【課題】半導体プロセスの合間の半導体処理装置が使用されていない間に、一定間隔でRPUを点火することにより、運転コスト及びスループットを改善する。
【解決手段】半導体処理装置をクリーニングするために遠隔プラズマ装置を運転する方法は、(i)半導体処理装置がアイドリング状態であるか否かを検出する工程と、(ii)アイドリング状態が検出されれば、所定時間間隔の経過後に半導体処理装置をクリーニングするために遠隔プラズマ装置を点火する工程と、(iii)工程(ii)で遠隔プラズマ装置が点火されたか否かを検出する工程と、(iv)工程(ii)で遠隔プラズマ装置が点火されなければ、遠隔プラズマ装置の点火を再試行する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】
結合力の弱いアダクトを構造中に有する液体原料を気化する場合に於いて、気化過程でのアダクトの脱離を抑制し、安定に気化させて基板処理を行う。
【解決手段】
基板４を処理する処理室２と、アダクトを含有する液体原料を気化する気化器と、該気化器で前記液体原料を気化して得られた原料ガスを前記処理室に供給する原料ガス供給ライン１９と、前記気化器にアダクト蒸気を供給するアダクト蒸気供給ラインとを具備し、前記気化器はアダクト蒸気雰囲気下で前記液体原料を気化する様構成された。
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【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上させる。
【解決手段】ボート４３の保持柱４６に孔空き電極板５１と板状電極板５２と誘電体５３とを備えた電極体５０を各段のウエハ１に対応して架設する。孔空き電極板５１と板状電極板５２とは所定の間隔を置いた状態で誘電体５３によって包囲する。電極体５０は板状電極板５２がウエハ１のアクティブエリア側を向くように配置する。電極体５０の孔空き電極板５１と板状電極板５２との間には交流電力を印加する交流電源６１を整合器６２を介して並列に接続し、交流電力を供給する経路の途中には絶縁トランス６３を介設する。電極体５０のウエハのアクティブエリア側に沿面放電による均一で平坦なプラズマ５４を生成し、ウエハ１のアクティブエリア側の主面に均一なプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】放射温度計を用いた場合にあっても膜厚の面内均一性を高めることが可能なシャワーヘッド構造を提供する。
【解決手段】所定の処理を施すために加熱された被処理体Ｗを収容した処理空間４に対して処理ガスを供給するための複数のガス噴射孔２０Ａ，２０Ｂを有するシャワーヘッド構造１２において、前記ガス噴射孔に、放射温度計６６の光導入ロッド６８を挿通させて設けるように構成する。これにより、例えば成膜処理中に噴射される処理ガスにより上記光導入ロッドが覆われるようになり、この光導入面に薄膜が付着することを防止することができる。 （もっと読む）

一態様において、（１）望ましくない物質を有する流出物を生成する電子デバイス製造システムについての情報を提供し、流出物についての情報を提供するように適合されたインタフェースと、（２）流出物についての情報を受信し、流出物を受け、望ましくない物質を希釈するように適合された軽減システムとを有する装置が提供される。数多くのその他の態様が提供されている。
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【課題】詰りを生じ難くして排気トラップ全体で反応副生成物等を捕集出来る基板処理装置を提供する。
【解決手段】排気管と接続されたガス導入口５５ａから基板処理済みガスが導入され、この基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップは、前記ガス導入口５５ａからの前記基板処理済みガスの導入方向に略垂直な邪魔板５９と、前記ガス導入口５５ａから導入された前記基板処理済みガスを前記邪魔板５９の方向へ流れるように整流するとともに、前記邪魔板５９に衝突後の基板処理済みガスが通る基板処理済みガス流路の大きさを異ならせるように配置される複数の整流板（第１整流板６０Ａ、第２整流板６０Ｂ、第３整流板６０Ｃ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成空間を形成する１対の板状部材の長さに関わらず、ワークに対する処理を均一かつ安定的に行うことができるプラズマ装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ装置１は、プラズマを放出するプラズマ放出部２を備え、このプラズマ放出部２は、誘電体材料で構成され、ワーク１００のプラズマ放出部２に対する移動方向と直交しかつ被処理面１０１の法線方向と直交する方向に沿って互いに平行に配置され、それらの間にプラズマ生成空間２１を形成する１対の板状部材２３、２４と、板状部材２３、２４に固定され、プラズマ生成空間２１の少なくとも一部を板状部材２３、２４の長手方向に沿って複数の小空間に区画する区画部材２７と、１対の板状部材２３、２４間に電圧を印加する通電手段と、プラズマ生成空間２１に所定のガスを供給するガス供給手段２９とを備えている。区画部材２７は、スペーサとしての機能や整流効果を有する。 （もっと読む）

