【課題】処理室内壁の表面状態が変動しても、再現性よく基板処理を実施できる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】処理室１０内に設置された半導体基板を加熱する加熱工程において、まず、処理室１０内に設置された半導体基板に対して熱を放射する側壁内面１ｓの放射率が放射率計８により計測される。また、側壁１の温度が熱電対４により測定される。次いで、測定された側壁１の温度に対応してあらかじめ取得されている上記放射率と処理室１０内に設置された半導体基板の実温度との対応関係に基づいて、処理室１０内に設置された半導体基板の温度が取得される。そして、取得された半導体基板の温度に基づいて、処理室１０内に設置された半導体基板が目標温度となる状態に、側壁１の温度がヒータ３により調整される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内部の上下温度差による熱帯流の発生を根本的に抑える金属有機化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ１１０と、上、下部蓋１１１，１１２に備えられる上、下部サセプタ１２１，１２２を備え、上部蓋１１１と上部サセプタ１２１間、および下部蓋１１２と下部サセプタ１２２間に備えられる加熱部１３１，１３２と、上、下部中空軸を回転中心にし上、下部サセプタ１２１，１２２を一方向に回転させる動力を提供する回転駆動部１４０と、上、下部中空軸に連結され、上、下部中空軸間を連結する中央ガス供給ノズル１５３を通じ対向する上、下部サセプタ１２１，１２２の対応面間に反応ガスを供給するガス供給部１５０と、上、下部蓋１１１，１１２の外枠に接するよう配置され、反応チャンバ１１０の内部空間と連結されウェーハと反応が完了した反応ガスを外部に排出するガス排気部１６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ヒータ機能面内での被加熱体とのクリアランスの均一化の確保及び金属コンタミネーションの減少が可能なヒータユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、下面に溝１３を有するプレート部材１１と、中央が開口し、前記プレート部材１１の下面の一部に接合された基盤１２と、前記溝１３と前記基盤１２の上面との間に配置された抵抗発熱体１４と、前記プレート部材１１の上面に形成され、それぞれの上面が同一の平面を構成する複数の凸部１６と、を具備することを特徴とするヒータユニット１が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置間でのデータのコピー、移動に使用される可搬性の記憶媒体で、信頼性の低い記憶媒体であっても、コピー、移動が高精度に実行できる様にした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理実行用データの第１格納手段４３と一時的に格納する第２格納手段間４５でデータの移動を制御する制御手段４２を具備し、前記第１格納手段４３からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第２格納手段４５のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記１時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第２格納手段４５の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程とを有し、上記バッファ層製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層の製膜時の基板温度よりも、上記バッファ層製膜工程の基板温度を高くした。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２がその中心軸周りに回転するようにされて底壁に設けられ、かつウェハーホルダ上に配置されたウェハーに対して少なくとも２つの傾斜されたカソード１１ａ〜１１ｄが上壁に設けられる反応容器１０を備え、カソードの各々はｒｆ発生器から整合回路を介してｒｆ電流が供給され、ガス導入部とガス排出部を含む圧力制御機構を備える。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板（ウェーハ）の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処理装置において、基板保持具上の基板に関する移載情報をボートイメージ図としてボート全体を操作画面上に表示させると共にボート全体を複数領域に分割して、各領域の基板の詳細情報を操作画面に表示させる。 （もっと読む）

【課題】原料ガス中の有機溶媒成分を効率よく除去するとともに原料ガスに含まれる有機金属化合物の分解を抑制することができる成膜方法と成膜装置を提供する。
【解決手段】金属有機化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化して原料ガスを生成する工程と、原料ガスを、基板１の設置された反応室１０内に導入する工程と、を有し、原料ガスが基板１に到達する前に、貴金属を含む触媒と原料ガスと酸素ガスとを接触させ、有機溶媒を分解した上で、基板１上に金属を含む膜２を成膜する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの生産性を向上させる、ウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするためのウェーハ自動移載装置であって、可動アームと、この可動アームに取り付けられるウェーハ保持ハンドと、このウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、ウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測する距離センサを有することを特徴とするウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法。 （もっと読む）

