【課題】 電子部品および回路基板の間に注入された樹脂がはみ出す量を少なくした電子装置を提供する。
【解決手段】 下面に複数の端子電極２ａが形成されている電子部品２が、上面に複数の電極パッド１ａが形成されている回路基板１上に、複数の端子電極２ａと複数の電極パッド１ａとを対向させて搭載されており、回路基板１の上面に、複数の電極パッド１ａを囲むとともに囲まれる領域８が電子部品２の外周２ｂの内側に位置するような、不連続部４ａを有する溝４が形成されており、電子部品２および回路基板１の間の溝４で囲まれた領域８に樹脂３が注入されている電子装置10である。溝４の不連続部４ａから樹脂３を注入することによって、溝４で囲まれた領域８の内側から樹脂３を満たしていき、樹脂３のはみ出しを溝４の開口部での樹脂３の表面張力の働きにより抑えるので、樹脂３のはみ出す量を少ないものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ実装用の端子の構造を改良することによって、異方性導電膜を用いて行った実装部分の機械的強度を向上することのできるＩＣの実装構造、電気光学装置、液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置を構成する基板２０のＩＣ実装領域７０では、配線パターン９および第１の端子９１を構成するＩＴＯ膜の非形成部分からなるスリット９６によって第１の端子９１Ａ、９１Ｂ、９１Ｃが複数の端子９１１Ａ、９１２Ａ、９１３Ａ、９１４Ａ等に分割されている。このため、第１の端子９１と第１の電極７１とを異方性導電膜（接着剤）によって電気的および機械的に接続したとき、異方性導電膜（接着剤）に含まれている樹脂分は、スリット９６内に入り込んだ状態で第２の透明基板（第２の基板）２０に駆動用ＩＣ７を接着固定する。 （もっと読む）

【課題】ドライバＩＣの電気的特性を容易に調べることができる表示装置を提供する。
【解決手段】
ＣＯＦ２は、ベースフィルム２１の上に、インナーリード２２、２３が接着剤で固定され、その上から、絶縁性のレジスト２４が塗られている。また、インナーリード２２、２３の上に、ドライバＩＣ２０が金パンプ２６１、２６２を介して固定されている。液状樹脂２５１、２５２を介して、インナーリード２２、２３と導通している。また、表示パネル１０の端子と接続する出力側の接点２２１と導通しているテストパッド４１，４２が引き出し線３１１,３１２を介して接続されている。テストパッド４１，４２のパターンが表示装置の外側へ露出するよう、ベースフィルム２１には、テストパッド４１，４２の部分にテストパッド４１，４２のパターンより小さい孔が第２の面２９側に空いている。 （もっと読む）

【課題】電子機器や電子部品に搭載される電子デバイスを実装した実装基板であって、薄厚化を実現するとともにフレキシブル性を有して曲げに対する耐性も強い実装基板を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板１０ＦＤは、一面側がパッド７を具備した端子形成面２ａとされた半導体チップ２をフレキシブル基板１上に実装してなる実装基板であって、前記パッド７が、前記フレキシブル基板１上に形成された金属配線４に対して電気的に接続されており、前記半導体チップ２の端子形成面２ａが、当該実装基板１０ＦＤの厚さ方向における中立面ｎｐに略一致して配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線基板の間に位置する実装用樹脂に空気が巻き込まれることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ１の能動面上に、保護用樹脂層１０を複数層重ねて形成する工程と、複数の第１外部接続端子１ａそれぞれ上にバンプ１１を形成する工程と、配線基板２の第１主面上に、実装用樹脂層２３を配置する工程と、実装用樹脂層２３により配線基板２に半導体チップ１を実装し、かつ複数のバンプ１１と複数の第２外部接続端子２１を電気的に接続する工程とを具備する。保護用樹脂層１０を複数層重ねて形成する工程において、複数の保護用樹脂層１０を、上層に行くにつれて表面積が小さくなるように形成し、かついずれの保護用樹脂層１０も、該保護用樹脂層１０の一つ下の層に位置する保護用樹脂層１０から食み出さないように配置する。 （もっと読む）

【課題】 中空構造をもちながら小型化と共に製法を簡略化し、歩留まりの向上とコストダウンを達成できる、接続封止用樹脂の付着が許されないＭＥＭＳ構造物などのデバイスの実装が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ構造のメカニカルスイッチ６を形成した第１の基板２を、回路が形成された第２の基板２に、フリップチップ実装封止用樹脂１を用いてフリップチップ実装してなる半導体装置８において、第１の基板に形成したメカニカルスイッチと向かい合わせになる第２の基板の対応部分に、フリップチップ実装封止用樹脂と濡れ性の悪い撥水処理部３を予め形成し、封止された内部に中空部７が形成されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け不良を低減する。
【解決手段】絶縁性基板１上に耐熱性及び電気絶縁性を有するフィルム４を、絶縁性基板１のパッド２を避けるように形成し、パッド２上にはんだバンプ３を形成して電子部品の実装基板を得る。実装基板上に電子部品を載せて、この電子部品の電極をはんだバンプ上に重ね合わせ、はんだバンプを溶融させてパッドと電子部品の電極とをはんだによって接合する。 （もっと読む）

