半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することを目的とするものである。
【解決手段】基板１に半導体チップ２をフリップチップ実装して半導体装置を製造する際に、半導体チップ２の多重の環状に形成されたパッド４の最内周パッド以外のパッド４間に突出部９を設け、基板１上の最内周パッドの内側に対応する部分に固定用樹脂体３を載置し、加圧，加温することにより基板１と半導体チップ２との間全面に固定用樹脂体３を広げ、基板１と半導体チップ２とを固定用樹脂体３により固定することにより、最内周パッドの外側にボイド等が形成されることを抑制し、半導体チップ２と基板１との電気的接続状態を安定化することができる。
【解決手段】基板１に半導体チップ２をフリップチップ実装して半導体装置を製造する際に、半導体チップ２の多重の環状に形成されたパッド４の最内周パッド以外のパッド４間に突出部９を設け、基板１上の最内周パッドの内側に対応する部分に固定用樹脂体３を載置し、加圧，加温することにより基板１と半導体チップ２との間全面に固定用樹脂体３を広げ、基板１と半導体チップ２とを固定用樹脂体３により固定することにより、最内周パッドの外側にボイド等が形成されることを抑制し、半導体チップ２と基板１との電気的接続状態を安定化することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に半導体チップをフリップチップ実装して製造される半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器のマザー基板上に実装される半導体装置は、基板と、この基板上面に設けた半導体チップと、この半導体チップ下面と前記基板上面間に設けられた固定用樹脂体とを備えている。
【０００３】
また、前記基板の上面には、断続的環状配列の接続端子を内、外の多重状態で設け、前記半導体チップの下面には、断続的環状配列のパッドを内、外の多重状態で設けている。
そして、これら内、外多重状態で、断続的環状配列の接続端子と、内、外多重状態で、断続的環状配列のパッド間を、内、外多重状態で、断続的環状配列のバンプを介して接続した構成となっていた。
【０００４】
また、前記固定用樹脂体は、バンプ接続後に、基板と半導体チップ間に、半導体チップの外側から内側へと毛細管作用により流入させ、これにより半導体チップ下面と前記半導体チップの上面間を固定用樹脂体により固定するようになっていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２２１３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来例における課題は、半導体チップと基板との電気的接続状態が不安定になるということであった。
すなわち、上記従来例の構造においては、バンプ接続後に、基板と半導体チップ間に、固定用樹脂体を、半導体チップの外側から内側へと毛細管作用により流入させ、これにより半導体チップ下面と基板の上面間を、この固定用樹脂体により固定するようになっているが、固定用樹脂体の流入がスムーズに進行しない部分では、所謂空気の巻き込みによるボイドが形成されてしまう。
【０００６】
このボイド部分は、以降の熱的影響で変形することもあり、その場合には固定用樹脂体による固定が不安定になり、この結果として半導体チップと基板との電気的接続状態が不安定になるという問題点があった。
【０００７】
そこで上記先行文献では、基板上面のうち、多重状態に形成された断続的環状配列の内側のバンプ間に突起を設け、ボイド形成を抑制しようとしている。
しかしながら、製造方法として、突起を形成するための工程を設ける必要が有り、コストアップになるという問題点があった。また、半導体チップと樹脂体の界面では最も密着強度が弱くなるため、界面に発生するボイドを抑制することが難しく、このボイドにより電気的接続状態が不安定になるという問題点があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するために、製造工程の工程増加を抑制しながら、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために請求項１記載の半導体装置は、基板上に半導体チップをフリップチップ実装した構造体であって、前記半導体チップの実装面に配列されたパッドと、内周より外周に環状配列される前記パッド間に前記パッドより前記基板方向に突出する突出部と、前記半導体チップの各パッドとバンプを介して接続されるように前記基板上に形成される複数の接続端子と、前記基板と前記半導体チップとを固定する絶縁体とを有し、前記突出部の前記半導体チップ中心方向の端部が前記パッド間の領域より前記半導体チップ中心方向に形成され、前記突出部と前記基板との間に間隔があることを特徴とする半導体装置であることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記パッドが２重環状で千鳥配置させており、前記突出部が外周のパッド間に形成されることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部が、隣接する前記パッドの隣接面に平行な方向の１または複数のスリットにより分割されることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の半導体装置は、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部が、前記基板に近づく程細くなるように断面形状が台形であることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の半導体装置は、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部の先端部分に凹部を備えることを特徴とする。
