【課題】経時的に安定な可撓性を有するとともに、カルボン酸によるフラックス機能を十分に発揮し得るシート状封止組成物及びこれを用いる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シート状封止組成物２は、重量平均分子量が１０万以上の熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、ｐＫａが３．５以上であるカルボキシル基含有化合物であり、半導体ウェハ３をダイシングした該シート状封止組成物付きの半導体素子からなる半導体装置２０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】この発明は、金属配線部材とヒートシンクとの間に介装される絶縁樹脂層の厚みを高精度に管理できるようにし、要求される電気絶縁性と熱伝導性を安定して確保することができる電力変換装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体素子３が表面に搭載された金属配線部材４、金属配線部材４の裏面を露出させて、金属配線部材４および半導体素子３を埋設するモールド樹脂５、およびモールド樹脂５から延出する入出力端子７，９を有するパワーモジュール２と、金属配線部材４の露出面に対向して配設されるヒートシンク１１と、モールド樹脂４の金属配線部材４の露出面の外側部位とヒートシンク１１との間に挟持されて、金属配線部材４の露出面とヒートシンク１１との間に所定の隙間を形成する樹脂厚み規制部材１３と、金属配線部材４の露出面を覆うようにパワーモジュール２とヒートシンク１１との間に充填された絶縁樹脂層１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、絶縁性接着剤層３ａの厚みＴｉと、導電性接着剤層３ｂの厚みＴｃとが、下記式（１）の関係を満たす回路接続用接着フィルム１０に関する。
Ｔｉ／Ｔｃ≧１．５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および２４μｍを超える粒子の含有率が１質量％以下である無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、粉砕後の前記原材料を混練する混練工程とを有し、前記混練工程において、粉砕後の前記原材料１ｋｇあたりに与える混練エネルギーを０．０１〜０．５ｋＷｈ／ｋｇとする。 （もっと読む）

【課題】無機充填剤を高充填しても低粘度で、かつ、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を比較的低温且つ短時間で得ることができるアンダーフィル材料、及び、このものを用いて実装されてなる半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される脂環式エポキシ樹脂ＡとビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、マイクロカプセル型潜在性エポキシ樹脂硬化促進剤、及び、平均粒径５μｍ以下の球状シリカを含有し、（脂環式エポキシ樹脂Ａの重量）／（エポキシ樹脂全体の重量）で０．２〜０．８であるアンダーフィル材料、並びに、該アンダーフィル材料を用いた半導体装置及びその製造方法。
（もっと読む）

【課題】従来のＭＰＳ−Ｃ２半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア１００は、基板１１０と複数の独立パッドマスク１２０とを含む。基板１１０は、上表面１１１、および、上表面１１１に設置される複数のパッド１１２を有する。独立パッドマスク１２０は、パッド１１２を覆う。各独立パッドマスク１２０は、対応するパッド１１２と貼り付ける感光性粘着層１２１、及び感光性粘着層１２１上に形成される透光性の取放素子１２２を有する。 （もっと読む）

【課題】エポキシ硬化剤として有用な新規なフェノール樹脂、該フェノール樹脂の製造方法、及び該フェノール樹脂の使用を提案すること。
【解決手段】一般式（１）で表されるフェノール樹脂、及び該フェノール樹脂をエポキシ樹脂硬化剤として含有するエポキシ樹脂組成物。


（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基又は水酸基のいずれかであり、ｎ、ｑは、それぞれ独立して、０〜４の整数であり、ｐは、それぞれ独立して、０〜３の整数であり、Ｘは、置換基を有してよいアルキレン基であり、ｍは、０〜３０の整数である） （もっと読む）

