【課題】 表面にエピタキシャル成長される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を大幅に改善することができる化合物半導体基板を提供すること。
【解決手段】 化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。 （もっと読む）

処理空間に気体状の薄膜前駆体を導入し、処理空間の容積を第１の大きさから第２の大きさまで拡大して拡大処理空間を形成し、拡大処理空間に還元ガスを導入し、且つ還元ガスから還元プラズマを形成する、基板上での気相堆積のための方法、コンピュータ読み取り可能媒体、及びシステムが開示される。気相堆積用システムは処理チャンバーを含んでおり、処理チャンバーは、第１の容積を有する第１の処理空間を含み、更に、第１の処理空間を含み且つ第１の容積より大きい第２の容積を有する第２の処理空間を含む。第１の処理空間は原子層堆積用に構成され、第２の処理空間は第１の処理空間で堆積された層のプラズマ還元用に構成される。
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誘電体膜を硬化させる多段階システム及び方法。当該システムは、前記誘電体膜中の、たとえば水分のような汚染物の量を減少させるように備えられた乾燥システムを有する。当該システムはさらに、前記誘電体膜を硬化させるために、前記乾燥システムと結合し、かつ紫外(UV)放射線及び赤外(IR)放射線によって前記誘電体膜を処理するように備えられた硬化システムを有する。
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【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上する。
【解決手段】処理室３２に複数枚のウエハ１を搬入搬出するボート４３の保持部材４６に複数段のサセプタ電極４７を架設し、複数枚のウエハ１を複数段のサセプタ電極４７に対して一括して授受するウエハ授受装置５０を処理室３２外に設置する。ウエハ授受装置５０はウエハ１を授受する複数のウエハ受け５５と、複数のウエハ受け５５を一括して昇降させるエレベータ５３と、複数のウエハ受け５５を一括してサセプタ電極４７に対して接近離間移動させるリニアアクチュエータ５１とから構成する。プラズマ雰囲気がウエハ毎に生成されるので、プラズマ処理状況はウエハ面内およびウエハ相互間で均一になる。ウエハ授受装置は処理室外に設置され、処理室内に搬入されないために、処理室内が汚染されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】高周波印加用電極と加熱用ヒータとの間に設けた均熱管に流れる渦電流を抑制し、投入した高周波電力を有効にプラズマに変換できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する空間を形成する処理管２と、処理管２を外側から覆うように配置される均熱管１６と、均熱管１６の周囲に配置される加熱手段４と、処理管２と均熱管１６との間の空間に配置され、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極６、７と、を備えた基板処理装置であって、均熱管１６の少なくとも電極側の表面には凹凸部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】直径２インチのような大面積半導体基板を所望の温度速度で均一に加熱することができ基板加熱装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内に基板２を取り付け、レーザダイオードバーを複数積層して形成した半導体レーザ発振器１３よりの高出力半導体レーザ光をレーザ光集光手段１４によって集光して光ファイバ１５に通して均一な強度分布の円形レーザ光とした後光学レンズ装置１２により上記レーザ光を拡散してから基板２に照射して基板２を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 大面積基板処理チャンバを監視及び制御する装置及び方法の実施形態を提供する。
【解決手段】 処理チャンバ内で基板処理した後の膜特性を測定するために基板処理システムにおいて複数のタイプの計測ツールを取り付けることができる。処理チャンバ内で基板処理した後の膜特性を測定するために基板処理システムにおいて数種の具体的なタイプの計測ツールを取り付けることもできる。計測チャンバ、プロセスチャンバ、搬送チャンバ、又はロードロック内に計測ツールを取り付けることができる。 （もっと読む）

【課題】液体原料供給配管を洗浄する洗浄溶媒の使用量を減らし、液体原料供給配管の洗浄能力を高めることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４と、液体原料を気化する気化器３と、液体原料を気化器３に供給する液体原料供給配管１３と、液体原料を気化したガスを処理容器４内に供給する原料ガス供給配管１７と、液体原料供給配管１３に設けられ液体原料供給配管１３内の流体を排出する少なくとも１つの排出配管と、排出配管に設けられ排出配管のコンダクタンスを調整するコンダクタンス調整機構と、液体原料供給配管１３内に洗浄用溶媒を供給する溶媒供給機構２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】多数枚の被処理基板の表面に一度に成膜処理を施す際に基板間での良好な成膜均一性及び基板間に存在するガスの効率よいパージを可能とする処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板ｗを多段に搭載保持する保持具３と、該保持具３を収容して所定の処理ガス、温度及び圧力下で被処理基板ｗに所定の熱処理を施す処理容器４と、該処理容器４内に処理ガスを導入するガス導入部５と、処理容器４内を所定の圧力に真空排気する排気部６と、処理容器４を加熱する加熱部７とを備え、前記保持具３内には被処理基板ｗごとに隔壁板８で仕切られた処理空間１０が形成され、前記ガス導入部５は各処理空間１０にその一側からガスを導入するガス導入孔１１を有し、前記排気部６はガス導入孔１１と対向する側に各処理空間１０ごとに排気する排気孔１２を有している。 （もっと読む）

