで配列されていて、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが組み合わされた状態で１つの単位配線パターン長Ａ２になっている。そして、後に行われる、配線パターン１０１ａ・１０１ｂに半導体チップを接続して搭載するときの位置決めには、前記ＪＥＩＴＡ規格に基づき形成された、スプロケットホールを用いて行われるのが一般的である。そのため、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが組み合わされた状態のものは、スプロケットホールに対して、相対的に位置決めされた位置に設けられる。
【００２７】
そのため、単位配線パターン長Ａ２の値がスプロケットホールのピッチＰの正数（ｎ）倍と僅かでも異なる場合は、不要領域が発生する。例えば、図１６に示すようにＡ３＝（Ｐ×８）+（α+β）のような状態の場合には、単位配線パターンピッチＢ３は、Ｂ３＝（Ｐ×９）だけ必要になり、不要領域長Ｓ３が発生する。そのため、長さの有効率が悪くなり、製造コストが高くなる問題があった。
【００２８】
また、別の前記特許文献２の方法による、図１４および図１５に示すような方法では、スプロケット形成用位置決めマーク３２３を形成した後、スプロケット形成用位置決めマーク３２３を認識し、パンチングなどによって絶縁フィルムテープ３１１およびスプロケットホール形成用位置決めマーク３２３を貫通してスプロケットホール３１４を形成する方法である。
【００２９】
このようにして形成されるフィルムキャリアテープは、後に行なわれる、配線パターンに半導体チップを接続して搭載するとき、位置決めのために前記ＪＥＩＴＡ規格に基づき形成された、スプロケットホールを用いるのが一般的である。そのため、配線パターンは、スプロケットホールに対して、相対的に位置決めされた位置に設けられている。
【００３０】
よって、単位配線パターン長Ａ４の値がスプロケットホールのピッチＰの正数（ｎ）倍と僅かでも異なる場合は、不要領域が発生する。例えば、図１５に示すようにＡ４＝（Ｐ×３）＋（α＋β）のような状態の場合には、単位配線パターンピッチＢ４は、Ｂ４＝（Ｐ×４）だけ必要になり、その結果、不要領域長Ｓ４が発生する。そのため、フィルムキャリアテープ３１０Ａの長さ方向に関しては、有効率が悪くなり、製造コストが高くなる問題があった。
【００３１】
そこで、この発明の目的は、長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープにあって、配線パターンの間隔をなくすか減少するかして、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから個々の配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
かかる目的を達成すべく、この発明の第１の態様は、長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されており、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれるＣＯＦキャリアテープにおいて、打ち抜き時に同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されたとき、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターンが、所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されているものである。
【００３３】
ここで、認識パターンは、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されているとよく、このとき絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されている認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されているとよい。また、認識パターンは、絶縁フィルムテープ上に、プリント配線技術によって形成されているとよい。一方、配線パターンと認識パターンの組合せは、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されているとよい。
【００３４】
また、上述した目的を達成すべく、この発明の第２の態様は、長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、プリント配線技術を用いて長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープの製造方法において、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれるときに、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターンが、絶縁フィルムテープ上にプリント配線技術を用いて、配線パターンとともに、所定搬送長さごとに、ＣＯＦキャリアテープの打ち抜き領域外に形成されるものである。
【００３５】
ここで、認識パターンは、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されるとよく、このとき絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されるとよい。一方、配線パターンと認識パターンの組合せは、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されるとよい。
【００３６】
また、上述した目的を達成すべく、この発明の第３の態様は、第２の態様のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造されたＣＯＦキャリアテープが、搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、例えば光学式のパターン認識装置により認識パターンを認識して順次位置決めされてから、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載される。その後、ＣＯＦキャリアテープが、同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるものである。
【００３７】
また、上述した目的を達成すべく、この発明の第４の態様は、第２の態様のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造された多条のＣＯＦキャリアテープが、長さ方向にカットされて組ごとに分割され、
次いで、その組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープが、搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、例えば光学式のパターン認識装置により認識パターンを認識して順次位置決めされてから、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載され、
その後、分割ＣＯＦキャリアテープが、同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるものである。
【発明の効果】
【００３８】
この発明の第１の態様によれば、長尺な絶縁フィルムテープ上に、配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープにあって、打ち抜き領域外に、認識パターンが所定搬送長さごとに形成されているので、半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが搬送ローラなどを用いて搬送されるとき、認識パターンが、例えば光学式のパターン認識装置により認識されて位置決めされる。故に、ＣＯＦキャリアテープが搬送されるとき、従来のようにスプロケットホールなどのピッチ間隔単位で位置決めされるのではないから、絶縁フィルムテープ上に配線パターンを詰めて設けて、配線パターンの間隔をなくしまたは減少して形成することができ、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることができる。
【００３９】
ここで、認識パターンが、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されていると、ＣＯＦキャリアテープを傾きなく位置決めすることができる。このとき、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されていると、スプロケットホールを有する従来のＣＯＦキャリアテープの製造装置において設置されている自動位置認識装置を、位置変えなどを行う必要なく、そのまま使用することができる。
【００４０】
また、認識パターンが、絶縁フィルムテープ上に、プリント配線技術によって形成されていると、同じプリント配線技術を用いて、配線パターン形成時に同時に認識パターンも形成することができ、従来のように金型を用いてスプロケットホールを形成しないから、金型による加工工程を必要とせず、また金型による打ち抜き時に生じるバリやヒゲも発生しないから、品質がよく、かつ製作を容易とすることができる。配線パターンが、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されていると、多条にして、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層のコストの低減を図ることができる。
【００４１】
