【課題】半導体素子と回路基板の熱膨張量の差があっても、従来よりも電気特性の高信頼性を期待できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】突起電極１０３を有する半導体素子１０１が、突起電極１０６を有する回路基板１０４の上に配置され、半導体素子１０１と回路基板１０４がスペーサ１０９を介してと当接して間隔が決定され、互いに向き合う突起電極１０３，１０６の間に隙間が形成され、この隙間に導電性弾性体１０８が介装されている。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイドの発生を抑制でき、配線間の十分な絶縁信頼性と、半導体チップと基板との間の十分な導通性とが得られる半導体封止用フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（ａ）ポリイミド樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂と、（ｃ）フェノール樹脂と、（ｄ）硬化促進剤と、を含有する半導体封止用フィルム状接着剤４であって、３５０℃での溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下であり、且つ、３５０℃で１０秒間加熱した後の硬化反応率が５０％以上である、半導体封止用フィルム状接着剤。 （もっと読む）

【課題】基板と電子素子との電気的接続の信頼性を高めた電子装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子装置１は、少なくとも１つのパッド３を有する基板２と、基板２の少なくとも１つのパッド３に電気的に接続されるバンプ８を有し、基板２にフリップチップ実装された電子素子６と、パッド３とバンプ８とを電気的に接続する導電性樹脂４と、基板２と電子素子６との間に介在する絶縁性のシート５と、を備える。基板２は、電子素子６と対向する面に、パッド３毎に凹部２ａを有する。パッド３は、凹部２ａの少なくとも底部に形成される。導電性樹脂４は、パッド３上かつ凹部２ａ内に充填される。シート５は、バンプ８毎に、開口面積が凹部２ａの開口面積より狭い貫通孔５ａを有する。バンプ８は、貫通孔５ａの内壁に接触して貫通孔５ａに挿通されると共に、パッド３と直接接触せずに導電性樹脂４を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】パッケージ半導体装置を構成する実装用回路基板上への半導体装置の接続強度および電子部品の実装密度を向上することができる半導体装置とその製造方法および半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】配線基板２の裏面にテーパ７を形成するとともに、配線基板２の表面に半導体チップ３を搭載し、その半導体チップ３を含めて配線基板２の表面を樹脂封止部５により封止した後に、個別に切り分けて複数個の半導体装置１を得ることにより、個々の半導体装置１の側面の裏面側部分にテーパ部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】バンプ間ショートが抑制され、さらにアンダーフィル材のブリードが抑制され、かつ均一なフィレット形状を有する、高歩留まりな半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２と、基板１２上にフリップチップ実装された半導体チップ２６と、基板１２と半導体チップ２６との間隙に設けられた積層膜とを備える。積層膜は、基板１２表面を被覆する保護膜（ソルダーレジスト膜１８）と、ソルダーレジスト膜１８と半導体チップ２６との間に形成されたアンダーフィル膜２４とからなり、ソルダーレジスト膜１８において、アンダーフィル膜２４との接合面１８ａの算術平均粗さが０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極に高さバラツキがある場合でも、複数のバンプ電極と複数の端子とによる複数の接点が全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装してなる電子部品の実装構造１０である。バンプ電極１２と端子１１とはそれぞれ複数設けられ、かつ、バンプ電極１２と端子１１とは互いに対応するものどうしが接合されてなる。複数のバンプ電極１２は、内部樹脂１３をコアとしてその表面が導電膜１４で覆われた構造を有し、かつ、端子１１に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極１２ａ、１２ｂを含む。複数のバンプ電極１２は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂１３が弾性変形することにより、接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子１１に接合している。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ等の半導体装置を接着剤によって基板に接着する構成において、接着剤による基板と半導体装置との接着が強固になり過ぎることを防止することにより、半導体装置に損傷が発生することを防止する。
【解決手段】接着剤４によって基板２上に接着されたＩＣチップ３を有する半導体実装構造１である。ＩＣチップ３の基板２に接着された面は矩形状であり、接着剤４は、ＩＣチップ３の基板２に接着された面の４辺（少なくとも１辺）に沿った領域及び４つの（少なくとも１つの）角部に対応する領域おいて、ＩＣチップ３の基材７の側面と基板２の表面とに架橋しない形状、すなわち基材７の側面と基板２の表面とをつながない形状に形成されている。基板２が撓んでも基材７の辺部の側面及び角部の側面には応力が発生せず、よって、基材７にクラックが発生しない。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブル配線基板が撓んだ場合であっても、ベアチップの周縁端部がオーバーコート層によって被覆されていない配線パターンと接触することがなく、ショート不良が発生するのを防止することができるフレキシブル配線基板を提供する。
【解決手段】 フレキシブルプリント配線基板１０は、バンプアレイを介して半導体ベアチップ２１が電気的に接続された配線パターン１２が所定のベース材１１上に形成されているとともに、半導体ベアチップ２１を実装する実装領域にショート防止用のオーバーコート層１３が設けられて構成される。オーバーコート層１３は、実装された半導体ベアチップ２１がベース材１１と向き合う面である当該半導体ベアチップ２１の底面下の領域であって配線パターン１２と半導体ベアチップ２１とによって形成される間隙に延在するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を実装し、実装強度向上のために塗布した樹脂のフィレット部の剛性を向上させ、実装強度の信頼性や耐久性を向上させた部品実装用基板及び電子装置を提供する。
【解決手段】部品実装用基板及び電子装置１は、部品３が実装される第１の表面の一部で部品３の周囲の第１の領域に樹脂が塗布される基板２であって、第１の領域と、第１の表面に背向する第２の表面の一部であり第１の領域と同形状であり第１の領域に背向する第２の領域とに挟まれた補強領域７の剛性を、補強領域２以外の剛性よりも高くするための補強パターン５を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を回路基板に実装する際に、半導体素子と回路基板の間の接着層を、回路基板に向かって十分に裾が拡がった形状に形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子（１３）を実装する回路基板（１１）上の、前記半導体素子の実装位置の外周にあらかじめ第１の接着層（１２）を形成しておく。また、前記半導体素子の実装面に、あらかじめ第２の接着層（１５）を形成しておく。前記半導体素子を前記回路基板上に配置し、前記第１の接着層と前記第２の接着層とを溶融・一体化してフィレット（１６）を形成する。 （もっと読む）

