【課題】一度に成膜する多数のウエハの面内・面間の膜厚均一性向上を可能にする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理面に対して垂直方向に複数枚配置される基板を処理可能な処理室を内部に有する反応管２０３と、該反応管２０３の外周を囲うように設けられる加熱装置２０６とを備え、前記反応管２０３の内部で基板を処理する領域における前記反応管２０３の側面には少なくとも前記加熱装置２０６の外側まで達するガス導入管２３０が設けられており、該ガス導入管２３０には、該ガス導入管２３０から前記処理室にガスを噴出するガス噴出口２１２が前記基板処理面に対して垂直方向に少なくとも複数枚の基板に跨るような大きさでスリット状に設けられている。 （もっと読む）

【課題】パーティクル数を低減させて生産性を向上させた誘電体薄膜の製造方法及び誘電体薄膜の製造装置を提供するものである。
【解決手段】ターゲット表面を初期状態にするための目標ダミー間枚数Ｎｐを規定し、ダミー間枚数Ｎａが目標ダミー間枚数Ｎｐに到達するまで、誘電体薄膜の成膜処理を継続させた。そして、ダミー間枚数Ｎａが目標ダミー間枚数Ｎｐに到達するとき、後続する基板を成膜室に搬入する前に、成膜室にスパッタガスのみを導入してターゲットをスパッタさせるダミースパッタ処理を実行させた。 （もっと読む）

【課題】ガスの漏れを抑制することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、フローチャネル４と、フローチャネル４の下流側に接続されたフローチャネル５と、基板２１の上面がフローチャネル４の内部空間１１に露出するように基板２１を保持するためのサセプタ１７とを備えている。フローチャネル４の外周面４ａとフローチャネル５の内周面５ａとの隙間によって流路７が構成されており、かつ流路７は内部空間１１から反応容器９の内部空間８へ通じており、かつ流路７の幅Ｗは３ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】真空装置の駆動部に付着した堆積物を効果的に除去する。
【解決手段】ＰＭ４００またはＬＭＭ５００などの真空装置は、ウエハを処理または搬送するための室とその室に設けられた複数の駆動部と高電圧ＨＶを室に投入する高電圧電源４８５とガスを室に供給するガス供給部４４５と室内のパージガスを排気する排気機構４９０とを有している。真空装置は、ガス供給部４４５からパージガスを供給するとともに排気機構４９０から室内のパージガスを排気し、各駆動部の動作を繰り返し、各駆動部の動作を繰り返している間、またはその前またはその後の少なくともいずれかのタイミングにパージガスの圧力を所定の圧力以上に制御するか、または各駆動部の動作の前後の少なくともいずれかのタイミングに高電圧電源４８５から高電圧ＨＶを断続的に出力するか、の少なくともいずれかを実行することによりクリーニングされる。 （もっと読む）

【課題】いわゆるツーボートシステムでありながら地震等の外力による保温筒上のボートの転倒を簡単な構造で防止する縦型熱処理装置を提供する。
【解決手段】下部に炉口５ａを有する熱処理炉５と、その炉口を閉塞する蓋体１７と、蓋体上に保温筒１９を介して載置され多数の基板ｗを多段に保持する基板保持具４と、蓋体に設けられ保温筒を介して基板保持具を回転させる回転機構２０と、蓋体を昇降させて基板保持具を炉内に搬入・搬出する昇降機構１８と、基板保持具が炉内にあるときにもう一つの基板保持具を基板の移載のために載置する載置台２２と、載置台と保温筒との間で基板保持具の搬送を行う搬送機構２３とを備え、保温筒の上部と基板保持具の底部に、基板保持具を搬送機構により保温筒の直上に位置させた状態で保温筒を回転機構により所定角度回転させることで互いに係止可能又は解除可能となる係止部と被係止部を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理容器外周側壁面に冷却パイプが螺旋状に巻回されてろう付けされた冷却装置を有する熱処理装置において、ろう付け部分の接合率が高い冷却装置及びその製造方法並びに前記冷却装置を有する熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、筒体３１の外周側壁に螺旋状に巻回されてろう付けされた冷却管３４を備え、前記冷却管３４は、前記筒体３１の外周側壁に近接する第２の部分３４ｃ及び該第２の部分３４ｃに対向する第１の部分３４ａのそれぞれの内面及び外面が該冷却管３４の外部方向に向かって湾曲し、前記第２の部分３４ｃの曲率が前記第１の部分３４ａの曲率よりも小さいことを特徴とする冷却装置４０が提供される。 （もっと読む）

プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極組立体が提供される。シャワーヘッド電極組立体は第２の部材に取り付けられる第１の部材を含む。第１及び第２の部材は、流体連通する第１及び第２のガス流路を有する。処理ガスがガス流路を通って流れる場合、第１及び第２のガス流路に沿って全圧の低下が発生する。第２のガス流路に沿った全圧の低下の割合は、第１のガス流路に沿った全圧の低下の割合よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ウエハの実際の温度を計測して熱処理温度を適正に制御する熱処理装置を提供する。
【解決手段】バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置１０において、プロセスチューブ１１を封止するキャップ２０に保持パイプ５２と全反射面５７を有した導波棒５６とを備えたＬ字形状の放射温度計５０を挿通し、放射温度計５０は放射温度計５０からの計測温度でヒータ３２をフィードバック制御するコントローラ３３に接続する。導波棒５６をボート２１に保持されたウエハ１、１間に挿入して保持パイプ５２で回動させることにより、全反射面５７でウエハ１の中心部の温度と周辺部の温度とを計測できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、気相成長装置をクリーニングする際に、気相成長装置を損傷するおそれの多いクリーニング操作中の真空ポンプの自己発熱を低減させて、気相成長装置の耐用寿命を改善し、また、安価なシール用部材の使用を可能とすることを目的としている。
【解決手段】 本発明の特徴は、ＣｌＦ_３ガスなどのクリーニングを用いて気相成長装置のクリーニングを実施する際に、排気用真空ポンプの回転数を低下させるように制御し、排気用真空ポンプの断熱圧縮の作用による自己発熱量を低減させることにある。 （もっと読む）

【課題】 上側容器と下側容器との相互の接合面をシールリングによりシールする基板処理装置において、分割面相互の接触を防止する。
【解決手段】 金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室２０１を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材１５と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするシールリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於いて基板処理枚数の変更があった場合、変更に対応してガスの使用量、ガスの置換時間が変更され、無駄のないガス使用量、稼働時間が実現でき、稼働率の向上、処理コストの低減を図る。
【解決手段】
縦型処理炉を有するバッチ式の半導体製造装置に於いて、前記処理炉は反応管と、該反応管の周囲に設けられた発熱部と、前記処理炉下端の炉口部を気密に閉塞するシールキャップと、該シールキャップに昇降可能に設けられ、前記反応管との間でシール可能な昇降フランジと、所定枚数の基板２５を保持し、前記昇降フランジに支持されるボート２６とを具備し、前記反応管と前記昇降フランジとにより前記ボートを収納する反応室が画成され、前記昇降フランジは処理枚数に応じて反応室容量が変更される様、位置決めされる。
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【課題】成膜レートを高く維持すると共に、膜厚の面内均一性も高く維持することが可能なプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４４と、被処理体Ｗを載置するための載置台４６と、天井部に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板８８と、成膜用の原料ガスと支援ガスとを含む処理ガスを導入するガス導入手段５４と、マイクロ波を導入するために天板側に設けられた平面アンテナ部材を有するマイクロ波導入手段９２とを有するプラズマ成膜装置において、ガス導入手段は、被処理体の中央部の上方に位置された原料ガス用の中央部ガス噴射孔１１２Ａと、被処理体の周辺部の上方にその周方向に沿って配列された原料ガス用の複数の周辺部ガス噴射孔１１４Ａとを有し、被処理体の中周部の上方にその周方向に沿ってプラズマを遮蔽するためのプラズマ遮蔽部１３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】内部でプラズマが発生する反応管の開口近傍の内壁を保護し、メンテナンスを容易に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】センターリング１は、真空を保持して２つの配管の中心軸を位置合わせして接続するために、Ｏリング装着用溝５を外周面に有した第１円環部２と、第１円環部２の円環の中心軸方向両側にそれぞれ隣接した２つの第２円環部３とを有し、第１円環部２に隣接する一方の第２円環部３ｂは、外径が他方の第２円環部３ａと等しく、かつ、内径が他方の第２円環部３ａより小さく形成されると共に、内周面の全周縁に、円環の中心軸に平行な方向に突起部４を備える。 （もっと読む）

