【課題】基板上に電子部品を搭載した構成において、基板と電子部品との間の間隙をむらなく洗浄液で洗浄する。
【解決手段】一面１１０ａに形成された複数のパッド１２０を含み、一面１１０ａに電子部品を搭載するための基材（１１０）において、複数のパッド１２０は、ｘ方向に直線状に配置された複数のパッド１２０をそれぞれ含む第１のパッド列Ｌ１および第２のパッド列Ｌ２を含む。第１のパッド列Ｌ１および第２のパッド列Ｌ２は、ｙ方向に沿って隣接して配置され、第２のパッド列Ｌ２は、第１のパッド列Ｌ１内で隣接するパッドＰ１およびパッドＰ２間のｙ方向に沿った延長線上に配置されたパッドＰ３を含み、ｘ方向において、パッドＰ３の中心位置は、パッドＰ１およびパッドＰ２間の中心位置と重ならない。 （もっと読む）

【課題】非平面が堅いキャリア上に直接形作られることを可能にする非平面要素を製造するための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ハイブリダイゼイションカラムによりキャリア上に柔軟な要素を適合させる段階であって、各カラムは第１高さを有し、及び柔軟な要素及びキャリアのそれぞれに追加される半田材料に対してぬれ性の二つの表面の間に形成された半田材料の体積を含んでおり、ぬれ性の表面は半田材料に対して非ぬれ性の領域により囲まれており、ぬれ性の表面及び半田材料の体積はカラムが形成される位置でキャリアに対して柔軟な要素に求められる第２高さに応じて決定され、そのようにしてカラムは、材料の体積がその融点より高いか等しい温度に導かれるとき、第１高さから第２高さまで変化する段階と、カラムの半田材料の体積を、それを溶解するために前記材料の融点より高いか等しい温度まで加熱する段階と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体装置においてコストの低減化を図る。
【解決手段】フリップチップ接続タイプのＢＧＡにおいて、多層配線基板の上面の外周部に配置された複数の信号用ボンディング電極２ｋが内側と外側に振り分けて引き出されており、内側に引き出された複数の信号用配線２ｕと接続する複数の信号用スルーホール２ｑが、複数の信号用ボンディング電極２ｋの電極列と複数のコア電源用ボンディング電極が配置された中央部との間の領域に配置されていることで、チップのパッドピッチを詰めることができ、前記多層配線基板の層数を増やすことなく、前記ＢＧＡのコストの低減化を図る。 （もっと読む）

【課題】実装時の電極間の接触不良を解消して良好な導電接続状態を確保するとともに、生産効率の向上及び低コスト化が可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装してなる電子部品１２１の実装構造体であって、バンプ電極１２は、絶縁性を有する樹脂からなるコア１３と、コア１３の表面に設けられた導電膜１４とを有するとともに、弾性変形して端子１１に導電膜１４が直接導電接触しており、基板１１１と電子部品１２１との間には、コア１３と同一の材料で形成されるとともに、バンプ電極１２が弾性変形して端子１１に導電接触している状態を保持する保持部材２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体チップを可撓性回路基板へ熱硬化樹脂を用いてフエイスダウンボンディングして製造される半導体装置の反りを小さくする。
【解決手段】半導体チップ１の中央部に位置する半導体基板の一部を、半導体チップ１と反対側に撓ませた状態で接着用樹脂４を硬化する。回路基板３は凹部６を有するボンディングステージ５上に吸着させて、排気された凹部６内に回路基板３を引き込むことで、撓ませる。硬化及び冷却時の接着用樹脂の収縮にともない回路基板３の撓みは減少して、収縮により生ずる回路基板３等への曲げ応力を相殺するので、半導体装置の反りが小さい。 （もっと読む）

【課題】フリップチップボンディングによる接続時の電子部品間の位置ずれを抑制する。
【解決手段】複数の第１バンプが配設された第１電子部品と、その複数の第１バンプに対応する位置に複数の第２バンプが配設された第２電子部品とを準備する（ステップＳ１）。第１，第２電子部品のうち、一方の第１電子部品について、その複数の第１バンプの先端がそれぞれ第１電子部品の中央から外周に向かう方向に偏心した形状となるように、バンプ成型処理を行う（ステップＳ３）。その後、第１，第２電子部品を対向配置し（ステップＳ４）、それらの第１，第２バンプを溶融することで（ステップＳ５）、第１，第２電子部品を接続する。 （もっと読む）

