【課題】高温加熱に伴うボイドの発生を十分に抑制でき、十分に高い埋め込み性を示すと共に、接続信頼性と絶縁信頼性とに十分優れた半導体装置を製造可能な半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂及び（ｃ）酸化防止剤を含有する半導体封止用接着剤。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ４及び圧着ヘッド５を有する圧着装置１０によって半導体チップ３と基板１との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層２とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温短時間で硬化させた場合であっても、十分な接着性及び接続信頼性を得ることを可能とする接着剤組成物、それを用いた回路接続用接着剤及び接続体を提供すること。
【解決手段】（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）分子内に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤、及び（ｄ）加熱によりイソシアネートを生成する官能基を有するシランカップリング剤を含む接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子を搭載した半導体装置及びその製造方法に関し、回路基板やヒートスプレッダから半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
回路基板３０と、一方の面上に突起状端子２２を有し、回路基板３０に、突起状端子２２を介して電気的に接続された半導体素子１０と、半導体素子１０の他方の面上に接合層２４を介して形成され、回路基板３０に固定された封止用蓋体３６とを有し、突起状端子２２及び前記接合層２４の少なくとも一方が、弾性体により構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線回路基板との間の封止部分にボイドをつくることなく、かつ、効率よく製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子３の端子形成面および配線回路基板５の端子形成面の少なくとも一方に、封止材２を配置する封止材配置工程と、１３３００Ｐａ（絶対圧）以下の減圧下で、配線回路基板５の端子５ａと半導体素子３の端子３ａとを、上記封止材２を介して対向させた状態で、配線回路基板５と半導体素子３とを押圧して一体化する封止工程と、大気圧下で、上記配線回路基板５の端子５ａおよび半導体素子３の端子３ａの少なくとも一方を加熱溶融することにより、上記両端子３ａ，５ａを接続する端子接続工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子とガラス基板との間に塵埃等が侵入するのを防止するための工程を容易にする又は省略することができる撮像素子パッケージの製造方法及び撮像素子パッケージを提供する。
【解決手段】 撮像素子１と略同じ大きさに形成される開口部８を有するガラス枠体９を備え、ガラス枠体は、開口部８内に撮像素子１を配置し且つガラス基板２の電極パターン５，…を被覆するようにガラス基板２に固定されるべく、ガラスペーストをガラス枠体９の形状に対応して電極パターン５の上からガラス基板２に塗布する工程と、ガラスペーストを焼成する工程と、撮像素子１をガラス枠体９の開口部８内に配置する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子とガラス基板との間に塵埃等が侵入するのを防止するための工程を容易にすることができる撮像素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 熱可塑性接着剤８を撮像素子１の受光面３を囲い得る枠状となるようガラス基板２に塗布する工程と、電極パターン５の所定部位に導電性ペースト６を塗布する工程と、撮像素子１の受光面３が枠内に収まるようにし且つ撮像素子１の端子４が電極パターン５に対応するよう撮像素子１をガラス基板２に載置する工程と、外部接続端子４を載置する工程と、電極パターン５及び撮像素子１及び外部接続端子７間を電気的に接続するための導電性ペースト６と共に熱可塑性接着剤８を加熱する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子とガラス基板との間に塵埃等が侵入するのを防止するための工程を容易にすることができる撮像素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 