【課題】 アンダーフィル封止材の注入工程と硬化工程の簡略化を図ることができる半導体パッケージの実装装置を提供する。
【解決手段】 導体チップが組み込まれた半導体パッケージを回路基板にバンプを用いて接合する半導体パッケージの実装装置において、半導体パッケージと回路基板をバンプ接合した後に、半導体パッケージの外周に沿って、アンダーフィル剤を内包した部品を配するとともに、その後に、該部品からアンダーフィル剤が流出し、外周のバンプ周辺部に注入され、かつ硬化することで、半導体パッケージ外周のバンプ接合部の接合をより強固なものとする。 （もっと読む）

【課題】 バンプを有する半導体ウエハに対して、常温において大きなテンションをかけることなく貼付可能であり、ボイドのないアンダーフィルを形成できるフリップチップ実装用アンダーフィルテープおよびこれを利用した半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係るフリップチップ実装用アンダーフィルテープは、基材と、その上に剥離可能に形成された粘接着剤層とからなり、
回路面にバンプを有する半導体ウエハの回路面に、粘接着剤層を貼付すると同時に、該バンプが粘接着剤層を貫通し、バンプ頂部を基材内に貫入する工程を含む半導体装置の製造方法に使用され、
該バンプの平均高さ（Ｈ_B）と、粘接着剤層の厚み（Ｔ_A）との比（Ｈ_B／Ｔ_A）が１．０／０．３〜１．０／０．９５の範囲にあり、、基材の厚み（Ｔ_S）と、粘接着剤層の厚
み（Ｔ_A）との比（Ｔ_S／Ｔ_A）が０．５以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波装置に関するものであり、外部から強い圧力が加わったり、繰り返し温度変化が加わっても、電気特性に不具合が生じることを防止するものである。
【解決手段】実装基板１３と弾性表面波素子１１を封止する封止樹脂２１を３層構造とし、最外層の樹脂よりも中間層の樹脂の弾性率が大きく、最外層の樹脂よりも最内層の樹脂の弾性率が小さい構造とすることにより、外部から圧力が加わった際のバンプの潰れを抑え、かつ温度変化によるバンプへの応力を低減している。 （もっと読む）

【課題】製造費用を節減することができる表示装置及びそれの製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は表示パネル、駆動チップ及び非導電性の接着フィルムを含む。表示パネルは導電性のパッドが形成されたパッド部を含む。駆動チップは内部に駆動回路を具備する本体部、及び本体部から突出されパッドと面接触されるバンプを含む。非導電性の接着フィルムは駆動チップをパッド部に固定させる。非導電性の接着フィルムは熱によって硬化される熱硬化性樹脂からなり、１．０ＧＰａ〜６．０ＧＰａの弾性率を有する。従って、導電ボールを含まない非導電性の接着フィルムを通じて駆動チップと表示パネルとを結合することで、製造費用を節減し、品質不良を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】シールド構造を有しノイズ防止が可能で、かつ生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法及びその実装構造体を提供する。
【解決手段】シールド電極１６と電極端子１４とが配設された半導体素子１０と、外周側接続電極２６及び内部側接続電極２４が配設された配線基板２０と、はんだ粉３２、対流添加剤及びはんだ粉の熔融温度で流動性を有する樹脂３４を含む樹脂組成物３０とを準備する工程と、配線基板２０面上に樹脂組成物３０を塗布する工程と、半導体素子１０と配線基板２０とを位置合せして樹脂組成物３０表面に半導体素子１０を当接する工程と、少なくとも樹脂組成物３０を加熱してはんだ粉３２を熔融するとともに対流添加剤によりはんだ粉３２を自己集合させながら成長させて接続する工程と、樹脂３４を硬化させて半導体素子１０と配線基板２０との間にアンダーフィル樹脂を設ける工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】気密封止性を高めた封止構造を適用した上で、パッケージサイズを縮小することを可能にした樹脂封止型電子部品装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止型電子部品装置は、金属バンプ５の内側に金属ダム８を設け、この金属ダム８で素子機能部１を取り囲むようにして気密封止する空隙９を形成している。このような封止構造によって、素子機能部１の動作に必要な所定の空間を形成した上で気密封止性を高め、さらにはパッケージを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極パッド上の金属突起と配線基板の配線パターンとの熱共晶による合金形成接続法において、接続信頼性が高く、ボイド発生不良や接続不良が発生しない半導体装置の製造方法とそれ用の接着剤を提供する。
【解決手段】電極パッド２上に金属突起３を有する半導体素子１と、電極パッドに相対する配線パターン５を有する配線基板４との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤６を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧７し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を硬化６′させて、半導体素子と配線基板とを固定する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップ接合時の合わせズレを防ぐことができ、安定した接続を可能にする半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 パッド電極１を有する半導体基体２上に絶縁層３を形成する工程と、パッド電極１上の絶縁層３を選択的に除去して、絶縁層３にパッド電極１を露出させて凹部５を形成する工程とによって第１半導体チップ部６を作製し、第１半導体チップ部６の凹部５に第２半導体チップ部９のバンプ電極８を嵌入する工程と、バンプ電極８とパッド電極１とを接続して第１半導体チップ部６と第２半導体チップ部９とを接合する工程とを有する、半導体装置１０の製造方法、及びこの製造方法により得られる半導体装置１０。 （もっと読む）