また、この発明の第２の態様によれば、長尺な絶縁フィルムテープ上に、配線パターンが、プリント配線技術を用いて長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープの製造方法にあって、認識パターンが、絶縁フィルムテープ上にプリント配線技術を用いて、配線パターンとともに、所定搬送長さごとに、ＣＯＦキャリアテープの打ち抜き領域外に形成されるので、半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが搬送ローラなどを用いて搬送されるとき、認識パターンが、例えば光学式のパターン認識装置により認識されて位置決めされる。故に、ＣＯＦキャリアテープが搬送されるとき、従来のようにスプロケットホールなどのピッチ間隔単位で位置決めされるのではないから、絶縁フィルムテープ上に配線パターンを詰めて設けて、配線パターンの間隔をなくしまたは減少して形成することができ、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることができる。
【００４２】
ここで、認識パターンが、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されると、ＣＯＦキャリアテープを傾きなく位置決めすることができる。このとき、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されると、スプロケットホールを有する従来のＣＯＦキャリアテープの製造装置において設置されている自動位置認識装置を、位置変えなどを行う必要なく、そのまま使用することができる。また、配線パターンが、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されると、多条に形成して後にカットすることにより、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層のコストの低減を図ることができる。
【００４３】
また、この発明の第３の態様によれば、上述した第２の態様により製造されたＣＯＦキャリアテープに半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが、所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるので、ＣＯＦキャリアテープが搬送されるとき、従来のようにスプロケットホールなどのピッチ間隔単位で位置決めされるのではないから、絶縁フィルムテープ上に配線パターンを詰めて設けて、配線パターンの間隔をなくしまたは減少して形成することができ、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることができる。
【００４４】
また、この発明の第４の態様によれば、上述した第２の態様により製造された多条のＣＯＦキャリアテープが、長さ方向にカットされて組ごとに分割され、次いでその組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープに半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが、所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるので、多条に形成して後にカットすることにより、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層のコストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の最良形態について説明する。
図１（Ａ）ないし（Ｅ）には、この発明によるＣＯＦキャリアテープの製造工程の一例を示す。
【００４６】
この発明による製造工程では、図１（Ａ）に示すような長尺な絶縁フィルムテープ１の表面に導電体層２をベタ状に設けた導体積層フィルム５を用意する。絶縁フィルムテープ１としては、一般には、厚さが１２．５〜５０μｍのポリイミドを使用する。例えば、宇部興産（株）製の商品名「ユーピレックス」や、東レ・デュポン（株）製の商品名「カプトン」などを用いる。そして、そのような絶縁フィルムテープ１の片面上に、スパッタ法や電解めっき法を用いて金属で形成された導電体層２を形成する。図示例では、スパッタ法と電解銅めっき法の組み合わせにより導電体層２を形成した、住友金属鉱山（株）製の商品名「エスパーフレックス」を使用した。
【００４７】
この他にも、導電体層２を構成する銅箔にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布して後、乾燥・硬化した、新日鉄化学（株）製の商品名「エスパネックス」などを用いることができる。なお、絶縁フィルムテープ１としては、上述したポリイミドに代えて、ポリエチレンやポリエステルなどを用いることもできる。
【００４８】
次に、図１（Ｂ）に示すように、搬送ローラを用いて導体積層フィルム５を搬送するとともに、導電体層２の表面にロールコータなどを用いてフォトレジストを一様に塗布した後、乾燥硬化させて、フォトレジスト膜９を形成する。
【００４９】
次に、図１（Ｃ）に示すように、搬送ローラを用いて導体積層フィルム５を搬送するとともに位置決めし、フォトマスク１０を介して紫外光線８をフォトレジスト膜９に照射する。この照射をさらに、導体積層フィルム５を所定量搬送するごとに位置決めして、導体積層フィルム５の長さ方向に繰り返し行う。このとき、所定量、つまり位置決めした位置から次の位置決め位置までの距離は、後に形成される配線パターン同士が極力接近または接続するように設定する。そして、位置決め位置から次の位置決め位置までの距離を、単位配線パターンピッチＢとする。この単位配線パターンピッチＢが、所定搬送長さに相当する。
【００５０】
次に、図１（Ｄ）に示すように、搬送ローラを用いて所定搬送長さ搬送を行うとともに、現像を行ってエッチングレジスト１１を形成する。さらに、図１（Ｅ）に示すように、エッチングを行って、半導体接続端子６と外部接続端子７とを有する同一の配線パターン３を絶縁フィルムテープ１の長さ方向に繰り返し形成するとともに、認識パターン４と補強パターン２ａを形成し、アルカリ溶液などを用いてエッチングレジスト１１を除去する。図示例では、前記導電体層２の材料に銅を用いたため、エッチング液には塩化第２鉄溶液のエッチング液を用いてエッチングを行う。このようにして、プリント配線技術を用いて、絶縁フィルムテープ１上に認識パターン４を配線パターン３と同時に形成する。
【００５１】
このとき形成する認識パターン４は、配線パターン３を挟んで、絶縁フィルムテープ１の幅方向両側の打ち抜き領域外に形成する。認識パターンの周囲の銅箔を残し、認識パターンの形状に銅箔を除去して形成しても良いし、または認識パターンの周囲の銅箔を除去し、認識パターンの形状に銅箔を残して形成しても良い。また、このとき、補強パターン２ａは残るようにしても良いし、残らないように除去しても良い。さらに、認識パターンの形状は、用いる光学式認識装置の特性に適した形状にして設けることが好ましい。このような工程を経ることで、ＣＯＦキャリアテープ１２を形成する。また、このようにして形成したＣＯＦキャリアテープ１２のいくつかの態様を、図２、図３および図４に示す。
【００５２】
ここで、図２に示すＣＯＦキャリアテープ１２は、単位配線パターン長Ａ５と単位配線パターンピッチＢ５を同じにした場合のもので、このときの不要領域長Ｓ５は、Ｓ５＝０となり、不要領域が発生しない。
【００５３】
また、図３に示すＣＯＦキャリアテープ１２は、配線パターン３が１つおきに１８０°回転して配置し、向かい合った２つの配線パターン３も組み合わせを１つの配線パターンとみなし、これに対して相対する所定の位置に認識パターン４を形成したもので、このとき単位配線パターン長Ａ６と単位配線パターンピッチＢ６を同じにした場合のもので、この場合も前記と同様に不要領域長Ｓ６は、Ｓ６＝０となり不要領域が発生しない。
【００５４】
またさらに、図４に示すＣＯＦキャリアテープ１２は、後に行う単位配線パターン毎の打ち抜き時に、単位配線パターンを打ち抜いて残る部分の補強を目的として、必要最小限の不要領域長Ｓ７を設けたものである。このとき、単位配線パターンピッチＢ７は、単位配線パターン長Ａ７に不要領域長Ｓ７を加え、Ｂ７＝Ａ７+Ｓ７の状態にする。この場合、製造コストを安くするために、不要領域長Ｓ７は、極力小さくすることが良く、できれば０．５〜１．０ｍｍ程度にすることが好ましい。
【００５５】
それから、図示は省略するが、後述するごとく搭載する半導体チップとの接続目的や、絶縁フィルムテープ１上の配線パターン３の防錆目的で、配線パターン３の表面には錫めっきまたは金めっきを行うが、この例では錫めっきを行う。また、図示は省略するが、配線パターン３の保護を目的としたソルダーレジストを、半導体接続端子６および外部接続端子７を除く配線パターン３の所定の部分にスクリーン印刷法などで塗布して加熱硬化させて設けても良い。このソルダーレジストは、前記配線パターンの表面に行う錫めっきや金めっきの前に行っても良くまた後に行っても良い。
【００５６】
このようにして、ＣＯＦキャリアテープ１２を製造することで、絶縁フィルムテープ１上に配線パターン３を詰めて設けて、絶縁フィルムテープ１の長さ方向に発生する不要領域を減少しまたはなくすことができるため、絶縁フィルムテープ１の長さ有効率を高めて無駄をなくし、製造コストの安いＣＯＦキャリアテープの製造方法を提供することができる。
【００５７】
いま、図４に示すように、認識パターンを絶縁フィルムテープの幅方向両側に複数組連なって設け、認識パターン４の一方の中心から他方の認識パターン４の中心までのセンター間寸法をＨとし、絶縁フィルムテープ１のテープ幅をＤ２とする。すると、センター間寸法Ｈは、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格であるＪＥＩＴＡ（社団法人電子情報技術産業協会）規格に合わせて形成されているとよい。すなわち、Ｄ２＝３４．９７５±０．２ｍｍの範囲に有る場合は、３１．８２±０．０４ｍｍとすることが好ましい。また、Ｄ２＝４８．１７５±０．２ｍｍの範囲に有る場合は、Ｈ＝４２．１７７±０．０７ｍｍまたはＨ＝４４．８６±０．０７ｍｍの範囲のいずれか１つに設けることが好ましい。そして、Ｄ２＝６９．９５０±０．２ｍｍの範囲に有る場合は、Ｈ＝６３．９４９±０．０８ｍｍの範囲に設けることが好ましい。
