【課題】
ガス輸送管路に対してインライン形態で結合できかつ小型化が可能なガス加熱装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、伝熱ブロック自体にヒータが埋設され、途中で折曲げられた断面円形で直線状の中空加熱路が形成され、ガス入力ポートから導入されたガスが旋回して中空加熱路で加熱される。これにより、中空加熱路の距離が短くても旋回ガスを効率よく加熱でき、しかも中空加熱路が途中で折曲げられているので、伝熱ブロック全体を小さく抑えることができる。その結果、ガス加熱装置全体を小型化できる上に、加熱効率がよくなる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の搬入時と搬出時に、処理ガスの流出と外気の流入を確実に阻止することのできるプロセス処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１では、筐体３内にプラズマを生成するための第１電極１３と第２電極１７が、上下方向に間隔を隔てて対向するように配設されている。筐体３の一方の側面には入口部２２が設けられ、他方の側面には出口部２３が設けられている。入口部２２と出口部２３には、筐体３の外の気流を取り入れるガイド部２４ａ，２４ｂが設けられている。ガイド部２４ａは、被処理基板５１に近い側を回転軸２５として回転可能に支持されている。筐体３には、ガイド部２４ａ，２４ｂから筐体３内に取り入れられた気流を、筐体３の外へ排出するための排気ポート２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理室の内面等に付着したＨｆＯ_２、ＨｆＳｉＯ，ＺｒＯ_２等の高誘電体膜をエッチングガスによりクリーニングできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０を処理室４内に搬入する工程と、前記処理室４内で基板３０上に高誘電体膜を成膜する工程と、成膜後の基板を前記処理室４より搬出する工程と、前記処理室４内に塩素を含むガスと酸素を含むガスとを導入するかもしくは塩素および酸素を含むガスを導入して前記処理室４内をクリーニングする工程と、前記処理室４内に酸素を含むガスを導入して前記クリーニング後に前記処理室４に残留する物質を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エネルギ効率の良好なバッチ式熱処理装置を提供する。
【解決手段】バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ３６外に電磁波を閉じ込めるシールド５２を同心円状に設置し、シールド５２の中央高さに電磁波導入ポート５３を穿設し、電磁波導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５を接続する。マイクロ波源５５にマイクロ波の周波数を調整するコントローラを接続し、コントローラに電界強度測定器を接続する。電界強度測定器に電界強度を検出する複数のアンテナ５８を接続し、複数のアンテナ５８はシールド５２に高さ方向および周方向に間隔をとって配置する。各バッチ毎に最適周波数を求め、各バッチ毎にマイクロ波源からの出力マイクロ波の周波数を最適値に調整することで、バッチ相互間の処理時間の変動を防止し、エネルギ効率を高める。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部材中に埋設された端子に外部から電力を供給する接続部材を備えるねじり破断強度が高い接合構造を提供する。
【解決手段】孔１４ａが設けられたセラミックス部材１４と、セラミックス部材１４に埋設され孔１４ａの底部において露出する端子３と、端子３の露出面に接するロウ接合層６と、孔１４ａに挿入されロウ接合層６を介して端子３に接続される接続部材５と、を備え、端子３と接続部材５は、セラミックス部材と熱膨張係数がほぼ同一の高融点金属からなり、孔１４ａの内径は、接続部材５を挿入した際に接続部材５との間にクリアランス１４ｂが形成されるように、接続部材５の外径よりも大きく、断面形状が略半円形状のロウ溜空間１４ｄがセラミックス部材１４の孔１４ａの側壁の一部に設けられ、ロウ接合層６がロウ溜空間１４ｄの一部を充填している接合構造。 （もっと読む）

【課題】電磁波による悪影響を回避しボートの正常な回転を確保することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室３７を形成したプロセスチューブ３６外にシールド５４を同心円に設置し、シールド５４の側壁に導波管５６の一端を接続し、導波管５６の他端に電磁波源５７を接続する。シールキャップ３２に回転軸を軸受装置で支持しロータリーアクチュエータ５０で回転させるように設け、回転軸の受け台上にボート４２を載置する。軸受装置周りに電磁波を遮蔽するカバー５１を設置し、カバー５１は固定部と可動部とで迷路構造に構成する。シールド内に供給された電磁波が軸受装置に及ぶのを阻止できるので、電磁波によって軸受装置の磁性流体が加熱されてしまい、正常な回転を維持できない事態が発生するのを未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板を載置する上面の局所的な温度分布を低減する。
