【課題】 バンプが高密度に形成された半導体チップをフリップチップ接続により配線基板に搭載する際に、容易にアンダーフィルすることができる配線基板を提供する。
【解決手段】 フリップチップ接続により半導体チップ２０を搭載する配線基板１０であって、前記半導体チップ２０の搭載領域の内外で一方の開口部１６ａと他方の開口部１６ｂとが各々開口し、前記一方の開口部１６ａと前記他方の開口部１６ｂとが、基板１０の内部を通過して設けられた連通流路１６ｃにより連通する通気孔１６が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接合荷重を低減して接合部および基板の破損を防止でき、デバイス機能部の動作信頼性の向上をも図ることができる電子デバイス装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子デバイス装置２０は、デバイス機能部Ｐが形成された第１基板２１と、デバイス機能部Ｐを封止する中空部３０を形成するためのシール用バンプ２３および電気的接続のための導通用バンプ２４がそれぞれ形成された第２基板２２とが接合されることで製造され、第１基板２１と第２基板２２との接合が、シール用バンプ２３を加熱溶融させる工程と、導通用バンプ２４を第１基板２１上に熱圧着させる工程とを有する。この構成により、接合荷重は主として導通用バンプ２４の熱圧着接合に要する荷重だけで足りるのでトータル荷重が大幅に低減され、接合部の破損を防止できる。また、接合部のシール性が高められるのでデバイス機能部の動作信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と回路基板の電気的な接合と接合部分の封止とを１工程で行うとともに、半導体装置における電気的な接続抵抗を安定的に低減させる。
【解決手段】 回路基板２００上に半導体素子３００がフリップ実装される半導体装置１００を製造するにあたり、回路基板２００の最上層配線２０２に保護膜４００を設ける工程と、保護膜４００を選択的に除去して最上層配線２０２が露出するホール４０２を形成する工程と、ホール４０２に最上層配線２０２の露出部から上方へのメッキ成長によりプラグ２０４を形成する工程と、加熱により半導体素子３００の電極パッド３０２とプラグ２０４とを接合しつつ保護膜４００の上面と半導体素子３００の底面とを接合する工程と、により製造するようにした。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接合された半導体装置との間にアンダーフィル樹脂が装填される半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に関し、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生することを防止する。
【解決手段】表面にソルダーレジスト２２が配設されると共に、このソルダーレジスト２２の半導体装置２５が実装される部位に半導体装置２５を実装するための第１の開口部２３が形成されてなる半導体装置用実装基板において、前記ソルダーレジスト２２の第１の開口部２３の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時におけるアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する速度調整用開口部３０Ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】 実装部品をはんだを用いて基板に実装する構造を有した電子装置及びその製造方法に関し、加熱時に電極パターン間に短絡が発生したり、封止樹脂内にクラックが発生したりすることを防止しうる電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 フットパターン２４Ａ，２４Ｂ及びソルダーレジスト２５が設けられると共にソルダーレジスト２５の開口部からフットパターン２４Ａ，２４Ｂが露出する構成とされた基板２３と、はんだ２６により基板２３に実装される実装部品２０Ａ，２０Ｂと、基板２３上に形成されて実装部品２０Ａ，２０Ｂを封止する封止樹脂２９とを有し、かつ、はんだ２６の一部（乗り上げ部２６Ａ，２６Ｂ）が実装部品２０Ａ，２０Ｂの下部においてソルダーレジスト２５の上部に乗り上げた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップ等といった被接続部材と、ガラス基板等といった基板とを、異方性導電材を用いて常に安定して導電接続できるようにする。
【解決手段】 端子３８ａを有する対象物Ｍ１と、端子３８ｂを有する対象物Ｍ２と、端子３８ａと端子３８ｂとを導電接続する異方性導電材８’とを有する液晶表示装置を製造するための製造方法である。この製造方法において異方性導電材８は、第１基材３１及び第２基材３２と、これら第１基材３１と第２基材３２との間に配置された熱で溶融する半田層３３ａと、第１基材３１、第２基材３２及び半田層３３ａを貫通する貫通孔３５とを有する。この製造方法は、対象物Ｍ１と対象物Ｍ２との間に異方性導電材８’を配置する工程と、異方性導電材８’を加熱及び加圧して半田３３を貫通穴３５に流動させて、端子３８ａと端子３８ｂとを導電接続する導通部３３ｂを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置における品質および信頼性の向上を図る。
【解決手段】 ポリイミド樹脂からなるテープキャリア１と表面にポリイミド樹脂の保護膜２ｅを有した半導体チップ２の接続において、テープ本体１ａの半導体チップ２の電極列より内側の領域にダミーパターン１ｄが設けられていることにより、テープ本体１ａをダミーパターン１ｄが支えるため、テープ本体１ａと半導体チップ２の表面との間に隙間を確保できる。これにより、封止工程でアンダーフィル材８を充填する際に、テープ本体１ａと半導体チップ２の間の未充填部分の発生を防ぐことができ、ボイドが形成されることを防止できる。その結果、ポリイミド樹脂の保護膜２ｅの剥離や、チップクラックの発生を阻止することができ、半導体装置の品質および信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子に形成される外部接続用電極の形成寸法精度公差が比較的大きいため、圧電振動子の小型化が進むにつれ、圧電振動子内に搭載する圧電振動板に形成される外部接続用電極と、圧電振動子を構成する容器体に形成される電極パッドとの間に形成位置ズレが生じる場合がある。
【解決手段】電極パッドと外部接続用電極の間に、電極パッド及び外部接続用電極に対向する両主面上に両主面間で電気的に接続している導通用電極が形成された平板状の絶縁基板が配置されており、この導通用電極を介して電極パッドと外部接続用電極が電気的に接続且つ固着されている圧電振動子。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの電極と配線との高精度のフリップ・チップ接続を図る。
【解決手段】 上面及び下面に所定パターンの配線を有し上面及び下面の前記配線の一部は上下面を貫通する配線で接続される配線基板と、配線基板の上面配線に半田を介して電極がフリップ・チップ接続される半導体チップと、配線基板の下面配線に重ねて形成される外部電極端子とを有する半導体装置であって、電極が接続される配線表面部分はその周囲の配線部分よりも窪みかつ窪み上の半田は他の配線表面の半田よりも厚くなっている。また、配線基板の上面と半導体チップの下面の隙間には絶縁性樹脂が充填されて封止体が形成され、封止体によって隙間が塞がれている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフリップ実装する回路実装基板の配線電極と半導体素子の電極パッドに形成した金属バンプとの接続不良を大幅に軽減することができる半導体装置の製造装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造装置であって、半導体素子をフリップ実装する回路実装基板１の配線電極２上に凹部１０を形成する加工手段と、前記凹部に導電性接着剤を塗布する塗布手段を含むことにより、回路実装基板の配線電極と半導体素子の電極パッドに形成した金属バンプとの接続不良を大幅に軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】 ブロッキングや糊はみ出しがなく打ち抜き特性などの加工特性が良好であり、高温にさらされても優れた粘着力及び凝集力を維持することができる両面粘着テープを提供する。
【解決手段】 ２０μｍ以下の厚さの不織布からなる芯材、前記芯材の両面に配置されたガラス転移点（Ｔｇ）が−２０℃〜２０℃でありかつ重量平均分子量が１００万以上であるアクリル系ポリマーを含む粘着剤層、を含む両面粘着テープであって、前記両面粘着テープの総厚が６０μｍ以下である、両面粘着テープ。 （もっと読む）