【００５８】
このようにして設けた認識パターン４の位置は、従来のＣＯＦキャリアテープにＪＥＩＴＡ規格に基づき設けられた、スプロケットホールの幅方向の位置と同一である。そのため、従来の製造装置に設置された光学式などの自動位置認識装置を用いて認識パターン４を認識させることができる。また、このとき、自動位置認識装置の位置を変えるなどの段取りを行う必要もない。
【００５９】
なお、導体積層フィルムの幅がＣＯＦキャリアテープのテープ幅Ｄ２の２倍以上のものを用意して、前記図１（Ａ）ないし（Ｅ）に示す製造工程を行って、配線パターンと認識パターンの組合せを絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成し、多条のＣＯＦキャリアテープを形成する。それから、その多条のＣＯＦキャリアテープを長さ方向にカットして組ごとに分割する。次いで、その組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープを、搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送するごとに、例えば光学式のパターン認識装置により認識パターンを認識して順次位置決めしてから、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップを搭載し、その後、分割ＣＯＦキャリアテープを、同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めし、個々の配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が形成するようにしてもよい。
【００６０】
このようにすると、絶縁フィルムテープの長さ方向に発生する不要領域を減少またはなくしたＣＯＦキャリアテープ１２を複数同時に形成し、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層の製造コストの安いＣＯＦキャリアテープ１２を製造することができる。
【００６１】
図５（Ａ）ないし（Ｅ）には、図１に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープ１２を用いてＣＯＦ型半導体装置を製造する製造工程を示す。
【００６２】
まず、図５（Ａ）に示すように、図１に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープ１２を用意する。次に、ローラなどを用いてＣＯＦキャリアテープ１２を所定搬送長さ搬送し、認識パターン４を光学式認識装置で認識して位置決めし、この位置決めにより、相対的に位置決めされた位置関係にある配線パターン３を間接的に位置決めする。
【００６３】
次に、図５（Ｂ）に示すように、配線パターン３の所定の部分を用いて認識して位置決めするとともに半導体チップ１５を位置決めし、１００℃〜１５０℃に設定した加熱ステージ１３の上に順次セットする。そして、半導体１５に形成された金バンプ１４と配線パターン３の半導体接続端子６とを対向して、４００℃〜５００℃に加熱したボンディングツール１６を用いて熱と圧力とを加える。これにより、例えば金バンプ１４と、錫めっきされた半導体接続端子６とをＡｕ−Ｓｎ共晶接合して、フリップチップ実装して絶縁フィルムテープ１の上に半導体チップ１５を搭載する。
【００６４】
その後、ＣＯＦキャリアテープ１２を搬送ローラで所定搬送長さ搬送するとともに順次位置決めしながら、図５（Ｃ）に示すように、塗布用ノズル１８から吐出する封止樹脂１７を半導体１５の周囲に沿うように塗布して、毛細管現象により浸透して半導体チップ１５と絶縁フィルムテープ１との間に充填し、さらに加熱硬化した状態を図５（Ｄ）に示す。また、この状態の平面図を図６に示す。
【００６５】
そして、搬送ローラで長さ方向に所定搬送長さ搬送されるごとに打ち抜き領域外に形成される認識パターン４を、光学式などのパターン認識装置を用いて認識して順次位置決めし、図５（Ｅ）に示すように、単位配線パターン３ごとに金型などを用いて打ち抜いてＣＯＦ型半導体装置１９を形成する。
図７および図８には、単位配線パターン３ごと金型を用いて打ち抜いて、ＣＯＦ型半導体装置１９を形成するときの打ち抜き途中の状態を示す。
【００６６】
まず、図７は、単位配線パターン長Ａ５と単位配線パターンピッチＢ５が同じ値で、不要領域長Ｓ５はＳ５＝０、すなわち不要領域がない場合を示す。このように、不要領域がない場合、金型の打ち抜き寸法が単位配線パターン長Ａ５と同じにすると、配線パターン３を打ち抜くときの位置決め精度の誤差により、先に打ち抜き済みの切断部２０の部分を再度打ち抜くことになり、バリやヒゲ状のカスが発生してしまう。そこで、このような問題が発生しないようにするために、金型による打ち抜き寸法Ｅ１は、図７に示すように、単位配線パターン長Ａ５よりも大きくすることが好ましい。
【００６７】
また、図８は、単位配線パターン３ごとに打ち抜くとき、単位配線パターン３を打ち抜いて残る部分の補強を目的にして、必要最小限の不要領域長Ｓ７を設けたものである。単位配線パターンピッチＢ７は、単位配線パターン長Ａ７に不要領域長Ｓ７を加えた状態、すなわちＢ７＝Ａ７+Ｓ７にした状態にする。このときの金型による打ち抜き寸法Ｅ２は、単位配線パターン長Ａ７と同じ値に設定する。また、不要領域長Ｓ７は、前記補強の効力を確保できる範囲で、かつ金型による打ち抜きに支障がない範囲で極力小さく設定する。できれば、０．５〜１．０ｍｍ程度にして、製造コストを安くすることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】（Ａ）ないし（Ｅ）は、この発明によるＣＯＦキャリアテープの製造工程図である。
【図２】図１による製造工程に基づき製造されたＣＯＦキャリアテープの一例の平面図である。
【図３】他例の平面図である。
【図４】さらに他例の平面図である。
【図５】（Ａ）ないし（Ｅ）には、図１に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープを用いてＣＯＦ型半導体装置を製造する製造工程図である。
【図６】その半導体チップを搭載して樹脂封止後の状態における平面図である。
【図７】図２に示すＣＯＦキャリアテープに半導体チップを搭載後、単位配線パターンごと金型を用いて打ち抜いて、ＣＯＦ型半導体装置を形成するときの打ち抜き途中の状態を示す平面図である。
【図８】図４に示すＣＯＦキャリアテープに半導体チップを搭載後、単位配線パターンごと金型を用いて打ち抜いて、ＣＯＦ型半導体装置を形成するときの打ち抜き途中の状態を示す平面図である。
【図９】（Ａ）ないし（Ｅ）は、従来のＣＯＦキャリアテープの製造工程図である。
【図１０】ＪＥＩＴＡ規格を説明するため、ＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１１】図９に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１２】従来の別のＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１３】従来のさらに別のＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１４】（Ａ）ないし（Ｅ）は、従来の別のＣＯＦキャリアテープの製造工程図である。
【図１５】その製造工程途中の平面図である。
【図１６】従来のさらに別のＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１ 絶縁フィルムテープ
２ 導電体層
２ａ 補強パターン
３ 配線パターン
４ 認識パターン
５ 導体積層フィルム
６ 半導体接続端子
７ 外部接続端子
８ 紫外光線
９ フォトレジスト膜
１０ フォトマスク
１１ エッチングレジスト
１２ ＣＯＦキャリアテープ
１３ 加熱ステージ
１４ 金バンプ
１５ 半導体
１６ ボンディングツール
１７ 封止樹脂
１８ 塗布用ノズル
１９ ＣＯＦ型半導体装置
２０ 切断部
Ｐ スプロケットホールのピッチ
Ａ 単位配線パターン長
Ｂ 単位配線パターンピッチ（所定搬送長さ）
Ｅ 打ち抜き寸法
Ｓ 不要領域長
【技術分野】
【０００１】
この発明は、可撓性を有する長尺な絶縁フィルムテープの表面に、プリント配線技術によって、配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されているＣＯＦキャリアテープ、およびその製造方法に関する。ならびに、その配線パターンに接続し、好ましくはフリップチップ実装することにより、絶縁フィルムテープ上に半導体チップを搭載して半導体装置を製造するＣＯＦ型半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、電子機器の軽薄短小化、高機能化、高密度化がますます進んでいる。例えば、液晶パネルについても、大型化、高精細化、高コントラスト化が進み、それにともない液晶ドライバの多ピン化、ファインピッチ化が進んでいる。このような背景の下、例えば液晶ドライバなどの実装方式として、狭く複雑な空間に実装するのに有利なＣＯＦ（chip on film）キャリアテープに半導体チップを搭載した、ＣＯＦ型半導体装置を用いた実装方式が多く採用されている。
【０００３】
図９（Ａ）ないし（Ｅ）には、従来のＣＯＦキャリアテープの製造工程を示す。
この製造工程では、図９（Ａ）に示すように、絶縁フィルムテープ２１１の表面に導電体層２１２を設けた導体積層フィルム２１５を用意し、図９（Ｂ）に示すように両縁に沿ってスプロケットホール２１４を金型などを用いて打ち抜き形成する。