請求項６記載の半導体装置は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部が形成される周辺の前記半導体チップ表面に凹凸を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載の半導体装置は、請求項６記載の半導体装置において、前記凹凸を備える半導体チップ表面が表面保護膜であることを特徴とする。
請求項８記載の半導体装置は、請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、前記凹凸を前記半導体チップ表面の下層部分にダミーメタルを設けることにより形成することを特徴とする。
【００１５】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、樹脂の形成に際し、前記基板の前記半導体チップ搭載領域の中央部に前記固定用樹脂体を載置する工程と、前記各パッドと前記接続端子がバンプを介して１対１で接続されるように前記半導体チップを前記基板に加熱，加圧接続させる工程とを有し、前記固定用樹脂体が前記半導体チップ下部の中央部から周辺部に流動することを特徴とする。
【００１６】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップが、前記パッドが形成される領域の内側の表面に保護膜を備え、前記突出部が前記保護膜と同時に形成されることを特徴とする。
【００１７】
以上により、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、基板に半導体チップをフリップチップ実装して半導体装置を製造する際に、半導体チップの多重の環状に形成されたパッドの最内周パッド以外のパッド間に突出部を設け、基板上の最内周パッドの内側に対応する部分に固定用樹脂体を載置し、加圧，加温することにより基板と半導体チップとの間全面に固定用樹脂体を広げ、基板と半導体チップとを固定用樹脂体により固定することにより、最内周パッドの外側にボイド等が形成されることを抑制し、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の半導体装置について、図１〜図９を用いて説明する。
図１は本発明の半導体装置の断面図であり、図３におけるＡ−Ａ部分に相当する断面図である。図２は本発明の半導体装置における固定用樹脂体挿入工程を説明する断面図、図３は本発明の半導体装置における半導体チップの裏面図である。図３においては表現保護膜７を省略している。また、図４は本発明の半導体装置における半導体チップの要部拡大図であり、パッドと突出部の構成を示す図である。図５は複数列の突出部を示す要部拡大図、図６は台形形状の突出部を示す断面図、図７は複数列の台形形状に形成された突出部を示す断面図、図８は底部に表面保護膜の凹凸が形成された突出部を示す断面図、図９は先端部に凹部が設けられた突出部を示す断面図である。
【００２０】
図１に示すごとく本発明の半導体装置は、基板１と、この基板１上面に設けた半導体チップ２と、この半導体チップ２下面と前記基板１上面間に設けられた固定用樹脂体３とを備えている。
【００２１】
前記半導体チップ２の下面には、図３に示すように断続的環状配列のパッド４を内、外の多重状態で設け、また、各パッド４に対応して接続されるように、前記基板１の上面に断続的環状配列の接続端子５を内、外の多重状態で設けている。
【００２２】
そして、これらの接続端子５とパッド４間とをバンプ６を介して電気的に接続している。
また、半導体チップ２の下面で、パッド４が形成される領域より内側の部分とパッド４の外周部分とは表面保護膜７により覆われており、さらに図１、図３に示すようにパッド４の内方部分の表面保護膜７部分は保護膜８により覆われている。
【００２３】
保護膜８は図１に示すように、パッド４よりははるかに基板１側まで突出した厚さとしている。
そして、この保護膜８形成時に、図３、図４に示す突出部９も同時に半導体チップ２の下面側に形成する。
【００２４】
ここで、突出部９について詳述すると、突出部９は、外周において断続的環状配列されたバンプ６間に対応する半導体チップ２下面部分に形成したものであり、パッド４よりも下方の基板１側まで突出しているが、バンプ６よりは半導体チップ２側となる突出量としている。
【００２５】
すなわち、本発明における半導体装置の製造の際に、図２に示すごとく基板１上に、まず固定用樹脂体３として、例えばポリイミド樹脂を載せ、次に、基板１上に半導体チップ２を加熱、加圧しながら押し付け、これによりポリイミド樹脂を軟化させてその外周を外方に押し広げ半導体チップ２と基板１との間に固定用樹脂体３を充填している。