プラズマ処理システムの反応室における実ガス流量を決定する方法が提供される。方法は、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）で制御されるガス流量供給システムによってガスを反応室の上流に位置するオリフィスに供給することを含む。また、方法は、ガスを加圧してオリフィス内にチョーク流れ状態を作り出すことを含む。さらに、方法は、一組のガスの上流圧力値を一組の圧力センサによって測定することを含む。さらに、方法は、一組の較正係数の較正係数を適用して実流量を決定することを含む。較正係数は一組の上流圧力値の平均値と一組の最良上流圧力値の平均値との比であり、一組の最良上流圧力値の平均値はＭＦＣの指示流量に関連している。 （もっと読む）

【目的】従来の成膜条件を変えることなく高い生産性を図ることができると共にパーティクルの発生を抑制できる半導体装置の処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】バッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置またはバッチ式縦型エピタキシャル装置のような処理装置において、デバイス面とは反対側のウエハ１０９の裏面同士を接触させた２枚のウエハ１０９を一組としてボート１０１に載置することで、１回の処理枚数を増やすことによる処理能力の向上を図ることができる。またウエハ１０９の裏面に不要な酸化膜などが被覆されないので、裏面を接触させて搬送するときにパーティクルの発生がおさえられる。 （もっと読む）

【課題】 装置自体が小型で、且つ設置スペースもそれ程要しない熱媒体循環装置を提供する。
【解決手段】 熱媒体循環系７８に、温度制御の対象となる温度被制御体と、熱媒体と主たる熱交換を行う主熱交換器８８と、循環ポンプ８４とを介設してなる温度制御用の熱媒体循環装置において、前記主熱交換器の下流側の前記熱媒体循環系に、熱電冷却素子１００を用いた副熱交換器９６を介設して前記熱媒体の温度制御を行うように構成する。これにより、装置自体が小型で、且つ設置スペースもそれ程要しない構造とする。 （もっと読む）

半導体熱処理用のウェーハ支持タワー（２２）を包囲するライナ（２０）上部で支持されるバッフル・ライナ・カバー（４０）。カバーは、連続した水平表面を有し、パーティクルがライナ内に落下することを防止する一方、バッフル・アセンブリ内に水平方向に延在するガス流路（５０）を設け、処理ガスがカバーを通過できるようする。一つの実施例では、バッフル・アセンブリ（５６）はカップ状部材（９０）を含み、カップ状部材は、タワー上面板（２８）の中央開口部に配置され、開放上部、連続した床（６２）、側面を貫通する水平穴部（６０）、及び回旋状の環状通路を画定する側面周辺のリム（６４）を有する。代替的には、平面的な上面板は、斜めに貫通する穴部（１１６，１２２）、又は、表面積の極僅かを占める垂直穴部（１３６）を含んでもよい。ライナ及びカバーは、水晶、又は炭化シリコン、好ましくはシリコンによって構成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】フィードバック値の変化の程度に基づきフィードバック値の適正化を図る。
【解決手段】ＴＬ８００は、ＰＭ４００をフィードフォワード制御およびフィードバック制御する。具体的には、記憶部８５０は、ウエハＷにエッチング処理を施すときの制御値となる目標値を記憶する。通信部８５５は、ウエハＷの処理状態をＩＭＭ６００に測定させ、その測定情報を受信する。演算部８６５は、受信された測定情報のうち、ウエハＷの処理前後の測定情報に基づいて今回処理されたウエハＷのフィードバック値を算出し、前回算出されたフィードバック値との変化値ΔＦＢを算出する。判定部８７０は、変化値ΔＦＢと所定の閾値とを比較することにより、今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定する。更新部８７５は、破棄しないと判定された場合、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新する。 （もっと読む）

【課題】フィードフォワード制御時の制御値となる目標値を適正化する。
【解決手段】ＴＬ８００は、ＰＭ４００をフィードフォワード制御およびフィードバック制御する。具体的には、記憶部８５０は、異なる処理手順が示された複数のレシピとエッチング処理するときの制御値となる目標値を記憶する。通信部８５５は、ウエハＷの処理状態をＩＭＭ６００に測定させ、その測定情報を受信する。演算部８６５は、ウエハＷの処理前後の測定情報に基づいて今回処理されたウエハＷのフィードバック値を算出し、更新部８７０は、フィードバック値により目標値を更新する。レシピ調整部８７５は、レシピを変更することにより同一ＰＭ４００において実行されるプロセスを変更する。プロセス実行制御部８８０は、変更後のプロセス実行時、更新された目標値を引き続き用いて、同一ＰＭ４００のウエハＷをフィードフォワード制御する。 （もっと読む）