【課題】
ＣＮＴを用いて、低抵抗で柔軟性の高いフレキシブルバンプ構造体を提供する。
【解決手段】
フレキシブルバンプ構造体を製造する方法は、複数の電極を有する電子部材の該電極のそれぞれにカーボンナノチューブ集合体を接続し、カーボンナノチューブ集合体を一方の電極とし、電解メッキ液中に対向電極と共に浸漬し、カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に金属層を電解メッキする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極パッド間の距離の縮小や半導体素子のサイズを拡大することなく多ピン化への対応が可能となり、回路コア部の電源の出力電圧が降下するＩＲドロップ現象を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子３の回路形成領域４の外周部に外周部電極パッド５が形成され、各外周部電極パッド５に外周部バンプ１０が形成され、回路形成領域４の範囲内に内部電極パッド１４が形成され、内部電極パッド１４に内部バンプ１６が形成され、フリップチップ実装により、半導体素子３と半導体基板との間にエポキシ系樹脂材を介在させて、各外周部および内部バンプ１０，１６と半導体基板の各配線電極部とが接続される。 （もっと読む）

【課題】電極にバンプが設けられた半導体素子に配線回路構造体を接続するに際し、バンプに高さのばらつきがあっても、該配線回路構造体の端子部が素子の電極に接するのを抑制し得る構造を、該配線回路構造体に付与すること。
【解決手段】ベース絶縁層１上に導体層２を回路パターンとして形成し、その上に端子部３を形成し、かつ、ベース絶縁層１の上面には、端子部の近傍に、支柱体４を形成する。
ここで、接続対象とする素子からのバンプの突起高さをＢとし、ベース絶縁層の上面を規準面として、支柱体の高さをＨ、端子部の高さをｈとし、端子部の層厚をｔとして、ｔ＜Ｂの場合には、Ｂ＜Ｈ＜ｈ＋Ｂとなるように、また、ｔ≧Ｂの場合には、ｈ＜Ｈ＜ｈ＋Ｂとなるように、支柱体の高さＨを決定する。これにより、支柱体がスペーサーとして働き、端子部の半田が素子の電極に達するような圧縮が抑制される。 （もっと読む）

【課題】外部端子のレイアウトの自由度が高い、半導体装置の製造方法並びに、信頼性の高い電子モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、前記第１の面１３の第１領域１７に設けられた第１の樹脂突起２３と、一部が前記第１の樹脂突起２３の上に設けられた第１の配線層２５と、を有する複数の第１の外部端子２０と、前記第１の面１３の第２領域１８に設けられた第２の樹脂突起３３と、一部が前記第２の樹脂突起３３の上に設けられた第２の配線層３５と、を有する複数の第２の外部端子３０と、を有し、前記第１の外部端子２０は、前記第２の外部端子３０よりも多く設けられ、前記第１の樹脂突起２３の前記第１の面１３からの高さは、前記第２の樹脂突起３３の前記第１の面１３からの高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】３列千鳥配列バンプを有する半導体チップを配線基板の電極に、最低溶融粘度［η_０］が１．０×１０^２〜１．０×１０^６Ｐａ・ｓｅｃである異方性導電フィルムを使用して異方性導電接続する際、３列千鳥配列の長手方向の中央部近辺のバンプについて、その長手方向の両側のバンプと同じように熱圧着時に潰れるようにすることにより、異方性導電接続箇所の導通抵抗値を増大させないようにする。
【解決手段】導電性粒子が絶縁性接着剤に分散されてなる異方性導電フィルムは、回復率が１０〜４６％の導電性粒子を使用する。また、異方性導電フィルムの最低溶融粘度を［η_０］とし、最低溶融粘度を示す温度Ｔ_０より６０℃低い温度Ｔ_１における溶融粘度を［η_１］としたときに、以下の式（１）及び（２）を満足する。
１．０×１０^２Pa・sec≦［η_０］≦１．０×１０^６Pa・sec （１）
１＜［η_１］／［η_０］≦３０ （２） （もっと読む）