【０００４】
ＣＯＦキャリアテープに設けられるスプロケットホールの大きさおよび位置は、ＪＥＩＴＡ（社団法人電子情報技術産業協会）規格（旧、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業）規格）によって、ＣＯＦキャリアテープの各規格テープ幅に応じて、図１０および次の表１のように規定されていて、これらの値に基づき製造されている。
【０００５】
【表１】
【０００６】
次いで、図９（Ｃ）に示すように、スプロケットホール２１４を用いて搬送するとともに、導電体層２１２の表面にフォトレジストを塗布して乾燥させることによりフォトレジスト膜２１９を形成した後、スプロケットホール２１４で位置決めし、フォトマスク２２０を用いて紫外光線２１８により露光を行う。次に、図９（Ｄ）に示すように、スプロケットホール２１４を用いて搬送するとともに、現像を行ってエッチングレジスト２２１を形成する。
【０００７】
その後、図９（Ｅ）に示すように、スプロケットホール２１４を用いて搬送するとともにエッチングを行い、さらにエッチングレジスト２２１を除去して、絶縁フィルムテープ２１１の表面に、半導体接続端子部２１６と外部接続端子部２１７を有する同一の配線パターン２１３を、長さ方向に繰り返し設けたＣＯＦキャリアテープ２２２を形成する。
【０００８】
図１１には、このようにして形成したＣＯＦキャリアテープ２２２の平面を示す。
図において、スプロケットホール２１４は、後に前記半導体接続端子部２１６に接続して半導体チップを搭載するとき、位置決めに用いられる。そのため、配線パターン２１３は、スプロケットホール２１４に対して、相対的に同じ位置関係になるように正確に位置決めして形成されている。
【０００９】
ところで、スプロケットホール２１４は、半導体チップを搭載するときの位置決めだけでなく、ＣＯＦキャリアテープ２２２の製造段階においても搬送や位置決めを行うために用いるものであり、搬送するためにはスプロケットの歯をスプロケットホールに嵌合させ、スプロケットを回転させて搬送を行っていた。また、位置決めには、位置決めピンをスプロケットホールに挿入して、機械的に強制して位置決めを行っていた。
【００１０】
ところが、ＣＯＦキャリアテープは、可撓性が必要なため、絶縁フィルムテープ２１１の厚さが１２．５〜５０μｍと薄い。このため、機械的な強度が弱く、スプロケットや位置決めピンを用いて搬送や位置決めを行った場合、スプロケットホール２１４にキズや変形が生じてしまい、位置精度が悪くなる問題があった。そこで、現在では、スプロケットホール２１４にキズや変形を生じないようにするために、搬送ローラを用いて搬送を行い、位置決めはスプロケットホール２１４を光学式認識装置で認識して後、位置を制御して位置決めを行う方法が広く用いられている。
【００１１】
ここで、図１１に基づき、スプロケットホール２１４と配線パターン２１３との相対位置関係について説明する。まず、スプロケットホール２１４のピッチをＰ（前記ＪＥＩＴＡ規格の表１によりＰ＝Pnom＝4.75ｍｍ）とし、単位配線パターン長をＡ１とする。このとき、単位配線パターン長Ａ１が、スプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍と僅かでも異なる状態の場合は、配線パターン２１３の形成には有効に使用されない不要領域２２３が発生する。図１１の場合は、Ａ１＝（Ｐ×２）+（α+β）になっており、Ａ１＞Ｐ×２の状態にある。このため、単位配線パターンピッチをＢ１とすると、Ｂ１＝Ｐ×３だけ必要になる。そして、配線パターン２１３には、有効に使用されない不要領域２２３の長さの不要領域長Ｓ１が発生する。
【００１２】
ところで、不要領域長Ｓ１の値は、単位配線パターン長Ａ１によって決定され、単位配線パターン長Ａ１が、スプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍と一致した場合、すなわちＡ１＝Ｐ×ｎの場合、不要領域長Ｓ１はＳ１＝０になり、不要領域２２３は発生しない。しかし、単位配線パターン長Ａ１が僅かでもスプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍と異なる場合、すなわちＡ１＞Ｐ×ｎまたはＡ１＜Ｐ×ｎの場合には、不要領域長Ｓ１は、Ｐ＞Ｓ１＞０の値の範囲で発生する。ここで、単位配線パターン長Ａ１が僅かにスプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍より小さかった場合には、僅かに小さい分のみが不要領域長Ｓ１となる。しかし、単位配線パターン長Ａ１が僅かでもスプロケットホール２１４のピッチＰの正数（ｎ）倍より大きかった場合には、単位配線パターンピッチはさらにＰ×１だけ増やす必要があり、大きな不要領域長Ｓ１が発生してしまう。そのため、図１１に示す＋（α＋β）の値が小さいほど不要領域長Ｓ１の値は大きくなる。
【００１３】
このように、ＣＯＦキャリアテープ２２２の長さ方向に対して、不要領域２２３の不要領域長Ｓ１が発生した場合、その不要領域２２３の部分にも製造コストはかかっている。そのため、単位配線パターン長Ａ１に対する不要領域長Ｓ１の割合が大きくなるほど、ＣＯＦキャリアテープの製造コストが割高となる問題がある。
【００１４】
ここで、単位配線パターン長をＡ、必要とする単位配線パターンピッチをＢとして、Ｂに対するＡの割合を長さの有効率Ｃとすると、Ｃ＝（Ｂ÷Ａ）×１００（％）の関係式が成り立ち、この長さの有効率Ｃが悪くなるほど、ＣＯＦキャリアテープ２２２の製造コストが高くなる。ここで、単位配線パターン長Ａに対して、必要な単位配線パターンピッチＢと長さの有効率Ｃの関係を数値で表したものを表２に示す（表中のＰはスプロケットホールのピッチである）。
【００１５】
【表２】
【００１６】
この表から、単位配線パターン長Ａが単位配線パターンピッチＢと同じ場合は、長さの有効率が１００（％）になるが、単位配線パターン長Ａが単位配線パターンピッチＢと僅かでも異なる場合は、長さの有効率Ｃが１００（％）未満となる。そして、単位配線パターン長ＡがスプロケットホールのピッチＰの正数（ｎ）倍より大きくなる値が小さいほど長さの有効率は悪くなる。また、単位配線パターン長ＡがスプロケットホールのピッチＰ×１（Ｐ＝４．７５ｍｍ）よりも小さい場合は、単位配線パターン長Ａの値が小さくなるほど、長さの有効率は悪くなる。また、さらに単位配線パターンピッチＢをグループ分けした場合、単位配線パターンピッチＢの値が小さいグループほど、長さの有効率が悪くなる傾向になる。
【００１７】
これらのことから、上述したような従来のＣＯＦキャリアテープ２２２では、単位配線パターン長Ａの値によっては、長さの有効率Ｃが悪くなり、製造コストが高くなってしまう問題があった。
【００１８】
このように不要領域が発生するためにコスト高になる問題を解消すべく、例えば特許文献１に示されるように、配線パターンに突起部がある場合には、隣接して配置される配線パターンの突起部同士がお互いに隣接するように配置して、不要領域の面積を小さくする方法がある。例えば図１２に示すレイアウトで、配線パターン２１３が配置されると、不要領域１５２が生じる。
【００１９】
ところが、図１３に示すように、配線パターンの突起部同士が隣接するようにして、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが互いに１８０°回転した向きで配置されるようにする。このようにすると、複数の配線パターン１０１を異なる方向に向けてレイアウトすることにより、同一方向にレイアウトする従来の構成に比べて、テープキャリアの長さ方向に対してより多くの配線パターン１０１を搭載することができ、テープ面積の有効活用が図れる。
【００２０】
そして、図１２に示すような従来のレイアウトの構成では、不要領域１５２が生じ、所定の長さＬのテープキャリアにおいて配線パターンの取れる数は３個である。これに対し、図１３に示す構成では、不要領域１０３が生じているものの、その面積は上記不要領域１５２に比べ非常に小さく、同じく所定長さＬにおいて配線パターンの取れ数は４個となる。このようにして、長さの有効率を良くして、製造コストの安いテープキャリアが得られる。
【００２１】
また、別の特許文献２には、前記ＪＥＩＴＡ（社団法人電子情報技術産業協会）規格によって規定されているフィルムキャリアテープの幅の各規格テープ幅に対して形成する配線パターンの形成領域の幅寸法を大きくすることを可能にして、フィルムキャリアテープのコスト削減を図ることができる方法である。
【００２２】
具体的には、図１４（Ａ）ないし（Ｅ）に示すような製造工程により形成される。まず、図１４（Ａ）に示すように、絶縁フィルムテープ３１１上に導電体層３１２を形成した積層フィルムを用意し、絶縁フィルムテープ３１１の幅方向両側を搬送ローラで挟んで搬送位置決めした後、図１４（Ｂ）に示すように、配線パターン形成領域に亘ってフォトレジストを塗布してフォトレジスト材料塗布層３１９Ａを形成する。その後、搬送ローラで絶縁フィルムテープ３１１の位置決めを行った後、フォトマスク３２０Ａを介して露光・現像することで、図１４（Ｃ）に示すような配線パターン用レジストパターン３２１Ａおよびスプロケット用レジストパターン３２２を形成する。
【００２３】
次いで、配線パターン用レジストパターン３２１Ａおよびスプロケット用レジストパターン３２２をマスクパターンとして導電体層３１２をエッチング液で溶解して除去した後、配線パターン用レジストパターン３２１Ａおよびスプロケット用レジストパターン３２２をアルカリ溶液で溶解除去することにより、図１４（Ｄ）に示すように、配線パターン３１３およびスプロケット形成用位置決めマーク３２３を形成する。ここで、スプロケット形成用位置決めマーク３２３は、スプロケットホール３１４の開口に収まる十字状となるように形成されている。図１５には、その状態の平面を示す。
【００２４】
