説明

電子装置及びその製造方法

【課題】基板と電子素子との電気的接続の信頼性を高めた電子装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子装置1は、少なくとも1つのパッド3を有する基板2と、基板2の少なくとも1つのパッド3に電気的に接続されるバンプ8を有し、基板2にフリップチップ実装された電子素子6と、パッド3とバンプ8とを電気的に接続する導電性樹脂4と、基板2と電子素子6との間に介在する絶縁性のシート5と、を備える。基板2は、電子素子6と対向する面に、パッド3毎に凹部2aを有する。パッド3は、凹部2aの少なくとも底部に形成される。導電性樹脂4は、パッド3上かつ凹部2a内に充填される。シート5は、バンプ8毎に、開口面積が凹部2aの開口面積より狭い貫通孔5aを有する。バンプ8は、貫通孔5aの内壁に接触して貫通孔5aに挿通されると共に、パッド3と直接接触せずに導電性樹脂4を介して電気的に接続される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子素子を実装した電子装置及びその製造方法に関する。例えば、本発明は、電子素子として半導体素子をフリップチップ実装した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子素子、例えば半導体素子と基板との電気的接続には、主として、鉛フリー半田が使用されている。フリー半田は、融点が高く、高温での半田接続プロセスを必要とする。そのため、実装時には、基板や搭載部品への熱負荷を考慮する必要がある。また、鉛フリー半田は弾性力が高く、接続部の周囲にストレスが加わりやすい。そのため、LSIに用いられるlow−k膜など、ストレスに弱い構造部の接続信頼性に影響を与える場合がある。他方、導電性樹脂(導電性接着剤)は、半田に比べ低温での接続が可能であり、熱負荷の軽減が可能となる。また、半田に比べて弾性力が低いため、接続部に掛かるストレスが大幅に軽減されるなどの利点がある。導電性樹脂を用いたフリップチップ実装については、例えば特許文献1〜3に開示されている。
【0003】
特許文献1に記載のフリップチップ実装構造においては、バンプを押し潰した際のバンプ間のショートを防止するために、素子実装時に余分な接合用金属を逃がすための逃がし部(例えば凹部、溝又は樹脂製電極部)を基板側電極に設けている。
【0004】
特許文献2に記載の電子部品の実装方法においては、電子部品やプリント配線板に形成したバンプの高さにバラツキがあっても、バンプの高さを矯正することなく電子部品とプリント配線板とを良好に接続するために、電子部品に形成したバンプと、プリント配線板に形成した、バンプと嵌合する凹状ベセルとを導電性接合材を介して固着させている。
【0005】
特許文献3に記載の半導体装置においては、フリップ実装時において半田あるいは導電性接着剤により発生する隣接した電極端子間でのショートや、Agマイグレーションの発生を防止するために、半導体素子の電極パッドに相対した半導体キャリア基板の位置に金属配線からなる凹形電極部を設けている。また、凹形電極部の凹部に半田あるいは導電性接着剤を一括供給するために、複数の凹形電極部以外の領域に、絶縁性を有した封止樹脂を塗布するか、もしくはシート封止剤を貼り合わせている。
【0006】
【特許文献1】特開2001−53432号公報
【特許文献2】特開平8−222599号公報
【特許文献3】特開2000−208675号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
金属粒子と樹脂との混合材である導電性樹脂(導電性接着剤)は、フリップチップ実装時に所望の形状に形成することが困難である。そのため、基板平面にパッドが形成されてあると、電子素子と基板とを電気的接続する際に、導電性樹脂がパッド周囲に広がり、隣接パッド間でショートが発生する危険性がある。
【0008】
そこで、特許文献1に記載されたフリップチップ実装構造においては、基板側電極に逃がし部(凹部、溝、樹脂製電極部)を形成して、隣接パッド間のショートの発生を防止している。しかしながら、特許文献1に記載のフリップチップ実装構造のように、バンプと基板側電極とを直接接触させると、固体−固体間接触となるので、応力(特に接着時や動作時の熱により生じた反りに起因するもの)がバンプに掛かり、電気的接続部が損傷するおそれがある。
