【課題】回路基板上に半導体素子が搭載された電子部品及びその製造方法に関し、回路基板と半導体素子との間の接点接続を維持しつつ回路基板から半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和することができる電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に形成され突起状端子を介して基板３０に電気的に接続された基板１０とを有し、突起状端子は、基板３０側の端部に導電性の被膜２２を有する炭素元素の線状構造体の束２０と、基板１０側の端部に導電性の被膜を有する炭素元素の線状構造体の束３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品を可撓性基板に実装した場合においても、封止樹脂の充填性や排出性を向上させることができ、電子部品と可撓性基板との接合部分の信頼性を向上させることができる電子部品と可撓性基板との実装構造体を提供する。
【解決手段】コアとなる内部樹脂２４の表面に、その長手方向に沿って所定の間隔をおいて金属からなる導電膜２５が複数個設けられた構造を有するバンプ電極２３を備えた電子部品４と、金属端子を備えたフレキシブル基板とを電気的に接続する実装構造体であり、隣接する導電膜２５の間の内部樹脂２４に溝２７を形成し、この溝２７の底面２７ａを内部樹脂２４の底面２４ａに平行とした。 （もっと読む）

【課題】 電子部品と基板間の絶縁を確保し、且つ、電子部品と基板との確実な接合を成す電子部品実装体及びその製造方法を、安価に提供することにある。
【解決手段】 電子部品１のスタッドバンプ２ａ及びスタッドバンプ２ｂを設けた側の面を、基板３のボンディングパット４ａ及びボンディングパット４ｂを備える面の他面に対向させて圧着することにより、スタッドバンプ２ａ及びスタッドバンプ２ｂが基板３を貫通するとともに、スタッドバンプ２ａの先端がボンディングパット４ａに到達し、更に、スタッドバンプ２ｂの先端がボンディングパット４ｂに到達して、各々電気的に接合する。 （もっと読む）

【課題】 弾性接触子と電子部品側の突出電極とを半田を用いて安定して接続固定できるとともに、接続固定した後も弾性機能を維持することのできる弾性接触子を提供する。
【解決手段】 弾性腕２２の先端に、電子部品側の突出電極と接続される受け部２４を設けるとともに受け部２４を含む弾性腕２２の先端を半田濡れ性の高い被覆層２２Ｃで覆う。さらに受け部２４を除いた弾性腕２２の表面については半田濡れ性の低い弾性付与層２２Ｂを露出させる。突出電極と弾性接触子とを半田付けすると、溶けた半田は受け部２４のみに広がり、突出電極と弾性接触子とを確実に固定することができる。また弾性付与層２２Ｂが露出している弾性腕２２のその他の部分に溶けた半田が広がることを防止できるため、半田付け後も弾性接触子２０の弾性機能を維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを含有するはんだ接続部の放熱性を向上させ、Ｂｉが接続部の外部へ拡散し接続部にカーケンダルボイドが形成されることを防止して光素子等の機能素子の特性を向上させる。
【解決手段】機能素子１が搭載される基板２の主面側の、機能素子１が搭載される領域の少なくとも一部に第１の導体層５を形成し、第１の導体層５の少なくとも一部に第２の導体層６を形成する導体層形成工程と、第２の導体層６の少なくとも一部に凹凸形状状の第３の導体層８を形成し、第３の導体層８の少なくとも一部にはんだ９を形成し、第２の基板１７を挟持し、はんだ９を溶融させて機能素子１を接続して搭載し、はんだ９が第３の凹凸状の導体層８により堰き止められて第１の導体層５に接しない接続工程を備えた機能素子搭載方法とする。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルによって引っ張り応力が発生することがあっても、層間絶縁膜にクラックが発生することを防止すると共に、層間絶縁膜と該層間絶縁膜の上に接して形成された膜との界面に剥離が発生することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の上に形成された層間絶縁膜２，３と、層間絶縁膜２，３の上に形成された電極パッド４と、層間絶縁膜２，３の上に電極パッド４の周縁部を覆うように形成され、電極パッド４の中央部を露出する第１の開口部５を有する保護膜６と、電極パッド４における第１の開口部５から露出する部分の上に形成され、第１の開口部５を複数の第２の開口部５ｄに分割する分割体７と、保護膜６の上に第２の開口部５ｄ内を埋め込むように形成されたバリアメタル８と、バリアメタル８の上に形成されたバンプ電極とを有している。分割体は、電極パッドとバリアメタルとの間に介在している。 （もっと読む）

