【課題】トレンチをエピタキシャル膜にて埋め込んで半導体基板を製造する上においてトレンチ開口部の塞がりの抑制と成長速度の向上の両立を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ^＋シリコン基板１の上に形成したｎ型エピタキシャル膜２に、複数のトレンチ４を、トレンチ幅Ｗｔよりも、隣接するトレンチ４間の間隔Ｌｔを大きく形成する。トレンチ４内を含めたエピタキシャル膜２上に、エピタキシャル膜２の不純物濃度よりも高濃度なｐ型エピタキシャル膜２３を、少なくともトレンチ４の埋め込みの最終工程において、ｐ型エピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いて成膜し、トレンチ４の内部をｐ型エピタキシャル膜２３で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエットクリーニングによらず、ＭＯＣＶＤ装置の処理容器内を短時間に、かつ低温で清浄化する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により窒化物半導体を成膜するＭＯＣＶＤ装置の処理容器内の付着物に、水素ラジカル又はハロゲンラジカルを作用させることにより、前記付着物を揮発成分に変化させて前記処理容器の外部へ排出させる。水素ラジカル又はハロゲンラジカルは、処理容器の内部でクリーニングガスのプラズマを生成させたり、クリーニングガスへレーザー照射したりする方法で発生させてもよく、処理容器の外部で発生させて処理容器内へ導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップにより、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜の気相成長において、一度に処理する基板の枚数を増大させ、生産性を向上させることができる膜の形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】縦型バッチ処理室２０１内の基板処理領域２０６２に複数の基板が搬入される工程と、前記処理室内の前記基板処理領域が加熱維持され、前記処理室内の前記基板処理領域外に設けられた第一ガス供給口９３１から窒素含有ガスが供給され、前記第一ガス供給口９３１よりも前記基板処理領域側に設けられた第二，第三，第四，第五ガス供給口９３５，９３６，９３７，９３８から金属含有ガスが供給され、前記複数の基板に窒素及び金属からなる窒化物半導体膜が形成される工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光透過性の高い基板を使用する場合であっても、基板の配設状態を検知可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する反応室と、前記基板が載置された基板ホルダを保持すると共に基板処理中前記反応室内に配置される基板保持具１２と、前記基板が前記基板ホルダに載置された状態で該基板ホルダの搬送を行う基板移載機１１とを具備し、基板移載機１１は前記基板ホルダを保持するアーム１３と、光を投光する第１の投光部と該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部を有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサはアーム１３が正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置される。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好なIII族窒化物半導体単結晶を製造できるサセプタを提供する。
【解決手段】基材５１と、立設部（種結晶保持部）５２とを備える種結晶保持材５において、基材５１表面と、種結晶保持部５２表面とが異なる材料で構成され、基材５１の表面は、立設部５２表面よりも、III族窒化物半導体多結晶が付着しやすい材料で構成されており、立設部５２は、基材５１の表面に設けられ、基材５１の表面から立設部５２が突出している。立設部５２は、基材５１に対し着脱可能であってもよいが、着脱できないものであってもよい。立設部５２の先端面で種結晶２を保持する。基材５１の立設部５２側表面であって、少なくとも立設部５２の基端部側の周囲の部分（被覆材料５１２）は、種結晶２と同種のIII族窒化物半導体で構成される。 （もっと読む）

【課題】複数のタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面１０ｍを有するタイル基板１０を複数準備する工程と、タイル基板１０の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が３以下であるように、複数のタイル基板１０を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のタイル基板１０の主表面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法において、１１００℃以下の結晶成長温度で、大型のＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位の主表面１ｍおよび複数の側表面１ｓを有するＧａＮ種結晶基板１を複数準備する工程と、複数のＧａＮ種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置する工程と、配置された複数のＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に、ハイドライド気相成長法により、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程と、を備え、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程において、結晶成長温度を９８０℃以上１１００℃以下とすることにより、ＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に成長するそれぞれの部分結晶１０ｕが一体化するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造の多層プロセスにおいて、劣悪な平坦性は、ホトリソグラフィー工程で問題を惹起し得る。特に初期の堆積ステップにおける劣悪な平坦性は、半導体デバイス製造のより高い層を通じて増幅される傾向がある。この点を改良した半導体デバイス製造工程初期のブランケット層の堆積方法を提供する。
【解決手段】ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含み、ＳｉＧｅ膜３０をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板１０上に流し、パターンの有無に関わらず、基板１０上にエピタキシャルＳｉＧｅを堆積させる方法に依り、平坦性の優れたブランケット層３０を堆積する。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の劣化を抑制することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置４０は、内部を真空状態に維持可能であってウエハ１４を処理する処理容器４２と、処理容器４２内であって少なくともウエハ１４の載置領域を囲むように設けられる被加熱体６０と、処理容器４２内壁と被加熱体６０との間であって、被加熱体６０を囲むように設けられる断熱体６６と、被加熱体６０内にガスを供給する第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０と、処理容器４２の外側に設けられ、被加熱体６０を誘導加熱する磁気コイル６２と、被加熱体６０内に設けられ、第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０から供給されたガスと被加熱体６０との接触を抑制する保護壁９４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウエハなどの基板にＳｉ、ＳｉＧｅなどの半導体膜を選択成長にて成膜する際の、膜形状を平坦化させる。
【解決手段】絶縁体面間に半導体面が露出された第一基板の対向面に絶縁体面が露出された第二基板を配置した状態で反応室内へ搬送する第一工程と、前記反応室内を加熱するとともに前記反応室内へ少なくともシリコン含有ガスと該シリコン含有ガスとは異なる塩素含有ガスとを供給して、少なくとも前記第一基板の半導体面に選択的に平坦な表面を有するシリコン含有膜を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた制御性および再現性を実現しつつ、結晶中の面内方向および膜厚方向に均一に珪素が高濃度にドーピングされたＩＩＩ族窒化物結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板を準備する工程と、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて該下地基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる成長工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、前記成長工程で結晶成長炉にさらにハロゲン元素含有物質及び珪素含有物質を同一の導入管から供給するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の種結晶基板を用いて表面にピットを発生させることなく大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、複数の種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置し、それらの種結晶基板１の主表面１ｍ上に、液相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる第１の結晶成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる第２の結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接しており、前記段差の高さが０．１〜５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】複数の導入管を通じてガス導入が行える半導体製造装置において、薄膜の膜厚、濃度の面内分布をより均一化できるようにする。
【解決手段】チャンバー１５に対して複数のガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅを接続し、各ガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅに対してフローメータ２５４ａ〜２５４ｅを備えた構成とする。これにより、ガスの導入場所に応じて独立してガス流量を制御でき、半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を同時に均一化することが可能となる。特に、バッチ処理を行う場合にも、多数の半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を均一化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】性能を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含むＳｉＣ半導体を準備する（ステップＳ１〜Ｓ３）。ＳｉＣ半導体の第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する（ステップＳ４）。第２の表面上にＳｉ元素を含む膜を形成する（ステップＳ５）。Ｓｉ元素を含む膜を酸化することにより、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）