【課題】電極面積を小さくした場合であっても、導電性粒子を増やすことなく、電極同士で安定した電気的接続を可能とする電極接続装置及び電極接続方法を提供する。
【解決手段】圧着ヘッド４２またはＬＳＩ配置ツール（図示せず。）には、ＬＳＩ３が保持される部位に、ＬＳＩ３の電極（ＬＳＩバンプ）を磁化させるバンプ磁化手段４２１が設けられ、バンプ磁化手段４２１が、ＬＳＩ３を熱圧着させる前に、ＬＳＩバンプが位置する領域に水平方向（パネル搭載面に対し水平方向の）の磁場または電場を発生させることによって、ＬＳＩバンプを磁化させる。 （もっと読む）

【課題】腐食防止性、導通信頼性が高い電気装置を製造可能な異方導電性接着剤を提供する。
【解決手段】本発明の異方導電性接着剤３０は、バインダー３１と、バインダー３１中に分散された導電性粒子３５とを有している。バインダー３１には、熱硬化性樹脂と、下記一般式（１）で示されるシルセスキオキサンが含有されており、熱硬化性樹脂と、シルセスキオキサンが重合するので、バインダー３１の硬化物は疎水性が高く、硬度も高くなる。
（ＲＳｉ−Ｏ_3/2）ｎ……一般式（１） （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装タイプの半導体装置において、良好な接続信頼性を保ちつつ、ソルダーレジストのクラック故障のない半導体装置を提供する。
【解決手段】封止樹脂５の端面の配線基板１側の端部５ａ〜５ｄと第１の樹脂層（ソルダーレジスト）６との間に、第１の樹脂層６よりも柔らかい材質の第２の樹脂層７を介在させる。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＯＦ型の半導体装置用のテープキャリアと比較して、エッチング後の配線パターンの形状を良好にすることができると共に、配線パターンと半導体素子との接続状態を良好にすることができ、非接続部の配線パターンの機械的強度をも従来と比較して同等に向上させることが可能となるフレキシブル配線基板、及びそれを用いた半導体装置および電子機器を提供する。
【解決手段】絶縁テープ６と、絶縁テープ６上に形成された配線パターン５７とを備えたフレキシブル配線基板において、配線パターン５７は、所定のパターンに形成されていると共に、半導体素子２を接続および搭載する搭載領域内に、半導体素子２と接続するための接続部を有しており、上記接続部のみの配線パターン５７の厚さだけが、非接続部における配線層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が配線基板上にフリップチップ搭載され、配線基板との間が樹脂封止される構造の半導体装置において、樹脂端部に対応する部分での配線断線を抑える。
【解決手段】配線基板１は、半導体素子６のバンプ電極８に対向する配置の電極２ａとその電極２ａを除く表面を覆う保護膜３とを第一面に有し、保護膜３に樹脂部５の周縁部と接触しないように開口部４が形成される。樹脂部５の周縁部に熱や外部応力などによる応力集中が発生した場合も、その部分には亀裂を発生しやすい保護膜３は存在しないため、保護膜亀裂を起点とした配線２の損傷を生じることは防止される。 （もっと読む）

ダイと絶縁膜とを備えた集積回路製品を提供する。絶縁膜はダイに動作可能に結合している。絶縁膜は複数のバンプ開口部を含んでいる。絶縁膜はアンダーフィルアンカー構造も含んでいる。斯かる集積回路製品の製造方法も提供する。
（もっと読む）

