【課題】半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することを目的とするものである。
【解決手段】基板１に半導体チップ２をフリップチップ実装して半導体装置を製造する際に、半導体チップ２の多重の環状に形成されたパッド４の最内周パッド以外のパッド４間に突出部９を設け、基板１上の最内周パッドの内側に対応する部分に固定用樹脂体３を載置し、加圧，加温することにより基板１と半導体チップ２との間全面に固定用樹脂体３を広げ、基板１と半導体チップ２とを固定用樹脂体３により固定することにより、最内周パッドの外側にボイド等が形成されることを抑制し、半導体チップ２と基板１との電気的接続状態を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】 薄いガラス基板で構成される液晶表示装置では、ＣＯＧ実装時の熱ひずみによって液晶表示パネルが反り、この反りによる表示ムラが発生している。
【解決手段】 液晶表示装置が、ガラス基板とＩＣチップに挟まれた領域の中央部にＩＣチップのバンプと同じ高さの突起を設ける。突起は、ＡＣＦ樹脂が熱硬化後冷却収縮する際にＩＣチップと液晶表示パネルの間隔が狭まるのを防ぐスペーサの役割をする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置１と基板７とを接続するバンプ５、６のうち外縁部に配置された第１のバンプ５が破壊されることなく、また、半導体装置１に振動や機械的外力が印加されても半導体装置１と基板７とがずれない半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体装置１と基板７とを接続する接続部のうち、半導体装置１と基板７とによる大きな熱応力が繰り返し印加される外縁部に、半導体装置１の作動温度範囲内に融点を有し、半導体装置１が作動している間に少なくとも一度は液相状態になる材質で構成された第１のバンプ５を配置し、外縁部の内側、つまり第１のバンプ５が配置される内側に、半導体装置１の作動温度範囲より高い温度に融点を有し、半導体装置１が作動している間においても固相状態である材質で構成された第２のバンプ６を配置する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを縮小することにより、ＬＣＤドライバの製造コストを低減させることのできる技術を提供する。
【解決手段】第１金属膜からなるバンプ６が形成されない領域のパッシベーション膜９上に、第２金属膜からなる容量素子７Ｃ、抵抗素子７Ｒまたはインダクタンス素子７Ｌ等の受動素子を形成する。第１金属膜は金膜、第２金属膜は金膜、ニッケル膜または銅膜であり、あるいは第１金属膜は下層をニッケル膜または銅膜とし上層を金膜とする積層膜、第２金属膜はニッケル膜または銅膜である。さらに、第１金属膜の厚さは第２金属膜の厚さと同じか、あるいは第２金属膜の厚さよりも厚く形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に規定された実装領域に対するその実装領域に実装された他の基板の剥離強度を高め、且つ実装領域を小さくする。
【解決手段】複数の接続電極１５を有する実装領域１１ａが端部に規定された第１基板１１と、複数の接続電極の一部１５ｂ，１５ａに対応して突起状に設けられた複数のバンプ電極２１を底面に有し、各バンプ電極２１を各接続電極１５ｂ，１５ａにそれぞれ電気的に接続して実装領域１１ａに実装された集積回路チップ２０と、集積回路チップ２０よりも外側で複数の接続電極１５の他部１５ｃに電気的に接続して上記実装領域１１ａに実装された第２基板２５とを備え、第２基板２５の一部を、各バンプ電極２１よりも外側で第１基板１１と集積回路チップ２０との間に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】複数個のバンプを介して２枚の半導体チップを超音波接合するにあたり、数のバンプを一括して超音波接合するにときに、各バンプの接合状態を均一化するのに適した製造方法を提供する。
【解決手段】それぞれ複数個のバンプ３１、３２が一面側に平面的に配置された第１の半導体チップ１０、第２の半導体チップ２０を用意し、第１の半導体チップ１０の他面に、超音波を発振するホーン１００を当てて、両半導体チップ１０、２０の各バンプ３１、３２同士を接触させ、ホーン１００によって第１の半導体チップ１０のバンプ３１に超音波を印加する半導体装置の製造方法において、第１の半導体チップ１０の一面のうち超音波による第１の半導体チップ１０の振動方向Ｘにおける中央部に位置するバンプ３１よりも周辺部に位置するバンプ３１の方が、印加される超音波エネルギーが大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】二つの電子部品のバンプ電極同士が小さい荷重によって十分な機械的強度をもって接合された実装構造を提供する
【解決手段】実装構造１００はＭＥＭＳチップ１１０と配線基板１３０とを有している。ＭＥＭＳチップ１１０はバンプ電極１５０Ａを有し、配線基板１３０はバンプ電極１５０Ｂを有している。バンプ電極１５０Ａ，１５０Ｂは互いに対応する位置に設けられて配置されている。バンプ電極１５０Ａ，１５０Ｂは、それぞれ、山型突起１５２Ａ，１５２Ｂを有している。ＭＥＭＳチップ１１０と配線基板１３０は、バンプ電極１５０Ａとバンプ電極１５０Ｂとが互いに対向するように配置されて加圧される。これにより、互いに接触した山型突起１５２Ａ，１５２Ｂが塑性変形し、バンプ電極１５０Ａ，１５０Ｂが互いに接合される。 （もっと読む）