半導体薄膜工程内のガスを測定する装置が提供される。本装置は、薄膜工程の環境内に配置された光共振器と、ガスの特性周波数で光共振器を励起する同調可能レーザと、共振器内のエネルギーを検出する検出器とを含む。
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【課題】 ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内の基板面上に、ガス流の流速バラツキを抑制して供給可能な化学的気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給配管９０，９１から送入されるガスを受け入れて反応室内１００に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部１０，２０と、減速されたガス流を拡散放出する後段部４０，４１を有し、前段部が送入ガス流を衝突放散させる衝突放散構造部１１，２１と、放散されたガス流を放出口１４，２４に導き後段部に放出する誘導放出構造部１２，２２を備え、衝突放散構造部がガス供給配管に接続する送入口１３，２３より大きく開口して誘導放出構造部に連通する開口部を有する一部開口空間を内包する開放壁構造を備え、誘導放出構造部内のガス流路空間が平板状で容積が一部開口空間より大きく、平板状の広がり方向の端面の一部に放出口を備える。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内の基板面上に、ガス流の流速バラツキを抑制して供給可能な化学的気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給配管９０，９１から送入されるガスを受け入れて反応室内１００に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部１０，２０と、減速されたガス流を拡散放出する後段部４０，４１を有し、後段部が、ガス流の流線が４５度以上屈曲する屈曲個所を２個所以上有する屈曲した平板状のガス流路空間４２〜４６を有し、少なくとも１ヶ所以上の屈曲個所においてその上流側と下流側でガス流路空間のガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大している。 （もっと読む）

【課題】
基板処理１工程として、ハロゲン系ガスによる清浄化工程を含む場合に、ハロゲン種の迅速な除去を可能とし、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板８を処理室７に搬入する工程と、前記処理室に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、前記処理室より処理後の基板を搬出する工程と、前記処理室にハロゲン系ガスを供給して前記処理室をクリーニングする工程と、前記処理室に酸素ガスと水素ガスとを燃焼させて生成した水蒸気を供給して前記処理室の残留ハロゲン種を除去する工程とを有する。
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【課題】優れた特性を有する薄膜を効率よく製造することができる技術及び前記薄膜を基体上に成形した成形体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体上に薄膜を成膜する処理と、永久磁石により生成した磁場にマイクロ波を放射することにより生成したＥＣＲプラズマを薄膜に照射する処理とを別々に行って、基体上に成膜した薄膜に前記ＥＣＲプラズマを効率よく照射することにより、ＥＣＲプラズマを有効に利用して基体上に優れた特性を有する薄膜を効率よく製造することができる。 （もっと読む）