【００２６】
この押し広げにより、ポリイミド樹脂は先ず、断続的環状配列された内周のバンプ６間を通過し、その後外周において断続的環状配列された外周のバンプ６間を通過し、図１のごとく半導体チップ２の外周まで広がることとなる。
【００２７】
バンプ６と接続端子５との接続は、前記ポリイミド樹脂を先に載せておき、バンプが形成されたチップをフリップ実装する際に、加圧することで行い、その後、ポリイミド樹脂の熱収縮にて接続を保持する場合や、あるいはバンプを溶融させるのとほぼ同時に樹脂流動を発生させるプロファイル条件を設定し、バンプ硬化時と同時に、樹脂を硬化させて保持する場合もある。
【００２８】
本発明においては、断続的環状配列された内、外周のバンプ６は、所謂千鳥配置されているので、上記断続的環状配列された内周のバンプ６間を通過したポリイミド樹脂は、このバンプ６を巻き込むように曲がりながら外周のバンプ６間を通過することになる。
【００２９】
さてこの場合、内周のバンプ６間を通過したポリイミド樹脂が、この内周のバンプ６を巻き込むように曲がることで、その外側において空気を巻き込み、ボイドが発生しやすくなる。
【００３０】
そこで本発明では、外周のパッド４間から内周のパッド４に向けてはみ出した領域に突出部９を設けたものであり、突出部９の半導体チップ２中心方向の端部がパッド４間の領域より半導体チップ２中心方向に形成されている。そして、突出部９の形成を保護膜８の形成と同時に行うことにより、特別な工程を追加することなく突出部９を形成している。この突出部９が存在することで、固定用樹脂体３が外周のバンプ６間に流れや込むようになり、空気を巻き込んでボイドが発生することは実質的になくなり、製造工程の工程増加を抑制しながら、半導体チップ２と基板１との電気的接続状態を安定化することができる。従来に比べて、チップ内部との高低差が小さい部分を最も巻き込みボイドの発生しやすい箇所に形成することで、ボイド発生の抑制が出来る。
【００３１】
また、突出部９は、パッド４よりも下方の基板１側まで突出しているが、バンプ６よりは半導体チップ２側となる突出量としているので、バンプ６と接続端子５の電気的接続を阻害することもなく、さらに上記内側から外側に流れるポリイミド樹脂の流れを阻害することもない。
【００３２】
そして、このようにして半導体チップ２の外側まで広がったポリイミド樹脂はその後熱硬化し、図１の固定用樹脂体３となる。
また、図５は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、突出部として複数列に形成される突出部９Ａを設けたものである。１または複数のスリット１０で突出部９Ａが分割されることにより、ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになるとともに、硬化後はこのスリット１０への樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。
【００３３】
また、図６は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、突出部として台形形状の突出部９Ｂを設けたものであり、台形形状の突出部９Ｂは形成しやすく、また、先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。
【００３４】
また、図７は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、図５の構成と図６の構成を同時に実施した突出部９Ｃとしている。すなわち、スリット１１を有する台形形状の突出部９Ｃを設けたものであり、台形形状の突出部９Ｃは形成しやすく、また先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。また、スリット１１が存在することにより、ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになるとともに、硬化後はこのスリット１１への樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。
【００３５】
また、図８は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、スリット１２を有する台形形状の突出部９Ｄを設けたものである。台形の突出部９Ｄは形成しやすく、また先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。また、スリット１２が存在することにより、ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになるとともに、硬化後はこのスリット１２へのポリイミド樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。さらに、本実施形態では、突出部９Ｄが形成される半導体チップ２の下面部分に、パッド４形成と同時にダミーメタル１３を設け、これによりスリット１２の底に対応する表面保護膜７に凹凸が形成され、ポリイミド樹脂がこの底部にも食いつきやすくなっている。前記凹凸は表面保護膜７に形成するに限らず、表面に凹凸が形成されれば良い。また、ダミーメタルを設けることにより凹凸を形成したが、凹凸の形成方法は任意である。