【課題】LED点灯時に発生する自己発熱に起因した信頼性低下を防止する。
【解決手段】発光装置は、LEDチップ１１と実装基板１２とを電気的に接続するボンディングワイヤ１８を備える。このワイヤは、絶縁性基板１５の窓孔１６の側面とサブマウント１７の側面との隙間２３を跨ぎ、かつコイル状に形成されて伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、スタックド構造のＭＣＰ製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物の樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層２、（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層３、（Ｃ層）回路基板層４、を順番に有し、Ａ層２の厚みが１〜２００μｍであり、Ｂ層３の厚みが１００〜６００μｍであり、Ｃ層４の厚みが１〜１００μｍであり、パッケージ反りが２３５μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の高温弾性率の上昇を抑制しつつ、線膨張係数の顕著な低減が可能となる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに、下記の（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）無機質充填剤。
（Ｄ）ケイ素に直接結合するアルコキシ基をシリコーン化合物全体の１０〜４５重量％含有し、かつ比重が１．１０〜１．３０の範囲であるシリコーン化合物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、表面電極パターンの、絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して接合された半導体素子と、この半導体素子および表面電極パターンを覆う第一の封止樹脂と、絶縁基板の表面で、少なくとも表面電極パターンまたは裏面電極パターンが形成されていない部分と第一の封止樹脂とを覆う第二の封止樹脂と、を備え、第二の封止樹脂の弾性率は、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいとともに、第一の封止樹脂の半導体素子に対応する中央部分が周辺部分よりも厚みが厚くなるように段差を設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び、これを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の４つの立体異性体のうち、エキソ−エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、前記異性体合計量中８０％以上である脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに、これを用いた半導体装置。
（もっと読む）

【課題】ボイドの発生を低減することができ、硬化後に低線膨張率となる信頼性の高い電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】脂肪族エポキシ化合物とベンゾオキサジン化合物とを硬化主剤として含有し、かつ、フェノール系硬化剤を含有する電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、表面電極パターンの、絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して固着された半導体素子と、この半導体素子および表面電極パターンを覆う第一の封止樹脂と、絶縁基板の表面で、少なくとも表面電極パターンまたは裏面電極パターンが形成されていない部分と第一の封止樹脂とを覆う第二の封止樹脂と、を備え、第二の封止樹脂の弾性率は、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さくした。 （もっと読む）

【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有し、かつ、熱硬化温度を低減でき、さらに、柔軟性にも優れるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物からなる封止層、シリコーン樹脂組成物を含有するリフレクタ、および、それらを備える光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より少ないモル数のアルケニル基を含有する両末端アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、アルケニル基側鎖含有ポリシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物から形成される封止層７を、光半導体装置１１に設ける。
（もっと読む）

【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有し、かつ、熱硬化温度を低減でき、さらに、柔軟性にも優れるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物からなる封止層、シリコーン樹脂組成物を含有するリフレクタ、および、それらを備える光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より少ないモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、オルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物から形成される封止層７を、光半導体装置１１に設ける。
（もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含有する組成物。


（式中、Ｌ^ｍは、炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成されるｍ価の基、又はｍ価の炭化水素基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の炭化水素基を示す。Ｒ^４は炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成される１価の基、炭素原子、水素原子及び窒素原子から構成される１価の基、又は１価の炭化水素基を示す。ｍは２〜６の整数を示す） （もっと読む）

【課題】突起電極の損傷及び変形を抑制することができ、信頼性に優れた半導体チップ実装体の製造に好適に用いられる接着シート、及び、該接着シートを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップを基板又は他の半導体チップに実装するために用いられる接着シートであって、４０〜８０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ以上である硬質層と、その少なくとも一方の面に積層され、４０〜８０℃での引張貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜９ＭＰａである架橋アクリルポリマーからなる柔軟層とを有する樹脂基材を有し、前記柔軟層上に形成され、回転式レオメーターを用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで４０〜８０℃における溶融粘度を測定した場合の最低溶融粘度が３０００Ｐａ・ｓより大きく１０００００Ｐａ・ｓ以下である熱硬化性接着剤層を有する接着シート。 （もっと読む）