説明

Fターム[5F044RR18]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤレスボンディング関連事項 (2,154) | 容器・封止 (1,675) | 封止構造 (460)

Fターム[5F044RR18]に分類される特許

361 - 380 / 460


【課題】配線の狭ピッチ化が可能で、かつ、信頼性の高い電子機器を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子機器の製造方法は、ベース基板10と、ベース基板10上に形成された複数の配線12と、を有する配線基板を用意する工程と、複数の導電部22を有する電子部品を用意する工程と、配線12の第1の面と導電部22とを対向させて電気的に接続する工程と、ベース基板10を部分的に除去して、配線12の第1の面とは反対側を向く第2の面13における少なくとも導電部22とオーバーラップする部分を露出させる工程と、ベース基板10よりも吸湿性の低い材料を利用して、第2の面13におけるベース基板10からの露出部15を覆う被覆部40を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、チップ同士又はチップと回路基板と接合において、コストの削減又は信頼性の向上を図ることのできる電子部品及び半導体装置並びにこれらの製造方法並びにこれらを実装した回路基板及びこの回路基板を有する電子機器を提供することにある。
【解決手段】集合型の半導体装置は、電極16を有する半導体チップ12と、半導体チップ12の上に設けられる応力緩和層14と、電極16から応力緩和層14の上にかけて形成される配線18と、応力緩和層14の上で配線18に形成されるハンダボール19と、を有する第1の半導体装置10と、第1の半導体装置10に電気的に接合される第2の半導体装置としてのベアチップ20と、を有する。 (もっと読む)


【課題】バンプを介して2つの基板を実装する際に、バンプに位置ずれを生じず、且つ接続部に非導電性接着材を挟み込まない実装方法、及びその実装方法で実装された半導体装置を提供する。
【解決手段】第1、第2の基板10、11の一面側に設けられた第1、第2の電極パッド20、21の少なくとも一方にバンプ30を形成する第1の工程と、バンプ30が形成された第1、第2の基板10、11の一面側に、バンプ30の高さよりも薄い厚みを有する非導電性接着材40を、バンプ30の先端部が突出するように配置する第2の工程と、第1、第2の基板10、11の少なくとも一方に超音波振動を与え、非導電性接着材40を介して第1、第2の基板10、11の一面側を対向して圧着し、バンプ30同士、若しくはバンプ30とバンプが形成されていない第1又は第2の電極パッド20、21とが超音波振動の摩擦によって接続する第3の工程と、を含んで実装する。 (もっと読む)


【課題】複数のバンプを配置した領域の中心から外周にかけてバンプの断面積を大きくし、応力集中によるチップ配線基板間の接合不良を防止する。
【解決手段】チップ2の外周部で発生する応力を分散させるため、チップ2と配線基板間のバンプを円形に配置し、中心から外周に向かって異なる大きさ径をもつバンプを配置する。チップ2の中心から距離の最も大きい位置のバンプ3cは、中心から距離の最も小さい位置のバンプ3aよりもバンプの径が大きく、中間位置のバンプ3bは、バンプ3aの径以上でバンプ3cの径以下とする。この構成により、半導体装置は接合の信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】テープ基板に半導体チップを両面実装する半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】テープ基板5上に第1の半導体チップ2を搭載し、さらに第1の半導体チップ2より大きな第2の半導体チップ3を搭載し、その後、テープ基板5と第1の半導体チップ2の間にアンダーフィル材4を充填し、さらにテープ基板5と第2の半導体チップ3の間にアンダーフィル材4を充填する。これにより、小さいチップに先にアンダーフィル材4を充填するため、テープ基板5の反りが少ない状態で大きいチップにアンダーフィル材4を充填することができる。その結果、大小両方のチップに対してアンダーフィル材4を確実に充填することができ、COF1(半導体装置)の信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】隣接配置された複数の半導体素子の下面側にアンダーフィル樹脂を同時にかつ安定して充填できる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子2,3を回路基板1上にバンプ4,5を介してフェースダウン実装するとともに、半導体素子2,3の下面と回路基板1の上面との隙間にアンダーフィル樹脂6を充填してなる半導体装置である。複数の半導体素子2,3は回路基板1上に隣接配置されており、隣接する半導体素子2,3の中間の回路基板1上に、半導体素子2,3の下面と回路基板1の上面との隙間へのアンダーフィル樹脂6の流入を促す突起物9が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 電子部品の小型化や高密度実装によってもリークやショートなどを引き起こすことが無く、かつ導電性を充分に確保しつつ導電粒子を効率的に利用可能な異方性導電材を有する電子部品実装基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 異方性導電材18、18‥、18‥は、電子部品17の電気接点17aと、導電膜12とが電気的にコンタクトされる位置に開口穴16を形成し、この開口穴16を埋めるように形成される。これにより、電子部品17は、異方性導電材18、18‥、18‥を介して導電膜12の所定位置に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを回路基板にはんだバンプを用いてフリップチップ接続する実装構造において、接続バンプの耐TC寿命を向上させること。
【解決手段】半導体チップ16を回路基板12に接続バンプ14でフリップチップ接続した実装構造において、補強材18を半導体チップ16の周りの回路基板12に固着し、補強材18と半導体チップ16の側面を樹脂接着剤20で接合する。補強材18は、室温で50GPa以上のヤング率をもち、接続バンプ14と同等か、もしくは、より小さい線膨張係数をもつ。樹脂接着剤20は、室温で5GPa以上のヤング率をもつ。さらに、樹脂接着剤20で接合された補強材18と半導体チップ16の側面の間隔は、50μm以下とする。 (もっと読む)


