【課題】搬送室内の汚染を軽減し、メンテナンス頻度の減少を図ることが可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】被処理基板に対して処理を行う処理チャンバ２２及び２３と、処理チャンバ２２及び２３に接続され、内部が処理チャンバ２２及び２３の処理圧力と適合した圧力に調整可能な搬送室２１と、搬送室２１内に設けられ、被処理基板を処理チャンバ２２及び２３に対して搬入出する搬送機構２６と、搬送室２１内を、この搬送室２１内に処理チャンバ２２及び２３からの放出物が付着しない温度に加熱する加熱機構７１と、搬送室２１内を排気する排気機構５４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体３が電力供給機構に接続されている接続部３３及び／又は発熱体３が支持体３１に支持されている支持部を、接続部３３、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体３と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部３３、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構３２１を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部３３に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体３の端部にパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜ガス排気配管２０に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを排気するガス排気ステップと、ガス排気ステップの期間に成膜室１１内部の圧力が所定値以下であることを確認する第１の確認ステップと、第１の確認ステップの後に、成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜室１１に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを成膜室１１に導入して、半導体基板２上に膜を形成する膜形成ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ガスの排出機構を最適化することにより、エピタキシャル成長膜の均一性を向上させることを可能とするエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉１２と、この反応炉１２内で回転し、上面に複数のウェーハ１６を平面的に配置可能なディスク状のサセプタ１４と、このサセプタ１４の中心位置に突出して非回転で設けられ、原料ガスをサセプタ１４上面に沿って複数の方向に噴出するガス供給管１８と、サセプタ１４の周囲にリング状に設けられ、２より多い数のガス吸引孔２０を有し、単一のポンプ３４に接続されるガス排出管２６を具備することを特徴とするエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】長期間の使用によって、処理チャンバ内に除去しきれずに残存した堆積物、生成物のクリーニング作業の効率化を図り、もって装置停止時間の短縮化、装置の稼働率の向上を図るようした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧される処理チャンバ２を含む装置本体１と、処理チャンバ２の上部開口と着脱自在なトップチャンバ３とを有する半導体製造装置において、処理チャンバ２の上部開口と着脱自在であり、処理チャンバ２内のクリーニングを行うクリーニングユニット３０を備えている。クリーニングユニット３０は、シャワーヘッド構造の電極を有し、シャワーヘッドにはクリーニングガスが外部から導入されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】複数のウェハを一括して位置合わせする際に生じる不具合を解消する。
【解決手段】基板のオリフラ又はノッチの位置を検出して一定位置に合わせる工程を有する半導体製造方法において、複数枚の基板のオリフラ又はノッチ合わせをするに際して、複数枚の基板を基板支持機構に積層支持して所要角度一括回転させることにより、あらかじめ全ての基板のオリフラ又はノッチを検出センサ１１６で検出して、検出情報を記憶させ、前記検出情報に基づいて基板支持機構を回転させて１枚ずつ基板のオリフラ又はノッチ合わせを行うとともに前記基板の周方向の位置を保持したまま基板を基板支持機構から退避させて、全ての基板のオリフラ又はノッチ合わせが終了した後に、退避していた基板を基板支持機構に戻すようにする。 （もっと読む）

【課題】装置コストを増やすことなく、半導体処理装置の正確な制御を与える。
