【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室２０１と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源２４０と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部２８０と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。
【解決手段】金属原料Ｍを収容する原料容器１と、原料容器１内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスＧ１を供給する、原料容器１に設けられたガス供給口２と、塩素系含有ガスＧ１に含まれる塩素系ガスと金属原料Ｍとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスＧ２を原料容器１外に排出する、原料容器１に設けられたガス排出口２と、原料容器１内の金属原料Ｍの上方の空間Ｓを仕切って、ガス供給口２からガス排出口３へと続くガス流路Ｐを形成する仕切板６とを備え、ガス流路Ｐは、ガス供給口２からガス排出口３へと至る一通りの経路Ｒとなるように形成され、ガス流路Ｐの水平方向の流路幅Ｗが５ｃｍ以下であり、且つガス流路Ｐには屈曲部Ｅを有する金属塩化物ガスの発生装置である。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力が一定に保たれないことを原因とする基板処理不良を生じにくくし、より良好な基板処理を可能とする。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された処理室内に反応ガスを供給し、処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程とを有する半導体処理方法において、基板を処理する工程では、処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、処理室内部の圧力と処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力が処理室外部の圧力よりも小さい場合に、反応ガスを前記処理室内へ供給するようにする。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のＳｉ濃度を安定に制御することができる、第１３族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層を成長させる際の高温状態で基板の載置位置の偏心量を高精度に簡便に評価でき、コストの増加を抑制できる偏心量の評価方法、及びこの評価方法で評価した偏心量に応じて基板の載置位置を補正することによって、膜厚均一性を向上できるエピタキシャルウェーハを製造することを目的とする。
【解決手段】基板にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハの製造における、サセプタに載置する前記基板の載置位置の偏心量の評価方法であって、基板を室温で複数の貫通孔を有するサセプタ上の載置位置に載置する工程と、エピタキシャル層を成長させる温度でエッチングガスを導入することによりサセプタ上に載置した基板の裏面にサセプタ貫通孔パターンを転写する工程と、基板の裏面に転写したサセプタ貫通孔パターンの位置を測定して、基板の載置位置の偏心量を評価する工程とを有することを特徴とする偏心量の評価方法。 （もっと読む）

【課題】ビューポートが汚れることにより、放射温度計による正確な温度測定ができなくなることを抑制する。
【解決手段】複数枚の基板を保持するボートと、ボートを囲む様に設けられ反応室を構成する筒状発熱材と、筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管と、筒状発熱材と反応管との間に設けられた筒状断熱部と、筒状発熱材と筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップと、温度測定用チップからの放射光が入射されることにより温度を測定する放射温度計と、温度測定用チップと放射温度計との間に設けられ、温度測定用チップからの放射光を透過するビューポートと、筒状発熱材と筒状断熱部との間の間隙に設けられ、ビューポートに向けて不活性ガスを供給する第１ガス供給口を有するブローノズルと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】表面処理時では被処理物以外の箇所に副生成物が堆積することを抑制し、クリーニング処理時では堆積した副生成物が効率的に除去される表面処理装置を提供する。
【解決手段】筐体部１０内に設けられる円筒状の試料保持台１２上の基板１８に対して表面処理に利用される原料流体が供給される際には、試料保持台１２の側方周囲に設けられる隔壁１４は、試料保持台１２の側面を覆う位置に移動し、基板１８に対して筐体部１０内のクリーニング処理に利用されるクリーニング流体が供給される際には、隔壁１４は、試料保持台１２の側面が露出する位置に移動する表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】高特性かつ手頃な価格の複合ＧａＮ基板およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合ＧａＮ基板１は、比抵抗が１Ωｃｍ未満の導電性ＧａＮ基板１０と、導電性ＧａＮ基板１０上に配置された比抵抗が１×１０⁴Ωｃｍ以上で厚さが５μｍ以上の半絶縁性ＧａＮ層２０と、を含む。本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス２は、上記の複合ＧａＮ基板１と、複合ＧａＮ基板１の半絶縁性ＧａＮ層２０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、ガリウム原子を含有する有機金属化合物ガスとアンモニアガスとを前記処理室内に供給し、初期膜を形成する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内にガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】放射温度計の故障およびパラメータ設定ミス等を検知できる基板処理装置と基板製造方法を提供する。