【００３６】
さらに、図９は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、先端部に凹部１４を有する台形形状の突出部９Ｅを設けたものであり、台形の突出部９Ｅは先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。また、凹部１４が存在することにより、ポリイミド樹脂の硬化後は、この凹部１４へのポリイミド樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。図９では表面保護膜７に凹凸を設けた構成例を示しているが、必ずしも凹凸を備える必要はない。また、台形形状の突出部に限らず、長方形形状の突出部であってもかまわない。また、スリットにより複数の突出部に分割されていてもかまわない。
【００３７】
また、上記説明では、パッドとして内、外の２重状態で設けた断続的環状配列を例に説明したが、３重以上に設けることもでき、その場合、最内周以外のパッド間に突出部を設けることにより、空気を巻き込んでボイドが発生することは実質的になくなり、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができる。
【００３８】
なお、上記図１から図９に記載の半導体装置は、その基板１が、電子機器のマザー基板（図示せず）上に実装され、活用されるようになっている。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができ、基板に半導体チップをフリップチップ実装して製造された半導体装置およびその製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の半導体装置の断面図
【図２】本発明の半導体装置における固定用樹脂体挿入工程を説明する断面図
【図３】本発明の半導体装置における半導体チップの裏面図
【図４】本発明の半導体装置における半導体チップの要部拡大図
【図５】複数列の突出部を示す要部拡大図
【図６】台形形状の突出部を示す断面図
【図７】複数列の台形形状に形成された突出部を示す断面図
【図８】底部に表面保護膜の凹凸が形成された突出部を示す断面図
【図９】先端部に凹部が設けられた突出部を示す断面図
【符号の説明】
【００４１】
１ 基板
２ 半導体チップ
３ 固定用樹脂体
４ パッド
５ 接続端子
６ バンプ
７ 表面保護膜
８ 保護膜
９ 突出部
９Ａ 突出部
９Ｂ 突出部
９Ｃ 突出部
９Ｄ 突出部
９Ｅ 突出部
１０ スリット
１１ スリット
１２ スリット
１３ ダミーメタル
１４ 凹部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に半導体チップをフリップチップ実装して製造される半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器のマザー基板上に実装される半導体装置は、基板と、この基板上面に設けた半導体チップと、この半導体チップ下面と前記基板上面間に設けられた固定用樹脂体とを備えている。
【０００３】
また、前記基板の上面には、断続的環状配列の接続端子を内、外の多重状態で設け、前記半導体チップの下面には、断続的環状配列のパッドを内、外の多重状態で設けている。
そして、これら内、外多重状態で、断続的環状配列の接続端子と、内、外多重状態で、断続的環状配列のパッド間を、内、外多重状態で、断続的環状配列のバンプを介して接続した構成となっていた。
【０００４】
また、前記固定用樹脂体は、バンプ接続後に、基板と半導体チップ間に、半導体チップの外側から内側へと毛細管作用により流入させ、これにより半導体チップ下面と前記半導体チップの上面間を固定用樹脂体により固定するようになっていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２２１３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来例における課題は、半導体チップと基板との電気的接続状態が不安定になるということであった。
すなわち、上記従来例の構造においては、バンプ接続後に、基板と半導体チップ間に、固定用樹脂体を、半導体チップの外側から内側へと毛細管作用により流入させ、これにより半導体チップ下面と基板の上面間を、この固定用樹脂体により固定するようになっているが、固定用樹脂体の流入がスムーズに進行しない部分では、所謂空気の巻き込みによるボイドが形成されてしまう。
【０００６】
このボイド部分は、以降の熱的影響で変形することもあり、その場合には固定用樹脂体による固定が不安定になり、この結果として半導体チップと基板との電気的接続状態が不安定になるという問題点があった。
【０００７】
そこで上記先行文献では、基板上面のうち、多重状態に形成された断続的環状配列の内側のバンプ間に突起を設け、ボイド形成を抑制しようとしている。
