【課題】裏面照射型固体撮像素子をより高い歩留まりで製造することが可能なエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する
【解決手段】本発明の裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板１００は、炭素、または、炭素および窒素が添加され、抵抗率が１００Ω・ｃｍ未満であるｐ型シリコン基板１と、該ｐ型シリコン基板上のｐ型第１エピタキシャル層２と、該第１エピタキシャル層上のｐ型またはｎ型第２エピタキシャル層３と、を有し、前記第１エピタキシャル層２は、ｐ型不純物のピーク濃度が２．７×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスや反応ガスの消費量を低減する。
【解決手段】処理室内にある基板に対して水素含有ガスおよびシリコン含有ガスを供給し、排出し、前記基板から吸熱しつつ、該基板に対してシリコン含有膜を形成する膜生成工程Ｓ１と、前記水素含有ガスおよび前記シリコン含有ガスの供給を停止し、前記基板を昇温させる再昇温工程Ｓ２と、を複数回交互に実施する。これにより、シリコン含有膜の成長速度の低下を抑制し、原料ガスや反応ガスの消費量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 平面導体を大型にしても、そのインピーダンスの増大を抑えて当該平面導体に大きな電位差が発生するのを抑え、それによって均一性の良いプラズマ生成を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、ホルダ側の面３２が真空容器４内に位置しかつホルダ１０の基板保持面に対向するように設けられた平面導体３０を備えている。平面導体３０は、そのホルダ側の面３２に、高周波電流の流れ方向と交差する方向に伸びている溝４０であってその深さが、平面導体３０中を流れる高周波電流の表皮厚さよりも大きい溝４０を、高周波電流の流れ方向に１以上有していて、溝４０によってホルダ側の面３２は複数領域に分割されている。平面導体３０の各溝４０内にコンデンサ４２をそれぞれ設けて、平面導体３０の前記各領域と各コンデンサ４２とを互いに電気的に直列接続している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長用のシリコンウェーハに施すＲＴＡ熱処理の低温化を図り、シリコンウェーハのスリップの発生を抑制すると共に、ウェーハ内部に良好な酸素析出を生じさせて、十分に高いＢＭＤ密度を有し、スリップのない高品質なエピタキシャルシリコンウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェーハを準備する工程と、準備したシリコンウェーハに雰囲気ガス中でＲＴＡ熱処理を施す工程と、ＲＴＡ熱処理が施されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させる工程とを有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、シリコンウェーハを準備する工程において、初期酸素濃度が１６〜２０ｐｐｍａで、炭素濃度が１ｐｐｍａより大きいシリコンウェーハを準備して、ＲＴＡ熱処理工程において、１２００℃未満の温度で熱処理を施すエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、サセプタとリングにひびや割れを発生させることなく、サセプタ表裏面の雰囲気遮蔽性を高め、ウェーハ裏面側へのエピタキシャル層の形成を抑制することを目的とする。
【解決手段】 エピタキシャル気相成長装置であって、サセプタの下面に、サセプタとリングとの間隙からのガスの流通を抑制するための石英製カバー部材が設けられており、石英製カバー部材は、少なくともサセプタの下面に固定されて石英製カバー部材を支持している支持部と、リングの内径よりも外径が大きく、支持部から少なくとも反応容器の側壁に向けて水平に延びる延伸部とを有するものであることを特徴とする気相成長装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、プラズマ励起周波数のＶＨＦ化、プラズマ励起電力の増大化及び使用電源の複数化等に伴う問題として、インピーダンス整合の調整不適合及び電力電送線路の破損等が注目されている。これは製品の歩留まり及び生産設備の稼働率を左右する問題であり、早期の解決が求められている。
【解決手段】
インピーダンスの整合器と放電電極の給電点の間に３端子サーキュレータを配置し、この３端子サーキュレータを介して前記給電点に電力を供給するとともに、前記放電電極からの反射波を前記３端子サーキュレータに接続された無反射終端器で消費させるようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体の核生成を均一にする。
【解決手段】ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第２のガス拡散室と、前記第２のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から成膜ガスが導入される第１のガス拡散室と、を介して、前記第１のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を２０００Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させて結晶性半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面におけるボロン量を抑えるのに好適なエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をスライス１１して得られたスライスウェーハをラッピング又は研削１１し化学エッチング１２し鏡面研磨１３し洗浄１４した後保管１６されたボロンがウェーハに付着したシリコンウェーハ上にエピタキシャル成長する方法において、保管１６されたシリコンウェーハをＨ₂Ｏ−Ｈ₂Ｏ₂−ＮＨ₄ＯＨの混合液で洗浄１７し、洗浄１７したシリコンウェーハをエピタキシャル成長装置内に搬入１８し、搬入１８したシリコンウェーハの表面に１０００〜１２００℃の温度で塩化水素ガスを流して、エッチング取り代が０．１〜０．５μｍとなるようにウェーハ表面の気相エッチング１９を行い、続いて成長装置内に原料ガスをキャリアガスとともに流して気相エッチングされたウェーハ表面にエピタキシャル層を形成２０する。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に応じて、適切なイオンエネルギー分布を形成できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法の提供。