【解決手段】基板が配置される処理室と、処理室又は加熱部の温度を検出する第１放射温度計６３０ｂ、第２放射温度計６３０ａ、及び、第３放射温度計６３０ｃと、第１放射温度計による第１検出結果、第２放射温度計による第２検出結果、第３放射温度計による第３検出結果が入力され、加熱部を制御する温度制御部と、を具備し、温度制御部は、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第２放射温度計による第２検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断し、かつ、第１放射温度計による第１検出結果に基づく温度と第３放射温度計による第３検出結果に基づく温度とを比較し、所定の温度より差が離れていると判断した場合、第１放射温度計が故障している判断する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のダメージを取り除くためのエッチング工程における表面の荒れを抑制する。
【解決手段】反応室を昇温すると共に、反応室が第１温度となった後に複数の基板に第１エッチングガスを供給する第１エッチング工程と、反応室が第１温度より高い第２温度となった後に、第１エッチングガスと共にシリコン原子含有ガスを複数の基板に向けて供給する第２エッチング工程と、反応室が第２温度より高い第３温度となった後に、シリコン原子含有ガス、及び、炭素原子含有ガスを複数の基板に向けて供給し、複数の基板に炭化珪素膜を形成する第１成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ボートの変形を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置において、前記ボートを、天板と底板と補強板と複数の上側支柱と複数の下側支柱とを有し、前記天板と前記補強板を前記上側支柱で連結し、前記補強板と前記底板を前記下側支柱で連結するように構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１４を内周側で保持するホルダベース１１０と、ホルダベース１１０の外周側を保持するホルダ保持部ＨＳを有する各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを備え、ホルダベース１１０の外径寸法をウェーハ１４の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース１１０をホルダ保持部ＨＳから取り外せるようにした。ホルダベース１１０と各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース１１０および各ボート柱３１ａ〜３１ｃをＳｉＣ等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース１１０によって、各ボート柱３１ａ〜３１ｃからウェーハ１４を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行なわれるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なＳｉＣエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第１のガス供給系と第２のガス供給系を設け、第１のガス供給系からアルゴン（Ａｒ）ガス、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）ガス、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスの一部および塩化水素（ＨＣｌ）ガスを供給し、第２のガス供給系から残りのプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスと水素（Ｈ_２）ガスを供給している。 （もっと読む）

【課題】各ガス供給口から供給される反応ガスの流れを略均一化して、各基板をばらつくこと無く成膜する。
【解決手段】各ガス供給ノズル６０，７０に、各ガス供給口６８，７２からの反応ガスの供給方向に延在し、かつ各ガス供給口６８，７２の第１ガス排気口９０側に各整流板６９，７３を設けた。これにより、各ガス供給口６８，７２から噴射（供給）された反応ガスが、第１ガス排気口９０に向けて直接流れてしまうことを抑制でき、ひいては反応ガスの流れを各ウェーハ１４に向けて略均一化して、各ウェーハ１４をばらつくこと無く成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ１４を処理（熱処理）する反応管４２（マニホールド３６）と、反応管４２内を加熱する加熱体４８と、反応管４２内に設けられ、各ウェーハ１４の積層方向に延びる第１ガス供給ノズル６０と、第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａから先端部６０ｂに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ１４に向けてＳｉ原子含有ガス（成膜ガス）およびＣｌ原子含有ガス（エッチングガス）を供給する第１ガス供給口６８と、第１ガス供給ノズル６０の先端部６０ｂに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板６１とを備えている。これにより、最上段の第１ガス供給口６８の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第１ガス供給口６８を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）