【課題】低コストで、生産性および信頼性を向上させたIC実装モジュールとその製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面に電極端子6を有するICチップ7と、接続部4を有する回路パターン2を備えた基板フィルム1と、ICチップ7の電極端子6と回路パターン2の接続部4とが接続され、ICチップ7が埋め込まれた接着フィルム5と、ICチップ7の他方の面に設けた保護フィルム8と、を少なくとも備えてIC実装モジュールを構成する。 (もっと読む)


【課題】 良好な周波数特性が得られ、信頼性の高い薄膜圧電共振子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜圧電共振子デバイスは、所定の配線を有する基板と、前記基板上に金バンプを介して、フリップチップボンディング法によって実装された薄膜圧電共振子と、前記薄膜圧電共振子の振動部を露出させるように前記基板と前記薄膜圧電共振子との間に充填され前記薄膜圧電共振子の側面の少なくとも一部を被覆する紫外線・熱併用硬化性樹脂層と、前記薄膜圧電共振子および前記樹脂層上を覆うモールド樹脂層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】
実装面積をチップサイズに近似できると共に、チップの裏面側電極を低抵抗で導出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体チップ11の表面側に半田ボール等を形成して第1の外部接続端子14とする。半導体チップ11を基板16上に固着し、基板16に第2の外部接続端子17を形成する。第1の外部接続端子14と第2の外部接続端子17は高さがほぼ一致する。第1と第2の外部接続端子14、17を対向接着するように構成する。 (もっと読む)


【課題】他の半導体チップなどの固体装置に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる半導体チップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】子チップ2の最表層をなす表面保護膜25には、電極パッド24と対向する位置にパッド開口26が形成されており、電極パッド24は、そのパッド開口26を介して表面保護膜25から露出している。また、表面保護膜25には、その周縁部に、表面保護膜25をその表面11と直交する方向に貫通する貫通孔27が形成されている。そして、機能バンプ12は、電極パッド24上に設けられ、パッド開口26を貫通して、表面保護膜25上に所定の突出量で突出している。また、接続確認用バンプ13は、貫通孔27に臨む層間絶縁膜23の表面から隆起し、貫通孔27を貫通して、表面保護膜25上に機能バンプ12の突出量よりも小さな突出量で突出している。 (もっと読む)


【課題】 溝や枠、あるいは表面処理領域のようなアンダーフィル材流出の物理的な抑制手段を用いる必要なしに、実装密度の更なる向上を可能にする、アンダーフィル材を用いて電子部品を搭載した基板と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明による基板は、基板本体3と基板本体3に電気的に接続して実装された電子部品5を含み、基板本体3と電子部品5の基板本体と電気的に接続する面との間にアンダーフィル材19が充填されている基板1であって、当該電子部品5と基板本体3との接続領域から外側に流出してできたアンダーフィル材の層19aを貫通して、別の部品との電気的接続用の孔21が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】一旦はんだ接合した半導体チップ1と回路基板4の間隙にアンダーフィル樹脂3を充填した後、はんだ2の融点を超える温度でアンダーフィル樹脂3を硬化処理することにより、アンダーフィル樹脂3における硬化進行時の樹脂の体積膨張により間隙を拡張することで、硬化処理熱により再溶融したはんだ2の形状を鼓状にする。 (もっと読む)