過酷な環境のための発光ダイオードは、実質的に透光性の基板と、基板の底面上に配置されている半導体層と、半導体層に結合され、基板の底面上に形成されている数個の接合パッドと、各接合パッド上に形成され、発光ダイオードをプリント回路ボードに電気的に接続するマイクロ・ポストとを含む。基板の底面とプリント回路ボードの上面との間に、発光ダイオード基板下における水浸透を低減するために、アンダーフィル層を設けてもよい。加えて、上面を通って放出される光を拡散させるために、発光ダイオードの上面にディフューザを取り付けてもよい。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションに起因する電気的な不良を防止する。
【解決手段】半導体装置１０は、絶縁性薄膜基材２０ａ、及び複数のリード２２を有しているテープキャリア２０と、テープキャリアに搭載されており、リードに接続されている複数の電極３２を有している半導体チップ３０と、半導体チップの少なくとも側面及び下面３０ｂを一体的に覆っている封止部４０と、絶縁性薄膜基材の裏面２０ａｂ側に設けられている第１撥水性膜５０ａとを具えている。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れた銀（Ａｇ）を含有する導電性接着剤を用いて配線基板の電極と半導体素子の外部接続端子とを接合して半導体素子を配線基板にフリップチップ実装すると共に、前記銀（Ａｇ）のイオンマイグレーションを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１２の外部接続端子１３と配線基板１１の電極１４とが導電性接着剤２０を介して接合された半導体装置は、前記導電性接着剤２０は、第１導電性接着剤２０−１と、前記第１導電性接着剤２０−１を被覆する第２導電性接着剤２０−２とを含み、前記第１導電性接着剤２０−１は、銀（Ａｇ）を含む導電性フィラーを含有し、前記第２導電性接着剤２０−２は、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）から構成される群から選択される金属を含む導電性フィラーを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板と半導体素子との空隙部に封止樹脂を確実に充填し得て、ボイド等の発生もなく、しかも短時間で半導体素子全体を封止でき、さらに耐湿性に優れ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】配線回路基板４上に半導体素子２をフェースダウンで配置するとともにフリップチップ接合して搭載し、最大粒径が３０μｍ以下、かつ、レーザー回折粒度分布測定装置で測定した粒度分布の頻度値が、３μｍ未満：１５〜３０質量％、３〜１０μｍ：２５〜３５質量％、１０μｍ超：４０〜５０質量％であり、粒径が１μｍ以上の粒子を対象とした質量換算平均粒径（ｄ１）と数換算平均粒径（ｄ２）の比が、５．０≦ｄ１／ｄ２≦９．０の関係を満たす無機質充填材を含有する封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止した樹脂封止型半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】超音波の印加、加熱などを行わなくても、小さい圧力のみで基板同士を接続できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板とを準備し、前記第１の電極に第１のバンプをワイヤボンディング法で形成し、前記第２の電極に第２のバンプをめっき法で形成し、前記第１のバンプの弾性率と前記第２のバンプの弾性率との差が、５００ｋｇｆ／ｍｍ²以下となるように弾性率の調整を行い、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが対向して接するように配置し、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが電気的に接続されるように、加圧を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数個の半導体素子を高密度に実装可能な電子回路実装構造体を提供する。
【解決手段】半導体素子１１の主面の周縁部を構成する４つの辺部のうち、半導体素子１１の長手方向に直交する方向おいて対向する２つの辺部（所定の辺部）には、バンプ１２を３列構成で、千鳥状に配列し、半導体素子１１の長手方向において対向する２つの辺部（他の辺部）には、バンプ１２を２列構成で、かつ千鳥状に配列して、バンプ１２の列数が少ない辺部からの樹脂接着層１６の樹脂のはみ出し量が、バンプ１２の列数が多い辺部からのはみ出し量よりも大きくなるようにするとともに、各半導体素子１１ａ〜１１ｆを、樹脂接着層１６の樹脂のはみ出し量が小さい所定の辺部同士が隣接する配置で実装した。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ（例えば、ＣＯＦパッケージ）において、ベースフィルムの歪みによる封止樹脂の未充填不良を防止する。
【解決手段】ＣＯＦパッケージは、フレキシブルなベースフィルム２０と、このベースフィルム２０上における半導体チップ搭載予定箇所２１の周縁に配置され、半導体チップ搭載予定箇所内へ突設された金属製の厚さｄ１の複数のインナリード２２と、半導体チップ搭載予定箇所内の所定の位置に配設された金属製の厚さｄ２（＜（ｄ１＋ｄ３）、但し、ｄ３；バンプ電極の厚さ）のダミーパターン２６と、半導体チップ３０と、封止樹脂３２とを備えている。半導体チップ３０は、主表面に突設された厚さｄ３の複数のバンプ電極３１を有し、このバンプ電極３１がインナリード２２に接合されている。更に、封止樹脂３２は、半導体チップ搭載予定箇所２１と半導体チップ主表面との間に充填されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主体とする金属層と絶縁性樹脂層との密着性に優れた、実装信頼性の高い半導体パッケージ基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】外部部品と電気的に接続される突起状電極部６を有する、Ｃｕを主体とする金属層４ｂと、金属層４ｂ上の、突起状電極部６の外部部品との接続面を除いた領域に形成され、且つ、突起状電極部の側面を覆う絶縁性樹脂層２と、金属層４ｂと絶縁性樹脂層２との間に形成されたＮｉ合金層４ａと、金属層４ｂの、Ｎｉ合金層４ａが形成された面と反対の面上に形成され、半導体素子が接着される接着層とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ベアチップＩＣを内蔵する電子部品内蔵基板の層間接続を簡易かつ高信頼性化を図る。
【解決手段】本発明の電子部品内蔵基板は、第２導電性パターン６の上面に第２絶縁層４に内蔵する電子部品５の実装後の高さより低い金属塊２７を実装し、第２絶縁層４を貫通し、金属塊２７と第３導電性パターン７とを第２めっき膜９により電気的に接続するビアホール８とを備える。電子部品５の実装後の高さより低い金属塊２７を用いることで、第２絶縁層４の高さを電子部品５の高さに起因した厚みにすることができると共に、ビアホール８の深さを浅くすることができるので、金属塊２７と第３導電性パターン７との第２めっき膜による接続を確実に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂内のボイドの発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板１２上に溶融した樹脂３２を配置する工程と、溶融した樹脂３２上に半導体チップ２０を配置する工程と、半導体チップ２０に圧力を加え、半導体チップ２０を基板１２にフリップチップ実装する工程と、溶融した樹脂３２に流体圧力を加えた状態で溶融した樹脂３２を硬化させ、アンダーフィル樹脂を形成する工程と、を有する半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置。 （もっと読む）

