【課題】ダイシング時およびフリップチップ実装時のアライメントマークの認識が良好な電子デバイス用接着組成物を用いた電気的接続信頼性の高い電子素子の実装方法を提供する。
【解決手段】電子素子上に形成されたバンプと実装回路基板上に形成された電極パッドとを接触接続する電子素子の実装方法であって、少なくとも（Ａ）バンプ形成面に光線透過率７０％以上１００％以下の電子デバイス用接着層が形成された複数の電子素子を有する電子デバイス基板をダイシングにより個片化する工程、（Ｂ）電子デバイス用接着層が形成された電子素子を所定の温度で実装回路基板上の電極パッドに圧着し、バンプと電極パッドとの電気的接続を行う仮圧着工程および（Ｃ）電子デバイス用接着層を硬化させる本圧着工程を有する電子素子の実装方法。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性の高い電気装置を得る。
【解決手段】配線基板２０と、少なくとも片面に接続端子２７が配置された電気部品２５とが硬化接着剤層１２ａにより固定されている電気装置１において、硬化接着剤層１２ａが、第一の硬化領域１５ａと、第一の硬化領域１５ａよりもガラス転移温度が低い第二の硬化領域１８ａを有する。第一の硬化領域１ａと第二の硬化領域１８ａは配線基板２０上の異なる位置に配置する。特に、細長い電機部品２５を接続する場合には、その両端部を第一の硬化領域１２ａで接続し、その両端部の間を第二の硬化領域で接続する。 （もっと読む）

【課題】回路素子５０を搭載したフレキシブル基板２３を屈曲したとき、回路素子５０の外周を封止するアンダーフィル樹脂５７が回路素子５０の角部５０ａの外方のコーナ部で剥離し始めるのを防止する。
【解決手段】フレキシブル基板２３におけるベース基板５１には、回路素子５０の搭載領域５３よりも外周側に、配線パターン５２を覆うソルダーレジスト膜５４が形成されている。ソルダーレジスト膜５４における第１の開口部５５は、平面視ほぼ矩形状の回路素子５０の角部５０ａの外方に形成されている。アンダーフィル樹脂５７は回路素子５０の端子部と配線パターン５２との接続部を封止するとともに、第１の開口部５５を通してベース基板５１に密着している。アンダーフィル樹脂５７とベース基板５１との接着強度は、アンダーフィル樹脂５７とソルダーレジスト膜５４とのそれよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を配線基板上に樹脂フィルムを介してフリップチップ実装する構造にあって、ボイドおよび配線露出がなく、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主面に電極パッド1aを有する半導体素子1と、上面に半導体素子1の電極パッド1aと電気的に接続する電極部31a等を有する配線基板3と、半導体素子1と配線基板3との間を封止した樹脂部2とを備える。配線基板3は、半導体素子1の搭載領域を露出させる開口5を持った保護膜4を有しており、保護膜4の開口5は、半導体素子1の4隅のコーナー部に対応する部分で半導体素子1に対する距離が最も小さく、半導体素子1の各辺の中央部に対応する部分で前記半導体素子に対する距離が最も大きく、樹脂部2によって完全に樹脂封止されている。開口5は完全に樹脂封止されており、かつその開口5は気体の封じ込めが起こりにくい形状であるため、ボイドや配線露出は抑えられ、信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置実装構造体１０は、一方の主面１１ｂに電極部１１ｃを配列した半導体装置１１と、半導体装置１１の電極部１１ｃとはんだバンプ１２により電気的に接続される基板電極部１３ａを有する回路基板１３と、半導体装置１１の少なくとも側面１１ａと回路基板１３との間に、膨張温度が異なる複数種の熱膨張性粒子１５を混入した硬化性樹脂１４とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからプリント配線板の実装面と反対面の配線パターンへの配線長を短縮するとともに、半導体チップとプリント配線板との線膨張係数の違いにより生じる応力を緩和して、接続部が破断することのない接続信頼性の高い半導体パッケージの実装構造を提供することを目的とする。
【解決手段】実装面３ａとその反対側の面３ｂとを貫通するビア７を有するプリント配線板３と、ビア７の反対側面３ｂの開口部を閉塞するように反対側の面３ｂに形成されてビア７と導通するビアランド７ａと、バンプ２を有する半導体チップ１と、半導体チップ１とプリント配線板３の実装面３ａとのあいだに充填される熱硬化性接着剤９とを具備してなり、
ビア７に異方性導電材料８が充填されるとともに、ビア７にバンプ２が挿入され、導電性粒子８ａによってバンプ２とビア７とが導通されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造１１を提供する。 （もっと読む）

