【課題】回転テーブルに載置した基板を速やかに昇温させることができる技術を提供すること。
【解決手段】複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向において処理領域の間に位置する分離領域と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備える基板処理装置において、前記回転テーブルは、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成される。これによって加熱部から基板への熱伝導性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】薄厚化されても高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ上にゲッタリング用の原子を含む原料ガスを供給し、引き続きエピタキシャル膜の原料ガスを供給してエピタキシャル膜を成長させ、シリコンウェーハとエピタキシャル膜との間に、ゲッタリング用原子を含むゲッター領域を形成し、該ゲッター領域が固溶限を超える濃度のゲッタリング用原子を含有するようにする。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性を高くすることが可能なシャワーヘッド装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Ｗを収容する処理容器４内へガスを導入するシャワーヘッド装置４６において、内部にガスを拡散させるガス拡散室４８が形成されたシャワーヘッド本体５０と、シャワーヘッド本体のガス噴射板５２に設けられた複数のガス噴射孔５４とを有し、複数のガス噴射孔は、ガス噴射板の中心部を中心として仮想的に形成される複数の螺旋状の曲線８４に沿うように配置されている。これにより、ガスを平面方向へ均一に分散させて、膜厚の面内均一性を高くする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０とウエハＷとの間に接地された導電材からなるファラデーシールド９５を設けると共に、プラズマ発生部８０において発生する電磁界のうち電界については遮断すると共に、磁界については通過させるために、アンテナ８３の長さ方向に対して直交する方向に伸びるスリット９７を当該アンテナ８３に沿って前記ファラデーシールド９５に形成して、各々のスリット９７の長さ方向における一端側及び他端側に、アンテナ８３の長さ方向に沿うように導電路９７ａ、９７ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器１内において、ＢＴＢＡＳガスが供給される処理領域Ｐ１とＯ_３ガスが供給される処理領域Ｐ２を、水平面に沿って回転する回転テーブル２の周方向に沿って配置する。前記処理領域Ｐ１のＢＴＢＡＳガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル２の外側に設けられた排気口６１を設けると共に、この排気口６１を覆い、基板載置領域２４の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト７を設ける。この排気ダクト７には、基板載置領域２４の少なくとも内縁側の位置に第２の排気用開口部が設けられており、第１の処理ガスノズル３１から吐出されたＢＴＢＡＳガスは、この第２の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハＷの径方向に高い均一性を持ってＢＴＢＡＳガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ８の座ぐり部８ａに基板７を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板７の上にＳｉＣ膜３０１を形成する（第１の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、基板７が取り除かれたサセプタ８を回転させながら、サセプタ８の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ８の座ぐり部８ａからその周縁部８ｂに至る段差部８ｃに形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第２の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ８の上に形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第３の工程）。第１の工程と第２の工程を繰り返した後に第３の工程を行う。 （もっと読む）

【課題】透明性と導電性とを兼ね備える実用的な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】透明導電性部材１は、基材２、グラフェン層４、並びに前記基材１と前記グラフェン層４との間に介在する反射防止層３を備える。前記反射防止層が、反応性硬化型樹脂組成物の硬化物で構成される一又は複数の層を備える。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板２１６をチャンバ２１０内に配置し、一つ以上のプロセスガスをチャンバ２１０内に流入させ、プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより、一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成させ、基板２１６上に膜を堆積させ、該プラズマ源電力を堆積後に該第１電力レベル以下に逓減させる。 （もっと読む）

【課題】基板面内において均一な膜組成で薄膜を形成することができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、基板中央の温度（第１の温度）よりも基板周縁の温度（第２の温度）を高温に維持して成膜するようにしている。このような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できる高蒸気圧成分の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するガス種の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１３を中央部に有する基材１２ａと、この基材１２ａの下面を被覆する薄膜１２ｂとを有し、薄膜１２ｂの表面は、基材１２ａの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段８により加熱されて遮蔽板１２が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板１２の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層全体の膜厚を抑制しつつ、半導体素子の高い性能と信頼性を両立することのできる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板１２と、基板上に形成される化合物半導体の第１の半導体層１６と、第１の半導体層上に形成され、第１の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい、化合物半導体の障壁層１８と、障壁層上に形成され、障壁層よりもバンドギャップエネルギーの小さい化合物半導体の第２の半導体層２０と、第２の半導体層上に形成され、第２の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい化合物半導体の第３の半導体層２２とを有することを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハＷの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置１であって、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１２を中央部に有して、この開口部１２を中心に同心円状に複数のリング板１６，１７，１８に分割された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】経時劣化が少なく、低損失（バリガ性能指数が１．５ＧＷ／ｃｍ²以上）の窒化ガリウム整流素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム整流素子１は、ｐｎ接合を形成するｐ型窒化ガリウム系半導体層及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を備え、前記ｐ型窒化ガリウム系半導体層のキャリアトラップ準位密度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下、又は前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層のキャリアトラップ準位密度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】ライナの割れを抑制しつつ、基板を効率よくかつ細かい温度制御で加熱することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の内壁１ａと空間Ａを仕切るライナ２と、基板７を下方から加熱する主ヒータ９と、ライナ２と内壁１ａの間に配置されて、基板７を上方から加熱する補助ヒータ１８とを有する。主ヒータ９と補助ヒータ１８は、いずれも抵抗加熱型のヒータである。補助ヒータ１８は、第１の補助ヒータ１８ａと、第２の補助ヒータ１８ｂと、第３の補助ヒータ１８ｃとを有する。第１の補助ヒータ１８ａは、主ヒータ９と共同して基板７を加熱する。第２の補助ヒータ１８ｂと第３の補助ヒータ１８ｃは、第１の補助ヒータ１８ａより低い出力でライナ２を加熱する。 （もっと読む）