【課題】容易に製造することができ、信頼性の高い表示パネルを提供する。
【解決手段】液晶表示パネル２０は下部基板２２と、下部基板２２の一方面に形成された接続用電極２２ｅ及び第２検査用電極２２ｆと、駆動用ＩＣチップ２７と、駆動用ＩＣチップ２７の一方面に設けられた第２バンプ２７ｂ及び第２検査用バンプ２７ｄと、を少なくとも有する。下部基板２２と駆動用ＩＣチップ２７とは、接続用電極２２ｅと第２バンプ２７ｂとが対向するように配設されており、接続用電極２２ｅと第２バンプ２７ｂとの間の電極間距離Ｌ１は、第２検査用電極２２ｆと第２検査用バンプ２７ｄとの間の検査用電極間距離Ｌ２よりも短く、接続用電極２２ｅと第２バンプ２７ｂと、及び第２検査用電極２２ｆと第２検査用バンプ２７ｄとは、少なくとも表面が導電性である導電性粒子２９ａを含む異方性導電層２９によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】固体装置と半導体チップとの間の電気抵抗を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、配線基板２と半導体チップ３とを備えている。配線基板２は、金属からなる接続パッド１０が突出して形成された接続面２ａを有しており、半導体チップ３は、金属からなる突起電極１３が突出して形成された機能面３ａを有している。半導体チップ３は、機能面３ａを接続面２ａに対向させて、機能面３ａと接続面２ａとの間に所定間隔Ｄ３を保持して接合されている。接続パッド１０と突起電極１３とは、接続パッド１０および突起電極１３より固相線温度が低い低融点金属を含む接続部材１５により接続されている。機能面３ａと接続面２ａとの対向方向において、接続パッド１０の高さＤ１と突起電極１３の高さＤ２との和は、所定間隔Ｄ３の２分の１以上である。 （もっと読む）

【課題】 電子部品のフリップチップ実装後の温度変化による応力を緩和し、接続信頼
性を高める。
【解決手段】 電子部品を基板にフェイスダウン状態で押圧し、電子部品の電極と基板
の電極とをバンプを介して接続するする超音波フリップチップ実装の実装構造であって、
基板１の少なくとも電子部品を超音波フリップチップ実装する面に液晶ポリマ層４を配設
し、この液晶ポリマ層４の上に配線層５を形成し、少なくともこの配線層の一部を最外面
が金からなる電極５Ａに形成し、この電極５Ａと電子部品８の電極とを金からなるバンプ
７を介して接続することを特徴とする超音波フリップチップ実装構造。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ＩＣチップの実装不良を低減する。
【解決手段】カメラモジュールは、フレキシブル基板、ＣＣＤカメラユニット、コネクタ、リジッド基板６を備える。リジッド基板６に、実装エリア６ａを形成する。実装エリア６ａに、接続層１１、絶縁層１２、カバーレイ層１３を形成する。接続層１１の第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄを、ＩＣチップ９の４側面に沿って形成する。第１,第３接続層１１ａ,１１ｃにそれぞれ７個のランド１５を、第２,第４接続層１１ｂ,１１ｄにそれぞれ８個のランド１５を形成する。これら複数のランド１５を、第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄ上においては互いに接続することなく、それぞれ独立して形成する。絶縁層１２は、第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄ及びカバーレイ層１３よりも突出して形成されている。絶縁層１２に、断面が円形状の凹部１６を所定のピッチで２５個形成する。 （もっと読む）

本発明の電極間接続構造体形成方法では、表面（１１０ａ）に第１電極部（１１１）を有する第１接続対象物（１１０）に対して、開口部（１３０ａ）を有する接着層（１３０）を、開口部（１３０ａ）から第１電極部（１１１）が露出し、かつ、表面（１１０ａ）の少なくとも一部を覆うように形成する工程と、第２電極部（１２１）を有する第２接続対象物（１２０）を、第１接続対象物（１１０）に対して、第１電極部（１１１）と第２電極部（１２１）が対向しつつ接着層（１３０）が第２接続対象物（１２０）に接するように配置する工程と、第１電極部（１１１）および第２電極部（１２１）が導体部（１４０）を介して電気的に接続されるとともに接着層（１３０）が硬化するように加熱処理を行う接続工程とが含まれている。
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【課題】 常温での接合が可能であり、実装の位置精度も向上する半導体チップのフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】
半導体チップ５２のフリップチップ実装方法において、半導体チップ５２の基板５０への搭載前もしくは接合時に、絶縁性接着剤５１に熱以外の硬化トリガーを与える工程と、該硬化トリガーを与えたことにより絶縁性接着剤５１の硬化が進行する間に、半導体チップ５２のバンプを基板５０のパッドに圧接方法もしくは金属間結合方法により接合する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ベアチップＩＣおよび電気接続用コネクタをプリント配線基板等に搭載するに際し、簡単な構成でもって、搭載面積の縮小、デッドスペースの低減、配線長の短縮を実現し、さらに、衝撃によるベアチップＩＣの剥離に対する有効な対策を実現すること。
【解決手段】 ベアチップＩＣ３と電気接続用コネクタ２をプリント配線基板またはフレキシブルプリント配線基板１の両面に、重なりを有する形態で搭載する。電気的接続用コネクタ２の剛性によって、プリント配線基板またはフレキシブルプリント配線基板１のたわみが抑制されることから、ベアチップＩＣ３の剥離抑制効果が得られる。 （もっと読む）

