【課題】ウェーハ１４の搬送において、移載禁止されたスロットに移載しないで、前記移載禁止されたスロット以外のスロットにウェーハ１４を保持させてボート３０に対するウェーハ１４の搬送を実現する。
【解決手段】ウェーハ１４を載置部に保持するボート３０と、複数のスロットにウェーハ１４を配置するポッド１６と、複数枚又は一枚のウェーハ１４を搬送するように構成されている基板移載機２８と、特定の載置部に移載禁止指定を受けつけると、複数枚または一枚のどちらか選択しながら前記ウェーハ１４を前記特定の載置部を除く他の載置部に保持させつつ前記ボート３０に移載させるコントローラ１５２を有する。 （もっと読む）

【課題】ボートの変形を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置において、前記ボートを、天板と底板と補強板と複数の上側支柱と複数の下側支柱とを有し、前記天板と前記補強板を前記上側支柱で連結し、前記補強板と前記底板を前記下側支柱で連結するように構成する。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧空間とされる処理容器と、前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、カーボンを主成分とする材料により構成さるとともに、前記減圧空間に設置されて被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間させて設置される断熱材と、を有し、前記減圧空間は、前記成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、前記基板保持部と前記処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】各ガス供給口から供給される反応ガスの流れを略均一化して、各基板をばらつくこと無く成膜する。
【解決手段】各ガス供給ノズル６０，７０に、各ガス供給口６８，７２からの反応ガスの供給方向に延在し、かつ各ガス供給口６８，７２の第１ガス排気口９０側に各整流板６９，７３を設けた。これにより、各ガス供給口６８，７２から噴射（供給）された反応ガスが、第１ガス排気口９０に向けて直接流れてしまうことを抑制でき、ひいては反応ガスの流れを各ウェーハ１４に向けて略均一化して、各ウェーハ１４をばらつくこと無く成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行なわれるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なＳｉＣエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第１のガス供給系と第２のガス供給系を設け、第１のガス供給系からアルゴン（Ａｒ）ガス、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）ガス、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスの一部および塩化水素（ＨＣｌ）ガスを供給し、第２のガス供給系から残りのプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスと水素（Ｈ_２）ガスを供給している。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを流し、下地２の表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２の表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層３上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備え、シード層３を形成する工程における下地の加熱温度を、アモルファスシリコン膜を形成する工程における前記下地の加熱温度よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１４を内周側で保持するホルダベース１１０と、ホルダベース１１０の外周側を保持するホルダ保持部ＨＳを有する各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを備え、ホルダベース１１０の外径寸法をウェーハ１４の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース１１０をホルダ保持部ＨＳから取り外せるようにした。ホルダベース１１０と各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース１１０および各ボート柱３１ａ〜３１ｃをＳｉＣ等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース１１０によって、各ボート柱３１ａ〜３１ｃからウェーハ１４を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の反応チャンバー１内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはＣＦｘＯｙ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１〜３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１〜４の整数を表す。］とＮ_２が含有されている混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＯＣＶＤ法により化合物半導体膜が形成された基板に残存する反りを十分に低減することの可能な気相成長方法、及び気相成長方法により形成された化合物半導体膜を提供することを課題とする。
【解決手段】化合物半導体膜１２を成膜後に、基板１１の温度を下げる降温工程、及び／又は化合物半導体膜１２を気相成長後に基板１１の温度を上げる昇温工程と、を有し、降温工程及び／又は昇温工程では、反応炉１６内への気相成長原料（原料ガス）の導入を停止すると共に、反応炉１６内への不活性ガスの導入を段階的に減少させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上のＡｌＮ下地層の上面における凹凸をマスクするように平滑な上面を有する高Ａｌ組成比のＡｌＧａＮ層形成し、ＡｌＮ下地層の表面凹凸に起因するＶ字欠陥を上面に含まない窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハ（１０）は、Ｓｉ基板上（１）にＭＯＣＶＤで順次積層されたＡｌＮ下地層（２）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０．６≦ｘ＜１）のモフォロジー改善層（３）、ＡｌＧａＮバッファ層（４）を含み、そのモフォロジー改善層（３）は熱拡散を利用して平滑化された上面を有することと特徴としている。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で熱処理を行う基板処理装置において、排気コンダクタンスの低下や副生成物の形成を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させる。
【解決手段】基板が搬入され処理される処理室と、処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、処理室へ接続され処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、ガス排気配管において排気ポートと真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、排気ポートと圧力制御バルブとの間に設けられ排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備えた基板処理装置において、排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにする。 （もっと読む）

【課題】縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。
【解決手段】複数の基板１４を処理する反応室４４と、反応室４４を囲むように設けられる加熱部４８と、複数の基板１４を保持して反応室４４内に載置されるボート３０と、反応室４４内に設置され、複数の基板１４に向かって成膜ガスを供給する複数のガス供給口を有するガス供給ノズル６０，７０と、反応室４４内の雰囲気を排気する排気口９０，３９０と、ボート３０の側面を挟むように設けられた整流壁と、ガス供給ノズル６０，７０の上端より上方に設けられ、前記複数のガス供給口からボート３０の上端より上方の空間を通って排気口９０へ向かう流路に設けられたガス流抑止部３１０と、を具備する装置とする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。このとき、キャリアガスの流量を５０ｓｌｍ以上にし、原料ガスとしてモノシランの流量を２０ｓｃｃｍ以下にし、成長装置の前記炭化珪素単結晶基板１００が配置された空間の圧力を１００ｍｂａｒ以上にすることにより、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）