続いて、図１４（Ｅ）に示すように、例えばソルダーレジスト層３１８を形成する。その後、搬送ローラで絶縁フィルムテープ３１１の位置決めを行った後、例えば自動認識装置を用いてスプロケット形成用位置決めマーク３２３を認識し、パンチングなどによって絶縁フィルムテープ３１１およびスプロケットホール形成用位置決めマーク３２３を貫通してスプロケットホール３１４を形成することにより、フィルムキャリアテープ３１０Ａが完成する。このような方法によりスプロケットホール３１４の列間の幅寸法による制限をなくして絶縁フィルムテープ３１１のパターン形成領域の幅寸法を大きくすることができるため、フィルムキャリアテープの製造コストを削減することができる。
【００２５】
【特許文献１】特許第３５５８９２１号公報
【特許文献２】特許第３７５０１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
ところが、前記特許文献１の方法による、図１３に示すような従来のテープキャリアでは、配線パターンの突起部同士が隣接するようにして、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが互いに１８０°回転した向きで配列されていて、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが組み合わされた状態で１つの単位配線パターン長Ａ２になっている。そして、後に行われる、配線パターン１０１ａ・１０１ｂに半導体チップを接続して搭載するときの位置決めには、前記ＪＥＩＴＡ規格に基づき形成された、スプロケットホールを用いて行われるのが一般的である。そのため、配線パターン１０１ａ・１０１ｂが組み合わされた状態のものは、スプロケットホールに対して、相対的に位置決めされた位置に設けられる。
【００２７】
そのため、単位配線パターン長Ａ２の値がスプロケットホールのピッチＰの正数（ｎ）倍と僅かでも異なる場合は、不要領域が発生する。例えば、図１６に示すようにＡ３＝（Ｐ×８）+（α+β）のような状態の場合には、単位配線パターンピッチＢ３は、Ｂ３＝（Ｐ×９）だけ必要になり、不要領域長Ｓ３が発生する。そのため、長さの有効率が悪くなり、製造コストが高くなる問題があった。
【００２８】
また、別の前記特許文献２の方法による、図１４および図１５に示すような方法では、スプロケット形成用位置決めマーク３２３を形成した後、スプロケット形成用位置決めマーク３２３を認識し、パンチングなどによって絶縁フィルムテープ３１１およびスプロケットホール形成用位置決めマーク３２３を貫通してスプロケットホール３１４を形成する方法である。
【００２９】
このようにして形成されるフィルムキャリアテープは、後に行なわれる、配線パターンに半導体チップを接続して搭載するとき、位置決めのために前記ＪＥＩＴＡ規格に基づき形成された、スプロケットホールを用いるのが一般的である。そのため、配線パターンは、スプロケットホールに対して、相対的に位置決めされた位置に設けられている。
【００３０】
よって、単位配線パターン長Ａ４の値がスプロケットホールのピッチＰの正数（ｎ）倍と僅かでも異なる場合は、不要領域が発生する。例えば、図１５に示すようにＡ４＝（Ｐ×３）＋（α＋β）のような状態の場合には、単位配線パターンピッチＢ４は、Ｂ４＝（Ｐ×４）だけ必要になり、その結果、不要領域長Ｓ４が発生する。そのため、フィルムキャリアテープ３１０Ａの長さ方向に関しては、有効率が悪くなり、製造コストが高くなる問題があった。
【００３１】
そこで、この発明の目的は、長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープにあって、配線パターンの間隔をなくすか減少するかして、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから個々の配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
かかる目的を達成すべく、この発明の第１の態様は、長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されており、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれるＣＯＦキャリアテープにおいて、打ち抜き時に同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されたとき、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターンが、所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されているものである。
【００３３】
ここで、認識パターンは、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されているとよく、このとき絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されている認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されているとよい。また、認識パターンは、絶縁フィルムテープ上に、プリント配線技術によって形成されているとよい。一方、配線パターンと認識パターンの組合せは、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されているとよい。
【００３４】
また、上述した目的を達成すべく、この発明の第２の態様は、長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、プリント配線技術を用いて長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープの製造方法において、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが搬送ローラなどを用いて長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれるときに、例えば光学式のパターン認識装置により認識される認識パターンが、絶縁フィルムテープ上にプリント配線技術を用いて、配線パターンとともに、所定搬送長さごとに、ＣＯＦキャリアテープの打ち抜き領域外に形成されるものである。
【００３５】
ここで、認識パターンは、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されるとよく、このとき絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されるとよい。一方、配線パターンと認識パターンの組合せは、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されるとよい。
【００３６】
また、上述した目的を達成すべく、この発明の第３の態様は、第２の態様のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造されたＣＯＦキャリアテープが、搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、例えば光学式のパターン認識装置により認識パターンを認識して順次位置決めされてから、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載される。その後、ＣＯＦキャリアテープが、同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるものである。
【００３７】
また、上述した目的を達成すべく、この発明の第４の態様は、第２の態様のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造された多条のＣＯＦキャリアテープが、長さ方向にカットされて組ごとに分割され、
次いで、その組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープが、搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、例えば光学式のパターン認識装置により認識パターンを認識して順次位置決めされてから、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載され、
その後、分割ＣＯＦキャリアテープが、同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるものである。
【発明の効果】
【００３８】
この発明の第１の態様によれば、長尺な絶縁フィルムテープ上に、配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープにあって、打ち抜き領域外に、認識パターンが所定搬送長さごとに形成されているので、半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが搬送ローラなどを用いて搬送されるとき、認識パターンが、例えば光学式のパターン認識装置により認識されて位置決めされる。故に、ＣＯＦキャリアテープが搬送されるとき、従来のようにスプロケットホールなどのピッチ間隔単位で位置決めされるのではないから、絶縁フィルムテープ上に配線パターンを詰めて設けて、配線パターンの間隔をなくしまたは減少して形成することができ、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることができる。
【００３９】
ここで、認識パターンが、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されていると、ＣＯＦキャリアテープを傾きなく位置決めすることができる。このとき、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されていると、スプロケットホールを有する従来のＣＯＦキャリアテープの製造装置において設置されている自動位置認識装置を、位置変えなどを行う必要なく、そのまま使用することができる。