【課題】基板ピッチを広げることなく基板表面に傷が付くのを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板５４を処理する処理室４５と、処理室４５を加熱するヒータ４６と、処理室４５内で複数枚の基板を水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する支持具３０と、基板５４を支持具３０に対して搬送する基板搬送プレート３２とを有する。支持具３０は基板５４を１枚ずつ支持するリング状の支持板８０を複数備えており、それぞれの支持板８０の少なくとも基板搬送プレート３２が挿入される部分は、基板５４を支持板８０に載置した際に基板５４よりも外側の部分に位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜を成膜するプラズマ処理装置において、スループットを犠牲にすることなく、排気系への付着物の堆積を最小とし、ほとんどウェットクリーニングの必要のない、稼働率の高い装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、反応室１０１と排気ポンプ１２４とが排気配管１３２により相互に接続されると共に、前記排気配管には上流側から順に主排気弁１２２と圧力制御弁１２３とが設けられ、前記反応室１０１内でハイドロカーボンを含むガスをプラズマ化し、被成膜体に対してカーボンを含む膜を形成する。反応室１０１と主排気弁１２２との間には、反応室１１９が設けられ、反応室内において、反応室１０１からの排気ガスにプラズマ処理が行われると共に、酸化性のラジカルが発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜等を生成する際、副生成物であるノズル内のＡｌ膜等の成膜を抑えることができるようにする。
【解決手段】反応管２０３と、シリコンウエハ２００を加熱するヒータ２０７とを有し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とオゾン（Ｏ_３）とを、反応管２０３内に交互に供給してウエハ２００の表面にＡｌ_２Ｏ_３膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとＴＭＡとをそれぞれ流す供給管２３２ａ、２３２ｂと、反応管２０３内にガスを供給するノズル２３３と、を備え、２つの供給管２３２ａ、２３２ｂを、反応管２０３内のウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ２０７の内側に配置されたノズル２３３に連結させて、オゾンとＴＭＡをノズル２３３を介して反応管２０３内にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】金属汚染のみならず基板面内の膜厚均一性をも向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウェハ２００をプラズマＰで処理する処理室２０１と、処理室２０１に開口してウェハ２００を出入りさせるゲート２０５と、ゲート２０５を開閉するゲートバルブ２４４と、処理室２０１の内側をプラズマＰから保護する絶縁性の処理室ウォール２８０とを設ける。ゲートバルブ２４４を含むゲート２０５の内側に絶縁性のスクリーン２５０及びゲートウォール２５１を設け、プラズマＰから見たゲート２０５の電気インピーダンスを絶縁性の処理室ウォール２８０を設けた処理室２０１よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングするたびに行っていた成膜用ガスノズルの交換の時期を延長させ、基板処理装置のメンテナンス時コストを大幅に低減し、成膜用ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハなどの基板を処理する反応容器と、反応容器内に成膜用ガスを供給する成膜用ガスノズル４０（石英ロングノズルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）と、反応容器内にクリーニング用ガスを供給するクリーニング用ガスノズル４６とを有し、成膜用ガスノズル４０の内径または／および肉厚をクリーニング用ガスノズル４６よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置において、汚染された移載室の雰囲気を待機室内に取り込むことを回避し、且つ、タクト延伸とならずに、清浄な雰囲気（大気）をロードロック室内に取り込むことを可能にする。
【解決手段】 基板処理装置における基板を処理する処理室２０１と、該処理室の下方に配置される待機室（ロードロック室１４１）と、該待機室にゲートバルブ１４３を介して隣接し前記基板が搬送される移載室１２４と、前記待機室（ロードロック室１４１）に前記基板処理装置外から大気１６を導入する導入路１５と、該導入路内に少なくとも有機系ガス、および／ないし酸性ガス、および／ないしアルカリ性ガス除去フィルタ（ケミカルフィルタ２０）と除塵フィルタ（ガスフィルタ３０）とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】反応生成物を安全に、効率よく除去する半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応生成物５０を有する成長室１１、成長室１１に開閉自在に接続された処理室３１、及び成長室１１を気密に取り囲むグローブボックス３６内を同じ不活性ガス雰囲気にする工程と、反応生成物５０を成長室１１から処理室３１に移した後、処理室３１を閉じて、反応生成物５０を湿らせる工程と、湿らせた反応生成物５０を大気中に取り出す工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】冷却水を用いた場合の急激な炉口部の温度変化を、大掛かりな設備を必要とせず低コストで抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１と、ヒータ２０７と、処理室２０１内にガスを供給するガス供給口３２５と、ガス供給口３２５周辺の温度を検出する温度センサ３４０とを有し、ガス供給口３２５には第１のガス供給ライン３２１と第２のガス供給ライン３２２とが連通しており、第１のガス供給ライン３２１には加熱装置３３１が設けられ、第２のガス供給ライン３２２には温度センサ３４０の検出結果に基づいて流量を制御する流量制御装置３１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法を提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Ｈと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ＺＹの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Ｓを用い、低欠陥領域ＺＹにデバイスの内部が、欠陥集合領域Ｈに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層（上層部Ｂ）をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Ｓと成長層（上層部Ｂ）を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、サセプタ上に形成された被膜を効率的に除去し、リードタイムの短縮が可能な半導体製造装置と半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、被処理ウェーハ１を保持するためのサセプタ３が設置され、成膜ガスを導入して成膜を行なう成膜チャンバ２と、前記成膜の際に前記サセプタ３に形成された被膜を除去するエッチングチャンバ４と、前記被膜が除去された前記サセプタ３を一時保管する保管部５を備え、サセプタ３上に形成された被膜を効率的に除去し、リードタイムの短縮が可能としたものである。 （もっと読む）

【課題】 成膜プロセスに影響することなく、容易に反応副生成物を除去し、被処理半導体基板への汚染を抑制することが可能な半導体製造装置の清浄化方法を提供する。
【解決手段】 単体では成膜しない反応ガスを含む成膜ガスを導入して、半導体基板１上に成膜を行なう反応室３に、前記反応ガスを導入する工程と、前記反応室３を減圧し、前記反応室内の異物１０を核として前記反応ガスを凝固又は液化させて粒子１１を形成する工程と、前記粒子を前記反応室３より排出する工程を備える。 （もっと読む）