【課題】多元金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物などの多元金属化合物膜を、所望の構成金属且つ所望の組成比で容易に且つ効率的に作製する作製方法及び装置を提供する。
【解決手段】 基板３が収容されるチャンバ１の上部でハロゲンガスをプラズマ化してハロゲンガスプラズマを発生させ、降下するハロゲンラジカルＣｌ^＊により金属で形成した被エッチング部材１１ａ、１１ｂをエッチングすることにより金属成分とハロゲンとの前駆体を形成し、この前駆体の金属成分を基板に成膜させるに際し、前記被エッチング部材として、金属成分が異なると共に開口率を適宜調整した複数の被エッチング部材を上下方向に所定間隔で配置することにより、前記基板に所望の多元金属化合物を成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの端部近傍領域まで均一に加熱することが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、被処理ウェーハ１が導入される反応室２と、反応室２に反応ガスを供給するためのガス供給手段３と、反応室１より反応ガスを排出するためのガス排出手段４と、被処理ウェーハ１を外周部において保持するためのホルダー６と、ホルダー６を介して被処理ウェーハ１を回転させるための回転駆動手段５と、被処理ウェーハ１を下部より加熱するためのヒータ７と、ホルダー６を高周波誘導加熱するための誘導コイル８を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒータの設定温度の補正を充分に高い精度で行うことが出来る成膜装置の調整方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバ１０と、チャンバ１０内に配されたウエハ９０を加熱するヒータ２０とを備えており、ＡＬＤ法によりウエハ９０上に被形成膜を成膜するものである。成膜装置１においては、後述する調整方法によって、ヒータ２０の設定温度が補正されている。この調整方法は、概括すると、下記ステップ（ａ）および（ｂ）を含むものである。（ａ）被形成膜を構成する元素を含む原料ガスの反応が自己停止する、ヒータ２０の設定温度の範囲である自己停止温度範囲の上限値を取得するステップ（ｂ）上記上限値に基づいて、ヒータ２０の設定温度を補正するステップ （もっと読む）

【課題】 被処理物を移送する際にパーティクルが付着して汚染することを抑えることができるＣＶＤ装置などの成膜装置とパーティクルの制御方法を提供する。
【解決手段】 反応室１と、該反応室１に被処理物７を移送する搬送室２と、該反応室１に連なる真空排気系３とを有する成膜装置１００において、該反応室１は不活性ガス４を導入するガス導入口４１を有し、該搬送室２は室内の気圧を監視する圧力センサ５を有し、該真空排気系３は、第１の排気制御部３４を介して真空ポンプ３３に連なる主排気管路３１と、該主排気管路３１から分岐し第２の排気制御部３５を介して該第１の排気制御部３４をバイパスするバイパス排気管路３２とを有し、該第１の排気制御部３４が閉成されて該被処理物７が該反応室１と搬送室２との間を移送される際に、該反応室１に不活性ガス４が該ガス導入口４１から導入され、該圧力センサ５の静圧変動が起こらないように該第２の排気制御部３５が微調整されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高いシリコン酸化膜を形成できる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の反応室１において、アルキルシロキサン化合物５とオゾンとを、上記アルキルシロキサン化合物とオゾンとが熱反応分解によりシリコン酸化膜を形成する温度未満でかつ上記シリコン酸化膜の前駆体物質を生成する第１の温度で混合して、上記前駆体物質を含有する反応性ガスを得、第２の反応室２にはシリコン酸化膜を成膜したい基板６が載置され、上記反応性ガスを、上記アルキルシロキサン化合物とオゾンとが熱反応分解によりシリコン酸化膜を形成する温度以上の第２の温度にして、上記基板にシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】先駆物質素子を混合し、気化し、且つ高伝導性方式で遠隔処理環境に連絡するためのデバイス。サプライメーターが、圧電制御弁により先駆物質液体を受け入れ、混合マニホールドへの先駆物質液体流を制御するためにそれと連絡する。キャリヤガス供給装置と協同する蒸発器マニホールドが、混合マニホールドへの同時送出のためにキャリヤガスを提供する。蒸発器本体に供給された混合材料と協同する、混合マニホールドと連絡する少なくとも加熱素子を有する気化部品は、気化出力への液体先駆物質の相変化をもたらす。気化出口への送出は、気化本体から下流に位置決めされ、典型的には蒸発器マニホールド構成の中に構築された少なくとも一つの高コンダクタンスラン弁／排気弁と一緒に生じ、且つ遠隔プロセスチャンバへの蒸気の計量を提供する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置からのノイズの発生を低減させ、又配線上での電力損失を低減し、省エネルギ化を図る。
【解決手段】
基板を処理する為の処理炉２９、搬入された基板を前記処理炉に装入する為の搬送部４，６を有する装置本体１と、前記処理炉に電力を供給する電源部１３とを具備し、該電源部は少なくとも整合器８、フィルタユニット１０を有し、前記整合器、前記フィルタユニットは前記処理炉に近接して設けられると共に電気的に密閉された筐体１５に収納された。
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【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）