【課題】有機金属気相成長炉において変動する成長条件の下で成長されるエピタキシャル膜の高純度化のための適切な指標を用いて、III族窒化物系化合物半導体を用いる電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０３において、ｎ型ＧａＮ基板１１上に窒化ガリウム系半導体層１３を成長する。工程Ｓ１０４では、イエローバンド波長帯を含む波長領域および窒化ガリウム系半導体層のバンド端に対応するバンド端波長を含む波長領域のＰＬスペクトルを室温で測定する。工程Ｓ１０６では、イエローバンド波長帯およびバンド端波長のフォトルミネッセンススペクトル強度を基準値と比較することによってエピタキシャル基板を選別して、選別済みエピタキシャル基板Ｅ１を作製する。工程Ｓ１０７では、選別済みエピタキシャル基板１３上に電子デバイスのための電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下を防止する。
【解決手段】シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。これにより、シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたＩｎＮを含む半導体層を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法および光電変換素子。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、ｐ型シリコン基板２上に、ガリウムヒ素を含む第１半導体層３を成長させる工程と、第１半導体層３を成長させたｐ型シリコン基板２を、リンを含む第１ガスの雰囲気内において第１温度で加熱することにより、第１半導体層３を経由させてｐ型シリコン基板２内にリンを拡散させる工程と、第１半導体層３上に、格子定数が、シリコンよりもガリウムヒ素に近い第２半導体層４を成長させる工程とを有する。そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ドレインリーク電流を低減することが可能な窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ヘテロ電界効果トランジスタ１の製造方法は、ドリフト層２０ａを支持基板１０上にエピタキシャル成長させる工程と、水素ガスをキャリアガスとして用いて、ｐ型半導体層である電流ブロック層２０ｂをドリフト層２０ａ上に１０００℃以上でエピタキシャル成長させる工程と、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス及びネオンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種のガスをキャリアガスとして用いて、コンタクト層２０ｃを電流ブロック層２０ｂ上にエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の手間を低減させ、プラズマＣＶＤ装置の稼動率を向上させながらも、被処理体の膜厚のばらつきを抑制できるノズルを提供する。
【解決手段】被処理体１の表面に成膜処理を施すプラズマＣＶＤ装置に取り付けられ、被処理体１が配置された放電空間に放電ガスおよび成膜ガスを供給し、放電ガスを供給する放電ガス流路１４と成膜ガスを供給する成膜ガス流路１６とを各別に設け、放電ガス流路１４の下流側の端部に、放電ガスを吐出する放電ガス吐出口１５を設けるとともに、成膜ガス流路１６の下流側の端部に、放電ガス吐出口１５から吐出される放電ガスを挟み込み又は包囲する領域に成膜ガスを吐出する成膜ガス吐出口１７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を維持するとともに、成膜速度を向上させることができるプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に原料ガスを供給する原料ガス供給口１１２と、前記原料ガスを排気する排気口１１４と、を備える成膜容器１１０と、前記成膜容器内に設けられ、基板Ｓを支持する基板支持部１２０と、前記成膜容器内に設けられ、前記原料ガスに曝され、複数の第１開口部１３５を備える第１電極１３０と、前記成膜容器内に設けられ、誘電体で覆われ、複数の第２開口部１４５を備える第２電極１４０と、プラズマを発生させるため、第１電極と第２電極とに高周波電力を印加する高周波電源１５０と、を備え、第２電極は第１電極に対して、前記原料ガス供給口から供給される原料ガスの下流側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。
【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体の核生成を均一にする。
【解決手段】ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第２のガス拡散室と、前記第２のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から成膜ガスが導入される第１のガス拡散室と、を介して、前記第１のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を２０００Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させて結晶性半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）

【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】装置構成を簡単化しつつ、複数の真空チャンバ内に交互にプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、N個の真空チャンバ（２−１〜２−３）の真空チャンバ壁（１５−１〜１５−３）と一方の極で接続される電源（１０）と、所定の周期でパルス信号を出力する発振器（１１）と、電源の他方の極及び発振器に対して互いに並列に接続され、電源から供給される電力を用いて増幅したパルス信号を真空チャンバ内に配置されたN個の電極（１４−１〜１４−３）の何れかへ出力するN個のパルス増幅回路（１３−１〜１３−３）と、少なくとも(N-1)個のパルス増幅回路と発振器の間にそれぞれ接続され、各時刻において一つのパルス増幅回路にのみパルス信号が入力されるように互いに異なる遅延期間だけパルス信号を遅延させる少なくとも(N-1)個のタイミング生成回路（１２−１〜１２−３）を有する。 （もっと読む）

【課題】電界強度を均一にし、且つ導入したガスの分布を均一にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】上部電極１１０と下部電極１１２が対向し、チャンバー壁１１４により覆われた処理室１０２と、処理室とは上部電極と絶縁物により隔てられ、チャンバー壁により覆われたライン室１０４とを有する。処理室は、シャワー板１１８、第１のガス拡散室１０６、分散板１１６、第２のガス拡散室１０８、上部電極内の第１のガス管１２０、第２のガス管１２２に接続され、第２のガス管は処理用ガス供給源１２４に接続されている。分散板は、上部電極の電極面に接続された上部電極内の第１のガス管のガス導入口と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部１３０と、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部１３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウェハの主面に平行な面内における素子特性のばらつきを抑えて、歩留まりを向上させる。
【解決手段】
本発明の炭化珪素半導体素子の製造方法は、（Ａ）炭化珪素ウェハ１０１と、炭化珪素ウェハ１０１の主面上に配置され、第１導電型の不純物を含む複数の第１導電型不純物領域１０５を有する第１炭化珪素層１１０とを備えた炭化珪素層付ウェハ１を用意する工程と、（Ｂ）第１炭化珪素層１１０の表面に炭化珪素をエピタキシャル成長させることによって、第２炭化珪素層１１５を形成する工程とを包含し、工程（Ｂ）において、複数の第１導電型不純物領域１０５の表面における第１導電型の不純物の濃度分布に基づいて、炭化珪素ウェハ１０１の主面に平行な面内で、第２炭化珪素層１１５の厚さ、不純物濃度、またはその両方に分布をもたせるように、エピタキシャル成長させる条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】高い膜密度を保ちつつ結晶性を高くした微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により混相粒５７ａを有する第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、その上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９をプラズマＣＶＤ法で形成する。第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第１の条件における原料ガスの供給は、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈したガスの供給と、当該ガスの堆積性気体の流量より低く、且つ絶縁膜上へのシリコンの堆積より絶縁膜上に堆積したシリコンのエッチングが優位となる堆積性気体の流量にしたガスの供給を交互に行うものである。 （もっと読む）