しかしながら、製造方法として、突起を形成するための工程を設ける必要が有り、コストアップになるという問題点があった。また、半導体チップと樹脂体の界面では最も密着強度が弱くなるため、界面に発生するボイドを抑制することが難しく、このボイドにより電気的接続状態が不安定になるという問題点があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するために、製造工程の工程増加を抑制しながら、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために請求項１記載の半導体装置は、基板上に半導体チップをフリップチップ実装した構造体であって、前記半導体チップの実装面に配列されたパッドと、内周より外周に環状配列される前記パッド間に前記パッドより前記基板方向に突出する突出部と、前記半導体チップの各パッドとバンプを介して接続されるように前記基板上に形成される複数の接続端子と、前記基板と前記半導体チップとを固定する絶縁体とを有し、前記突出部の前記半導体チップ中心方向の端部が前記パッド間の領域より前記半導体チップ中心方向に形成され、前記突出部と前記基板との間に間隔があることを特徴とする半導体装置であることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記パッドが２重環状で千鳥配置させており、前記突出部が外周のパッド間に形成されることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部が、隣接する前記パッドの隣接面に平行な方向の１または複数のスリットにより分割されることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の半導体装置は、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部が、前記基板に近づく程細くなるように断面形状が台形であることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の半導体装置は、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部の先端部分に凹部を備えることを特徴とする。
請求項６記載の半導体装置は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、前記突出部が形成される周辺の前記半導体チップ表面に凹凸を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載の半導体装置は、請求項６記載の半導体装置において、前記凹凸を備える半導体チップ表面が表面保護膜であることを特徴とする。
請求項８記載の半導体装置は、請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、前記凹凸を前記半導体チップ表面の下層部分にダミーメタルを設けることにより形成することを特徴とする。
【００１５】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、樹脂の形成に際し、前記基板の前記半導体チップ搭載領域の中央部に前記固定用樹脂体を載置する工程と、前記各パッドと前記接続端子がバンプを介して１対１で接続されるように前記半導体チップを前記基板に加熱，加圧接続させる工程とを有し、前記固定用樹脂体が前記半導体チップ下部の中央部から周辺部に流動することを特徴とする。
【００１６】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップが、前記パッドが形成される領域の内側の表面に保護膜を備え、前記突出部が前記保護膜と同時に形成されることを特徴とする。
【００１７】
以上により、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、基板に半導体チップをフリップチップ実装して半導体装置を製造する際に、半導体チップの多重の環状に形成されたパッドの最内周パッド以外のパッド間に突出部を設け、基板上の最内周パッドの内側に対応する部分に固定用樹脂体を載置し、加圧，加温することにより基板と半導体チップとの間全面に固定用樹脂体を広げ、基板と半導体チップとを固定用樹脂体により固定することにより、最内周パッドの外側にボイド等が形成されることを抑制し、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の半導体装置について、図１〜図９を用いて説明する。
図１は本発明の半導体装置の断面図であり、図３におけるＡ−Ａ部分に相当する断面図である。図２は本発明の半導体装置における固定用樹脂体挿入工程を説明する断面図、図３は本発明の半導体装置における半導体チップの裏面図である。図３においては表現保護膜７を省略している。また、図４は本発明の半導体装置における半導体チップの要部拡大図であり、パッドと突出部の構成を示す図である。図５は複数列の突出部を示す要部拡大図、図６は台形形状の突出部を示す断面図、図７は複数列の台形形状に形成された突出部を示す断面図、図８は底部に表面保護膜の凹凸が形成された突出部を示す断面図、図９は先端部に凹部が設けられた突出部を示す断面図である。