【課題】
クランプ力の管理、クランプ力の均一化が容易であり、又小型化が可能であるクランプ装置を具備した基板処理装置を提供し、又係る基板処理装置による半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板８を搬入出する開口部１６を有し、内部で基板を処理する反応容器４，１１と、前記開口部を開閉する蓋体１７と、該蓋体乃至前記反応容器に対して回転及び往復移動可能に設けられ、回転及び往復移動により前記蓋体と前記反応容器とを係合解除可能なロック部材１９と、該ロック部材を回転及び往復移動させる移動機構とを具備する。
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【課題】排気手段内の汚染物質が処理室内へ逆拡散（逆流）することを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】減圧下で基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に所望のガスを供給するガス供給手段２３２と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気手段２３１と、ガス供給手段２３２に設けられる第１のバルブ１７７等と、排気手段に設けられる第２のバルブ２４２と、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段と、第１のバルブ１７７等、第２のバルブ２４２、及び圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段２４０と、を有し、制御手段２４０は、第１のバルブ１７７等を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、第２のバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、検知した圧力が所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体３が電力供給機構に接続されている接続部３３及び／又は発熱体が支持体に支持されている支持部３１を、接続部３３、支持部３１との間に隙間を存在させて、かつ発熱体と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部３３、支持部３１との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構３２１を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部３３に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体３の端部にパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスによる、幅の狭い高アスペクト比のギャップを充填するための方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、シーズン前駆体流を該処理チャンバに提供することによってシーズニングされる。高密度プラズマが、該処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって該シーズン前駆体から形成される。少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層が該高密度プラズマを使用してあるポイントに堆積される。複数の基板の各々が該処理チャンバに順次移送されて、エッチングを含むプロセスを実行する。該処理チャンバは、該基板の順次移送の間に洗浄される。 （もっと読む）

【課題】慣用のチャンバの改造に使用可能で、処理ガスの迅速なパージも可能としつつ、基板全体に亘ってより良好なガス、温度及び圧力均一性を付与するＡＬＤ処理キット及びチャンバ構成部品を提供する。
【解決手段】原子層堆積チャンバ２２は、ガス流入部６４とガス流出部６６との間に円錐状流路７８を有している中央キャップ部６０を備えたガス分配装置４０を備えている。このガス分配装置４０は、連結された第１及び第２円錐状開口部９２、９４を備えた天井プレート９０も有している。第１円錐状開口部９２は、中央キャップ部６０のガス流出部６６から処置ガスを受け取る。第２円錐状開口部９４は、第１円錐状開口部９２から半径方向外側に向かって延びている。このガス分配装置４０は、チャンバ２２の側壁部３０上に据えられる周縁棚部１０４も有している。 （もっと読む）

【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、複数のガス導入ヘッド３１を介して処理チャンバー内に原料ガスを導入すると共に、各ガス導入ヘッド３１からの原料ガスの導入量を独立して制御する。 （もっと読む）

【課題】高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置において、高温媒体４の垂れに起因した問題を解消し、ランニングコストや生産性を向上させる。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー１内のガス導入ヘッド３１から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構５により所定の高温に維持された高温媒体４の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダー２により保持された基板９の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、基板ホルダー２を、高温媒体４を挟んで対称の位置にそれぞれ基板９を垂直に保持する第１の基板ホルダーと第２の基板ホルダーとし、高温媒体４を、垂直な面内に、当該垂直な面内における斜め４５度より垂直に近い角度で設置された複数の媒体エレメント４１で構成する。 （もっと読む）

【課題】分流される流体流量を瞬時に管理し、所定の分流比で流体を素早く出力することができる流体分流供給ユニット及び分流制御プログラムを提供すること。
【解決手段】流体を分流して供給する流体分流供給ユニット１において、流体の流量を制御する流量制御機器８と、前記流量制御機器８の二次側に接続される複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃと、を有し、前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、前記開閉弁１０の動作周期を１サイクルとして、分流比に応じて１サイクルを時分割して前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの弁開閉動作をデューティ制御されるものである。 （もっと読む）

【課題】簡易にサセプタの着脱を可能とし、メンテナンス性に優れた気相成長装置を提供することにある。
【解決手段】略円板状のサセプタ１と、前記サセプタ１の下に配置され、前記サセプタ１を回転自在に保持する基台２と、前記サセプタ１に略同一円周上に配置された開口８に回転自在に嵌め込まれ、基板Ｗを保持する基板ホルダ３と、前記サセプタ１の中心と同軸上に軸心が合致するように当該サセプタ１と機械的に連結されて当該サセプタ１を中心軸駆動することで、前記基板ホルダ３を前記サセプタ１の中心の周りに公転させる中心駆動軸４と、前記サセプタ１が前記中心軸駆動されることに伴って前記基板ホルダ３を自転させる基板ホルダ駆動部５とを有する気相成長装置であって、前記中心駆動軸４と前記サセプタ１とが、互いに嵌合されるように設けられた凹部６と凸部７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成すること。
【解決手段】反応管１０内に複数のウエハＷを搭載したウエハボート２０を搬入し、ウエハＷを減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを反応管１０内に導入し、ウエハ上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスを周辺部から導入した場合に、成長室の被成膜基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０は、外周において環状に設けられて原料ガスが導入されるIII 族系ガス外環流路２３ａ・Ｖ族系ガス外環流路２４ａと、この内側で原料ガスを通す開口を有する開口付き仕切りと、さらに内側に位置する原料ガスのIII 族系ガスバッファエリア２３ｂ・Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂと、複数のIII 族系ガス吐出孔Ｈ３・Ｖ族系ガス吐出孔Ｈ５を有するシャワープレート２１とを備えている。III 族系ガスバッファエリア２３ｂ・Ｖ族系ガスバッファエリア２４ｂは、中心部の方が周辺部よりも高さが高い。 （もっと読む）