【0009】
特許文献2に記載の凹状ベセルは、バンプの高さのばらつきに対応するものであり、凹部の開口は開放されているので、硬化時に導電性樹脂が凹部から溢れ出すおそれがある。その場合、隣接するバンプ間におけるショートのおそれがまだ存続することになる。また、バンプと基板(プリント配線板)とを物理的に接触させているので、この場合にも固体−固体間接触によりバンプに応力が掛かりやすくなっている。
【0010】
特許文献3に記載の半導体装置の製造方法においては、導電性接着剤の一括供給のためにシート封止剤が使用されているので、凹部上にはシート封止剤は存在していない。そのため、バンプは、導電性接着剤などからの応力を直接的かつ全体的に受けることになり、このようなシート封止剤ではバンプに掛かる応力を軽減することはできない。
【0011】
本発明の目的は、基板と電子素子との電気的接続の信頼性を高めた電子装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の第1視点によれば、少なくとも1つのパッドを有する基板と、基板の少なくとも1つのパッドに電気的に接続されるバンプを有し、基板にフリップチップ実装された電子素子と、パッドとバンプとを電気的に接続する導電性樹脂と、を備える電子装置であって、基板と電子素子との間に介在する絶縁性のシートをさらに備え、基板は、電子素子と対向する面に、パッド毎に凹部を有し、パッドは、凹部の少なくとも底部に形成され、導電性樹脂は、パッド上かつ凹部内に充填され、シートは、バンプ毎に、開口面積が凹部の開口面積よりも狭い貫通孔を有し、バンプは、貫通孔の内壁に接触して貫通孔に挿通されると共に、パッドと直接接触せずに導電性樹脂を介してパッドに電気的に接続される電子装置を提供する。
【0013】
上記第1視点の好ましい形態によれば、貫通孔の開口面積は、フリップチップ実装前の状態において凹部の開口面積よりも狭い。
【0014】
上記第1視点の好ましい形態によれば、シートは、弾性を有する材料からなる。
【0015】
上記第1視点の好ましい形態によれば、フリップチップ実装前における貫通孔の幅は、バンプの最も広い幅よりも狭い。
【0016】
本発明の第2視点によれば、電子素子が基板にフリップチップ実装された電子装置の製造方法であって、基板に少なくとも1つの凹部を形成する工程と、少なくとも1つの凹部の底部に第1パッドを形成する工程と、第1パッド上の凹部内に導電性樹脂を供給する工程と、電子素子に少なくとも1つの第2パッドを形成し、第2パッドにバンプを形成する工程と、少なくとも1つの貫通孔を有する絶縁性のシートを、貫通孔の位置が凹部上となるように、基板上に載置する工程と、基板と電子素子との間にシートを介在させ、バンプを貫通孔に挿通させると共に凹部に挿入して、電子素子を基板に実装する工程と、導電性樹脂が硬化するように加熱する工程と、を含み、シートは、バンプと第1パッドが直接接触しないような厚みを有し、貫通孔の開口面積は、凹部の開口面積よりも狭い電子装置の製造方法を提供する。
【0017】
上記第2視点の好ましい形態によれば、シートは、弾性を有する材料からなり、貫通孔の幅は、バンプの最も広い幅よりも狭い。
【発明の効果】
【0018】
本発明によれば、基板の凹部とシートによりフリップチップ実装時の導電性樹脂の流動を抑制するので、電子素子と基板とのフリップチップ実装において導電性樹脂を使用したとしても、隣接するバンプ間のショートを防止することができる。
【0019】
本発明によれば、シートの厚みによって電子素子のバンプと基板のパッドとの直接接触を防止すると共に、シートによって導電性樹脂等からバンプに掛かる応力を低減することができるので、バンプの損傷を防止し、接続信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
本発明の電子装置について、半導体装置を例にして説明する。図1に、本発明の電子装置の概略断面図を示し、図2に、図1のII−II線の概略断面図を示す。また、図3に、電子素子と基板との電気的接続部分の拡大概略断面図を示す。電子装置1は、電子素子としての半導体素子6を基板2にフリップ実装した半導体装置である。基板2には、半導体素子6と対向する面に凹部2aが形成されており、半導体素子6と電気的接続するための少なくとも1つのパッド(電極)3は、凹部2aの底部に形成されている。半導体素子6のパッド7に形成されたバンプ8と、基板2のパッド3とは、パッド3上かつ凹部2a内に充填された導電性樹脂(導電性接着剤)4を介して電気的に接続されている。バンプ8は、パッド3とは直接的には接触していない。