【課題】互いの電極端子の間を金属電極を介して接続した一対の誘電体基板を有する電子装置であって、インピーダンスを従来よりも広い範囲で調節でき、これによって金属電極の付近とそれ以外の部分との間でインピーダンスを効果的に整合できる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１０は、それぞれに信号伝送線路を構成する信号層２１，２３，３１，３３が形成された一対の配線基板１１，１２を有する。双方の配線基板１１，１２の信号層２３，３３が、配線基板１１，１２の表面に形成されたはんだボール１３を介して互いに接続されている。はんだボール１３の近傍の配線基板１１，１２間に、所定の透磁率を有する磁性体材料１５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】 半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電
気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とし、更に、写真法によりパターン精度の良いレジスト形成が、アルカリ水溶液を用いた現像で可能である感光性フラックスを提供する。
【解決手段】 少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）、その硬化
剤として作用する樹脂（Ｂ）と、オルトキノンジアジド構造を有する感光剤（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とする、露光、現像により、所定の位置にフラックスパターン形成を可能とする感光性フラックスであり、さらには、この感光性フラックスにより、樹脂補強されたことを特徴とする半田接合部。 （もっと読む）

【課題】電子部品を配線基板に接合する場合に形成する封止構造について、熱応力を緩和するという事項と、耐湿性および／または耐水性という事項とを同時に具備することができる封止構造を提供する。
【解決手段】電子部品の封止構造は、回路基板上の接続用電極に電子部品の接続用電極を対向させて両電極の間に導電性材料による導通接続部を形成すると共に、前記基板表面と前記電子部品の少なくとも下側表面との間に前記導通接続部を封止する樹脂封止部を形成してなる電子部品の封止構造であって、前記樹脂封止部は内側樹脂層および外側樹脂層の少なくとも２層からなり、内側樹脂層と外側樹脂層との間ではガラス転移温度が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線基板とをフリップチップ接続した半導体装置に関し、半導体素子の４隅のコーナー部において半導体素子と配線基板の間隙の封止樹脂充填性が悪いため、半導体素子の４隅のコーナー部において封止樹脂が不足し、半導体装置の接続信頼性低下が懸念される。
【解決手段】半導体素子と配線基板をフィルム状の封止樹脂を介して接続するフリップチップ実装の半導体装置の構造で、半導体素子の４隅のコーナー部にのみ樹脂保護膜を形成し、フリップチップ実装することで半導体素子搭載領域の中央部に比べ、コーナー部の半導体素子と配線基板の間隙が狭くなり、コーナー部の樹脂充填を向上させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の被着体に接着シートを貼付した際に生じ得る気泡を消失させることのできる接着シートの貼付装置及び貼付方法を提供すること。
【解決手段】圧力調整室１１を押圧力付与シート４５で仕切って第１及び第２の部屋Ｃ１、Ｃ２を設け、第１の部屋Ｃ１内で半導体ウエハＷと接着シートＳとを相対配置するとともに、第１及び第２の部屋Ｃ１、Ｃ２を減圧状態とし、接着シートＳが半導体ウエハＷに貼付される。その後、第１及び第２の部屋を加圧状態とて当該接着シートＳを半導体ウエハＷに貼付する。半導体ウエハＷに設けられたバンプＢの回りに生じ得る気泡ｂは、加圧雰囲気とされることによって接着シートＳの接着剤層Ａ内に吸収されて消失し、気泡ｂのない状態でのシート貼付が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ・配線基板の間隙に充填される封止樹脂の充填不良がなく、樹脂フィレットの配線基板上での占有率が小さく、充填効率もよい半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１を配線基板３にフリップチップ接続し、半導体チップ１と配線基板３との間隙４に封止樹脂５を充填した半導体装置において、配線基板３が有機基板であって、液状の封止樹脂５が毛細管現象を起こす貫通穴７が半導体チップ１に一端開口が対向するように形成されており、前記貫通穴７の穴径Ｄ１が前記半導体チップ１と配線基板３との間隙量Ｇ１より小さいことを特徴とする。これにより、毛細管現象がスムーズに発生し、封止樹脂５は貫通穴７と間隙４とにわたって均一な速度で流動する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフリップチップパッケージは、基板と、基板上に実装されるフリップチップと、フリップチップが基板に電気的に連結される部分である基板上のチップ連結部分に形成された第１アンダーフィルと、チップ連結部分以外の基板上に形成された第２アンダーフィルと、を備え、第１アンダーフィルは、第２アンダーフィルより高い強度の材質で形成される。また、その製造方法は、基板を準備する工程と、基板と基板に実装されるフリップチップとが電気的に連結される部分である基板上のチップ連結部分以外の部分に第２アンダーフィルを形成する工程と、チップ連結部分に第１アンダーフィルを形成する工程と、チップ連結部分にバンプを通じてフリップチップを実装する工程と、を有し、第１アンダーフィルは、第２アンダーフィルより高い強度の材質で形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの電極部における接続信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体モジュールにおける半導体基板１の実装面となる表面Ｓ１（特に外周縁部）に半導体素子の電極２が形成される。この電極２のピッチをより広くするために電極２の上に絶縁層７が形成され、この絶縁層７を貫通して電極２に接続する複数の突起部４ａとこれら突起部４ａが一体的に設けられた再配線パターン４とが形成される。再配線パターン４は突起部４ａが設けられた突起領域５ａとこれに連続して延在する配線領域５ｂとを有する。ここで、絶縁層７は突起部４ａ間において凹形状の上面を有して形成され、配線領域５ｂにおける再配線パターン４はその上面に沿って形成される。これにより配線領域５ｂにおける再配線パターン４は突起領域５ａにおける再配線パターン４よりも半導体基板１側に凹んだ状態に形成される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極付基板において、貫通電極とパッドとの間の電気的な接触不良の発生を防止できるようにする。
【解決手段】貫通電極３を高さをほぼ同一にできる突起状電極１０にする。そして、第１半導体基板１に形成しておいた電極用貫通孔２ａに挿入したのち、第２半導体基板５に形成しておいたパッド６と電気的に接続し、その後、封止用貫通孔９を通じて封止樹脂４を充填する。これにより、突起状電極１０にて構成した貫通電極３とパッド６との電気的な接続を確実に行うことが可能となる。また、貫通電極３とパッド６との接続を行ってから、封止樹脂４での封止を行うようにしているため、封止樹脂４によって貫通電極３とパッド８との電気的接続が行えなくなることを防止することもできる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板上にフリップチップ実装し、両者の間に樹脂部材を充填してなる半導体装置において、フィラーを少なくして樹脂部材の注入性を上げたとしても、接続信頼性を良好に維持できるようにする。
【解決手段】半導体素子１０と基板２０とを、バンプ３０を介して電気的に接合し、半導体素子１０と基板２０との隙間に樹脂よりなる樹脂部材４０を充填してなる半導体装置において、樹脂部材４０の内部に、樹脂部材４０の熱膨張係数よりも低い熱膨張係数の値を持つ固体材料よりなる部材５０を配置した。 （もっと読む）

