【課題】ポリイミドの炭化を防止でき、成膜容器内にパーティクルが残ることなくポリイミドを除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸二無水物よりなる第１の原料を気化させた第１の原料ガスと、ジアミンよりなる第２の原料を気化させた第２の原料ガスとを成膜容器６０内に供給することによって、成膜容器６０内に搬入している基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置１０におけるクリーニング方法であって、成膜容器６０内を酸素雰囲気にした状態で、成膜容器６０を加熱機構６２により３６０〜５４０℃の温度に加熱することによって、成膜容器６０内に残留しているポリイミドを酸化して除去する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】膜中の有機成分の脱離による大きな体積収縮を抑制し、クラックなどの構造破壊を抑制することのできる光薄膜形成技術を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、前記処理室に有機シリコン系ガスを供給し、前記有機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記処理室に無機シリコン系ガスを供給し、前記無機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、を備えるように半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制することが可能な気化装置を提供する。
【解決手段】液体原料６０をキャリアガスにより気化させて原料ガスを形成する気化装置１２において、気化室９４が形成された気化容器９６と、中央に液体原料を噴射する液体原料用ノズル１２２を有し、液体原料用ノズルの外周に同心状にキャリアガスを噴射するキャリアガス用ノズル１２４を有して原料ガスを形成する噴射ノズル部６４と、噴射ノズル部より液体原料の噴射方向に沿ってその開き角度が鋭角で広がって行き気化室に向けて開放されたガス拡散抑制領域１３０を形成するガス拡散抑制ブロック１００と、原料ガス出口８４とを備える。これにより液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むＺｒ化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のダメージを取り除くためのエッチング工程における表面の荒れを抑制する。
【解決手段】反応室を昇温すると共に、反応室が第１温度となった後に複数の基板に第１エッチングガスを供給する第１エッチング工程と、反応室が第１温度より高い第２温度となった後に、第１エッチングガスと共にシリコン原子含有ガスを複数の基板に向けて供給する第２エッチング工程と、反応室が第２温度より高い第３温度となった後に、シリコン原子含有ガス、及び、炭素原子含有ガスを複数の基板に向けて供給し、複数の基板に炭化珪素膜を形成する第１成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン１１と、単結晶シリコン１１の表面に形成された、開口部１２ｈを有するマスク材１２と、単結晶シリコン１１の開口部１２ｈから露出した部分に形成された炭化シリコン膜１３と、炭化シリコン膜１３及びマスク材１２を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜１４と、を含み、マスク材１２の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０^５Ｐａ・ｓ以上１０^１４．５Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】放射温度計の故障およびパラメータ設定ミス等を検知できる基板処理装置と基板製造方法を提供する。
【解決手段】基板が配置される処理室と、処理室又は加熱部の温度を検出する第１放射温度計６３０ｂ、第２放射温度計６３０ａ、及び、第３放射温度計６３０ｃと、第１放射温度計による第１検出結果、第２放射温度計による第２検出結果、第３放射温度計による第３検出結果が入力され、加熱部を制御する温度制御部と、を具備し、温度制御部は、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第２放射温度計による第２検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断し、かつ、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第３放射温度計による第３検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断した場合、第１放射温度計が故障している判断する。 （もっと読む）

【課題】効率的に高品質な膜を成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台３４と、支持台３４の上方側を覆って支持台３４との間に小容積領域Ｓを形成可能な第一の位置および第一の位置と異なる第二の位置に移動可能であって、成膜ガスを供給する第一のガス供給孔６８が一方面側に開口するように設けられている板状のヘッド部６２を有し、成膜ガス等の供給を行うガス供給機構６１と、支持台３４上に支持された被処理基板Ｗの外方側に設けられたガス排気孔７０を有し、ガスの排気を行うガス排気機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】III族原料ガスとＶ族原料ガスとを用いて基板上に窒化物系半導体層を気相成長させる気相成長装置が提供される。気相成長装置は、基板が配置される反応室と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか一方を基板に向けて供給する第１ガス供給部と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか他方を基板に向けて供給する第２ガス供給部と、を備える。第１及び第２ガス供給部の少なくともいずれかは、III族及びＶ族原料ガスを混合する混合部を有する。ガス供給部は、III族及びＶ族原料ガスの一方を供給して第１半導体層を成長させる動作と、混合されたガスを供給してIII組成比が第１半導体層とは異なる第２半導体層を成長させる動作と、を切り替え可能である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でＳｉＨ_４ガスなどのガスの濃度を測定することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、レーザ光照射窓を備える成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスに希ガスを添加する希ガス添加部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、レーザ光照射窓から成膜容器の内部にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光照射部から照射されたレーザ光による、成膜容器の内部の空間の応答を検出する検出部と、検出部が検出した結果に基づいて、原料ガス供給部が供給する原料ガスの流量を制御する制御部と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】処理室下部（炉口部）の熱的ダメージによる部材の劣化が成膜に影響を与えたり、歩留まりを悪くしたりすることを防止し、高品質な成膜が可能であり、生産性の高いＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室と、該処理室内を所望の温度迄加熱する加熱手段と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に立設されたガス供給ノズルと、前記処理室の下部を形成するマニホールドとを有し、前記マニホールドの壁部には、処理室の下部を冷却する水路を有する。 （もっと読む）