【００２０】
図１に示すごとく本発明の半導体装置は、基板１と、この基板１上面に設けた半導体チップ２と、この半導体チップ２下面と前記基板１上面間に設けられた固定用樹脂体３とを備えている。
【００２１】
前記半導体チップ２の下面には、図３に示すように断続的環状配列のパッド４を内、外の多重状態で設け、また、各パッド４に対応して接続されるように、前記基板１の上面に断続的環状配列の接続端子５を内、外の多重状態で設けている。
【００２２】
そして、これらの接続端子５とパッド４間とをバンプ６を介して電気的に接続している。
また、半導体チップ２の下面で、パッド４が形成される領域より内側の部分とパッド４の外周部分とは表面保護膜７により覆われており、さらに図１、図３に示すようにパッド４の内方部分の表面保護膜７部分は保護膜８により覆われている。
【００２３】
保護膜８は図１に示すように、パッド４よりははるかに基板１側まで突出した厚さとしている。
そして、この保護膜８形成時に、図３、図４に示す突出部９も同時に半導体チップ２の下面側に形成する。
【００２４】
ここで、突出部９について詳述すると、突出部９は、外周において断続的環状配列されたバンプ６間に対応する半導体チップ２下面部分に形成したものであり、パッド４よりも下方の基板１側まで突出しているが、バンプ６よりは半導体チップ２側となる突出量としている。
【００２５】
すなわち、本発明における半導体装置の製造の際に、図２に示すごとく基板１上に、まず固定用樹脂体３として、例えばポリイミド樹脂を載せ、次に、基板１上に半導体チップ２を加熱、加圧しながら押し付け、これによりポリイミド樹脂を軟化させてその外周を外方に押し広げ半導体チップ２と基板１との間に固定用樹脂体３を充填している。
【００２６】
この押し広げにより、ポリイミド樹脂は先ず、断続的環状配列された内周のバンプ６間を通過し、その後外周において断続的環状配列された外周のバンプ６間を通過し、図１のごとく半導体チップ２の外周まで広がることとなる。
【００２７】
バンプ６と接続端子５との接続は、前記ポリイミド樹脂を先に載せておき、バンプが形成されたチップをフリップ実装する際に、加圧することで行い、その後、ポリイミド樹脂の熱収縮にて接続を保持する場合や、あるいはバンプを溶融させるのとほぼ同時に樹脂流動を発生させるプロファイル条件を設定し、バンプ硬化時と同時に、樹脂を硬化させて保持する場合もある。
【００２８】
本発明においては、断続的環状配列された内、外周のバンプ６は、所謂千鳥配置されているので、上記断続的環状配列された内周のバンプ６間を通過したポリイミド樹脂は、このバンプ６を巻き込むように曲がりながら外周のバンプ６間を通過することになる。
【００２９】
さてこの場合、内周のバンプ６間を通過したポリイミド樹脂が、この内周のバンプ６を巻き込むように曲がることで、その外側において空気を巻き込み、ボイドが発生しやすくなる。
【００３０】
そこで本発明では、外周のパッド４間から内周のパッド４に向けてはみ出した領域に突出部９を設けたものであり、突出部９の半導体チップ２中心方向の端部がパッド４間の領域より半導体チップ２中心方向に形成されている。そして、突出部９の形成を保護膜８の形成と同時に行うことにより、特別な工程を追加することなく突出部９を形成している。この突出部９が存在することで、固定用樹脂体３が外周のバンプ６間に流れや込むようになり、空気を巻き込んでボイドが発生することは実質的になくなり、製造工程の工程増加を抑制しながら、半導体チップ２と基板１との電気的接続状態を安定化することができる。従来に比べて、チップ内部との高低差が小さい部分を最も巻き込みボイドの発生しやすい箇所に形成することで、ボイド発生の抑制が出来る。
【００３１】
また、突出部９は、パッド４よりも下方の基板１側まで突出しているが、バンプ６よりは半導体チップ２側となる突出量としているので、バンプ６と接続端子５の電気的接続を阻害することもなく、さらに上記内側から外側に流れるポリイミド樹脂の流れを阻害することもない。
【００３２】
そして、このようにして半導体チップ２の外側まで広がったポリイミド樹脂はその後熱硬化し、図１の固定用樹脂体３となる。
また、図５は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、突出部として複数列に形成される突出部９Ａを設けたものである。１または複数のスリット１０で突出部９Ａが分割されることにより、ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになるとともに、硬化後はこのスリット１０への樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。
【００３３】
また、図６は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、突出部として台形形状の突出部９Ｂを設けたものであり、台形形状の突出部９Ｂは形成しやすく、また、先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。
【００３４】