【0021】
半導体装置1は、フリップチップ実装している基板2と半導体素子6との間にシート5を有している。図4に、シートの概略平面図を示す。シート5は、絶縁部材からなる。また、シート5は、弾力性(可撓性)を有する部材が好ましく、例えばゴム系の材料であると好ましい。
【0022】
シート5には、バンプ8及び凹部2aに対応する位置に貫通孔5aが形成されており、バンプ8は、貫通孔5aを通って導電性樹脂4と接している。貫通孔5aの大きさ(開口面積)は、凹部2aの開口面積よりも狭く形成されている。特に、フリップチップ実装前(バンプ8の貫通孔5a挿通前)の状態において、貫通孔5aの大きさ(開口面積)は、凹部2aの開口面積よりも狭いと好ましい。このとき、シート5は、基板2の凹部2a以外の領域のみならず、バンプ8部分以外の凹部2a上の領域も覆うことになる。これにより、導電性樹脂4などからバンプ8に掛かる応力をより低減することができる。
【0023】
また、実装前におけるシート5の貫通孔5aの幅(径)又は開口面積は、挿通後にバンプ8と貫通孔5aの内壁とが接触するようなものであると好ましい。これにより、バンプ8と貫通孔5aの内壁とが接触することになり、バンプ8及びバンプ8とパッド7との接続部分をシート5により封止(保護)することができる。バンプ8と貫通孔5aの内壁とを接触させるためには、実装前におけるシート5の貫通孔5aの幅(径)又は開口面積は、バンプ8の最も広い幅(径)、又はバンプ8に半導体素子6面に平行な断面積のうち最も広い断面積と同じくらいであると好ましく、より好ましくはやや狭くする。すなわち、貫通孔5aの幅(径)又は開口面積は、シート5の弾力性を利用して貫通孔5aにバンプ8を通すことができる程度の大きさであるとより好ましい。なお、貫通孔5aは、バンプ8を通すことができる態様であればいかなる態様であってもよく、例えば図4に示すような切欠きであってもよいし、バンプ8を通すことが可能な切り込みであってもよい。
【0024】
シート5の厚さは、バンプ8とパッド3とが直接接触しないような厚さであると好ましい。すなわち、シート5は、バンプ8とパッド3との間隔を調節するスペーサとして機能させることもできる。
【0025】
本発明の電子装置によれば、バンプに掛かる応力が低減されているので、電子装置と基板との接続信頼性を高めることができる。
【0026】
次に、本発明の電子装置の製造方法について、半導体装置1の製造方法を例にして説明する。図5に、本発明の電子装置の製造方法の概略工程図を示す。
【0027】
まず、基板2において、パッド3を形成する部分に凹部2aを形成し、凹部2aの底部にパッド3を形成する(図5(a))。次に、凹部2a内に導電性樹脂4を充填する。例えば、メタルマスク10を使用して、凹部2a内に導電性樹脂4を充填する(図5(b)、(c))。図5(b)においては、メタルマスク10を用いて、導電性樹脂4をパッド3上に印刷する方法を示している。次に、パッド7にバンプ8を形成した半導体素子6、及びバンプ8を通す貫通孔5aを形成した絶縁性シート5を準備し、凹部2aの位置と貫通孔5aの位置が合うようにシート5を基板2上に載置する(図5(d))。次に、基板2と半導体素子6との間にシート5を挟み、バンプ8をシート5の貫通孔5aに挿通すると共に、凹部2aにも挿入するように、半導体素子6を基板2にフリップチップ実装する。このとき、シート5の厚みにより、バンプ8とパッド3とは直接接触することなく、導電性樹脂4を介して電気的に接続される。次に、導電性樹脂4が硬化する温度で加熱し、基板2と半導体素子6との実装を終了する(図5(e))。なお、各要素の詳細は、上記において半導体装置1について説明したような関係を満たすようにする。
【0028】
本発明の製造方法によれば、シートによって導電性樹脂が凹部に封止されるので、導電性樹脂の流動による隣接パッド間のショートの発生を抑制することができる。また、シートによってバンプに掛かる応力を低減することができるので、基板と電子素子との接続信頼性を高めることができる。さらに、シートは、バンプと基板のパッドとの直接接触を防止するための、基板と電子素子間のスペーサとしても機能することができる。