【課題】積層型半導体装置において、半導体装置の反りを抑制し、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１上にフリップチップ接続された半導体素子１２を有し、基板１１と半導体素子１２の間にはアンダーフィル樹脂１３が充填されている。半導体素子の外周部には接合ランド１４が設けられ、基板１１全域が樹脂１５により封止されている。また、樹脂１５上面から接合ランド１４に至る開口部１６か形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品実装体において、電子部品とは反対側の基材表面に突起電極の頂部を露出させた状態とした際に、当該表面に所定パターンを高精度に形成することができ、実装時の密着性も確保できる製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の電子部品実装体の製造方法は、突起電極１２を備えた電子部品１０を、熱可塑性樹脂からなる基材２０に実装した電子部品実装体の製造方法において、前記突起電極の突出高さ１２ｈの２倍以上の厚み２０ｄを有する前記基材に対して加熱しながら前記電子部品を押圧することにより前記突起電極を前記基材中に埋設する電極埋設工程と、前記電子部品とは反対側の基材表面を部分的に除去することにより、前記突起電極の頂部を前記基材表面上に露出させる基材除去工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 放熱性が高く、実装時の接続信頼性が高い新規な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、前記半導体チップの第１の主面の第１の電極に接続された第１の導電部材と、前記半導体チップの第１の主面と反対側の第２の主面の第２の電極に接続された第２の導電部材とを有し、
前記第１の導電部材は、前記樹脂封止体の第１の主面から露出し、前記第２の導電部材は、前記樹脂封止体の第１の主面と反対側の第２の主面、及び側面から露出している。 （もっと読む）

マイクロフォン組立品は、キャリヤと、シリコンベースのトランスデューサと、導電素子と、アンダーフィル剤とを備える。キャリヤは、電気的接触要素を保持する第１の面を有している。シリコンベースのトランスデューサは、置換可能なダイアフラムおよび電気的接触要素を備える。トランスデューサは、キャリヤの第１の面上に一定間隔で配置される。導電材料は、キャリヤの電気的接触要素とシリコンベースのトランスデューサとの間に電気的接触を得るように配置される。アンダーフィル剤は、シリコンベースのトランスデューサとキャリヤとの間の空隙に配置される。アンダーフィル剤は、４０ｐｐｍ／℃を下回るアンダーフィル熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する。 （もっと読む）

【課題】導電性の異物によるバンプの短絡を防ぐ。
【解決手段】フィルタ素子２ａは、機械的振動が励振される機能部２２ａが形成された機能部形成面２５ａを基板３ａの素子搭載面３５ａとを向かい合わせ、フィルタ素子２ａの側のパット２１ａと基板３ａの側のパット３１ａとの間をバンプ４ａを介してフリップチップ接合することにより基板３ａへ実装される。フィルタ素子２ａは、樹脂封止剤５ａによりサイドフィル方式によって中空封止されている。さらに、フィルタ素子２ａの機能部形成面２５ａには、ダム（隔壁）６ａが形成されている。ダム６ａは、フィルタ素子２ａと基板３ａとの間の信号伝達経路となっているバンプ４１ａ〜４４ａの全てを内包する矩形の領域２５５ａと領域２５５ａを取り囲む領域２５６ａとを隔てている。 （もっと読む）

【課題】コーナー部周辺の信号線パターンにクラックが起こりにくく、信頼性に優れた多層配線基板及び素子搭載装置を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１０は、積層配線部及び内層接続ビア導体５５を備える。積層配線部３１は、樹脂絶縁層３３を有し、素子搭載領域６１をその表層に有する。内層接続ビア導体５５は、素子搭載領域６１のコーナー部６２延長上に配置される。信号線パターン６７は、樹脂絶縁層３３上に配置され、内層接続ビア導体５５と端子パッド５１とを接続する。信号線パターン６７は、非直線状パターンであって、信号線パターン敷設回避区域９１を避けて迂回するように敷設される。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式で搭載された半導体構成体を有し、且つ、下面側に複数の半田ボールを有する半導体装置において、インターポーザを用いない構造とする。
【解決手段】 ソルダーレジスト等からなる下層絶縁膜１の上面には配線２が設けられている。半導体構成体６は、その突起電極１２が配線２にボンディングされていることにより、配線２上にフェースダウン方式により搭載されている。半導体構成体６と配線２を含む下層絶縁膜１との間およびその周囲にはアンダーフィル材１３が設けられている。半導体構成体６、アンダーフィル材１３および配線２を含む下層絶縁膜１の上面には封止材１４が設けられている。配線２の接続パッド部下には半田ボール５が設けられている。この場合、両面配線２構造で上下導通部を有する比較的高価なインターポーザを用いていないため、コストを低減することができ、また薄型化することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがフェイスダウン実装された半導体装置において、半導体チップやバンプ周辺部分の損傷を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、ＢＧＡ基板１１０、半導体チップ１０１、バンプ１０６およびバンプ１０６の周囲に充填されたアンダーフィル１０８とを備えている。半導体チップ１０１の層間絶縁膜１０４は低誘電率膜により構成されている。バンプ１０６は鉛フリーはんだからなる。アンダーフィル１０８は、弾性率が１５０ＭＰａ以上８００ＭＰａ以下の樹脂材料により構成され、ＢＧＡ基板１１０の基板面内方向の線膨張率は１４ｐｐｍ／℃未満となっている。 （もっと読む）