【課題】 使用材料の種類や部品点数が増加してコストアップを招くことなく、製造工程数を増加することなく、しかも絶縁基板の熱収縮を小さく保持して接続精度を確保しながら、半導体の放熱効果を高めた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 可撓性絶縁基板26の表面に、プリント配線技術によって形成した導体パターン30に接続し、フリップチップ実装して絶縁基板上に半導体42を搭載する半導体装置47である。そのような半導体装置において、半導体の搭載位置に絶縁基板の表裏を貫通する貫通孔38をあけ、その貫通孔に注入した高熱伝導性の封止樹脂46を用いて、半導体を封止するとともに、その半導体を、絶縁基板26の裏面に設ける放熱板37に連結し、半導体の熱を放熱板に伝達してその放熱板を介して大気に放熱する。 (もっと読む)


【課題】バンプ3を電極6に電気的に接続したときの加圧による初期形状からの整形状態によって簡単に電気的接続の信頼性を高められるようにする。
【解決手段】バンプ3を形成した電子部品4と、このバンプ3を介して電子部品4と電気的に接続された回路基板2と、この回路基板2と前記電子部品4との間に介在する熱硬化性樹脂7とを備え、前記バンプ3の形状が太鼓状であり、前記バンプ3の最大径Dと、前記電子部品4と前記回路基板2と、の距離Hとの関係が2H≦D≦3Hであることにより、上記の目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】半田接続部の損傷を防止する。
【解決手段】プリント回路板15は、プリント配線板16、半導体パッケージ17、接着剤31、および段差部40、を具備している。プリント配線板16は、複数のパッド25を有する。半導体パッケージ17は、前記パッド25に対応する複数の接続端子を有し、前記接続端子を前記パッド25に半田付けすることで前記プリント配線板16に実装される。接着剤31は、前記半導体パッケージ17の外周部33と前記プリント配線板16との間に充填され、前記半導体パッケージ17を前記プリント配線板16に固定する。段差部40は、前記半導体パッケージ17と前記プリント配線板16との間を、前記接続端子と前記パッド25とを接続する半田44が供給される第1の領域42と、前記接着剤31が充填される第2の領域43とに区画する。 (もっと読む)


【課題】 ソルベントフリーアンダーフィルを、基板に取り付ける前の、表面にソルダーバンプのアレイを有する半導体ウェハー又はダイに施す方法であって、バンプを露出する際のアンダーフィル層の除去に関する従来の問題を解決する。
【解決手段】 表面にソルダーバンプのアレイを有する半導体上にソルベントフリーアンダーフィルを施す方法であって、(i)半導体上に圧縮できる状態のアンダーフィルを用意し、(ii)アンダーフィルをコンプライアント表面と接触させ、十分な圧力をかけてバンプを露出させ、(iii)場合によって、アンダーフィルを硬化して固体状態にし、(iv)コンプライアント表面を除去することを含む方法。 (もっと読む)


【課題】 中空領域の気密性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂層12によって中空領域17を封止する。樹脂層12は紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有している。このため、ベース基板11を実装基板14上に装着する前に樹脂層12を紫外線効果によって部分硬化させておき、ベース基板11を実装基板14上に配置した後熱硬化させることが可能になる。これによって、ベース基板11の実装基板14配置前の取扱いが容易になり、不用な樹脂の付着を防止することができる。また、一度紫外線硬化させた後さらに熱硬化させるので、樹脂層12における欠陥穴の発生を低減することができ、樹脂層12の気密性が向上する。 (もっと読む)


【課題】突起物を設ける必要が無く、寄生容量を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】配線部5を有する基板1に対し、前面に機能面2aを有する半導体素子2をフリップチップ接合する半導体装置に関する。半導体素子2と基板1とを固定する接着剤3が、半導体素子2の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と基板1とを接着するとともに、基板1と半導体素子2との間には接着剤が入り込んでいないことを特徴とする。 (もっと読む)


361 - 380 / 460