半導体基板（１）を基板支持台（１１）の支持面（１１ａ）に裏面（１ｂ）を吸着させ固定する。このとき、裏面（１ｂ）への平坦化処理により半導体基板（１）の厚みが一定の状態とされており、更に裏面（１ｂ）が支持面（１１ａ）への吸着により強制的にうねり等もない状態となり、これにより裏面（１ｂ）が表面（１ａ）の平坦化の基準面となる。この状態で、表面（１ａ）における各Ａｕ突起（２）及びレジストマスク（１２）の表層をバイト（１０）を用いて切削加工し、各Ａｕ突起（２）及びレジストマスク（１２）の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する。これにより、ＣＭＰに替わり、基板上に形成された微細なバンプの表面を安価に高速で平坦化することができる。
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【課題】実装に要する時間を短縮できると共に、品質の向上が可能な電子部品の基板実装方法、及び基板実装装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明の電子部品の基板実装装置１は、基板１０に電子部品１１を実装する実装手段１２と、基板１０を所定の位置に供給する基板供給手段１７と、電子部品１１を実装手段１２に供給する電子部品供給手段１４と、実装手段１２によって電子部品１１が実装された基板１０を所定の位置まで搬送する基板戻り搬送手段３２と、基板供給手段１７から供給された基板を着脱自在に保持し、且つ所定値以上の熱容量を有するキャリア１００と、基板送り手段１３の基板搬送開始位置１３ａから所定の位置まで、キャリア１００を搬送しながら加熱するキャリア加熱移動手段１０１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
柱状部の上面のみに接合されたボール状の低融点層を有する柱状電極を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】
各低融点層２４の体積をＡ、各柱状部２２の上面の面積をＢとしたとき、Ａ≦１．３×Ｂ^１．５の関係を満たすように、低融点層２４のメッキ量と柱状部２２の断面積を調整することで、低融点層２４のリフローによるボール形成時に、該低融点層２４が柱状部２２の側面へ濡れることを防止する。 （もっと読む）

電子部品搭載基板は以下のような方法によって製造される。まず、金属製の支持基板（１）の表面（１ａ）に、ビルドアップ絶縁層（２１ａ〜２１ｆ）およびビルドアップ配線パターン（２２ａ〜２２ｆ）を交互に形成する（ビルドアップ積層工程）。次に、前記支持基板（１）の裏面（１ｂ）から表面（１ａ）に至る貫通孔（１１）を形成して、最内層のビルドアップ絶縁層（２１ａ）の裏面（２１１ａ）を露出させる（孔形成工程）。さらに、前記支持基板（１）の前記貫通孔（１１）を介して前記最内層のビルドアップ絶縁層（２１ａ）の裏面（２１１ａ）に電子部品（３）を搭載する（実装工程）。
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【課題】合成樹脂からなるフィルムを基板とし、この基板上に形成されたリードとチップのバンプとが電気的に接続され、前記チップと基板の隙間と、チップの側面とチップ周囲の基板面との間を、異なる樹脂で封止する方法として、両樹脂による封止が確実に行われ、温度サイクルテストでリードにクラックが生じないようにできる方法を提供する
【解決手段】チップ５とポリイミドフィルムからなる基板１との間に第１の封止樹脂４を、平面視でチップの全外形線５１より外側に至るように供給した後、第１の封止樹脂４より線膨張係数が小さい第２の封止樹脂７を用いて、チップ５の側面と基板１との間を封止する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の導電部間を接合する際に、加熱加圧による接着剤の漏れ出しを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電部１２ａと、これと対向する第２導電部１２ｂとが接合されてなる半導体装置の製造方法であって、前記第１導電部１２ａと前記第２導電部１２ｂとを、金属酸化物粒子を含む接着材５により接合させる接合工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 回路基板に実装部品を接続する方法であって、これらの接続後に生じる回路基板の反りを防止できる実装方法を提供する。
【解決手段】 第一電極１２を有する回路基板１０と第二電極３１を有する実装部品３０とを、第一電極１２と第二電極３１を対向させ、回路基板１０と実装部品３０の間に接着剤２０を介在させてステージ４１上に配置する位置決め工程と、ステージ４１に対向して設置してあるヘッド４２をステージ４１方向に移動させ、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加圧する加圧工程と、加圧状態を保持しながら、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加熱する加熱工程と、ヘッド４２を移動し、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０の加圧状態を解除する圧力解除工程と、を有する実装方法。 （もっと読む）