【解決手段】基板が載置される上面１２ａを有する基体１２と、上面１２ａを含む上部１２１に埋め込まれ上面１２１に略平行な平面形状を有する第１発熱体１４と、上面１２ａを含む上部１２１に接合される下部１２２に埋め込まれ上面１２ａに直交する方向において、上面１２ａに対して第１発熱体１４よりも下方に配設される平面型の第２発熱体１６とを備え、第１発熱体１４を基体１２の上面１２ａに投影した第１投影パターン２４と、第２発熱体１６を上面１２ａに投影した第２投影パターン２６とが重なる重複部を有する。上面１２ａの面積に対する第１投影パターン２４と第２投影パターン２６との面積の合計の占有率が８５％以上であり、上面１２ａにおける第２投影パターン２６の面積に対する重複部の面積の割合が５％以上である。 （もっと読む）

【課題】ろう付け部分に剥離等の断線が生ずることを抑制することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理装置２０の処理容器２２内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、平面方向に延びる１又は複数の導電部材６２が内部に設けられた誘電体よりなる載置台６０と、処理容器の底部より起立されて上端部に載置台を支持する円筒体状の支柱５６と、載置台の下面側に設けられた端子収容凹部と、導電部材に導通されると共に端子収容凹部内に露出されている上部端子と、支柱内に挿通される給電棒８６Ａ〜８６Ｄと、給電棒の上端に設けられ、前記端子収容凹部内に嵌合されると共に前記上部端子にろう付けされて給電棒の引っ張り方向に対して前記端子収容凹部に係合される下部端子８８Ａ〜８８Ｄを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持することによる基板の冷却効率の向上等を図れるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のトレイ１５は、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄを備える。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁から突出する基板支持部を設ける。基板支持部が基板２の下面の外周縁部分を支持する。誘電体板２３は、トレイ支持面、トレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、かつその上端面である基板載置面に基板２が載置される基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備える。基板載置面に載置された基板２の下面と、トレイ支持部２８に載置されたトレイ１５の基板支持部の上面との隙間δ２が０．２〜０．３ｍｍ程度である。伝熱ガス供給機構４５は基板２と基板載置面との間に伝熱ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】アルマイト皮膜の破損によるパーティクルの発生を確実に防止することができる基板処理装置用の部品を提供する。
【解決手段】ウエハＷにプラズマ処理を施す基板処理装置１０の部品であるクーリングプレート３６は、アルミニウムにシリコンを含む合金を主成分とするアルミニウム基材５６と、クーリングプレート３６を電源の陽極に接続し且つシュウ酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によってアルミニウム基材５６の表面に形成されたアルマイト皮膜５７とを備え、該アルマイト皮膜５７にはエチルシリケートが含浸されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程と、を有し、上記バッファ層製膜工程及び、上記ｎ型透明導電膜製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）よりも、上記バッファ層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）を高くした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シャワーヘッド及びこれを備える化学気相蒸着装置に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によるシャワーヘッドは、反応チャンバーの内部に第１反応ガスが供給されるようにする少なくとも１つのガス管を備える第１ヘッドと、上記ガス管が貫通する所定大きさのホールを備える第２ヘッドと、上記ホールを貫通した上記ガス管と上記ホールの間に形成され上記反応チャンバーの内部に第２反応ガスが供給されるようにするガス流路を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板と基板支持具の擦れによるダスト発生を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板５４を載置した基板支持具３０を反応炉４０内に挿入後、反応炉４０内を真空排気する前に、基板温度および基板支持具３０の温度を安定させるステップを導入することにより、反応炉４０内の真空排気時における基板５４と基板支持具３０の擦れによるダスト発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】各種金属、特にＡｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ或いは、ＣｌＦ、ＣｌＦ_３、ＣｌＦ_５、ＨＣｌ等のガスに対して耐食性に優れ、乾式洗浄の時に使用されるガスに対して耐エッチング性に優れているＣＶＤ装置用冶具を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ−ＳｉＣは、ＣＶＤ法により形成されたβ−ＳｉＣを構成する結晶のうち、ＳｉＣ（１１１）面の占める比率が０．