【課題】バイトを用いて切削加工する工程を有していても接着剤の配合設計の制限を緩和することができ、接着剤層の吸水及びボイドの発生を抑制して、半導体装置の高信頼性を実現することのできる接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装に用いるための接着剤層付き半導体チップの製造方法であって、ウエハ上のバンプが埋もれるように易剥離樹脂層を形成する工程と、前記バンプの表面と前記易剥離樹脂層の表面とが連続して平坦となるように、バイトを用いた切削加工により前記バンプ及び前記易剥離樹脂層を表面平坦化する工程と、前記ウエハから前記易剥離樹脂層を剥離する工程と、表面平坦化された前記バンプが埋もれるように接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層を有する前記ウエハをダイシングする工程とを有する接着剤層付き半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】準ミリ波帯及びミリ波帯で動作するＣＭＯＳ−ＩＣを有効にフリップチップ実装する。
【解決手段】ＣＭＯＳ−ＩＣ部１ａは、半導体回路基板１１と、その表面に配したアルミニウムパッド１３と、バンプが形成される円形部分を残して、半導体回路基板１１及びアルミニウムパッド１３を被覆するパッシベーション膜１２と、アルミニウムパッド１３表面の前記円形部分に形成されるバリア層１４と、該バリア層１４上に円柱状に形成された銅バンプ１５と、該銅バンプ１５の先端部分に円柱状に形成されたはんだめっき１６とを備えている。実装基板部２ａは、実装基板２１と、その一方の面に配された銅パッド２２と、該銅パッド２２上に円柱状に形成されたはんだめっき２３とを備えている。これにより、銅バンプ１５及びはんだめっき１６が、はんだめっき２３のそれぞれの径と等しくなるようにＣＭＯＳ−ＩＣ部１ａと実装基板部２ａがフリップチップ実装される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置のドライバー集積回路チップのパッド配置構造に関し、特に、ドライバー集積回路チップの角にダミー電源パッド及びダミーグラウンドパッドを配置して、チップオンフィルム（ＣＯＦ）パッケージ内で、これをメイン電源パッド及びメイングラウンドパッドとメタルラインで連結したドライバー集積回路チップのパッド配置構造を提供する。
【解決手段】本発明によるドライバー集積回路チップのパッド配置構造によれば、電源供給ラインとグラウンドラインの抵抗を減少させることができるし、またメイン電源パッド及びメイングラウンドパッドと遠い距離に離隔されているブロックのパワーディップ（Ｐｏｗｅｒ Ｄｉｐ）を最小化することができて、電源パッドとグラウンドパッドの接着位置を分散させて、特定部位の接着力減少で発生することができるパワー印加の不良を防止することができる効果がある。 （もっと読む）

【課題】積層した半導体チップについて簡便な構成で配線を短縮すると共に薄型化を実現した。
【解決手段】半導体装置１０は，第一の半導体チップ１２と第二の半導体チップ１３を積層する。第一の半導体チップ１２は四角形板状に形成し、第二の半導体チップ１３は四角形板状で、第一の半導体チップ１２より四辺が外側に突出した領域で導電性バンプ１７を所定間隔に配列する。第一の半導体チップ１２は配線距離の短い導電性バンプ１４を所定間隔で縦横方向に配列して基板１１の電極にフリップチップ接合する。第二の半導体チップ１３は第一の半導体チップ１２の外側で、配線距離の長い導電性バンプ１７によって基板１１の電極にフリップチップ接合する。各導電性チップ１４，１７は電解めっきによって析出して略円柱状に形成する。 （もっと読む）

【課題】２つの電子部品を接合するための方法を提供すること。
【解決手段】中空開口挿入部（５０）を挿入部の硬度より低い硬度の充填凸面要素（１４）に挿入することによって２つの電子部品（１２、１６）を接合する本方法は、挿入部（５０）が充填要素（１４）の中に挿入されると、挿入部（５０）の中に含まれたガスの排出通路をつくるために、挿入部（５０）の開口端（５４）の少なくとも１つの表面（５２）が解放されたままであることに存する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】突起電極１５が設けられた半導体素子１０と、固相液相共存領域を有する組成のはんだ電極２５ｃが設けられた回路基板２０とを、突起電極とはんだ電極とが対向するように位置合わせする第１工程と、はんだ電極を固相液相共存領域まで加熱し、所定時間保持する第２工程と、第２工程の後、はんだ電極を液相領域まで加熱する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接触させた接触面に低周波振動を印加することによって金属間接合部を生成される実装マウント装置を提供する。
【解決手段】 バネ状接触子２を有するインターコネクタ３を備えた実装基板４に、ランド状接続端子５を備えた電子部品６を接合させる実装マウント装置１であって、ランド状接続端子５は、バネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ７が施され、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、低周波振動アクチュエータ８を備えた加振台９と、この加振台９の下面に設けられたゴム板１４と、を備え、ランド状接続端子５とバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせ、低周波振動アクチュエータ８を電気的に駆動させて振動させることによって接触面に金属間接合部１０が生成される。 （もっと読む）