【００４０】
また、認識パターンが、絶縁フィルムテープ上に、プリント配線技術によって形成されていると、同じプリント配線技術を用いて、配線パターン形成時に同時に認識パターンも形成することができ、従来のように金型を用いてスプロケットホールを形成しないから、金型による加工工程を必要とせず、また金型による打ち抜き時に生じるバリやヒゲも発生しないから、品質がよく、かつ製作を容易とすることができる。配線パターンが、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されていると、多条にして、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層のコストの低減を図ることができる。
【００４１】
また、この発明の第２の態様によれば、長尺な絶縁フィルムテープ上に、配線パターンが、プリント配線技術を用いて長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープの製造方法にあって、認識パターンが、絶縁フィルムテープ上にプリント配線技術を用いて、配線パターンとともに、所定搬送長さごとに、ＣＯＦキャリアテープの打ち抜き領域外に形成されるので、半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが搬送ローラなどを用いて搬送されるとき、認識パターンが、例えば光学式のパターン認識装置により認識されて位置決めされる。故に、ＣＯＦキャリアテープが搬送されるとき、従来のようにスプロケットホールなどのピッチ間隔単位で位置決めされるのではないから、絶縁フィルムテープ上に配線パターンを詰めて設けて、配線パターンの間隔をなくしまたは減少して形成することができ、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることができる。
【００４２】
ここで、認識パターンが、配線パターンを挟んで、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されると、ＣＯＦキャリアテープを傾きなく位置決めすることができる。このとき、絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されると、スプロケットホールを有する従来のＣＯＦキャリアテープの製造装置において設置されている自動位置認識装置を、位置変えなどを行う必要なく、そのまま使用することができる。また、配線パターンが、絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されると、多条に形成して後にカットすることにより、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層のコストの低減を図ることができる。
【００４３】
また、この発明の第３の態様によれば、上述した第２の態様により製造されたＣＯＦキャリアテープに半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが、所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるので、ＣＯＦキャリアテープが搬送されるとき、従来のようにスプロケットホールなどのピッチ間隔単位で位置決めされるのではないから、絶縁フィルムテープ上に配線パターンを詰めて設けて、配線パターンの間隔をなくしまたは減少して形成することができ、最終的に長尺な絶縁フィルムテープから配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が製造されるとき、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、コストの低減を図ることができる。
【００４４】
また、この発明の第４の態様によれば、上述した第２の態様により製造された多条のＣＯＦキャリアテープが、長さ方向にカットされて組ごとに分割され、次いでその組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープに半導体チップ搭載後に、ＣＯＦキャリアテープが、所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されるので、多条に形成して後にカットすることにより、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層のコストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の最良形態について説明する。
図１（Ａ）ないし（Ｅ）には、この発明によるＣＯＦキャリアテープの製造工程の一例を示す。
【００４６】
この発明による製造工程では、図１（Ａ）に示すような長尺な絶縁フィルムテープ１の表面に導電体層２をベタ状に設けた導体積層フィルム５を用意する。絶縁フィルムテープ１としては、一般には、厚さが１２．５〜５０μｍのポリイミドを使用する。例えば、宇部興産（株）製の商品名「ユーピレックス」や、東レ・デュポン（株）製の商品名「カプトン」などを用いる。そして、そのような絶縁フィルムテープ１の片面上に、スパッタ法や電解めっき法を用いて金属で形成された導電体層２を形成する。図示例では、スパッタ法と電解銅めっき法の組み合わせにより導電体層２を形成した、住友金属鉱山（株）製の商品名「エスパーフレックス」を使用した。
【００４７】
この他にも、導電体層２を構成する銅箔にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布して後、乾燥・硬化した、新日鉄化学（株）製の商品名「エスパネックス」などを用いることができる。なお、絶縁フィルムテープ１としては、上述したポリイミドに代えて、ポリエチレンやポリエステルなどを用いることもできる。
【００４８】
次に、図１（Ｂ）に示すように、搬送ローラを用いて導体積層フィルム５を搬送するとともに、導電体層２の表面にロールコータなどを用いてフォトレジストを一様に塗布した後、乾燥硬化させて、フォトレジスト膜９を形成する。
【００４９】
次に、図１（Ｃ）に示すように、搬送ローラを用いて導体積層フィルム５を搬送するとともに位置決めし、フォトマスク１０を介して紫外光線８をフォトレジスト膜９に照射する。この照射をさらに、導体積層フィルム５を所定量搬送するごとに位置決めして、導体積層フィルム５の長さ方向に繰り返し行う。このとき、所定量、つまり位置決めした位置から次の位置決め位置までの距離は、後に形成される配線パターン同士が極力接近または接続するように設定する。そして、位置決め位置から次の位置決め位置までの距離を、単位配線パターンピッチＢとする。この単位配線パターンピッチＢが、所定搬送長さに相当する。
【００５０】
次に、図１（Ｄ）に示すように、搬送ローラを用いて所定搬送長さ搬送を行うとともに、現像を行ってエッチングレジスト１１を形成する。さらに、図１（Ｅ）に示すように、エッチングを行って、半導体接続端子６と外部接続端子７とを有する同一の配線パターン３を絶縁フィルムテープ１の長さ方向に繰り返し形成するとともに、認識パターン４と補強パターン２ａを形成し、アルカリ溶液などを用いてエッチングレジスト１１を除去する。図示例では、前記導電体層２の材料に銅を用いたため、エッチング液には塩化第２鉄溶液のエッチング液を用いてエッチングを行う。このようにして、プリント配線技術を用いて、絶縁フィルムテープ１上に認識パターン４を配線パターン３と同時に形成する。
【００５１】
このとき形成する認識パターン４は、配線パターン３を挟んで、絶縁フィルムテープ１の幅方向両側の打ち抜き領域外に形成する。認識パターンの周囲の銅箔を残し、認識パターンの形状に銅箔を除去して形成しても良いし、または認識パターンの周囲の銅箔を除去し、認識パターンの形状に銅箔を残して形成しても良い。また、このとき、補強パターン２ａは残るようにしても良いし、残らないように除去しても良い。さらに、認識パターンの形状は、用いる光学式認識装置の特性に適した形状にして設けることが好ましい。このような工程を経ることで、ＣＯＦキャリアテープ１２を形成する。また、このようにして形成したＣＯＦキャリアテープ１２のいくつかの態様を、図２、図３および図４に示す。
【００５２】
ここで、図２に示すＣＯＦキャリアテープ１２は、単位配線パターン長Ａ５と単位配線パターンピッチＢ５を同じにした場合のもので、このときの不要領域長Ｓ５は、Ｓ５＝０となり、不要領域が発生しない。
【００５３】
また、図３に示すＣＯＦキャリアテープ１２は、配線パターン３が１つおきに１８０°回転して配置し、向かい合った２つの配線パターン３も組み合わせを１つの配線パターンとみなし、これに対して相対する所定の位置に認識パターン４を形成したもので、このとき単位配線パターン長Ａ６と単位配線パターンピッチＢ６を同じにした場合のもので、この場合も前記と同様に不要領域長Ｓ６は、Ｓ６＝０となり不要領域が発生しない。
【００５４】
またさらに、図４に示すＣＯＦキャリアテープ１２は、後に行う単位配線パターン毎の打ち抜き時に、単位配線パターンを打ち抜いて残る部分の補強を目的として、必要最小限の不要領域長Ｓ７を設けたものである。このとき、単位配線パターンピッチＢ７は、単位配線パターン長Ａ７に不要領域長Ｓ７を加え、Ｂ７＝Ａ７+Ｓ７の状態にする。この場合、製造コストを安くするために、不要領域長Ｓ７は、極力小さくすることが良く、できれば０．５〜１．０ｍｍ程度にすることが好ましい。
【００５５】
それから、図示は省略するが、後述するごとく搭載する半導体チップとの接続目的や、絶縁フィルムテープ１上の配線パターン３の防錆目的で、配線パターン３の表面には錫めっきまたは金めっきを行うが、この例では錫めっきを行う。また、図示は省略するが、配線パターン３の保護を目的としたソルダーレジストを、半導体接続端子６および外部接続端子７を除く配線パターン３の所定の部分にスクリーン印刷法などで塗布して加熱硬化させて設けても良い。このソルダーレジストは、前記配線パターンの表面に行う錫めっきや金めっきの前に行っても良くまた後に行っても良い。