また、図７は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、図５の構成と図６の構成を同時に実施した突出部９Ｃとしている。すなわち、スリット１１を有する台形形状の突出部９Ｃを設けたものであり、台形形状の突出部９Ｃは形成しやすく、また先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。また、スリット１１が存在することにより、ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになるとともに、硬化後はこのスリット１１への樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。
【００３５】
また、図８は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、スリット１２を有する台形形状の突出部９Ｄを設けたものである。台形の突出部９Ｄは形成しやすく、また先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。また、スリット１２が存在することにより、ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになるとともに、硬化後はこのスリット１２へのポリイミド樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。さらに、本実施形態では、突出部９Ｄが形成される半導体チップ２の下面部分に、パッド４形成と同時にダミーメタル１３を設け、これによりスリット１２の底に対応する表面保護膜７に凹凸が形成され、ポリイミド樹脂がこの底部にも食いつきやすくなっている。前記凹凸は表面保護膜７に形成するに限らず、表面に凹凸が形成されれば良い。また、ダミーメタルを設けることにより凹凸を形成したが、凹凸の形成方法は任意である。
【００３６】
さらに、図９は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態では、先端部に凹部１４を有する台形形状の突出部９Ｅを設けたものであり、台形の突出部９Ｅは先端側の面積が小さい分ポリイミド樹脂の流れがよりスムーズになる。また、凹部１４が存在することにより、ポリイミド樹脂の硬化後は、この凹部１４へのポリイミド樹脂の食いつき状態が、より固定強度を高めることになる。図９では表面保護膜７に凹凸を設けた構成例を示しているが、必ずしも凹凸を備える必要はない。また、台形形状の突出部に限らず、長方形形状の突出部であってもかまわない。また、スリットにより複数の突出部に分割されていてもかまわない。
【００３７】
また、上記説明では、パッドとして内、外の２重状態で設けた断続的環状配列を例に説明したが、３重以上に設けることもでき、その場合、最内周以外のパッド間に突出部を設けることにより、空気を巻き込んでボイドが発生することは実質的になくなり、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができる。
【００３８】
なお、上記図１から図９に記載の半導体装置は、その基板１が、電子機器のマザー基板（図示せず）上に実装され、活用されるようになっている。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、半導体チップと基板との電気的接続状態を安定化することができ、基板に半導体チップをフリップチップ実装して製造された半導体装置およびその製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の半導体装置の断面図
【図２】本発明の半導体装置における固定用樹脂体挿入工程を説明する断面図
【図３】本発明の半導体装置における半導体チップの裏面図
【図４】本発明の半導体装置における半導体チップの要部拡大図
【図５】複数列の突出部を示す要部拡大図
【図６】台形形状の突出部を示す断面図
【図７】複数列の台形形状に形成された突出部を示す断面図
【図８】底部に表面保護膜の凹凸が形成された突出部を示す断面図
【図９】先端部に凹部が設けられた突出部を示す断面図
【符号の説明】
【００４１】
１ 基板
２ 半導体チップ
３ 固定用樹脂体
４ パッド
５ 接続端子
６ バンプ
７ 表面保護膜
８ 保護膜
９ 突出部
９Ａ 突出部
９Ｂ 突出部
９Ｃ 突出部
９Ｄ 突出部
９Ｅ 突出部
１０ スリット
１１ スリット
１２ スリット
１３ ダミーメタル
１４ 凹部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体チップをフリップチップ実装した構造体であって、
前記半導体チップの実装面に配列されたパッドと、
内周より外周に環状配列される前記パッド間に前記パッドより前記基板方向に突出する突出部と、
前記半導体チップの各パッドとバンプを介して接続されるように前記基板上に形成される複数の接続端子と、
前記基板と前記半導体チップとを固定する絶縁体と