【解決手段】制御器、及び該制御器により制御される少なくともひとつのデバイスを含む半導体処理装置であって、該制御器は該デバイスと通信するためのインターフェイスを備え、該インターフェイスは通信用の時間インターバルを測定するための内部クロックを有するところの装置を制御する方法が与えられる。当該方法は、インターフェイスへ命令を送信するために使用される制御器のオペレーティングシステムのシステムクロックを、インターフェイスの内部クロックと置換する工程と、システムクロックと置換された内部クロックにより測定された時間インターバルを使って制御器からインターフェイスへ命令を送信する工程と、インターフェイス内の内部クロックにより測定された時間インターバルを使ってインターフェイスからデバイスへ命令を送信しデバイスを制御する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を分解することなく温度センサを反応管内部に挿入する。
【解決手段】反応管１と、反応管１の周囲に設置された加熱部３と、反応管１内に収容されるウエハを保持するためのウエハ保持部７と、ウエハ保持部７を反応管１内に出し入れするために昇降可能であってウエハ保持部７が反応管１内に配置された状態で反応管１を封止するための支持部９，１１を備えている。支持部９，１１は、支持部９，１１によって反応管１が封止された状態で反応管１内に温度センサを挿入するための貫通孔からなる温度センサ挿入口９ａ，１１ａを備えている。温度センサ挿入口９ａ，１１ａは支持部９，１１にウエハ保持部７が搭載された状態で温度センサを反応管１内に挿入可能な位置に設けられている。支持部９，１１にウエハ保持部７が搭載された状態で温度センサ挿入口９ａ，１１ａを開閉可能に封止するためのキャップ部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハトラックシステム内において半導体ウェーハ処理を遂行するためのプラズマチャンバ。
【解決手段】処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。種々の型のガス供給源をシャワーヘッド電極と流体的に通じさせ、所望のプラズマを形成するガス状混合体を供給することができる。ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。予め選択されたガス状混合体は、表面プライム処理及び底反射防止被膜（ＢＡＲＣ）堆積のような異なる半導体ウェーハ処理動作のために処方することができる。 （もっと読む）

【課題】 温度検出器による温度測定精度を向上させることにより、加熱装置の応答性を向上させること。
【解決手段】 発熱体２０と、この発熱体２０を支持するインナシェル５０と、このインナシェル５０の外周に配置されるアウタシェル６０と、これらインナシェル５０及びアウタシェル６０の間に冷却媒体を流通させる冷却媒体流通通路１４とを有する。インナシェル５０に設けられる第一の開口部５５ａと、アウタシェル６０に設けられる第二の開口部６５と、第一の開口部５５ａから第二の開口部６５に向かって設けられ、少なくともインナシェル５０とアウタシェル６０との間で冷却媒体流通通路１４と隔離した空間を形成するための隔壁体５５ｂ、５５ｃとを有する。隔壁体５５ｂ、５５ｃと第二の開口部６５との間で形成される隙間６５ａを塞ぐ絶縁体とを備える。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】 基板を処理するための改良された真空チャック型ヒーターを提供すること。
【解決手段】 軸対称及び／又はより均一な熱プロファイルを有する真空チャックの実施形態が提供される。ある実施形態では、真空チャックは、基板を支持するための支持表面を有する本体と、上記支持表面に形成された複数の軸対称に配置された溝であって、上記溝のうちの少なくとも幾つかは交差しているような複数の溝と、上記本体を通して且つ上記溝内に形成され且つ上記溝の非交差部分に配設され、動作中に上記溝を真空源に流体結合するための複数のチャッキング孔と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理される基板の面内偏差を低減できる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱空間を囲う壁体と、壁体内部に設けられる発熱体と、発熱体からの熱線を反射する複数の反射体９１とを有する。複数の反射体９１それぞれの一端側に接続され複数の反射体９１を可動させる可動部９３を有する。少なくとも複数の反射体９１それぞれの一端側より他端側に接続され、可動部９３が動作する際に反射体９１の動きを支軸として規制する複数の支軸体９５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板面内、面間の処理を均一化するとともに、併せてグリッドのスパッタを抑制することを可能にする。
【解決手段】 被処理基板を処理する半導体デバイス製造装置において、プラズマを発生するプラズマ発生室１７と、プラズマ発生室で生成されたプラズマから電子を集束させるグリッド１９と、グリッドで集束させた電子を加速させるアノード２０と、アノードで加速させた電子が導入される処理室４６と、グリッド１９と処理室４６との間に設けられ正の電圧を印加される制御電極２９とを備え、処理室４６内に導入される加速電子により処理室４６内のガスをプラズマ化して被処理基板を処理するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 セラミックゾルを基材表面にコーティングした後、２００℃〜３５０℃の低温熱処理を実施する場合、ゾルが微粒子であってもセラミック耐食膜を充分に緻密化しにくく、ゾル粒子間に腐食性ガスが浸入しやすい。