【００５６】
このようにして、ＣＯＦキャリアテープ１２を製造することで、絶縁フィルムテープ１上に配線パターン３を詰めて設けて、絶縁フィルムテープ１の長さ方向に発生する不要領域を減少しまたはなくすことができるため、絶縁フィルムテープ１の長さ有効率を高めて無駄をなくし、製造コストの安いＣＯＦキャリアテープの製造方法を提供することができる。
【００５７】
いま、図４に示すように、認識パターンを絶縁フィルムテープの幅方向両側に複数組連なって設け、認識パターン４の一方の中心から他方の認識パターン４の中心までのセンター間寸法をＨとし、絶縁フィルムテープ１のテープ幅をＤ２とする。すると、センター間寸法Ｈは、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格であるＪＥＩＴＡ（社団法人電子情報技術産業協会）規格に合わせて形成されているとよい。すなわち、Ｄ２＝３４．９７５±０．２ｍｍの範囲に有る場合は、３１．８２±０．０４ｍｍとすることが好ましい。また、Ｄ２＝４８．１７５±０．２ｍｍの範囲に有る場合は、Ｈ＝４２．１７７±０．０７ｍｍまたはＨ＝４４．８６±０．０７ｍｍの範囲のいずれか１つに設けることが好ましい。そして、Ｄ２＝６９．９５０±０．２ｍｍの範囲に有る場合は、Ｈ＝６３．９４９±０．０８ｍｍの範囲に設けることが好ましい。
【００５８】
このようにして設けた認識パターン４の位置は、従来のＣＯＦキャリアテープにＪＥＩＴＡ規格に基づき設けられた、スプロケットホールの幅方向の位置と同一である。そのため、従来の製造装置に設置された光学式などの自動位置認識装置を用いて認識パターン４を認識させることができる。また、このとき、自動位置認識装置の位置を変えるなどの段取りを行う必要もない。
【００５９】
なお、導体積層フィルムの幅がＣＯＦキャリアテープのテープ幅Ｄ２の２倍以上のものを用意して、前記図１（Ａ）ないし（Ｅ）に示す製造工程を行って、配線パターンと認識パターンの組合せを絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成し、多条のＣＯＦキャリアテープを形成する。それから、その多条のＣＯＦキャリアテープを長さ方向にカットして組ごとに分割する。次いで、その組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープを、搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送するごとに、例えば光学式のパターン認識装置により認識パターンを認識して順次位置決めしてから、配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップを搭載し、その後、分割ＣＯＦキャリアテープを、同様に搬送ローラなどを用いて所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により認識パターンを認識することにより順次位置決めし、個々の配線パターンごとに打ち抜いて半導体装置が形成するようにしてもよい。
【００６０】
このようにすると、絶縁フィルムテープの長さ方向に発生する不要領域を減少またはなくしたＣＯＦキャリアテープ１２を複数同時に形成し、製造効率を高めるとともに、絶縁フィルムテープの長さの有効率を高めて無駄をなくし、より一層の製造コストの安いＣＯＦキャリアテープ１２を製造することができる。
【００６１】
図５（Ａ）ないし（Ｅ）には、図１に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープ１２を用いてＣＯＦ型半導体装置を製造する製造工程を示す。
【００６２】
まず、図５（Ａ）に示すように、図１に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープ１２を用意する。次に、ローラなどを用いてＣＯＦキャリアテープ１２を所定搬送長さ搬送し、認識パターン４を光学式認識装置で認識して位置決めし、この位置決めにより、相対的に位置決めされた位置関係にある配線パターン３を間接的に位置決めする。
【００６３】
次に、図５（Ｂ）に示すように、配線パターン３の所定の部分を用いて認識して位置決めするとともに半導体チップ１５を位置決めし、１００℃〜１５０℃に設定した加熱ステージ１３の上に順次セットする。そして、半導体１５に形成された金バンプ１４と配線パターン３の半導体接続端子６とを対向して、４００℃〜５００℃に加熱したボンディングツール１６を用いて熱と圧力とを加える。これにより、例えば金バンプ１４と、錫めっきされた半導体接続端子６とをＡｕ−Ｓｎ共晶接合して、フリップチップ実装して絶縁フィルムテープ１の上に半導体チップ１５を搭載する。
【００６４】
その後、ＣＯＦキャリアテープ１２を搬送ローラで所定搬送長さ搬送するとともに順次位置決めしながら、図５（Ｃ）に示すように、塗布用ノズル１８から吐出する封止樹脂１７を半導体１５の周囲に沿うように塗布して、毛細管現象により浸透して半導体チップ１５と絶縁フィルムテープ１との間に充填し、さらに加熱硬化した状態を図５（Ｄ）に示す。また、この状態の平面図を図６に示す。
【００６５】
そして、搬送ローラで長さ方向に所定搬送長さ搬送されるごとに打ち抜き領域外に形成される認識パターン４を、光学式などのパターン認識装置を用いて認識して順次位置決めし、図５（Ｅ）に示すように、単位配線パターン３ごとに金型などを用いて打ち抜いてＣＯＦ型半導体装置１９を形成する。
図７および図８には、単位配線パターン３ごと金型を用いて打ち抜いて、ＣＯＦ型半導体装置１９を形成するときの打ち抜き途中の状態を示す。
【００６６】
まず、図７は、単位配線パターン長Ａ５と単位配線パターンピッチＢ５が同じ値で、不要領域長Ｓ５はＳ５＝０、すなわち不要領域がない場合を示す。このように、不要領域がない場合、金型の打ち抜き寸法が単位配線パターン長Ａ５と同じにすると、配線パターン３を打ち抜くときの位置決め精度の誤差により、先に打ち抜き済みの切断部２０の部分を再度打ち抜くことになり、バリやヒゲ状のカスが発生してしまう。そこで、このような問題が発生しないようにするために、金型による打ち抜き寸法Ｅ１は、図７に示すように、単位配線パターン長Ａ５よりも大きくすることが好ましい。
【００６７】
また、図８は、単位配線パターン３ごとに打ち抜くとき、単位配線パターン３を打ち抜いて残る部分の補強を目的にして、必要最小限の不要領域長Ｓ７を設けたものである。単位配線パターンピッチＢ７は、単位配線パターン長Ａ７に不要領域長Ｓ７を加えた状態、すなわちＢ７＝Ａ７+Ｓ７にした状態にする。このときの金型による打ち抜き寸法Ｅ２は、単位配線パターン長Ａ７と同じ値に設定する。また、不要領域長Ｓ７は、前記補強の効力を確保できる範囲で、かつ金型による打ち抜きに支障がない範囲で極力小さく設定する。できれば、０．５〜１．０ｍｍ程度にして、製造コストを安くすることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】（Ａ）ないし（Ｅ）は、この発明によるＣＯＦキャリアテープの製造工程図である。
【図２】図１による製造工程に基づき製造されたＣＯＦキャリアテープの一例の平面図である。
【図３】他例の平面図である。
【図４】さらに他例の平面図である。
【図５】（Ａ）ないし（Ｅ）には、図１に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープを用いてＣＯＦ型半導体装置を製造する製造工程図である。
【図６】その半導体チップを搭載して樹脂封止後の状態における平面図である。
【図７】図２に示すＣＯＦキャリアテープに半導体チップを搭載後、単位配線パターンごと金型を用いて打ち抜いて、ＣＯＦ型半導体装置を形成するときの打ち抜き途中の状態を示す平面図である。
【図８】図４に示すＣＯＦキャリアテープに半導体チップを搭載後、単位配線パターンごと金型を用いて打ち抜いて、ＣＯＦ型半導体装置を形成するときの打ち抜き途中の状態を示す平面図である。
【図９】（Ａ）ないし（Ｅ）は、従来のＣＯＦキャリアテープの製造工程図である。
【図１０】ＪＥＩＴＡ規格を説明するため、ＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１１】図９に示す製造工程により製造されたＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１２】従来の別のＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１３】従来のさらに別のＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【図１４】（Ａ）ないし（Ｅ）は、従来の別のＣＯＦキャリアテープの製造工程図である。
【図１５】その製造工程途中の平面図である。
【図１６】従来のさらに別のＣＯＦキャリアテープの平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１ 絶縁フィルムテープ
２ 導電体層
２ａ 補強パターン
３ 配線パターン
４ 認識パターン
５ 導体積層フィルム
６ 半導体接続端子
７ 外部接続端子
８ 紫外光線
９ フォトレジスト膜
１０ フォトマスク
１１ エッチングレジスト
１２ ＣＯＦキャリアテープ
１３ 加熱ステージ
１４ 金バンプ
１５ 半導体
１６ ボンディングツール
１７ 封止樹脂
１８ 塗布用ノズル
１９ ＣＯＦ型半導体装置
２０ 切断部
Ｐ スプロケットホールのピッチ
Ａ 単位配線パターン長
Ｂ 単位配線パターンピッチ（所定搬送長さ）
Ｅ 打ち抜き寸法
Ｓ 不要領域長
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されており、前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれるＣＯＦキャリアテープにおいて、
打ち抜き時に前記所定搬送長さ搬送されたとき、パターン認識装置により認識される認識パターンが、前記所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されていることを特徴とする、ＣＯＦキャリアテープ。
【請求項２】
前記認識パターンが、前記配線パターンを挟んで、前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項３】
前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されている認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項４】
前記認識パターンが、前記絶縁フィルムテープ上に、プリント配線技術によって形成されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項５】
前記配線パターンと前記認識パターンの組合せが、前記絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項６】
長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、プリント配線技術を用いて長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープの製造方法において、
前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、前記ＣＯＦキャリアテープが長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれるときに、パターン認識装置により認識される認識パターンが、前記絶縁フィルムテープ上にプリント配線技術を用いて、前記配線パターンとともに、前記所定搬送長さごとに、前記ＣＯＦキャリアテープの打ち抜き領域外に形成されることを特徴とする、ＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項７】
前記認識パターンが、前記配線パターンを挟んで、前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されることを特徴とする、請求項６に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されることを特徴とする、請求項６または７に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項９】
前記配線パターンと前記認識パターンの組合せが、前記絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されることを特徴とする、請求項６ないし８のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし８のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造されたＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識して順次位置決めされてから、前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載され、
その後、前記ＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されることを特徴とする、ＣＯＦ型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造された多条のＣＯＦキャリアテープが、長さ方向にカットされて組ごとに分割され、
次いで、その組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識して順次位置決めされてから、前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載され、
その後、前記分割ＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されることを特徴とする、ＣＯＦ型半導体装置の製造方法。
【請求項１】
長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、長さ方向に繰り返し形成されており、前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれるＣＯＦキャリアテープにおいて、
打ち抜き時に前記所定搬送長さ搬送されたとき、パターン認識装置により認識される認識パターンが、前記所定搬送長さごとに、打ち抜き領域外に形成されていることを特徴とする、ＣＯＦキャリアテープ。
【請求項２】
前記認識パターンが、前記配線パターンを挟んで、前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項３】
前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されている認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項４】
前記認識パターンが、前記絶縁フィルムテープ上に、プリント配線技術によって形成されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項５】
前記配線パターンと前記認識パターンの組合せが、前記絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープ。
【請求項６】
長尺な絶縁フィルムテープ上に、同一の配線パターンが、プリント配線技術を用いて長さ方向に繰り返し形成されるＣＯＦキャリアテープの製造方法において、
前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップ搭載後に、前記ＣＯＦキャリアテープが長さ方向に所定搬送長さ搬送されて順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれるときに、パターン認識装置により認識される認識パターンが、前記絶縁フィルムテープ上にプリント配線技術を用いて、前記配線パターンとともに、前記所定搬送長さごとに、前記ＣＯＦキャリアテープの打ち抜き領域外に形成されることを特徴とする、ＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項７】
前記認識パターンが、前記配線パターンを挟んで、前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成されることを特徴とする、請求項６に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁フィルムテープの幅方向両側に形成される認識パターンのセンター間寸法が、各規格テープ幅寸法に応じて、スプロケットホールのセンター間寸法を規定する既定規格に合わせて形成されることを特徴とする、請求項６または７に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項９】
前記配線パターンと前記認識パターンの組合せが、前記絶縁フィルムテープの幅方向に並べて複数組形成されることを特徴とする、請求項６ないし８のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし８のいずれか１に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造されたＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識して順次位置決めされてから、前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載され、
その後、前記ＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されることを特徴とする、ＣＯＦ型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載のＣＯＦキャリアテープの製造方法を用いて製造された多条のＣＯＦキャリアテープが、長さ方向にカットされて組ごとに分割され、
次いで、その組ごとに分割された分割ＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識して順次位置決めされてから、前記配線パターンにそれぞれ接続して半導体チップが搭載され、
その後、前記分割ＣＯＦキャリアテープが、前記所定搬送長さ搬送されるごとに、パターン認識装置により前記認識パターンを認識することにより順次位置決めされ、個々の前記配線パターンごとに打ち抜かれて半導体装置が形成されることを特徴とする、ＣＯＦ型半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００８−２０５１７２（Ｐ２００８−２０５１７２Ａ）
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３９２８２（Ｐ２００７−３９２８２）
【出願日】平成１９年２月２０日（２００７．２．２０）
【出願人】（３９１０２２１８６）新藤電子工業株式会社 (23)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２０日（２００７．２．２０）
【出願人】（３９１０２２１８６）新藤電子工業株式会社 (23)
【Ｆターム（参考）】
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