絶縁材料層（１）及びその絶縁材料層の表面上における導電層を含む据付基部を用いる電子モジュール及びその製造方法。導電層は、コンポーネント（６）の据付キャビティも覆う。コンポーネント（６）は、接点領域が導電層に向くように、かつコンポーネント（６）の接点領域と導電層との間に電気的な接点が形成されるようにして、据付キャビティ内に据え付けられる。この後、コンポーネント（６）を取付けた導電層から、導電パターン（１４）を形成する。
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【課題】 セラミックを使用した配線基板に半導体チップをフリップチップ実装するタイプの半導体装置において、半導体チップの側面にアンダーフィル樹脂のフィレットを十分に形成して、フリップチップ接合の接続信頼性を向上、安定させる。
【解決手段】 表層配線３を被覆するセラミック被覆層８を設けたセラミック配線基板１に半導体チップ６をフリップチップ実装し、セラミック配線基板１と半導体チップ６との間にアンダーフィル樹脂７を充填した半導体装置において、セラミック配線基板１のチップ実装領域４を露出させるセラミック被覆層８の開口部８ａを、半導体チップ６の外端よりも外側に内端が位置するように半導体チップ６の外形よりも大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増や大型化を招くことなく、高い気密性で電子回路素子を封止し得る電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の主面の所定領域に電子回路素子が配設された第１の基板１０と、第１の基板における一方の主面に対向して配設された第２の基板１２と、第１の基板と第２の基板との間に、第１の基板における所定領域を囲んで配設された封止部２６，４０と、封止部の側面に配設された接着層４２とを有している。 （もっと読む）

【課題】 小型化と薄型化、コスト低減と信頼性の向上を図る。
【解決手段】 各入出力電極３２と各素子実装用ランド６との接続部位及び可動子封装空間部２１を構成する絶縁樹脂層３４の形成部位とを同一箇所に設ける。犠牲層３５を残した状態で機能素子体３をパッケージ基板２に実装した後に、犠牲層除去孔１１から可動子封装空間部２１に犠牲層除去剤を充填して犠牲層３５を除去し、犠牲層除去孔１１を封止材層１３によって封止する。 （もっと読む）

【課題】
半導体チップを強固に固定でき、かつ温度変化による応力の影響を低減できる半導体チップの実装構造、及びその実装方法を提供する。
【解決手段】
半導体チップの実装構造は、ＳｉチップやＩＣチップ等の半導体チップ１と、セラミックスや樹脂等から形成された絶縁基板２０の一面に金、ニッケル、銅等の薄膜の電極が形成されてなる実装基板２との接合に、エポキシ系樹脂等の高弾性材料の接着剤４を用いるものであり、半導体チップ１の一辺側を高弾性材料の接着剤４により実装基板２に接合することによって半導体チップ１を実装基板２に実装している。 （もっと読む）

【課題】 パドル部がＧＮＤピンであるＱＦＮタイプのＩＣを片面ＦＰＣに実装することができる光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】 ドライバＩＣ２０を実装した片面ＦＰＣは、実装面をハウジング４０ａと反対側にして、ハウジング４０ａに収容される。ドライバＩＣ２０のパドル２２は、片面ＦＰＣのくり抜き孔の位置に合わせて実装され、ハウジング４０ａに対して露出された状態になる。ハウジング４０ａは、パドル２２周辺の片面ＦＰＣの厚みを考慮した凸形状の突起部４１を有する。押さえバネ４２は、ドライバＩＣ２０をハウジング４０ａに対して押圧し、片面ＦＰＣのくり抜き孔を介して、パドル２２を突起部４１に接触させて、パドル２２と突起部４１とを接続する。 （もっと読む）