【課題】充填剤の充填不良を回避しつつ、短時間での半導体素子と基板との隙間への充填剤の充填が可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０と基板２０との間に配置したはんだボール１１・１１・・・により半導体チップ１０と基板２０とを接合するとともに、前記はんだボール１１・１１・・・により接合された半導体チップ１０と基板２０との間に形成される隙間にアンダーフィル剤３１を充填して半導体チップ１０と基板２０との接合を補強する半導体装置１であって、半導体チップ１０は、基板２０と対向する面（下面）を、アンダーフィル剤３１の充填側と反対側の隙間が該充填側の隙間より大きくなるように傾斜した面として構成され、半導体チップ１０における充填口２２側からの距離に応じてはんだボール１１・１１・・・の断面積を設定し、はんだボール１１・１１・・・を、充填口２２を中心として放射状に配置した。 （もっと読む）

本発明は導電性の機械的相互接続部材（１２）を作る方法に関する。この方法は、サブミクロン直径を有し、且つ金属から作られた基板（２）の表面から突出する複数の金属ワイヤ（２ａ）を含む構造を、電気化学的に堆積する第１の段階と、前記ワイヤの部分的溶解を制御して、それらワイヤの直径を低減する第２の段階とを含む。本発明はまた、機械的及び／又は電気的相互接続を作る方法にも関する。この方法は、前述された方法に従って２つの相互接続部材を作ることと、相互接続部材を対向させて配置し、これらを相互に対向して押圧して、前記部材の表面から突出するナノメトリックワイヤの貫入及び絡み合いを実行することとの各ステップを含む。本発明はまた、そのような相互接続部材によって機械的及び電気的に相互接続されたマイクロ電子チップのスタックを含む３次元電子デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】製造工程においてチッピングが発生しにくい積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】所定分布密度のバンプ７が形成された回路領域９を有する半導体基板８同士が、バンプ７を接合することにより積層されて形成された積層型半導体素子であって、半導体基板１の周辺部１０には、回路領域９のバンプ７の分布密度より高い分布密度で、半導体基板１に密着してダミーバンプ１１が形成され、半導体基板１同士において、ダミーバンプ１１同士の接合がなされていることを特徴とする積層型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線の断線を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板に実装されたインターポーザ基板と、インターポーザ基板に実装された半導体素子とを備え、インターポーザ基板は、複数個の第１基板金属バンプと、複数個の第１基板パッドメタル２３と、複数本の基板配線２４とを有し、半導体素子は、第１基板金属バンプとそれぞれ熱圧着により接合した複数個の素子金属バンプと、複数個の素子パッドメタル１３と、複数本の素子配線１４とを有する半導体装置であって、第１基板パッドメタル２３および素子パッドメタル１３は、各角が外側に向かって突き出る多角形状をしており、基板配線２４は、それぞれ対応する第１基板パッドメタル２３の角の頂点から間隔を空けた位置に接続され、素子配線１４は、それぞれ対応する素子パッドメタル１３の角の頂点から間隔を空けた位置に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ等のフリップチップやＩＬＢによるベアチップ実装において、配線基板の寸法変化に起因する半導体素子の電極との間の位置ずれを緩和する。
【解決手段】配線基板１は、導体配線２が延在して形成され、半導体素子４の領域の外側から半導体素子の第１素子電極列５と各々接合された第１接合用配線列９と、半導体素子領域の外側から半導体素子の第２素子電極列７と各々接合された第２接合用配線列１０とを備える。第１接合用配線列を構成する各々の導体配線のピッチは、半導体素子領域の外側では第１素子電極列のピッチより広く、半導体素子の中心側の先端では第１素子電極列のピッチより狭くなるように連続的に変化しており、第２接合用配線列を構成する各々の導体配線のピッチは、半導体素子領域の外側では第２素子電極列のピッチより狭く、半導体素子の中心側の先端では第２素子電極列のピッチより広くなるように連続的に変化している。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面に電極が形成された半導体チップの表面電極をパッケージ基板にフリップチップ接続する場合に、バンプ電極の接合不良を防止することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ボンディングヘッド１２の吸着口２０Ａ〜２０Ｄの各々は、半導体チップ３０のバンプ電極３２（表面電極）がパッケージ基板１６のバンプ電極２２と接合される接合領域を避けるように配置されている。半導体チップ３０の裏面側には、バンプ電極３２対向する位置に、バンプ電極３２と接続されるバンプ電極３４（裏面電極）が設けられる。吸着口２０Ａ〜２０Ｄは接合領域と重なることがないので、この接合領域でバンプ電極３４（裏面電極）が吸引されることはない。 （もっと読む）