を有し、前記突出部の前記半導体チップ中心方向の端部が前記パッド間の領域より前記半導体チップ中心方向に形成され、前記突出部と前記基板との間に間隔があることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記パッドが２重環状で千鳥配置させており、前記突出部が外周のパッド間に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突出部が、隣接する前記パッドの隣接面に平行な方向の１または複数のスリットにより分割されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突出部が、前記基板に近づく程細くなるように断面形状が台形であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突出部の先端部分に凹部を備えることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突出部が形成される周辺の前記半導体チップ表面に凹凸を備えることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記凹凸を備える半導体チップ表面が表面保護膜であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記凹凸を前記半導体チップ表面の下層部分にダミーメタルを設けることにより形成することを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、樹脂の形成に際し、
前記基板の前記半導体チップ搭載領域の中央部に前記固定用樹脂体を載置する工程と、
前記各パッドと前記接続端子がバンプを介して１対１で接続されるように前記半導体チップを前記基板に加熱，加圧接続させる工程と
を有し、前記固定用樹脂体が前記半導体チップ下部の中央部から周辺部に流動することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体チップが、前記パッドが形成される領域の内側の表面に保護膜を備え、前記突出部が前記保護膜と同時に形成されることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基板上に半導体チップをフリップチップ実装した構造体であって、
前記半導体チップの実装面に配列されたパッドと、
内周より外周に環状配列される前記パッド間に前記パッドより前記基板方向に突出する突出部と、
前記半導体チップの各パッドとバンプを介して接続されるように前記基板上に形成される複数の接続端子と、
前記基板と前記半導体チップとを固定する絶縁体と
を有し、前記突出部の前記半導体チップ中心方向の端部が前記パッド間の領域より前記半導体チップ中心方向に形成され、前記突出部と前記基板との間に間隔があることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記パッドが２重環状で千鳥配置させており、前記突出部が外周のパッド間に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突出部が、隣接する前記パッドの隣接面に平行な方向の１または複数のスリットにより分割されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突出部が、前記基板に近づく程細くなるように断面形状が台形であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突出部の先端部分に凹部を備えることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突出部が形成される周辺の前記半導体チップ表面に凹凸を備えることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記凹凸を備える半導体チップ表面が表面保護膜であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記凹凸を前記半導体チップ表面の下層部分にダミーメタルを設けることにより形成することを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、樹脂の形成に際し、
前記基板の前記半導体チップ搭載領域の中央部に前記固定用樹脂体を載置する工程と、
前記各パッドと前記接続端子がバンプを介して１対１で接続されるように前記半導体チップを前記基板に加熱，加圧接続させる工程と
を有し、前記固定用樹脂体が前記半導体チップ下部の中央部から周辺部に流動することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体チップが、前記パッドが形成される領域の内側の表面に保護膜を備え、前記突出部が前記保護膜と同時に形成されることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−２００２７０（Ｐ２００９−２００２７０Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４０７４９（Ｐ２００８−４０７４９）
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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