半導体パッケージであって、実装部分及び延長部分を有するフレキシブルテープと、フレキシブルテープの実装部分に設けられた複数のアレイ状接続電極と、フレキシブルテープの実装部分に搭載された半導体チップを含んでいる。半導体パッケージは更に、フレキシブルテープの延長部分の先端に形成された高速信号用電極と、半導体チップと高速信号用電極を接続するフレキシブルテープに設けられた伝送線路を含んでいる。フレキシブルテープの実装部分にはスティフナが搭載されている。
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【課題】 接合時にバンプや半導体装置に過剰な力が作用するのを防ぐと共に、半導体装置と接合対象物間の安定したギャップ制御性にも優れた半導体装置の接合方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１のバンプ配置面１ａにおけるバンプ２の配置されていない部分と接合対象物４との間に、バンプ２の高さより大きい厚さの樹脂材３を介在させてバンプ２が接合対象物４に接触しない状態で接合対象物４に対して半導体装置１を押し込む工程と、この押し込み時に樹脂材３を介して半導体装置１が受ける反力を検出する工程と、樹脂材３及びバンプ２を加熱溶融させ、反力が検出された位置から所定量だけ半導体装置１を接合対象物４に近づけて溶融したバンプ２をランド５に接合させる工程と、樹脂材３を加熱硬化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＢＧＡ方式の半導体パッケージとプリント基板とのはんだ接合部の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 複数の電極部を有する電子部品と前記電極部に対応した位置に電極部を有するプリント基板とがはんだバンプによって接合された半導体装置において、前記電子部品と前記プリント基板の間に絶縁材からなる部品を介在させることよって、はんだバンプの形状を鼓型にすることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】縦型半導体素子のＦＣ構造パッケージを小型／薄型化することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、前記半導体基板１表面上に形成される半導体層２と、前記半導体層２に形成される活性領域と、前記半導体層２上に形成され、前記活性領域に接続された第1の電極９と、前記半導体基板１に接続され、前記半導体層２上に引き出されるトレンチ形状の第２の電極１０を備えた縦型半導体素子と、この縦型半導体素子の前記第１の電極９及び第２の電極１０に接続されるバンプ電極と、前記縦型半導体素子の前記半導体基板１裏面に密着される放熱板を備える。 （もっと読む）

【課題】薄型で信頼性の高いセンサーモジュールを提供する。
【解決手段】センサーモジュールを、センサーチップと、このセンサーチップの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するように配設された保護材と、開口部内に前記保護材を挿入するように前記センサーチップをフリップチップ方式で実装した配線基板とを備えるものとし、センサーチップはアクティブ面の外側領域に複数の引き出し配線を介して電極パッドを有するものとし、保護材はセンサーチップのアクティブ面の外側領域であって電極パッドの内側領域にリブを介して配設されたものとし、配線基板は開口部の周縁部に配設された複数の回路端子電極と、これらの回路端子電極上に突設された導電性バンプを有するものとし、導電性バンプとセンサーチップの電極パッドとが接合された構成とした。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、信頼性の高い表示パネルを提供する。
【解決手段】液晶表示パネル２０は下部基板２２と、下部基板２２の一方面に形成された接続用電極２２ｅ及び第２検査用電極２２ｆと、駆動用ＩＣチップ２７と、駆動用ＩＣチップ２７の一方面に設けられた第２バンプ２７ｂ及び第２検査用バンプ２７ｄと、を少なくとも有する。下部基板２２と駆動用ＩＣチップ２７とは、接続用電極２２ｅと第２バンプ２７ｂとが対向するように配設されており、接続用電極２２ｅと第２バンプ２７ｂとの間の電極間距離Ｌ１は、第２検査用電極２２ｆと第２検査用バンプ２７ｄとの間の検査用電極間距離Ｌ２よりも短く、接続用電極２２ｅと第２バンプ２７ｂと、及び第２検査用電極２２ｆと第２検査用バンプ２７ｄとは、少なくとも表面が導電性である導電性粒子２９ａを含む異方性導電層２９によって電気的に接続されている。 （もっと読む）