【解決手段】載置台２が内部に配置された真空チャンバ１１と、載置台２にＤＣパルス電圧であるバイアス電圧を印加するＤＣパルス電圧発生部３と、を備える。ＤＣパルス電圧発生部３は、イオンのエネルギー値を横軸にとり、イオンの頻度を縦軸にとったイオンエネルギー分布図において、前記ＤＣパルス電圧の振幅値に対応してピークが現れることを利用して、前記振幅値が互に異なる複数種のＤＣパルス電圧を発生させ、これにより前記分布図において互に隣接するピーク同士が重なり合って重なり領域を形成するイオンエネルギー分布パターンがプラズマ処理に適切なパターンとなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】放電電極内に特別な加熱機構を保有してない放電電極の温度制御が可能な製膜装置および製膜方法を提供する。
【解決手段】基板３０に製膜するためのプラズマを生成する放電電極５と、放電電極５の温度を計測する電極温度計測手段と、基板３０を表面で保持する基板テーブルと、放電電極５、電極温度計測手段、および基板テーブルと、を有する製膜室１と、製膜室１内の圧力を計測する製膜室圧力計測手段と、製膜室１に気体を導入する気体導入手段と、製膜室１内を所定の圧力となるように気体を排気する気体排気手段８と、放電電極５の温度に基づいて、気体導入手段と気体排気手段８との少なくとも１つの作動状況の変化を繰り返す間欠動作を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法を提供する。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法を提供する。
【解決手段】洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】成膜時に半導体ウエハの内周部の温度分布をより均一化することができるとともに、可動部材上への膜の成長を防止することができる支持台を提供する。
【解決手段】成膜時にウエハ７０が載置される支持台であって、載置部材４０と可動部材３０を備えている。載置部材４０は、ウエハ７０が載置されるときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第１支持面４４を備えている。可動部材３０は、ウエハ７０を搬送するときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第２支持面３４を備えている。第２支持面３４は、第１支持面４４の内周端４４ａよりも外周側に位置している。可動部材３０は、上部位置と下部位置との間を移動可能である。第１支持面４４に支持されたウエハ７０を平面視したときに、可動部材３０全体がウエハ７０と重なる範囲内に位置する。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層へのオートドーピングやミスフィット転位が発生し難く、且つ、デバイス形成後に薄厚化されても不純物金属によるデバイス活性層の汚染を有効に抑制することができるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の表面から内部に向かってＶ族原子を拡散させて形成した、濃度：２×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＶ族原子を含有してシリコン基板の表層に位置するバリア層と、バリア層上に形成したシリコンエピタキシャル膜よりなるデバイス活性層とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハである。また、バリア層形成工程と、デバイス活性層形成工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製品基板に対して処理を行うステップと、反応炉内に処理後の製品基板を収容した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで、反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第１パージを行うステップと、反応炉内から処理後の製品基板を取り出した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第２パージを行うステップと、を有し、第２パージにおける反応炉内の圧力変化量を、第１パージおける反応炉内の圧力変化量よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】排ガスの燃焼する燃焼室内の温度を正確に測定ができる除害装置およびその除害装置をエピタキシャル成膜装置に取り付けた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排ガス２を除害する除害装置１０を、排ガス２を内部で燃焼させる燃焼室１と、燃焼室１の壁に設けられ、燃焼室１内に排ガス２を供給する管状のノズル３とを有して構成する。ノズル３は、先端に向かって内径を一定の保つとともに外径が小さくなる形状を有する。この除害装置を成膜装置に取り付けて、成膜装置からの排ガス２を除害するようにして半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する。 （もっと読む）