【課題】ガス配管同士を接続するフランジ部に於いて、該フランジ部を加熱するヒータの寿命の延長を図ると共に、前記フランジ部を効率よく加熱可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に処理ガスを供給するガス供給管、前記反応管内の雰囲気を排気するガス排気管等のガス配管を具備し、該ガス配管同士は端部に形成されたフランジ部４４ａ，４６ａを介してクランパ３によって接続され、該フランジ部に連続する直管部４４，４６にヒータ９４を設けると共に前記フランジ部にもヒータ９３，９５を設け、前記フランジ部及び前記直管部を覆う断熱材９２を設けた。 （もっと読む）

【課題】供給系の配管閉塞が生じることなく、プロセスガスの安定供給が可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を成膜するリアクター２９と、リアクター２９に第１プロセスガスを供給する第１供給経路Ｌ１０と、リアクター２９に第２プロセスガスを供給する第２供給経路Ｌ２０と、リアクター２９にクリーニングガスを供給する第３供給経路Ｌ３０と、を少なくとも備え、第２供給経路Ｌ２０と第３供給経路Ｌ３０とが合流する合流点Ｇが、リアクター２９の近傍に設けられるとともに、第２供給経路Ｌ２０及び第３供給経路Ｌ３０には、合流点Ｇの上流側に、経路を遮断する遮断手段２２，３２がそれぞれ設けられていることを特徴とする薄膜製造装置６０を選択する。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法を提供すること。
【解決手段】 処理室を、被処理体をｎ枚同時に処理可能に構成し（ただし、ｎは２以上の自然数とする）、搬送装置を、被処理体を前記ｎ＋１枚以上保持可能に構成し、搬送装置を用いて、ロードロック室から搬送室に対し、処理前の被処理体をｎ枚搬出する工程と、（１）搬送装置を用いて処理室から搬送室に対し、処理済の被処理体を少なくとも１枚搬出する工程と、（２）搬送装置を用いて搬送室から処理室に対し、搬送装置に保持された処理前の被処理体を少なくとも１枚搬入する工程と、を備え、（１）及び（２）の工程を、処理室に収容された処理済の被処理体が、搬送装置に保持された処理前の被処理体に全て交換されるまで繰り返す（工程２）。 （もっと読む）

【課題】内部応力を有する膜を基板の裏面にのみ形成することにより、基板の反り量を抑制し、その際に基板の表面にダメージを与えず、裏面に対する成膜と表面に対するパターン形成とを一貫して行う半導体製造装置を得られるようにする。
【解決手段】基板に薬液を塗布する薬液塗布部１０２と、基板を加熱する加熱処理部１０４と、基板の表面にレジストを塗布するレジスト塗布部１０７と、そのレジストに所定のパターンを露光する露光部１０５と、そのレジストを現像することにより所定のパターンを得る現像部１０８とを備えている。薬液塗布部１０２は、基板を浮遊した状態で、基板を回転させながら基板の裏面にのみ薬液を塗布する薬液塗布手段を有し、加熱処理部１０４は、基板に熱処理を行うことにより、内部応力を有する応力印加膜を成膜する熱処理手段を有し、裏面に応力印加膜の成膜を行うことと、表面に所定のパターンを形成する処理とを一貫して行う。 （もっと読む）

【課題】処理室内を撮影することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１３と、処理室１４内を加熱するヒータユニット４０と、処理室１４を閉塞するシールキャップ２５と、シールキャップ２５に支承された回転軸３０と、回転軸３０に立設されたボート３１とを備えている熱処理装置において、シールキャップ２５の周辺部に透明な石英によって形成された保護管７０を立設し、保護管７０内に内視鏡８０を下端部の開口から挿入し、カメラ９０をシールキャップ２５下面以下において内視鏡８０に光学的に連結する。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長により形成された結晶膜の成長面内における物性値を均一な値に近づける。
【解決手段】第１化合物半導体および第２化合物半導体を積層した積層半導体を含み、前記第１化合物半導体の所定物性値が第１面内分布を有し、前記第２化合物半導体の前記所定物性値が前記第１面内分布とは異なる第２面内分布を有し、前記積層半導体における前記所定物性値の面内分布の幅が、前記第１面内分布の幅または前記第２面内分布の幅より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