２つの導電面または導電層と、これら２つの導電面または導電層の間に電気的または熱的接続部を生成するように２つの導電面または導電層に接合されたナノ構造体アセンブリとを備える装置、およびその製造方法。
（もっと読む）

【課題】積層配置される半導体素子に於ける突出部に対して、ワイヤボンディング時に生じる撓みを抑制するとともに、半導体装置として大形化を招くことのない支持部材を有する、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記の課題を解決するため、本発明によって提供される半導体装置は、電極端子が配設された支持基体と、支持基体上に搭載された中間部材と、一部が中間部材により支持されて、支持基体上に配設された半導体素子と、半導体素子の電極端子に対応して、支持基体上あるいは前記中間部材上に配設された凸状部材とを具備し、半導体素子の電極端子と前記支持基体上の電極端子が、ボンディングワイヤにより接続されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板３と、配線基板３にフェースダウンで取り付けられた半導体チップ１と、配線基板３と半導体チップ１との間にある接着剤５と、配線基板３と半導体チップ１の側面とに接する樹脂層１５と、を備え、樹脂層１５に含まれる不純物（Ｃｌ^-）濃度は２ｍｇ／Ｌ以下である。このような構成であれば、接着剤５に水分が直接付着することを防ぐことができ、また、湿度により樹脂層１５から溶け出す不純物量を少なくすることができる。これにより、水分及び不純物がボイドを伝って半導体装置の内部へ入り込むことを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極と端子との間において十分に高い接合強度を確保し、これによって電気的接続の信頼性を向上した実装構造体、及び実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する実装体１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装した実装構造体である。バンプ電極１２は内部樹脂１３上に導電膜１４が覆われてなり、導電膜１４は端子１１に直接導電接触し、基板１１１と実装体１２１とには、内部樹脂１３が弾性変形した状態でバンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態を保持する圧着手段が備えられている。内部樹脂１３は、その主断面の形状が底辺１３ａと外辺１３ｂとによって囲まれており、底辺１３ａの両端を第１の点３０とし、主断面の最大幅となる位置での外辺１３ｂ上の点を第２の点３１とすると、第１の点３０と第２の点３１とを結ぶ直線Ｌと、実装体１２１の面Ｓとのなす角θが、鋭角に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップやフレキシブル配線を配線基板に異方性導電材料を介して接続する際に、各バンプ間やライン状端子間で導通抵抗を相違させないような異方性導電材料を提供する。
【解決手段】導電性粒子が絶縁性バインダに分散されてなる異方性導電材料は、最低溶融粘度［η_０］が１．０×１０^２〜１．０×１０^６ｍＰａ・ｓｅｃであり、且つ以下の式（１）を満足する。
１＜［η_１］／［η_０］≦３ （１）
式（１）において、［η_０］は異方性導電材料の最低溶融粘度であり、［η_１］は最低溶融粘度を示す温度Ｔ_０より３０℃低い温度Ｔ_１における溶融粘度である。 （もっと読む）