【産業上の利用可能性】
【0029】
本発明の電子装置及びその製造方法は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施形態に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【0030】
本発明のさらなる課題、目的及び展開形態は、請求の範囲を含む本発明の全開示事項からも明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】本発明の電子装置を示す概略断面図。
【図2】図1のII−II線の概略断面図。
【図3】図1における電子装置と基板との電気的接続部分の拡大概略断面図。
【図4】本発明において使用するシートの概略平面図。
【図5】本発明の電子装置の製造方法を説明するための概略工程図。
【符号の説明】
【0032】
1 電子装置(半導体装置)
2 基板
2a 凹部
3 パッド
4 導電性樹脂
5 シート
5a 貫通孔
6 電子素子(半導体素子)
7 パッド
8 バンプ
10 メタルマスク

【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも1つのパッドを有する基板と、
前記基板の前記少なくとも1つのパッドに電気的に接続されるバンプを有し、前記基板にフリップチップ実装された電子素子と、
前記パッドと前記バンプとを電気的に接続する導電性樹脂と、を備える電子装置であって、
前記基板と前記電子素子との間に介在する絶縁性のシートをさらに備え、
前記基板は、前記電子素子と対向する面に、前記パッド毎に凹部を有し、
前記パッドは、前記凹部の少なくとも底部に形成され、
前記導電性樹脂は、前記パッド上かつ前記凹部内に充填され、
前記シートは、前記バンプ毎に、開口面積が前記凹部の開口面積よりも狭い貫通孔を有し、
前記バンプは、前記貫通孔の内壁に接触して前記貫通孔に挿通されると共に、前記パッドと直接接触せずに導電性樹脂を介して前記パッドに電気的に接続されることを特徴とする電子装置。
【請求項2】
前記貫通孔の開口面積は、フリップチップ実装前の状態において前記凹部の開口面積よりも狭いことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
【請求項3】
前記シートは、弾性を有する材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。
【請求項4】
フリップチップ実装前における前記貫通孔の幅は、前記バンプの最も広い幅よりも狭いことを特徴とする請求項3に記載の電子装置。
【請求項5】
電子素子が基板にフリップチップ実装された電子装置の製造方法であって、
前記基板に少なくとも1つの凹部を形成する工程と、
前記少なくとも1つの凹部の底部に第1パッドを形成する工程と、
前記第1パッド上の前記凹部内に導電性樹脂を供給する工程と、
前記電子素子に少なくとも1つの第2パッドを形成し、前記第2パッドにバンプを形成する工程と、
少なくとも1つの貫通孔を有する絶縁性のシートを、前記貫通孔の位置が前記凹部上となるように、前記基板上に載置する工程と、
前記基板と前記電子素子との間に前記シートを介在させ、前記バンプを前記貫通孔に挿通させると共に前記凹部に挿入して、前記電子素子を前記基板に実装する工程と、
前記導電性樹脂が硬化するように加熱する工程と、を含み、
前記シートは、前記バンプと前記第1パッドが直接接触しないような厚みを有し、
前記貫通孔の開口面積は、前記凹部の開口面積よりも狭いことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項6】
前記シートは、弾性を有する材料からなり、
前記貫通孔の幅は、前記バンプの最も広い幅よりも狭いことを特徴とする請求項5に記載の電子装置の製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2009−105209(P2009−105209A)
【公開日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−275318(P2007−275318)
【出願日】平成19年10月23日(2007.10.23)
【出願人】(000004237)日本電気株式会社 (19,353)
【Fターム(参考)】