【課題】バルブや継ぎ手などのガス供給系部品が密集状態であっても、むらなく安定した加熱を行うことができ、安定した状態で原料ガスを基板処理装置に供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理を行う基板処理室と、前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口２７１ａと加熱ガス排気口２７１ｂを有する加熱容器２７１と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段２７２とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内にある複数の基板（ウエハを含む）の主面全体にわたって、膜厚均一性を向上することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層保持する基板保持具２１７と、該基板保持具２１７に保持された基板２００を処理する処理室２０１と、前記処理室２０１内の前記基板２００の積層方向に延在し、前記基板２００の中央部に向けて処理ガスを供給するガス供給孔２４８を前記積層方向に複数有するガス供給部と、前記ガス供給部へ供給する処理ガスの流量を制御する流量制御部２４１と、前記処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御部２４３と、前記基板２００の処理中に、複数のガス供給孔２４８の少なくとも一つのガス供給孔２４８から供給される処理ガスの流速を変化させるように前記流量制御部２４１、又は前記圧力制御部２４３を制御するコントローラ２８０とから構成する。 （もっと読む）

【課題】気化器内に付着する残留物を除去し、長期間安定的に気化器を動作させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内２０１に基板を搬入する工程と、液体原料を気化部２２９ｔで気化させた原料ガスを処理室内２０１に供給して基板を処理する工程と、処理済みの基板を処理室２０１内から搬出する工程と、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程と、を有し、気化部２２９ｔは、液体原料を気化させる気化室２０ｔ，ｓと、気化室２０１内に液体原料を噴霧させる噴霧ノズルと、気化室２０１内を加熱する加熱部と、を有しており、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程は、噴霧ノズル内に洗浄用液体を供給して噴霧ノズル内に付着した物質を除去する工程と、気化室２０１内に洗浄用ガスを供給して気化室２０１内に付着した物質を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】着脱可能な記録媒体が誤って取り外されないよう、使用者の注意を喚起するとともに、記録媒体を取り外すことができるか否かの確認を操作画面上で行うことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段と、着脱可能な外部記憶装置に前記情報を出力する出力手段とを有する基板処理装置であって、前記制御手段は、前記外部記憶装置が装着されている場合、装着された外部記憶装置を取り外すためのボタンが押下可能な場所に配置されるよう制御し、前記外部記憶装置が装着されていない場合、前記ボタンが押下されないよう制御する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】処理室内に排気ラインの雰囲気が逆流するのを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、該処理室２０１に接続された排気ライン２３１と、該排気ライン２３１に設けられた開閉弁２４３ｂと、前記排気ライン２３１における前記開閉弁２４３ｂの上流側圧力を測定する上流側圧力センサ３０２と、前記排気ライン２３１における前記開閉弁２４３ｂの下流側圧力を測定する下流側圧力センサ３０３と、前記上流側圧力センサ３０２と前記下流側圧力センサ３０３とを監視し、前記上流側圧力センサ３０２の圧力値が前記下流側圧力センサ３０３の圧力値以上の時に前記開閉弁２４３ｂを開き、かつ、両圧力値を共にオフセットするコントローラ１２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を同時に表面処理する場合に、全ての基板の表面を均一に処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板１１２を傾斜させて、かつ、間隔をあけて垂直方向に積層保持する縦型基板保持具と、前記複数の基板の間隔よりも狭い間隔で垂直方向に配置された複数のガス導入口１５７と、を備え、前記縦型基板保持具を、その長手方向を回転軸として回転させる事で、傾斜した前記基板面に衝突したガス流が攪拌されて全ての基板に均一に原料ガスが供給された後に垂直方向に配置された複数のガス排気口１５８から排気される。 （もっと読む）