【課題】封止すべき部品の端部への樹脂供給量が不足して、当該部品および基板間の間隙への樹脂の浸透が起こらず濡れ広がってしまうことを防止した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、実装配線基板１０と、実装配線基板１０上に実装された半導体チップ２０と、実装配線基板１０および半導体チップ２０間の間隙に設けられたアンダーフィル樹脂３０と、実装配線基板１０上の半導体チップ２０の近傍に設けられ、アンダーフィル樹脂３０の上記間隙への流入を促す流入促進部４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体実装基板において、落下時などにシリコン基板２ａと樹脂膜２ｂとの界面２ｅ部分で剥離が発生。
【解決手段】電子部品３を半導体素子２の角部６近傍に装着することによって、基板１２と半導体素子２との間に充填した樹脂５を半導体素子２と電子部品３との間の隙間１４へ這い上がらせ、界面２ｅを樹脂５で覆うようにするものである。これにより、界面２ｅが樹脂５で覆われるので、落下などに強くなり、剥離などが発生し難くできる。 （もっと読む）

【課題】素子を配列した基板から他の基板へ素子を転写する際の製造工程の簡易化を図ることを目的とする。
【解決手段】第一の基板３１上に配列された素子を第二の基板３４上に転写する素子転写方法であって、第二の基板３４上に電気配線３６を形成する工程と、電気配線３６上に粘着層３５を形成する工程と、第一の基板３１上に配列された素子３３ａを、電気配線３６と電気的に接続するまで粘着層３５に埋入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】モジュールを親基板へ半田付け時に、チップ部品の半田の溶融膨張でチップと基板との隙間でショートする。
【解決手段】半導体素子の側面の中央部において第１の樹脂が前記半導体素子側面に付着するように、前記半導体素子と前記基板との間の隙間に前記第１の樹脂を注入する工程と、この工程の後で前記半導体素子の角部近傍に第２の樹脂を塗布する工程と、この工程の後で少なくとも前記第２の樹脂を硬化させる工程とを有し、前記第２の樹脂を塗布する工程における前記第２の樹脂の粘度は、前記第１の樹脂を注入する工程における前記第１の樹脂の粘度より大きくしたものである。これにより第１の樹脂でチップ部品や半田が覆われ難くなり、半田が溶融膨張しても、チップと基板との隙間へ噴出することはない。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する樹脂のクラックの発生を抑止することで、信頼性の向上を図ることが可能なフレキシブルプリント配線基板を提供する。
【解決手段】樹脂封止される矩形状のドライバＩＣ２０が配置される矩形状のデバイスホール１４が形成され、デバイスホール１４の内周辺からドライバＩＣ２０へ向かって突出するインナーリード１５が設けられたフレキシブルプリント配線基板において、デバイスホール１４の４つの角部に、デバイスホール１４の内周辺に対して傾斜し、かつドライバＩＣ２０の角部に向かって突出するアライメントリード１６が設けられている。このアライメントリード１６は、ドライバＩＣ２０と接続しないダミーリードであり、デバイスホール１４の位置認識用に貫通孔１６ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装時に半導体素子と回路実装基板との間からはみ出した樹脂シート材と回路実装基板との密着性を、生産性を損なうことなく改善できる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フリップチップ実装時の本圧着工程で付加される高温高荷重により半導体素子１と回路実装基板４との間からはみ出した封止樹脂材は、回路実装基板４における半導体素子１の実装位置の外側に設けた突部９によって広がりが規制される。半導体素子を回路実装基板に高温高荷重で押し付ける際の熱が突部９に伝わることによって、突部９に接触して広がりが食い止められた封止樹脂材が確実に熱硬化する。 （もっと読む）