５以下であり、Ｘ線回折におけるＳｉＣ（１１１）面のピーク強度に対するＳｉＣ（２００）面のピーク強度が１．０未満であり、かつ、ＳｉＣ（２００）面の占める比率が、ＳｉＣ（２２０）面の占める比率、ＳｉＣ（３１１）面の占める比率及びＳｉＣ（２２２）面の占める比率のそれぞれより大きい。耐食性ＣＶＤ−ＳｉＣ被覆材は、ＣＶＤ−ＳｉＣがＳｉＣまたは炭素質材からなる基材上に被覆されたＣＶＤ−ＳｉＣ被覆材である。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の反応炉を用いた場合でも、安定した特性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給ラインに原料ガスを流し始める（ステップＳ２）。供給ラインからＭＦＣを通過した原料ガスは排気ラインに流れ、炉内供給ラインには流れない。その後、ＭＦＣを流れる原料ガスの流量が安定したかを判定する（ステップＳ３）。例えば、流量の変動幅が所定の範囲内に収まっているか判定する。流量が安定すると、バルブＶ１を開くと共に、バルブＶ２を閉じる（ステップＳ４）。この結果、供給ラインからＭＦＣを通過した原料ガスは排気ラインに流れなくなり、炉内供給ラインに流れるようになる。続いて、所定時間が経過したかを判定する（ステップＳ５）。この所定時間は、形成しようとしているＳｉＧｅ層の成長に必要とされる時間である。所定時間が経過すると、バルブＶ１を閉じると共に、バルブＶ２を開く（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】 大気プラズマ溶射法で、Ｙ_２Ｏ_３の溶射膜を備えたプラズマエロージョンに強いプラズマ処理容器内部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理容器内部材の製造方法は、１組のアノード１１とカソード１２を有するプラズマ溶射装置を用いて従来と同じ方法で気孔率５％以上のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２１を形成する。その後、この溶射膜２１の上に、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成する。気孔率が５％未満の溶射膜の形成方法は、つぎの通りである。１組のアノードとカソード間で放電し、作動ガスを供給して発生するプラズマに、粒径が１０〜４５μｍのＹ_２Ｏ_３の粉末状素材を供給する。粒径を通常のプラズマ溶射の場合より小さくすることで、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】対象物を静電吸着ステージから脱離させる際に対象物の跳びはね、破損、剥離帯電、位置ずれ等の問題を発生させないようにする。
【解決手段】誘電体ブロック１２内の一対の吸着電極１３１，１３２に吸着電源１４１，１４２によって互いに極性の異なる直流電圧を印加して静電吸着面１０に静電気を誘起して板状の対象物９を静電吸着する。対象物９を脱離機構１５で静電吸着面１０から脱離させる際には、静電吸着力とは逆向きの機械的な圧力であって残留吸着力より小さい予圧を対象物９に与え、吸着電源１４１，１４２をオフにした後、静電吸着の際とは逆極性の電圧を一対の吸着電極１３１，１３２に印加して誘電体ブロック１２に逆電界を設定する。逆電界設定によって誘電体ブロック２内の残留電荷が急速に緩和され、残留電荷がゼロになる直前で予圧によって対象物９は静電吸着面１０から離間し、対象物９に作用する残留吸着力はゼロになる。 （もっと読む）

【課題】環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げ及びメンテナンス後の金属汚染量を低減することを可能とする基板処理方法を提供する。
【解決手段】装置立ち上げ時又はメンテナンス後の再稼働時の基板の生産処理に移行する前に、前記基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気して、生産処理移行後のプラズマ放電時の高周波電力よりも高くしてプラズマ放電し、その後、前記基板載置台に基板を載置して、該基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の成膜品質を向上させることができる薄膜蒸着装置および蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明は、薄膜蒸着装置および蒸着方法に関し、反応チャンバと、反応チャンバ内に回転可能に装着され、少なくとも１つの基板が載置されるサセプタと、反応チャンバの上部に装着され、反応チャンバ内に複数のガスを独立的に供給するガス供給部と、前記複数のガスが供給される各領域の境界に対応するようにサセプタ上部に装着され、周辺のガスを排気する排気ラインを備える分離排気部と、前記分離排気部に吸入力を提供する真空ポンプ部とを備え、ソースガスと反応ガスとを分離して排気することができる。 （もっと読む）

【課題】微細なミストが気化室の内部を飛行する間に溶媒が揮発してパーティクルとなる状況を回避し、微細なミストを確実に気化させることのできる環境を作り出すことにより、パーティクルの生成を抑制することのできる気化器及びこれを備えた成膜装置の構成を提供する。
【解決手段】原料を溶媒に溶解してなる溶液原料を噴霧する噴霧手段４１１と、噴霧された前記溶液原料を気化するための加熱された気化面を備えた気化室４１２と、該気化室にて生成された原料ガスを導出するガス導出口４１３とを有する気化器４１０において、前記噴霧手段の噴霧方向にある前記気化面は、通気性を有するフィルタ４１４によって構成されている。 （もっと読む）