【課題】容器が加熱された場合でも、装置内の雰囲気の気密性を保持することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング４、５が環状に二重に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング４、５の間に形成された隙間６に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口７と、その不活性ガスを隙間６から流出させるためのガス流出口８が形成されている。ガス流入口７とガス流出口８は、対向して形成されている。ガス流入口７から流入した不活性ガスは流出口８に向かって流れ、隙間６内に充満する。この隙間６内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内の気密性が保持される。 （もっと読む）

【課題】エネルギーの無駄を可能なかぎり削減しつつ、シール部材の保護および反応生成物の付着防止の両方を確実に実現することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】縦型炉１０は、反応管１１、ヒータ２０、マニホールド１６、冷却ガス供給手段３１０を備える。マニホールド１６は、反応管１１のフランジ部１２２を支持するフランジ支持部１６６を少なくとも有し、反応管１１のフランジ部１２２にＯリング１７４を介して接合されるように構成される。フランジ支持部１６６には、冷却ガス供給手段３１０が噴出した冷却ガスを反応管１１のフランジ部１２２に導くための貫通孔３３が設けられる。冷却ガス供給手段３１０は、マニホールド１６におけるフランジ支持部１６６に対して冷却ガスを選択的に噴出する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの小さいポリシリコン膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】修理や補修を容易に行える加熱ユニットを提供する。
【解決手段】加熱ユニット１０１は、インナーシェル１１１に対してアウターシェル１２１ａ及び１２１ｂはネジ１５１により着脱可能に接合する。インナーシェル１１１とアウターシェル１２１ａ及び１２１ｂとの間に、面状発熱体１３１ａ及び１３１ｂを介在させる。面状発熱体１３１ａ及び１３１ｂの周囲には、Ｏリング１４１ａ及び１４１ｂを配設し、面状発熱体１３１ａ及び１３１ｂが外部のガスに曝されるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】自動搬送を行う場合、温度変化による凹凸形状の相対位置バラツキと機構停止精度等による相対位置バラツキの和が、嵌合部における隙間量を超えると搬送不能となるが、これに対し複雑な位置検出機構を用いなくても搬送不良を起こさない高温炉などの処理装置を提供する。
【解決手段】まず十分な隙間量を有する位置で浅い嵌合深さで挿入用穴部と前記挿入用突起部のみを嵌合し、次にそれらを平面方向に相対移動させて、前記挿入用穴部と前記挿入用突起部に加えて前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合可能な位置で前記挿入用突起部と前記挿入用穴部との側面同士を接触させ、さらに深く挿入して前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合させることで、搬送時の装置温度によらず位置決め後の突起部と穴部の相対位置を安定させることが可能で、より高精度な位置決めが可能になる。 （もっと読む）

【課題】コストを低減させ、生産性を向上させるプラズマを用いる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１２と、処理室１２内に設けられた第１のプラズマ生成室３３と、第１のプラズマ生成室３３内に反応性ガスを供給する第１反応性ガス供給手段３０１と、プラズマを生成し、第１の反応性ガスを励起して第１の反応性ガスの活性種を生成する一対の第１放電用電極２７と、第１のプラズマ生成室の側壁に設けられた第１の反応性ガスの活性種を噴出する第１ガス噴出口３５と、処理室１２内に設けられた第２のプラズマ生成室３３Ｂと、第２のプラズマ生成室３３Ｂ内に反応性ガスを供給する第２反応性ガス供給手段３０２と、プラズマを生成し、第２の反応性ガスを励起して第２の反応性ガスの活性種を生成する一対の第２放電用電極２７Ｂと、第２のプラズマ生成室の側壁に設けられた第２の反応性ガスの活性種を噴出する第２ガス噴出口３５Ｂとを有する。 （もっと読む）