【課題】 ノンフローアンダーフィル工法において、アンダーフィルの偏りを低減することができ、絶縁樹脂の充填不足や絶縁樹脂のはみ出しによる外観の悪化を低減することができる電子部品の実装方法を提案する。
【解決手段】 回路基板１は、ガラス−エポキシ、紙−フェノール等の樹脂、またはセラミック等で構成された基材２上に、半導体装置の端子と導電接続される銅等の導電金属で構成された接続パッド４と、接続パッド４とその他の配線導体以外の、基材２上を被覆するレジスト膜３が形成されている。そして、この回路基板１上の、半導体装置の外形を示す点線６よりも内側部分の略中央に略円形の凹凸部５が形成されている。 （もっと読む）

半田材料による混成された２つの部材をコーティングするための方法。
半田材料（６）により互いに関係付けられる二つの部材により構成されるコンポーネントの混成化された領域をコーティングするこの方法は、前記コンポーネントの混成された部材間で定められる空間を毛細管現象により充填することができるコーティング物質を、前記コンポーネントに近接して堆積することを含む。
前記物質に関して非可湿性の領域（１０）が前記コンポーネントの下部部材（３）上の混成化領域の周辺上で、非可湿性領域は、前記物質に関して反湿潤であるカバーを堆積することにより、定められ、ＰＥＣＶＤにより加えられ、且つ、前記第１部材上で、ハイブリッド化と一致して、コーティング物質のための湿潤表面（１２）を定める。
（もっと読む）

【課題】耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。
【解決手段】一方の主面１１ａに電極部１１ｂを配列した半導体装置１１と、半導体装置１１の電極部１１ｂとはんだバンプ１２により電気的に接続される基板電極部１３ａを有する回路基板１３とを備え、半導体装置１１の少なくとも側面１１ｃの一部と、回路基板１３とが硬化性樹脂１４により接着固定され、硬化性樹脂１４と回路基板１３との界面領域１４ａの少なくとも一部に熱膨張性粒子１５が混入されている。 （もっと読む）

【課題】素子としてのＩＣチップが容器に強く接続され、さらに、ＩＣチップの下部及び周辺に充填、硬化され、形成された樹脂がその後の工程にて、加熱冷却される際にＩＣにかかる応力を低減し、動作異常並びに接続不良を削減した電子部品を提供する。
【解決手段】容器のキャビティ内に、該キャビティの底面に素子と該素子の周囲に配置される熱硬化性樹脂とを収容した電子部品であって、前記キャビティは、その開口部よりも下方位置であって且つ前記素子の下面の高さ位置よりも高い位置に前記底面と対向する対向面を有しており、前記キャビティ内の残部空間であって、前記対向面の高さ位置よりも高い位置から前記底面の間に前記熱硬化性樹脂が充填されていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れたシート状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子３に設けられた接続用電極部２と配線回路基板１に設けられた回路電極部４とを対向させた状態で上記配線回路基板１上に半導体素子３が搭載された半導体装置における、上記配線回路基板１と半導体素子３との空隙を樹脂封止するためのシート状エポキシ樹脂組成物６であり、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）シリコーン変性ポリイミド樹脂。 （もっと読む）