コンプライアントなボンディング構造は、半導体装置とマウント４０との間に配される。幾つかの実施例において、当該装置は、発光装置である。前記半導体発光装置が、例えば、前記半導体発光装置に超音波エネルギを供給することによって、前記マウントに取り付けられる場合、前記コンプライアントなボンディング構造は、前記半導体発光装置と前記マウントとの間の空間を部分的に充填するように崩壊する。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、ボンディングの間、塑性変形を経る複数金属バンプ３２である。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、多孔性金属層４６である。
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【課題】コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を絶縁膜上に備えた電子部品と可撓性基板との実装構造体において、コアの端部が絶縁膜から剥離する等の不具合を防止することができる電子部品と可撓性基板との実装構造体を提供する。
【解決手段】コアとなる内部樹脂２４の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜２５で覆われた構造を有するバンプ電極２３を絶縁膜２２上に備えた電子部品４と、金属端子１２を備えたフレキシブル基板２とを電気的に接続する実装構造体１であり、内部樹脂２４の端部２４ａに近接した導電膜を、この端部２４ａを覆うように拡大して大面積の導電膜２５Ａとするとともに、この大面積の導電膜２５Ａの端部を絶縁膜２２に固定した。 （もっと読む）

【課題】熱収縮量の違いにより、バンプがインナーリードによって引っ張られるのを抑制し、バンプが傾くのを防止することができる半導体パッケージの提供。
【解決手段】ベースフィルム１２と半導体チップ２６を構成するシリコン材料とは熱膨張係数が異なるため、冷却時に収縮する量が相違する。ベースフィルムが半導体チップ２６より多く収縮することで、ベースフィルム１２によってインナーリード１８が引っ張られ、インナーリード１８に接続していた金バンプ３２も引っ張られる。これにより、金バンプ３２が傾くことが考えられる。しかし、金バンプ３２とは別個に補強バンプ４０を設けることで、１本のインナーリード１８に対して半導体チップ２６との間で２箇所の金属接合部が確保されるため、金バンプ３２に作用する引張力が、補強バンプ４０へ分散され、金バンプ３２が傾くのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】チップの小型化と高信頼性を実現するＣＯＦパッケージ及びそれに用いられるテープ基板を提供する。
【解決手段】テープ基板のチップ搭載領域６１の周縁部と内側部で半導体チップの電極とバンプを介して電気的に接続するＣＯＦパッケージであって、テープ基板は少なくとも２本以上の入力配線と、同一種別の信号が入力される４本以上の複数の内部入力配線と、ダミー配線２４４と、を備え、ダミー配線２４４は、一方の複数の内部入力配線と他方の複数の内部入力配線とに挟まれると共に、少なくとも４本の内部入力配線は、入力配線に挟まれて配置され、内部入力配線は、チップ搭載領域６１の周縁部では、半導体チップと電気的に接続されること無く通過し、チップ搭載領域６１の内側部で半導体チップと接続され、入力配線、及びダミー配線２４４は、チップ搭載領域６１の周縁部で半導体チップと接続される。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアを設けることなく、半導体基板のバルク自身をチップ相互間の電気的結合手段とする積層チップにおいて、第２のチップの半導体基板の裏面と第１のチップの電極との間の接触抵抗を抑制する。
【解決手段】基板の一側の面（表面）に複数個の第１の電極を備えた第１のチップと、導電性の半導体基板の表面に半導体素子、及び基板の表面の第１の電極に対応する位置に各々第２の電極を備えた第２のチップとを含み、第２のチップの裏面には、導電性樹脂層が形成され、第１のチップの第１の電極と、第２のチップの他側の面（裏面）とが、第２のチップの裏面の導電性樹脂層を介して接着されて積層形成され、第１、前記第２の電極、及び第１と第２の電極に挟まれた第２のチップの基板内部の領域を、基板に貫通ビアを設けることなく、第１及び前記第２のチップ間の電気的結合手段とする。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性が高い電子デバイスを製造することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１５の上に設けられた電極１２と、第１の面１５の上に設けられ、第１の方向Ａに沿って延びる樹脂突起２０であって、第１の方向Ａと交差する第２の方向Ｂに沿って延びる窪み部２２を有する樹脂突起２０と、電極１２と電気的に接続され、少なくとも樹脂突起２０の窪み部２２の上に形成された配線３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装面積を小さくできると共に、電子部品を平行度よく実装できる電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１と、その上面側に設けられた凹部Ｃと、凹部Ｃの底面側のシリコン基板１１を貫通して形成されたスルーホールＴＨと、シリコン基板１１に形成された絶縁層１４と、スルーホールＴＨ内の下部からその高さ方向の途中まで形成された下側金属部２２と、スルーホールＴＨ内の下側金属部２２の上に形成された接続金属部材２６（インジウム層）とにより構成される貫通電極２０とを備えた配線基板１と、下面側に端子金属部材４２（金バンプ）を備えた電子部品４０とを用意する工程と、加熱雰囲気で、配線基板１の接続金属部材２６を軟化させ、電子部品４０の端子金属部材４２を接続金属部材２６に突き刺して接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】挟ピッチ下でも接続パッドの面積および異方性導電膜の電気的接続性を十分に確保することの可能な実装基板およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】表示パネル１０は、実装部分１０Ｂ−１において、基板１５上に、複数のデータ配線１１と、層間絶縁膜１６と、複数のビア１７と、複数の接続パッド１８とを有する。接続パッド１８は、ビア１７の直上に形成されており、ビア１７を介してデータ配線１１と電気的に接続されている。接続パッド１８は最表層に形成されており、データ配線１１の延在方向と交差する方向に千鳥配置されている。 （もっと読む）