【課題】波長２４０〜３００ｎｍの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を［Ｏ］ｃｍ^−３、炭素原子の濃度を［Ｃ］ｃｍ^−３としたときに、下記式（１）の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
［Ｏ］−［Ｃ］ ＞ ０ （１） （もっと読む）

【課題】 基板表面や対向面の状態によらず、形成するシリコン膜の表面の平坦性を向上させる。
【解決手段】 基板が収容される処理室と、処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、処理室内に少なくともホウ素含有ガスを供給するホウ素含有ガス供給系と、基板が収容された処理室内にホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させた後、シリコン含有ガス供給系からシリコン含有ガスを供給させると共に、ホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給させ、改質された基板の表面上にシリコン膜を形成するよう制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】得られる膜の品質を向上できると共にプラズマ処理が基板に及ぼす影響を低減できるプラズマ処理方法、膜形成方法、半導体デバイスの製造方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のプラズマ処理方法は、基板Ｗ上に吸着された第１層Ａ１に対して、第１圧力Ｐ１下で第１プラズマ処理を施す工程と、第１プラズマ処理を施された第１層Ｌ１上に吸着された第２層Ａ２に対して、第１圧力Ｐ１より低い第２圧力Ｐ２下で第２プラズマ処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を下地基板とし、基板サイズに比して問題ない程度に反りが抑制され、半導体素子の作製に好適なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板が、シリコン単結晶からなる下地基板と、下地基板の上に形成された複数のIII族窒化物層からなるIII族窒化物層群と、を備えており、下地基板が、所定のｎ型ドーパントが添加されてなることでｎ型の導電性を有し、かつ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下であり、複数のIII族窒化物層がそれぞれ、少なくともＡｌまたはＧａを含み、エピタキシャル基板の反り量をＳＲ（単位：μｍ）、窒化物層群の総膜厚をｔｅ（単位：μｍ）、下地基板の膜厚をｔｓ（単位：ｍｍ）、下地基板の直径をｄｓ（単位：ｍｍ）とするときに、規格化反り指数ＫがＫ＝｛（ＳＲ／ｔｅ）×（ｔｓ／ｄｓ）²｝≦１×１０^-3なる関係式をみたすようにする。 （もっと読む）

【課題】インジェクター本体の長さ方向に均一な濃度のガスを供給することの可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の基板に２種類の反応ガスを順番に供給して薄膜を形成する成膜装置は、基板を載置するために設けられ、回転テーブルの回転方向に互いに離れて配置された基板載置領域と、分離ガス供給手段を備えた分離領域とを備える。真空容器に反応ガスを供給するガスインジェクターは、ガス流路を構成するインジェクター本体の壁部に、その長さ方向に沿って配列された複数のガス流出孔と、前記インジェクター本体の外面との間にスリット状のガス吐出口を形成するように設けられ、ガス流出孔から流出したガスをガス吐出口に案内する案内部材と、を備える。このガスインジェクターは前記回転テーブルの移動路と交差する方向に伸び、且つ前記ガス吐出口を当該回転テーブルに対向させて配置されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ１４の搬送において、移載禁止されたスロットに移載しないで、前記移載禁止されたスロット以外のスロットにウェーハ１４を保持させてボート３０に対するウェーハ１４の搬送を実現する。
【解決手段】ウェーハ１４を載置部に保持するボート３０と、複数のスロットにウェーハ１４を配置するポッド１６と、複数枚又は一枚のウェーハ１４を搬送するように構成されている基板移載機２８と、特定の載置部に移載禁止指定を受けつけると、複数枚または一枚のどちらか選択しながら前記ウェーハ１４を前記特定の載置部を除く他の載置部に保持させつつ前記ボート３０に移載させるコントローラ１５２を有する。 （もっと読む）