撮像素子１より大きく形成され、熱硬化性を有し、撮像素子１の受光面３及び導電性ペースト６，…に対応した開口部９，…が形成される両面接着剤シート８を、ガラス基板２に貼着する工程と、両面接着剤シート８の開口部９，…から露出する電極パターン５の所定部位に導電性ペースト６を塗布する工程と、撮像素子１の受光面３が両面接着剤シート８の開口部９内に収まるようにし且つ撮像素子１の端子４，…が電極パターンに対応するよう撮像素子１を両面接着剤シート８に載置する工程と、導電性ペースト６と共に両面接着剤シート８を加熱する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの封止用樹脂として要請されるボイド発生抑制、耐湿性を維持しつつ、しかも、薄型チップでもフィレット高さを低く抑えることができて加熱治具と樹脂とが接触することがなく、かつ、フィレット形状が均一で封止性に優れる、半導体チップの圧接工法による実装工程に使用する封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決の手段】エポキシ樹脂（Ａ）に対して、固形のフェノールノボラック樹脂又はナフトールノボラック樹脂（Ｂ）を、前記（Ａ）中のエポキシ基のモル数に対するフェノール性水酸基のモル数が０．０１〜０．３倍となる割合で、及び、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸（Ｃ）を、前記（Ａ）中のエポキシ基のモル数に対する酸無水物基のモル数の２倍が０．６〜１．２倍となる割合で、それぞれ含有する樹脂先置き型フリップチップ実装における半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】電子部品を低い加圧力で接続することができ且つ高い接続信頼性を確保できる簡易な実装構造および電子部品実装体を形成する。
【解決手段】微細配線層と脆弱な低誘電率絶縁膜とから成る多層配線層１ｂを持った半導体素子１の電極端子１ａと、回路基板６の電極端子６ａ（ここではその上に形成した突起電極５）とを導電性接着剤２を介して接続し、半導体素子１と回路基板６との間に封止樹脂４を充填した実装構造において、導電性接着剤２による接続部の周囲に応力緩和層３を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＡとプリント回路基板とを接合する際に用いられる接着剤の接合部への浸透性を好適に向上させることができるようにする。
【解決手段】本発明の携帯端末においては、一面に複数のＢＧＡ電極３が配列されて設けられるＢＧＡ２と、ＢＧＡ２に設けられたぞれぞれのＢＧＡ電極３に対応して、複数の第１の基板電極パッド４−１乃至４−３および４−５が設けられるとともに、ＢＧＡ電極３が存在しない部分に対応して複数の第２の基板電極パッド４−４が設けられる回路基板１と、ＢＧＡ電極３と基板電極パッド４とがはんだ接合された状態で、ＢＧＡ２と回路基板１との間で、複数の第２の基板電極パッド４−４上にはんだ５−４により所定の厚さをもって形成される突起部と、ＢＧＡ２と回路基板１との間に設けられた樹脂からなる接着剤とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＮＳＭＤ型ランド構造を有するＢＧＡ型パッケージの半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板ＷＢの表面に配置された半導体チップと、配線基板ＷＢの裏面ｓ２に配置された配線ＭＷ、配線ＭＷ端のランド部ＭＬ、ソルダレジストＳＲ、ボール電極ＥＢ、および、保護樹脂ＰＲとを有する半導体装置であって、半導体チップと配線ＭＷとは電気的に接続され、ソルダレジストＳＲは配線基板ＷＢの裏面ｓ２において配線ＭＷを覆うように形成され、ソルダレジストＳＲはランド部ＭＬ上においてＮＳＭＤ型の開口部ＯＦを有し、ボール電極ＥＢはランド部ＭＬに電気的に接続されるようにして形成され、保護樹脂ＰＲはボール電極ＥＢとランド部ＭＬとの接触部を含むソルダレジストＳＲの開口部ＯＦ内を埋め込むようにして形成され、保護樹脂ＰＲは有機酸、溶剤、および、硬化剤を含む熱硬化性樹脂である。 （もっと読む）

【課題】高周波向けの半導体素子が形成された半導体チップを搭載する半導体装置において、電気的特性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】チップ搭載部２は、底部と、この底部を囲むように形成された側壁部を有する凹形状部を備えており、半導体チップ３の裏面とチップ搭載部２の底部表面とを対向させて、チップ搭載部２の底部の中央位置に半導体チップ３を接合した後、底部裏面側から成型金型に樹脂を注入することによりチップ搭載部２の凹形状部の内側に空気層７を残し、その空気層７で半導体チップ３の周囲を覆うことで、半導体チップ３の上面および側面と接触しない封止体６を形成する。 （もっと読む）