【課題】 加熱により反りが発生する脆性な基板を利用した場合でも基板の破損を防止することができ、生産性の高い中空半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子２の回路面を配線基板側にして、半導体素子を基板１にフリップチップ実装し、光硬化性封止用部材１５を、半導体素子が搭載された基板側から半導体素子及び基板に被せ、光硬化性封止用部材を、真空下で、半導体素子及び基板へ弾性体１７を介した加圧押し当てにより貼り付けて半導体素子と基板との間の隙間に中空部４を形成し、真空状態を維持したまま、光硬化性封止用部材に樹脂硬化用光線を照射して光硬化性封止用部材を硬化させる。半導体素子を、基板上にマトリクス状又は直線状に複数配置し、光硬化性封止用部材に樹脂硬化用光線を照射して光硬化性封止用部材を硬化させた後、各々の半導体素子を基板とともに個別に切断してもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立て工程後の有機樹脂基板の素子搭載面の反り上がりを抑制し、製造歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、有機樹脂基板１０１により構成されるインターポーザの素子搭載面１１１に半導体チップ１０５がはんだ接合されてなる。インターポーザは、有機樹脂基板１０１により構成されて、一方の面に半導体チップ１０５が搭載されるインターポーザであって、半導体装置１００の組み立て工程前の状態において、素子搭載面１１１の裏面１１３の側が凸状に湾曲した反りを有する。 （もっと読む）