【解決手段】 基材１の表面に、コーティング後に焼成したセラミックスからなる耐食膜２が形成されている耐食性部材Ｓにおいて、耐食膜２の主面を走査型電子顕微鏡観察によって組織表面を拡大した写真または画像において、結晶粒子の面積占有率を７０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】 新たな発熱体の保持構造を提供すること。
【解決手段】 板状で切欠又は貫通孔を有する発熱体２０と、加熱空間１８を包囲する導電性材料で構成される側壁材５０と、この側壁材５０の加熱空間１８側に配置され、発熱体２０を一端のみで保持する保持部３０とを有する。側壁材５０の加熱空間１８側に突出して配置され、発熱体２０の一端２０ａと他端との間において発熱体２０の切欠又は貫通孔４０ａを貫通する貫通部４０ｄを有する。貫通部４０ｄから貫通する方向に交差する交差方向に対し、貫通部４０ｄよりも発熱体２０の表裏において突出し、貫通する方向に対する発熱体２０の移動を規制する突出部４０ｂ，４０ｃとを有する貫通部材４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの使用電力を低減する。
【解決手段】成膜装置４０はウエハ２を加熱するメインヒータ４７と、筐体４２を加熱するチャンバヒータ４３と、ガス供給系を加熱する供給系ヒータ７１と、排気系を加熱する排気系ヒータ７３とを具備する。メインコントローラ８０は成膜装置４０の立ち上げ時に、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３のうち最大電気容量のメインヒータ４７の電力供給装置４８を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にチャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４を一度に電源投入する。成膜装置の設備仕様としては、最大電気容量のメインヒータの電力供給装置の電力を配慮すれば済むので、イニシャルコストやランニングコストを低減でき、電力容量不足を回避できる。
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【課題】金属電極の表面に電界が集中することを防止する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波を伝送させる同軸管の内部導体３１５ａと、貫通穴３０５ａを有し、内部導体３１５ａを伝送したマイクロ波を透過させて処理容器１００の内部に放出する誘電体板３０５と、貫通穴３０５ａを介して内部導体３１５ａに連結され、少なくとも一部が誘電体板３０５の基板側の面に隣接した状態にて誘電体板３０５の基板側の面から露出した金属電極３１０とを有する。金属電極３１０の露出面のうち一面が誘電体カバー３２０にて覆われている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長工程後のウェーハ基板の降温時間を短縮させ、エピタキシャル層の成膜における高スループット化を容易にする気相成長装置及び成長方法を提供する。
【解決手段】処理炉１１頂部にガス供給口１２、内部にガス整流板１３、底部に排気口１４、ガス整流板１３に対向して半導体ウェーハＷを載置する環状ホルダー１５、環状ホルダー１５を回転する回転ユニット１６、半導体ウェーハＷを加熱するヒーター１７を備える。回転ユニット１６は中空の回転軸１６ａと一体であり、ヒーター１７は回転軸１６ａの内部に貫設された支持軸１８の支持台１９上に固設してある。そして、ガス整流板１３と環状ホルダー１５の離間距離は、ガス供給口１２からガス整流板１３を通り流下する降温のための冷却用ガスが半導体ウェーハＷ面上あるいは環状ホルダー１５面上で整流状態になるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】２段シャワーを備えたプラズマ処理装置において、下方に配置された第２のガス供給部材に形成された処理ガスの吐出孔の閉塞を回避する。
【解決手段】処理容器２内に基板Ｗを収納し、処理ガスをプラズマ化して基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２内において基板Ｗを載置させる載置台３の上方に、プラズマ生成ガスの吐出孔５１を有する第１のガス供給部材４１と、処理ガスの吐出孔７１を有する第２のガス供給部材４２を配置し、かつ、第１のガス供給部材４１を第２のガス供給部材４２よりも上方に配置し、第２のガス供給部材４２に設けられた吐出孔７１を、第２のガス供給部材４２の上半面に設けた。処理容器２内に発生するプラズマによって、第２のガス供給部材４２の上半面に対する堆積物の付着を抑制することができ、吐出孔７１が閉塞されるのを防止することができる。 （もっと読む）