【課題】高密度で配置された電気的接続部分に対してもこれを封止材によって確実に封止することができ、基材に対して回路素子を高い信頼性をもって実装することが可能な回路素子実装モジュールの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】電気配線回路２０と回路素子６とを電気的に接続する導電部５ｄ’と、この導電部５ｄ’を保護するための封止部５ｃ’とを形成する実装工程を備える。実装工程では、少なくとも導電部５ｄ’を形成すべき位置、および封止部５ｃ’を形成すべき位置に導電材５ｄと封止材５ｃをそれぞれ吐出する。その後、液体吐出ヘッドから吐出された導電材５ｄおよび封止材５ｃが各々の機能を発現する前に回路素子６を電気配線回路２０上に装着する。 （もっと読む）

【課題】実装後のリペア作業が容易になるとともに、製造コストを抑えることができる半導体チップとその実装方法、及び半導体チップが実装された半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１の裏面上に突起電極３を形成する。次に、半導体基板１の裏面上に封止樹脂５を選択的に形成する。突起電極３の少なくとも一部は封止樹脂５で被覆されず、個々の半導体チップの外周方向から露出されるようにする。次に、所定のダイシングラインＤＬに沿って半導体基板１を切断し、半導体チップ１０に分割する。次に、突起電極３とパッド電極１１とを接続させ、この状態で熱処理を加えると突起電極３とパッド電極１１とが接合される。この際、半硬化状態の封止樹脂５は軟化して半導体チップ１０と実装基板１２との間の一部に充填され、半導体チップ１０と実装基板１２とが接着される。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性が向上し、高密度実装が可能な半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】導電部８を有した基板７上に、バンプ３を有した半導体チップ２をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法である。半導体チップ２のバンプ形成面に、感光性で熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性で接着性を有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を露光、現像することでバンプ３直上の樹脂を除去し、その上面を露出させる工程と、樹脂層５を加熱処理して熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする工程と、樹脂膜６を形成した半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングし、樹脂膜６を接着剤として機能させることで半導体チップ２のバンプ３と基板７の導電部８とを電気的に導通させる工程と、を備える。樹脂膜６を接着剤として機能させる際に、樹脂膜６の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にする。 （もっと読む）

【課題】ドライバＩＣの電気的特性を容易に調べることができる表示装置を提供する。
【解決手段】
ＣＯＦ２は、ベースフィルム２１の上に、インナーリード２２、２３が接着剤で固定され、その上から、絶縁性のレジスト２４が塗られている。また、インナーリード２２、２３の上に、ドライバＩＣ２０が金パンプ２６１、２６２を介して固定されている。液状樹脂２５１、２５２を介して、インナーリード２２、２３と導通している。また、表示パネル１０の端子と接続する出力側の接点２２１と導通しているテストパッド４１，４２が引き出し線３１１,３１２を介して接続されている。テストパッド４１，４２のパターンが表示装置の外側へ露出するよう、ベースフィルム２１には、テストパッド４１，４２の部分にテストパッド４１，４２のパターンより小さい孔が第２の面２９側に空いている。 （もっと読む）