【課題】バンプピッチを３００μｍ以下に微細化した場合でも、補強用樹脂の注入性を良好にする。
【解決手段】バンプピッチが３００μｍでチップサイズが１０ｍｍ□のフリップチップ４をセラミック多層基板１上に実装する場合に、注入口間隔ｈを４０μｍ以上にした。注入口間隔をそのような大きさにすることにより、フリップチップ実装部の中央部にボイドを発生させることなく補強用樹脂８を良好に注入することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 半導体実装プロセスにおいて、ＬＳＩ素子と回路基板とのギャップを十分に確保し、シード層上へのハンダの濡れ広がりを防止し、接合の信頼性を向上する事を特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法において、半導体素子を構成する第１基板または回路配線を有する第２基板のいずれか一方の基板上に、ドライフィルムレジストを用いて、アスペクト比が１以上の開口パターンを有するレジストマスクを形成する。次に、前記開口内に、第１の金属膜を前記膜厚の１／２以上の高さに形成する。次に、前記開口内の第１の金属膜に重ねて、第２の金属膜を、前記レジストマスクの膜厚を越え、かつ隣接する開口の第２金属膜と接触しないように形成する。次に、レジストマスクを残したまま、レジストマスクから突出する第２金属膜を、他方の基板上の電極に対して、フラックスレス接合する。接合の後に、レジストマスクを剥離する。 （もっと読む）

【課題】 接着層から回路基板および半導体基板を剥離しにくくし、また、回路基板の第１の端子と半導体基板の第２の端子との間の電気的な接続をより確実にする基板実装構造を提供することにある。
【解決手段】 本発明の基板実装構造（６０）は、第１の端子（４２）が設けられた第１の基板（４０）と、第２の端子（５２）が設けられた第２の基板（５０）と、第１の端子（４２）と第２の端子（５２）とが電気的に接続するように第１の基板（４０）と第２の基板（５０）とを接着する接着層（２０）とを備え、接着層（２０）は、樹脂（２１）と、樹脂（２１）中に分散された絶縁性粒子（２２）とを有し、絶縁性粒子（２２）は、所定の平均粒径を有し、第１の端子（４２）は、第１の端子（４２）から第２の端子（５２）への電気的な経路において、第２の端子（５２）に最も近い最近接部分（４３）を有し、最近接部分（４３）は、絶縁性粒子（２２）の所定の平均粒径よりも短い幅を有する。 （もっと読む）

【課題】気密性及び接続信頼性を向上させるとともに、不要光によるノイズを低減させた撮像装置およびセンサーユニットを提供すること。
【解決手段】表面に配線導体３が形成された基板１と、配線導体３に導電性バンプ５を介して接合された電極を有する撮像素子２と、導電性バンプ５を覆うように撮像素子２と基板１との間に設けられた接着剤層８とを有する。接着絶縁粒子７は、無機絶縁粒子７と金属または金属被覆粒子６とが熱硬化性樹脂に含有されて成る。 （もっと読む）

【課題】 接着層から回路基板および半導体基板を剥離しにくくし、また、回路基板の第１の端子と半導体基板の第２の端子との間の電気的な接続をより確実にする半導体基板実装構造を提供することにある。
【解決手段】本発明の半導体基板実装構造（６０）は、回路基板（４０）と、半導体基板（５０）と、回路基板（４０）と半導体基板（５０）とを接着する接着層（２０）とを備え、接着層（２０）は、樹脂（２２ａ）と、樹脂（２２ａ）中に分散された絶縁性粒子（２２ｂ）とを含み、接着層（２０）のうち第２の主面（２０ｂ）からの厚さが第２の端子（５０ａ）の厚さに相当する厚さである領域を所定の領域（Ｘ）とすると、接着層のうち所定の領域（Ｘ）内の単位体積あたりの絶縁性粒子（２２ｂ）の数が、接着層（２０）のうち所定の領域（Ｘ）以外の領域（Ｙ）の単位体積あたりの絶縁性粒子（２２ｂ）の数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 バンプ電極によって接続される半導体チップおよび電子部品の間に封止されるアンダーフィル樹脂中においてボイドの発生を抑止した半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１の半導体チップ１０および第２の半導体チップ２０のそれぞれのバンプ形成面を対向させて形成される半導体装置において、第１の半導体チップ１０および第２の半導体チップ２０のそれぞれの最表面に形成された保護膜である絶縁膜１４，２４の少なくとも一方の中であって、バンプ形成領域１２，２２の近傍に、第１の半導体チップ１０および第２の半導体チップ２０の間にアンダーフィル樹脂を流し込むための開口部１６，２６を設けたものである。 （もっと読む）

基板上のダイのフリップチップ配線は、配線の隆起を、キャプチャパッド上にではなく、リードまたはトレースの上の狭い配線パッドの上に嵌合することによってなされる。狭い配線パッドの幅は、取り付けられるダイ上の隆起のベース直径未満である。また、フリップチップパッケージは、活性表面において配線パッドに取り付けられた半田の隆起を有しているダイと、ダイ取り付け表面において導電性トレースの上に狭い配線パッドを有している基板とを含んでおり、上記基板における隆起は、トレース上の狭いパッドに嵌合される。
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