【課題】電子部品がフリップチップ実装され、ダムにより配設領域が画定されるアンダーフィル材によって前記電子部品が固着される配線基板であって、当該ダムとアンダーフィル材のフィレットとの界面に於ける剥離を防止して信頼性を向上させることができ、更に電子部品装置の小形化に対応することができる配線基板、及び前記電子部品の当該配線基板への実装構造を提供する。
【解決手段】電子部品６５がバンプ６７を介してフリップチップ実装され、当該電子部品６５の周囲の少なくとも一部が樹脂７０により封止される配線基板５０に於いて、当該配線基板５０の前記電子部品６０が実装される表面の少なくとも一部に、ダム５６が配設され、当該ダム５６が前記樹脂７０と接する内壁面は、曲線部が連続して形成された形状を有する。 （もっと読む）

【課題】蓋体部を備えた貫通孔を有するベアチップをフリップチップ接続によって実装する際に、ベアチップ内部の貫通孔にアンダーフィルを容易に充填することができる実装構造を提供する。
【解決手段】回路基板６上に半導体回路を形成したベアチップ１をはんだバンプ５を介して搭載し、前記回路基板とベアチップ間にアンダーフィル７を充填してなるフリップチップ実装構造において、前記ベアチップは、半導体基板の表面に形成した半導体回路と前記半導体基板の裏面に形成した電極パッド間をその内面に形成した導電層を介して接続する貫通孔２と、該貫通孔の前記基板表面側開口部に形成した導電層からなる蓋体部３と、前記基板の裏面に形成した電極パッド上に形成したはんだバンプを備え、前記蓋体部には前記アンダーフィル充填時におけるガスを排出するガス排出用の貫通孔８を設けた。 （もっと読む）

【課題】電極面積を小さくした場合であっても、導電性粒子を増やすことなく、電極同士で安定した電気的接続を可能とする電極接続装置及び電極接続方法を提供する。
【解決手段】圧着ヘッド４２またはＬＳＩ配置ツール（図示せず。）には、ＬＳＩ３が保持される部位に、ＬＳＩ３の電極（ＬＳＩバンプ）を磁化させるバンプ磁化手段４２１が設けられ、バンプ磁化手段４２１が、ＬＳＩ３を熱圧着させる前に、ＬＳＩバンプが位置する領域に水平方向（パネル搭載面に対し水平方向の）の磁場または電場を発生させることによって、ＬＳＩバンプを磁化させる。 （もっと読む）