【課題】第三者が不正な手段により半導体素子を取り出して、その内部を解析することを防止することができる、耐タンパー性を向上させた構造を備え、且つ、装置の大型化及び信頼性の低下を招くことのない半導体装置、及び、簡易に当該半導体装置を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子１２と、前記半導体素子１２の電子回路形成部１３に対向して配置された板状部材１１と、前記半導体素子１２と前記板状部材１１との間に、圧縮状態で配設された弾性体２５と、を備え、前記弾性体２５は、前記弾性体２５の伸長方向の一端に、前記半導体素子１２の前記電子回路形成部１３に対向して形成された少なくとも１つの突起部２５ａを有し、前記半導体素子１２と前記板状部材１１とは接着剤２７により固着されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装後の半導体チップと配線基板の熱膨張係数差に起因する接続部破壊を抑制する電子デバイスを提供する。
【解決手段】半導体チップは、配線基板と、チップ部品４とを有する。配線基板は、第１主面および第２主面を有する絶縁樹脂層１と、絶縁樹脂層１の第２主面側に配置された第１の配線層２とを有する。チップ部品４は、下面に突起電極５を有する。絶縁樹脂層１は、チップ部品４の下面と側面とが絶縁樹脂層１に接し、チップ部品４の上面が絶縁樹脂層１の第１の主面側に露出する態様で、チップ部品４を保持し、チップ部品の突起電極５が第１の配線層２と接続されている。チップ部品４は絶縁樹脂層１の第１主面より突出している。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＧ実装であっても表示ムラの発生を大幅に改善することが可能な半導体チップの実装方法及び液晶パネルを提供する。
【解決手段】液晶パネル１０は、互いに対向する主面１２ａ，１２ｂを有するガラス基板１２と、ガラス基板１２の主面１２ａに熱硬化性樹脂２０を介して搭載された半導体チップ１４と、ガラス基板１２の主面１２ｂに熱硬化性樹脂２４を介して搭載されたダミーチップ１６とを備える。半導体チップ１４は、主面１２ａ，１２ｂの対向方向から見て、矩形状を呈している。半導体チップ１４とダミーチップ１６とは、主面１２ａ，１２ｂの対向方向から見たときに重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体チップ１０と、集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４と、複数の電極１４にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ１８と、複数のバンプ１８にそれぞれ接触する複数のリード２６と、複数のリード２６が形成されたベース基板２４と、を有する。接着剤２８は、硬化して、半導体チップ１０のバンプ１８が形成された面と、ベース基板２４の複数のリード２６が形成された面と、の間で間隔を保持する。半導体チップ１０には、収縮する方向の応力が残存している。複数のリード２６には、少なくとも半導体チップ１０から複数のバンプ１８を介して、半導体チップ１０の中央方向に押圧力が加えられている。 （もっと読む）

【課題】フエイスアップ搭載された半導体チップと高低差のある基板上の電極とを、半導体チップのフエイスダウン接続により接続する。
【解決手段】基板１０上にフエイスアップ搭載された第１半導体チップ２１の第１電極１１と、基板１０上に形成された第２電極１２とを、フエイスダウンボンディングされた第２半導体チップ２２〜２４により接続する。この第２半導体チップは、薄く可撓性を有し、フエイスダウンボンディングの際の押圧により弾性変形し、第１電極１１と第２電極１２の間に段差部２２−１を形成する。段差部２２−１が高低差を吸収してボンディングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、長尺状の樹脂突起１８上に配線２０が形成される構造でありながら、電気的な接続信頼性を確保することを目的とする。
【解決手段】半導体モジュールは、絶縁膜１６の表面上で樹脂ダム２４の外側に形成されて長尺状をなす樹脂突起１８と、電極１４上から樹脂突起１８上に至るように延びる配線２０と、配線２０の樹脂突起１８上の部分に接触するリード３０と、リード３０の樹脂突起１８とは反対側を支持するベース基板２６と、半導体チップ１０とベース基板２６の間に配置される接着剤２８と、を有する。樹脂ダム２４は、絶縁膜１６とは反対側がベース基板２６に密着して、絶縁膜１６及びベース基板２６並びに樹脂ダム２４によってスペースが区画されている。接着剤２８は、スペース内に配置される第１の接着部３２と、スペースよりもリード３０と配線２０の接触部に近い位置に配置される第２の接着部３４と、を含む。第１の接着部３２はボイド３６を含んでいる。 （もっと読む）