【課題】電極径φ３０μｍ以下の微細な電極間でも良好に導通可能なデバイス実装構造を提供する。
【解決手段】光デバイス１の電極１ａ表面、および、光デバイス１の電極１ａと対向する実装基板２の基板電極２ａ表面のそれぞれに、円柱形状の金属製の微小突起１ｂ、微小突起２ｂを１個ないし複数個それぞれ形成し、光デバイス１を実装基板２の実装位置に位置決めした状態で、電極１ａと基板電極２ａとを互いに対向させて接近させることにより、微小突起１ｂと基板電極２ａおよび微小突起２ｂと電極１ａとを当接させて圧着させ、双方の微小突起１ｂ，２ｂを圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形させて、微小突起１ｂと微小突起２ｂとが互いに絡み合い機械的に結合し合う状態に形成する。また、微小突起１ｂ，２ｂそれぞれを電極１ａ表面、基板電極２ａ表面に対しあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成するようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップと配線基板との接着部分が複雑な形状になる領域と端子間のピッチが狭小化した領域とが混在するときにＩＣチップの配線基板への実装を低コストで行う。
【解決手段】配線基板１０にＩＣチップ２０が実装された実装構造において、比較的狭いピッチで比較的小さいサイズのバンプ２２ｂが配置されている領域では、ＡＣＦ３によって配線基板１０とＩＣチップ２０との接着が行われ、配線基板１０とＩＣチップ２０との接着部分の形状が矩形以外の形状となっている領域もしくは配線基板１０の厚さが一定とはなっていない領域では、ＡＣＰ４によって配線基板１０とＩＣチップ２０との接着が行われる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装用でないワイヤボンディング用の光素子を用いても、フリップチップ実装を実現できる光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板２に搭載する側の面に電極が１列に形成された光素子３を、基板２にフリップチップ実装する光伝送モジュールであって、光素子３の搭載面と反対側の面をベース部材４に接合してフリップチップ実装用モジュール５を形成し、そのフリップチップ実装用モジュール５を基板２にフリップチップ実装するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、半導体素子、及び半導体装置の製造方法において、回路基板と半導体素子との接続信頼性を高めること。
【解決手段】第１の電極１２が主面に設けられた回路基板１０と、第１の電極１２に対向する第２の電極２５が主面に設けられた半導体素子２０と、第１の電極１２と第２の電極２５のそれぞれに接合された第１のはんだバンプ１６とを有し、回路基板１０と半導体素子２０との間に、該回路基板１０と該半導体素子２０の一方のみに接合され、他方には接触するのみで接合されない第２のはんだバンプ１７が形成された半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の接合信頼性を向上させる。
【解決手段】基板１０面の配線パターン１１と半導体素子２の接続面に形成された導電材料から成る接続用電極３とがフェースダウン実装により電気的に接続されている半導体装置１において、一部の上記配線パターン３ｂの幅が、上記配線パターン３ｂ上にフィレット形状の接続用電極３ｂが形成されるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板との接続信頼性の高い半導体装置、半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュール、および半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体基板１０に形成された複数の電極１４と、パッシベーション膜１６上に形成され、第１の方向に沿って配置された樹脂突起１８と、複数の電極上から樹脂突起上に至るように、第１の方向と直交する第２の方向に沿って形成された複数の配線２０を有する半導体装置と、半導体装置に対向して配置されたベース基板に対向する面上に形成され、配線の前記樹脂突起上にオーバーラップする部分に接触する複数のリードと、半導体装置とベース基板の間に配置された接着層を含み、リードは、幅が配線の幅よりも広く、配線との電気的接続部と、樹脂突起との接着部を有する。 （もっと読む）