【課題】対向した基板の間に正確な隙間を作ることができ、部品面積を小さくできる電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】デバイス基板（１）にコアパターン（７）とこの表面を覆うバンプパターン（８）を有する第２の電極部（６）を設け、コアパターン（７）はバンプパターン（８）よりも硬度が高い材料で構成し、接合基板（２）にはバンプパターン（８）と同一材料の第１の電極部（５）を設け、直接接合した第１の電極部（５）とバンプパターン（８）を介してデバイス基板（１）の機能部と第１の電極部（５）とを電気接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能な回路接続方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回路接続方法は、
チップ本体１２の主面Ｓ上にバンプ１６が形成された半導体チップ１０を用意する工程と、バンプ１６に対応する電極が基板の主面に設けられた回路部材を用意する工程と、チップ本体１０の主面Ｓと基板の主面とが対向するように半導体チップ１０及び回路部材を配置する工程と、半導体チップ１０及び回路部材によって異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、バンプ１６と電極とを接合する工程とを備える。バンプ１６は、主面Ｓの周縁近傍に複数設けられており、主面Ｓの中央寄りの側から主面Ｓの周縁寄りの側に向かうにつれて主面Ｓからの高さが高くなるような傾斜面１６ａを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路基板の熱膨張量の差があっても、従来よりも電気特性の高信頼性を期待できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】突起電極１０３を有する半導体素子１０１が、突起電極１０６を有する回路基板１０４の上に配置され、半導体素子１０１と回路基板１０４がスペーサ１０９を介してと当接して間隔が決定され、互いに向き合う突起電極１０３，１０６の間に隙間が形成され、この隙間に導電性弾性体１０８が介装されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数の第１の凹部と第１の凹部内に形成された第２の凹部とを有した支持基板を準備した後に（ステップＳ１）、第２の凹部に、第１の電極層を配置する（ステップＳ２）。次に、複数の第２の電極層を配設した半導体素子を、支持基板に接近させる（ステップＳ３）。次に、加熱処理により、第２の電極層を支持基板の第１の凹部に受容しながら、第２の電極層内に第１の電極層の一部を貫入する（ステップＳ４）。そして、第１の電極層及び第２の電極層を冷却し、支持基板を第１の電極層及び第２の電極層から離反する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】 実装した半導体チップを実装基板に実装するとともに、初期不良が発見された半導体チップを容易に取り外すことが可能な電子部品を提供する。
【解決手段】 第１の基板(1)の表面上に第１のパッド(2)が形成されている。第１のパッドの表面上に金属膜(3)が配置されている。第１の基板の、第１のパッドが形成された面に対向するように第２の基板(6)が配置されている。第２の基板の、第１のパッドに対向する表面上に第２のパッド(7)が形成されている。導電性のナノチューブ(8)の一端が第２のパッドに接続され、他端が金属膜内に埋め込まれている。金属膜と、ナノチューブとの界面に、ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜(9)が配置されている。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極と基板側端子との間の接合強度を高めて導電接続状態の信頼性を向上し、さらに、実装コストの低減化をも可能にした、電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装した電子部品の実装構造１０である。バンプ電極１２は、電子部品１２１に設けられた下地樹脂１３と、下地樹脂１３の表面の一部を覆うとともに、電極端子に導通する導電膜１４とを有している。導電膜１４は、端子１１に直接導電接触している。下地樹脂１３は、弾性変形していることにより、導電膜１４に覆われることなく露出している露出部１３ａの少なくとも一部が、基板１１１に直接接着している。基板１１１と電子部品１２１とは、下地樹脂１３の露出部１３ａの基板１１１に対する接着力により、バンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態が保持されている。 （もっと読む）

【課題】接続電極との接続信頼性を向上させることができる電子部品を提供すること。
【解決手段】所定の機能を有する水晶片１１と、水晶片１１に形成されたバンプ電極１４と、バンプ電極１４と接続電極３３、３４との導電接触状態を保持する接着層１５とを有し、バンプ電極１４が、弾性を有する樹脂コア２４と、樹脂コア２４の表面に設けられた導電膜２５、２６とを有すると共に、樹脂コア２４の弾性変形により導電膜２５、２６と接続電極３３、３４とが導電接触する。 （もっと読む）