【課題】 電子機器や電子部品となる半導体装置の実装構造の薄厚化を可能にし、しかもフレキシブル性を有して曲げに対する耐性も強い、半導体装置の実装構造とこれを製造する半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】 フレキシブル基板１上に半導体チップ２をフェースダウンで実装する、半導体装置の実装方法である。フレキシブル基板１上に、絶縁性樹脂からなる緩衝層３を形成する工程と、緩衝層３上に配線４を形成する工程と、配線４の接続部４ａと半導体チップ２の端子７との少なくとも一方に、液滴吐出法で金属微粒子を分散液に分散させてなる液状体を配する工程と、液状体を介して配線４の接続部４ａと半導体チップ２の端子７とを接合する工程と、液状体を焼成して金属微粒子を焼結し、配線４の接続部４ａと半導体チップ２の端子７とを接続するとともに電気的に導通させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

ＰＣＢ上に実装された集積回路（ＩＣ）を備えるプリント回路板（ＰＣＢ）組立体の熱伝導度を改善する方法と装置である。空所がＰＣＢ内に形成され、除去された部分の回路基板の熱伝導度より高い熱伝導度を有するデバイスまたは材料が空所内に配置される。また、ＰＣＢは少なくとも１つの回路トレースを含み、ＩＣダイは、その上の電気的接触パッドをＰＣＢの回路トレースと相互接続する少なくとも１つの電気的相互接続によってＰＣＢに相互接続される。空所内に相対的に高い熱伝導度を有する材料を配置することによって、熱ネルギー放散効果が改善される。
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【課題】 隣り合うバンプ間でのマイグレーションによる電流リークやショートを防止し、これによってバンプの狭ピッチ化を可能にした半導体装置と、これを用いた半導体装置の実装構造、及び半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方の面に複数のバンプを形成した半導体チップ３を有してなる半導体装置１である。バンプ２、２間に、バンプ２の上面を覆うことなくバンプ２、２間の間隙を埋めるように絶縁層４が形成され、絶縁層４の上面に凹部５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板をフリップチップ接続した後及び樹脂封止した後に発生する膨張率差を伴った応力による配線基板の反りを十分抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子１は、絶縁性コア基板２とこのコア基板の表裏両面に形成され配線パターンを有する絶縁層からなるビルドアップ層３とから構成された配線基板にフリップチップ接続されている。半導体素子１が搭載されている領域の周辺に、半導体素子１を囲むようにしてコア基板２に帯状の弾性体５が埋め込まれている。半導体素子をフリップチップ接続した後及びアンダーフィル樹脂などの樹脂封止体９を樹脂封止した後に発生する熱膨張率差に伴う応力による配線基板の反りが弾性体５により抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をガラス基板等に実装する際の該半導体装置と相手側の基板との接続の信頼性を高めると共に電気光学装置等の製造コストの低減を図ることのできる半導体装置、その半導体装置を用いた実装構造体、その半導体装置を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置例えば液晶駆動用ＩＣ４２３は、第２突出部の実装面２８からの高さが、第１突出部４３０の実装面２８からの高さより低くなるように形成したので、実装時の相手基板と第２突出部との間に形成される隙間を調整することができ、もっとも適切な接着剤の流量を確保できる。また、完全に第２突出部を除去する場合に比べ、少なくとも片側に設けられた第２突出部３３により支えられるので第１突出部４３０がより適切に実装時に変形し、かつその状態を安定して維持できることとなる。 （もっと読む）

【課題】
アンダーフィル工程を行なわなくても、シリカ粒子が半導体チップと配線基板の間に入らないようにする。
【解決手段】
記配線基板で半導体チップを搭載する面にソルダーレジストを塗布し、そのソルダーレジストを半導体チップとの接続部では除去し、少なくとも半導体チップの外縁に沿って連続した形状の隆起部として残す。半導体チップの回路素子形成面を配線基板に対面させてバンプ電極により配線基板に接続して半導体チップを搭載した後、封止樹脂主材料に半導体チップの回路素子形成面と隆起部との隙間より大きいシリカ粒子を含む封止樹脂を半導体チップ上に滴下して半導体チップを被うとともに、配線基板と半導体チップの回路素子形成面との間で隆起部より内側の領域にはシリカ粒子を含まない封止樹脂主材料を浸入させて封止する。 （もっと読む）